專利名稱：發(fā)光器件和發(fā)光器件作為光源的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件和顯示裝置，特別涉及一種用來提高亮度均勻 性的發(fā)光器件和用發(fā)光器件作為光源的顯示裝置。
背景技術(shù)：
有許多不同類型的發(fā)射可見光的發(fā)光器件。 一種類型發(fā)光器件包括這樣 的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中具有多個電子發(fā)射元件的電子發(fā)射單元放置在后襯底上并且具有螢光體層(phosphor layer )和陽極電極的發(fā)光單元放置在前襯底上。 在前襯底和后襯底外圍二者用密封件彼此密封并且前襯底和后襯底之間的 內(nèi)部空間被排氣以形成真空容器(或者腔室)。場發(fā)射陣列(field emission array， FEA )型電子發(fā)射元件和表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射 (surface conduction emission, SCE )型電子發(fā)射元件是眾所周知的。電子發(fā) 射元件向螢光體層發(fā)射電子，并且電子激發(fā)螢光體層以引起螢光體層發(fā)射可 見光。陽極電極接收幾千伏的高壓以使電子向螢光體層加速。發(fā)光器件可以用作具有被動型(或者非自發(fā)射型)顯示面板的顯示裝置 中的光源。在這種情況下，需要增加發(fā)光器件的亮度均勻性。然而，當驅(qū)動發(fā)光器件時，螢光體層劃分為接收高密度電子的第一區(qū)域 和接收低密度電子的第二區(qū)域。從而第一區(qū)域發(fā)射高亮度光，第二區(qū)域發(fā)射 低或者極低亮度光。由于亮度不同，傳統(tǒng)發(fā)光器件具有低亮度均勻性。在此背景技術(shù)部分公開以上信息，僅僅用于增加對本發(fā)明背景的了解， 因此它可能包括不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的示范性實施例提供發(fā)光器件和用發(fā)光器件作為光源的顯示裝 置，該發(fā)光器件能夠提高亮度均勻性。本發(fā)明的實施例提供發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括發(fā)光面板，包括至少' 兩個彼此隔開的發(fā)射區(qū)域和發(fā)射區(qū)域之間的非發(fā)射區(qū)域；和散光器(lightdiffuser)，位于發(fā)光面板的前面，該散光器包括至少兩個與發(fā)射區(qū)域相對應(yīng) 的第一漫射部分和與非發(fā)射區(qū)域相對應(yīng)的第二漫射部分，其中第二漫射部分 的漫透射率大于第 一漫射部分的漫透射率(difflision transmittance)。第一漫射部分的漫透射率可以約為60%到80% ，并且第二漫射部分的 漫透射率可以約為80 %到100 % 。第 一 漫射部分和第二漫射部分可以包括基層，該基層包括透明樹脂和多 個散光粒子；并且第二漫射部分中的散光粒子密度可以大于第一漫射部分中 的散光粒子密度。第 一漫射部分每單位面積由散光粒子占據(jù)的面積可以約為50 %到80 % ， 并且第二漫射部分每單位面積由散光粒子占據(jù)的面積可以約為70%到 100% 。發(fā)光面板可以包括第一襯底和第二襯底，彼此面對且二者之間有間隙； 電子發(fā)射單元，位于第一襯底的一面上且包括多個電子發(fā)射元件；和發(fā)光單 元，位于第二襯底的一面上且包括陽極電極和螢光體層。發(fā)光面板可以包括多個像素區(qū)域，每個像素區(qū)域具有至少 一個電子發(fā)射 元件，并且其中每個發(fā)射區(qū)域與每個像素區(qū)域相對應(yīng)；和非發(fā)射區(qū)域，與像 素區(qū)域的外圍相對應(yīng)。至少一個電子發(fā)射元件可以包括陰極電極；門(gate)電極，與陰極電 極交叉且與陰極電極絕緣；和至少一個電子發(fā)射區(qū)域，電連接到陰極電極。至少一個電子發(fā)射元件可以包括第一電極；第二電極，與第一電極交叉 且與第一電極絕緣；第一導(dǎo)電層，與第一電極連接；第二導(dǎo)電層，與第二電 極連接且與第一導(dǎo)電層隔開；和電子發(fā)射區(qū)域，在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層 之間。本發(fā)明的另一個實施例提供顯示裝置，該顯示裝置包括顯示面板，用 來顯示圖像；發(fā)光面板，用來向顯示面板發(fā)射光且包括至少兩個彼此隔開的 發(fā)射區(qū)域和發(fā)射區(qū)域之間的非發(fā)射區(qū)域；和散光器，位于顯示面板和發(fā)光面 板之間且包括至少兩個與發(fā)射區(qū)域相對應(yīng)的第一漫射部分和與非發(fā)射區(qū)域 相對應(yīng)的第二漫射部分，其中第二漫射部分的漫透射率比第一漫射部分的漫 透射率大。第一漫射部分的漫透射率可以約為60%到80%,并且第二漫射部分的 漫透射率可以約為80%到100%。第 一 漫射部分和第二漫射部分可以包括基層，該基層包括透明樹脂和多個散光粒子；并且第二漫射部分的散光粒子密度可以大于第一漫射部分的散光粒子密度。第一漫射部分每單位面積由散光粒子占據(jù)的面積可以約為50%到80% ， 并且第二漫射部分每單位面積由散光粒子占據(jù)的面積可以約為70%到 100% 。發(fā)光面板可以包括第一襯底和第二襯底，彼此面對且二者之間具有間 隙；電子發(fā)射單元，位于第一襯底的一面上且包括多個電子發(fā)射元件；和發(fā) 光單元，位于第二襯底的一面上且包括陽極電極和螢光體層。發(fā)光面板可以包括多個像素區(qū)域，每個像素區(qū)域具有至少 一個電子發(fā)射 元件，并且其中每個發(fā)射區(qū)域與每個像素區(qū)域相對應(yīng)；并且非發(fā)射區(qū)域與像 素區(qū)域的外圍相對應(yīng)。顯示面板可以包括第 一像素并且發(fā)光器件包括第二像素，第二像素的數(shù) 量可以小于第一像素的數(shù)量并且每個第二像素的亮度可以被獨立地控制。顯示面板可以是液晶顯示面板。


附圖與說明書結(jié)合對本發(fā)明的示范性實施例進行了圖解，并且附圖和說 明一起，用來解釋本發(fā)明的原理。圖1為圖解本發(fā)明第一示范性實施例的發(fā)光器件的分解透視圖。 圖2為圖解圖1所示發(fā)光器件的局部截面圖。 圖3為圖解圖1所示發(fā)光面板活動區(qū)域內(nèi)部結(jié)構(gòu)的局部剖面透射圖。 圖4為圖解圖1所示發(fā)光面板的局部截面圖。圖5為圖解本發(fā)明第二示范性實施例發(fā)光器件的發(fā)光面板的局部截面圖。圖6為圖解圖5所示的電子發(fā)射單元的局部俯視圖。圖7為圖解本發(fā)明示范性實施例的顯示裝置的分解透視圖。圖8為圖解圖7所示顯示裝置的顯示面板的局部截面圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進行更加全面的描述，在附圖中展示了本發(fā)明的示.范性實施例。然而，本發(fā)明可以實現(xiàn)為許多不同形式并且不應(yīng)解釋為局限于在此列出的實施例；更確切地，提供這些實施例使得本發(fā)明公開得充分和完整并且向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分傳達本發(fā)明的概念。本發(fā)明的示范性實施例中，所有向外面發(fā)射光的發(fā)光器件被認為是發(fā)光 器件。因此，所有通過顯示符號、字母、數(shù)字傳遞信息的顯示裝置可以被認 為是發(fā)光器件。此外，發(fā)光器件可以用作向被動型顯示面板發(fā)射光的光源。參考圖1到圖4對本發(fā)明第一示范性實施例的發(fā)光器件進行描述。參考圖1和圖2,第一示范性實施例的發(fā)光器件100包括發(fā)光面板10 和位于發(fā)光面板前面的散光器50。散光器50與發(fā)光面板10隔開且二者之間 具有距離(例如，預(yù)定的距離)。發(fā)光面板10包括第一襯底12和第二襯底14， 二者以基本平行的方式彼 此面對且之間具有間隔(例如，預(yù)定的間隔)。密封件24放置在第一襯底12 和第二襯底14的外圍以使二者密封在一起并且從而形成真空容器(或者腔 室)。真空容器的內(nèi)部空間保持約10—6托(Torr)的真空度。發(fā)光面板10還包括用來連接放置在發(fā)光面板10內(nèi)的驅(qū)動電極和放置在 第一襯底12背面上的電路板組件的第一連接器20和第二連接器22以向驅(qū) 動電4及施加驅(qū)動信號。參考圖3和圖4,在密封件24內(nèi)，每個第一襯底12和第二襯底14可以 劃分為發(fā)射可見光的活動區(qū)域和包圍活動區(qū)域的非活動區(qū)域，發(fā)射電子的電 子發(fā)射單元26放置在第 一襯底12活動區(qū)域的內(nèi)表面上并且用來發(fā)射可見光 的發(fā)光單元28放置在第二襯底14活動區(qū)域的內(nèi)表面上。其上放置發(fā)光單元28的第二襯底14可以是發(fā)光面板10的前襯底，并 且其上放置電子發(fā)射單元26的第一襯底12可以是發(fā)光面板10的后襯底。 放置在第一襯底12和第二襯底14之間的是隔墊物，該隔墊物能抵抗施加到 真空容器的壓力并且能保持第一襯底12和第二襯底14間的間隙基本均勻。第一示范性實施例中，電子發(fā)射單元26包括多個場發(fā)射陣列(FEA) 型電子發(fā)射元件。電子發(fā)射單元26包括電子發(fā)射區(qū)域30和用來控制電子發(fā)射區(qū)域30電 子發(fā)射量的驅(qū)動電極32與34。驅(qū)動電極32和34包括陰極電極32，排列成 以第一襯底12的第一方向(圖3的y軸方向)延伸的條形圖案；和門電極 34，排列成以基本垂直于第一方向的第二方向(圖3的x軸方向)延伸的條形圖案。絕緣層36置于陰極電極32和門電極34之間。開口 341和開口 361分別形成于每個陰極電極32與門電極34彼此交叉 區(qū)域的門電極34和絕緣層36中以部分暴露陰極電極32。電子發(fā)射區(qū)域30 位于絕緣層36的開口 361中的陰極電極32上。電子發(fā)射區(qū)域30由這樣的材料形成，在真空條件下當電場在該材料周 圍形成時，該材料發(fā)射電子，例如碳基材料或者納米尺度的材料。例如，電 子發(fā)射區(qū)域30可以包括至少一種選自由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、 金剛石、類金剛石碳、富勒分子(C6Q,fullerene)、硅納米線和其結(jié)合組成的 組中的材料?；蛘?，電子發(fā)射區(qū)域30可以由鉬基(molybdenum-based)材料或者硅 基(silicon-based)材料制成的銳利尖端結(jié)構(gòu)(sharp tip structure )形成。在上面描述的結(jié)構(gòu)中， 一個陰極電極32， 一個門電極34和位于陰極電 極32和門電極34的一個交叉區(qū)域的電子發(fā)射區(qū)域30形成單個電子發(fā)射元 件。 一個電子發(fā)射元件可以與發(fā)光面板10的單個像素區(qū)域相對應(yīng)?？蛇x擇 地，兩個或者更多的電子發(fā)射元件可以與發(fā)光面板10的單個像素區(qū)域相對 應(yīng)。發(fā)光單元28包括陽極電極38、位于陽極電極38 —個表面上的螢光體層 40和覆蓋螢光體層40的反射層42。陽極電才及38由透明導(dǎo)電材料形成，如氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)， 使得螢光體層40發(fā)射的可見光可以透過陽極電極38。陽極電極38是一個加 速電極，該電極接受幾千伏或者更高的高壓(也就是陽極電壓)以使螢光體 層40置于高電位狀態(tài)。螢光體層40可以由紅色、綠色和藍色熒光粉的混合物形成，該混合物 可以共同發(fā)射白光。在這種情況下，螢光體層40可以形成于第二襯底14的 整個活動區(qū)域上或者可以劃分成與像素區(qū)域相對應(yīng)的多個部分。圖3和圖4 展示了螢光體層40形成于第二襯底14整個活動區(qū)域上的情況。反射層42可以是厚度約為幾千埃(A)并包括多個用來通過電子的微孔 的鋁層。反射層42通過向第二襯底14反射可見光起到增加發(fā)光面板10亮 度的作用，該可見光從螢光體層40射向第一襯底12。由透明導(dǎo)電材料形成的陽極電極38可以去除，并且反射層42通過接受 陽極電壓起陽極電才及38的作用。當掃描驅(qū)動電壓施加于陰極電極32或者門電極34中的一個，數(shù)據(jù)驅(qū)動 電壓施加于陰極電極32或者門電極34中的另 一個并且?guī)浊Х蛘吒蟮恼?直流陽極電壓施加于陽極電極38時，發(fā)光面板10便被驅(qū)動。在陰極電極32和門電極34之間的電壓差等于或者大于閾值的各個像素 處，電場形成于電子發(fā)射區(qū)域30周圍，并且從而電子發(fā)射區(qū)域30發(fā)射電子。 發(fā)射的電子被施加到陽極電極3 8的陽極電壓吸引而與螢光體層40的相應(yīng)部 分碰撞，因此激發(fā)螢光體層40。當螢光體層40形成于第二襯底14的整個活動區(qū)域上時，螢光體層40 與像素區(qū)域相對應(yīng)的確定區(qū)域通過接收來自電子發(fā)射元件的高密度電子發(fā) 射高亮度光。相反,螢光體層40與像素區(qū)域外圍相對應(yīng)的其他區(qū)域通過接 收來自(例如，偏離)電子發(fā)射元件的低密度電子發(fā)射低亮度光。當螢光體層40劃分為多個與彼此之間具有距離(例如，預(yù)定的距離) 的像素區(qū)域相對應(yīng)的部分時，發(fā)光面板10在螢光體層40的該些部分之間形 成非發(fā)射區(qū)域。因此，如圖1所示，發(fā)光面板10在活動區(qū)域大體上形成多個彼此隔開 的發(fā)射區(qū)域16和多個設(shè)置在發(fā)射區(qū)域16之間的非發(fā)射區(qū)域18(或者低發(fā)射 區(qū)域)。發(fā)射區(qū)域16與像素區(qū)域相對應(yīng)，并且非發(fā)射區(qū)域18與像素區(qū)域外 圍相對應(yīng)，發(fā)射區(qū)域16可以以發(fā)光面板10的4亍方向(圖1的x軸方向)和 列方向(圖1的y軸方向)彼此隔開。非發(fā)射區(qū)域18可以形成為網(wǎng)格圖案。參考圖1和圖2，散光器50漫射發(fā)光面板IO發(fā)射的光。散光器50包括 多個與發(fā)光面板10的發(fā)射區(qū)域16相對應(yīng)的第一漫射部分52和多個與發(fā)光 面板10的非發(fā)射區(qū)域18相對應(yīng)的第二漫射部分54。散光器50可以是能保 持板形的散光板。第一漫射部分52和第二漫射部分54包括由透明樹脂形成的基層56和 多個放置在基層56內(nèi)或者放置在基層56表面的散光粒子58。散光粒子58 可以是透光率與基層56透光率不同的微球。圖2展示了散光粒子58放置在 基層56內(nèi)的情況。第二漫射部分54的散光粒子58密度大于第一漫射部分52的散光粒子 58密度。此夕卜,第二漫射部分54的漫射效率(diffusion efficiency)大于第 一漫射部分52的漫射效率。也就是，第二漫射部分54的漫透射率大"于第一 漫射部分52的漫透射率。例如，第一漫射部分52每單位面積由散光粒子58占據(jù)的面積可以約為 50%到80%，并且第一漫射部分52可以具有約60%到80%的漫透射率。其 中如果漫透射率小于約60%，發(fā)光器件100的亮度均勻性可能變差，并且如 果漫透射率大于約80%,發(fā)光器件100的透光率可能減少。第二漫射部分 54每單位面積由散光粒子58占據(jù)的面積可以約為700/。到100%，并且第二 漫射部分54的漫透射率可以約為80%到100%。當發(fā)光面板10發(fā)射的光透過散光器50時，發(fā)射區(qū)域16發(fā)射的光由第 一漫射部分52漫射。同樣，非發(fā)射區(qū)域18或者發(fā)射區(qū)域16邊界發(fā)射的光 由第二漫射部分54漫射，該第二漫射部分54的漫射效率大于第一漫射部分 52的漫射效率。因此，第一漫射部分52和第二漫射部分54之間的亮度差減少，從而提 高發(fā)光器件100的亮度均勻性。因此，發(fā)光面板10的非發(fā)射區(qū)域18可以不 被注視散光器50的觀察者看出。參考圖5和圖6對本發(fā)明第二示范性實施例的發(fā)光器件進行描述。 參考圖5和圖6，除了電子發(fā)射單元261包括多個表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射型電子 發(fā)射元件之外，此示范性實施例的發(fā)光器件101具有和本發(fā)明第一示范性實 施例發(fā)光器件IOO相同的結(jié)構(gòu)。與第一示范性實施例相同的元件由相同的參 考數(shù)字標注。電子發(fā)射單元261包括第一電極43，以第一襯底12的第一方向(圖6 的y軸方向)延伸；第二電極44,以基本垂直于第一方向的第二方向(圖6 的x軸方向)延伸并且與第一電極43絕緣；第一導(dǎo)電層46，連接到每個第 一電極43;第二導(dǎo)電層48,連接到每個第二電極44并且與第一導(dǎo)電層46 隔開；和電子發(fā)射區(qū)域49,放置在第一導(dǎo)電層46和第二導(dǎo)電層48之間。電子發(fā)射區(qū)域49可以由碳基材料形成。例如，電子發(fā)射區(qū)域49可以包 括至少一種選自由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、 富勒分子(C60)、硅納米線和其結(jié)合組成的組中的材料?；蛘?，電子發(fā)射區(qū) 域可以由在第 一導(dǎo)電層46和第二導(dǎo)電層48之間的細裂縫(fme crack)形成。在上面描述的結(jié)構(gòu)中， 一個第一電極43、 一個第二電極44、 一個第一 導(dǎo)電層46、 一個第二導(dǎo)電層48和一個電子發(fā)射區(qū)域49形成單個電子發(fā)射元 件。 一個電子發(fā)射元件或者多個電子發(fā)射元件可以與發(fā)光器件101的單個像 素區(qū)域相對應(yīng)。當電壓施加到第 一 電極43和第二電極44上時，電流以基本平行于電子發(fā)射區(qū)域49表面的方向流動穿過第一導(dǎo)電層46和第二導(dǎo)電層48，從而實現(xiàn) 來自電子發(fā)射區(qū)域49的表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射。參考圖7和圖8對本發(fā)明示范性實施例的顯示裝置進行描述。顯示裝置 包括作為光源的第一示范性實施例或者第二示范性實施例的發(fā)光器件。參考圖7，此示范性實施例的顯示裝置200包括發(fā)光器件100,具有發(fā) 光面板IO和散光器50;和顯示面板60，位于發(fā)光器件100的前面。頂架(top chassis )(未示出)位于顯示面板60的前面并且底架位于發(fā)光器件100的后面。液晶顯示面板或者其他被動型(或者非發(fā)射型)顯示面板可以用作顯示 面板60。下面的描述中，對顯示面板60為液晶顯示面板的情況作為例子進 行解釋。參考圖8，顯示面板60包括下襯底62，其上形成多個薄膜晶體管(TFTs ) 72和多個像素電極74;上襯底64，其上形成彩色濾光層76和公共電極78; 和液晶層80,放置在下襯底62和上襯底64之間。偏振板82和84分別貼附 于上襯底64的頂面和下襯底62的底面以使穿過顯示面板60的光偏振。為每個子像素提供像素電極74，并且每個像素電極的驅(qū)動由TFT 72控 制。像素電極74和公共電極78由透明導(dǎo)電材料形成。彩色濾光層76包括 排列的以與各自的子像素相對應(yīng)的紅色、藍色和綠色層。三個子像素，即例 如并排放置的紅色、藍色和綠色層，定義單個像素。當預(yù)定子像素的TFT 72開啟時，電場在像素電極74和公共電極78之 間形成。液晶層80的液晶分子扭曲角改變則相應(yīng)子像素的透光率也相應(yīng)地 改變。顯示面板60通過控制子像素的透光率實現(xiàn)了每個像素期望的亮度和 顏色。圖7中，參考數(shù)字66標注用來向TFTs 72的每個柵電極傳遞柵驅(qū)動信 號的柵電路板組件，并且參考數(shù)字68標注用來向TFTs 72的每個源電極傳 遞數(shù)據(jù)驅(qū)動信號的數(shù)據(jù)電路板組件。參考圖7,發(fā)光面板10包括多個像素，其數(shù)量小于顯示面板60的像素 數(shù)量，使得發(fā)光面板10的一個像素與顯示面板60的兩個或者多個像素相對 應(yīng)。發(fā)光面板10的每個像素響應(yīng)顯示面板60相應(yīng)像素灰度中的最高灰度而 發(fā)射光。發(fā)光面板10在每個像素可以表現(xiàn)2至8比特的灰度。為了方便，顯示面板60的像素被稱為第一像素并且發(fā)光面板10的像素被稱為第二像素。與一個第二像素相對應(yīng)的各個第一像素被稱為第一像素 組。在發(fā)光面板10的驅(qū)動過程中，控制顯示面板60的信號控制單元(i )探測第 一像素組的最高灰度；(ii)確定第二像素響應(yīng)探測到的最高灰度而發(fā)射 光的所需灰度并且把灰度轉(zhuǎn)換為數(shù)字數(shù)據(jù)；(iii)用數(shù)字數(shù)據(jù)產(chǎn)生發(fā)光面板 10的驅(qū)動信號；和(iv) ^te驅(qū)動信號施加到發(fā)光面板10。發(fā)光面板10的驅(qū)動信號包括掃描驅(qū)動信號和數(shù)據(jù)驅(qū)動信號。陰極電極 和各個門電極中的一個(例如，門電極)被施加掃描驅(qū)動信號并且陰極電極 和門電極中的另一個(例如，陰極電極)被施加數(shù)據(jù)驅(qū)動信號。發(fā)光面板10的掃描和數(shù)據(jù)電路板組件(未示出)可以位于發(fā)光面板10 的后表面上。圖7中，參考數(shù)字20標注用來電連接陰極電極和數(shù)據(jù)電路板 組件的第一連接器并且參考數(shù)字22標注用來電連接門電極和掃描電路板組 件的第二連接器。參考數(shù)字70標注用來把陽極電壓施加到陽極電極的第三 連接器。當圖像在第一像素組上顯示時，發(fā)光面板10相應(yīng)的第二像素通過與第 一像素組同步發(fā)射具有預(yù)定灰度的光。也就是，發(fā)光面板10獨立控制每個 像素的亮度，并且從而與第一像素組亮度成比例地為顯示面板60的相應(yīng)像 素提供合適的光強度。因此，本示范性實施例的顯示裝置200可以增加屏幕 對比度，從而提高顯示質(zhì)量。雖然以上對本發(fā)明的示范性實施例進行了詳細描述，但應(yīng)當清楚地理 解，正如由所附權(quán)利要求和它們的等價物定義的，在此教導(dǎo)的本發(fā)明基本概 念的變化和修改仍然在本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件包括發(fā)光面板，包括至少兩個彼此隔開的發(fā)射區(qū)域和在所述發(fā)射區(qū)域之間的非發(fā)射區(qū)域；和散光器，位于所述發(fā)光面板的前面，所述散光器包括至少兩個與所述發(fā)射區(qū)域相對應(yīng)的第一漫射部分和與所述非發(fā)射區(qū)域相對應(yīng)的第二漫射部分，其中，所述第二漫射部分具有大于所述第一漫射部分漫透射率的漫透射率。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一漫射部分的漫透射率為 60%到80%,并且所述第二漫射部分的漫透射率為80%到100%。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光器件，其中所述第一漫射部分和所述第 二漫射部分包括基層，所述基層包括透明樹脂和多個散光粒子；并且第二漫射部分中散光粒子的密度大于第一漫射部分中散光粒子的密度。
4. 如權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述第一漫射部分每單位面積由 所述散光粒子占據(jù)的面積為50%到80%,并且所述第二漫射部分每單位面積 由所述散光粒子占據(jù)的面積為70%到100%。
5. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述發(fā)光面板包括 第一和第二襯底，彼此面對且二者之間具有間隙；電子發(fā)射單元，位于所述第一襯底的一面上，所述電子發(fā)射單元包括多 個電子發(fā)射元件；和發(fā)光單元，位于所述第二襯底的一面上，所述發(fā)光單元包括陽極電極和 螢光體層。
6. 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中所述發(fā)光面板包括多個像素區(qū) 域，每個像素區(qū)域具有至少一個所述電子發(fā)射元件，并且其中每個所述發(fā)射區(qū)域與每個所述像素區(qū)域相對應(yīng)；并且所述非發(fā)射區(qū)域與所述像素區(qū)域的外圍相對應(yīng)。
7. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述至少一個電子發(fā)射元件包括 陰極電極；門電極，與所述陰極電極交叉且與所述陰極電極絕緣；和至少一 個電子發(fā)射區(qū)域，電連接到所述陰極電極。
8. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述至少一個電子發(fā)射元件包括第一電極；第二電極，與所述第一電極交叉且與所述第一電極絕緣；第一導(dǎo) 電層，連接到所述第一電極；第二導(dǎo)電層，連接到所述第二電極且與所述第 一導(dǎo)電層隔開；和電子發(fā)射區(qū)域，在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間。
9. 一種顯示裝置包括 顯示面板，用來顯示圖像；發(fā)光面板，用來向所述顯示面板發(fā)射光，所述發(fā)光面板包括至少兩個彼 此隔開的發(fā)射區(qū)域和所述發(fā)射區(qū)域之間的非發(fā)射區(qū)域；和散光器，位于所述顯示面板和所述發(fā)光面板之間，所述散光器包括至少 兩個與所述發(fā)射區(qū)域相對應(yīng)的第 一 漫射部分和與所述非發(fā)射區(qū)域相對應(yīng)的 第二漫射部分，其中所述第二漫射部分具有大于所述第一漫射部分漫透射率的漫透射率。
10. 如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中所述第一漫射部分的漫透射率 為60%到80%，并且所述第二漫射部分的漫透射率為80%到100%。
11. 如權(quán)利要求9或IO所述的顯示裝置，其中所述第一漫射部分和所述 第二漫射部分包括基層，所述基層包括透明樹脂和多個散光粒子；并且所述第二漫射部分的散光粒子密度大于所述第一漫射部分的散光粒子 密度。
12. 如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中所述第一漫射部分每單位面積 由所述散光粒子占據(jù)的面積為50%到80%,并且所述第二漫射部每單位面積 分由所述散光粒子占據(jù)的面積為70%到100%。
13. 如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中所述發(fā)光面板包括 第一和第二襯底，彼此面對且二者之間具有間隙；電子發(fā)射單元，位于所述第一襯底的一面上，所述電子發(fā)射單元包括多 個電子發(fā)射元件；和發(fā)光單元，位于第二襯底的一面上，所述發(fā)光單元包括陽極電極和螢光 體層。
14. 如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中所述發(fā)光面板包括多個像素區(qū) 域，每個所述像素區(qū)域具有至少一個所述電子發(fā)射元件，并且其中每個所述發(fā)射區(qū)域與每個所述像素區(qū)域相對應(yīng)；并且所述非發(fā)射區(qū) 域與所述像素區(qū)域的外圍相對應(yīng)。
15. 如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中所述顯示面板包括第一像素并 且所述發(fā)光器件包括第二像素，所述第二像素的數(shù)量小于所述第 一像素的數(shù) 量，并且每個所述第二像素的亮度被獨立地控制。
16. 如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中所述顯示面板是液晶顯示面板。
全文摘要
一種發(fā)光器件包括發(fā)光面板，包括至少兩個彼此隔開的發(fā)射區(qū)域和該發(fā)射區(qū)域之間的非發(fā)射區(qū)域；和散光器，位于該發(fā)光面板的前面，該散光器包括至少兩個與發(fā)射區(qū)域相對應(yīng)的第一漫射部分和與非發(fā)射區(qū)域相對應(yīng)的第二漫射部分，其中該第二漫射部分的漫透射率大于第一漫射部分的漫透射率。
文檔編號H01J63/06GK101308760SQ200810097149
公開日2008年11月19日 申請日期2008年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月18日
發(fā)明者丁憙星, 吳準植, 文東建, 樸度炯, 樸規(guī)鉆, 柳在光, 沈勉基, 裵宰佑, 許京宰, 許相烈, 金建植 申請人:三星Sdi株式會社