專利名稱：抑制回旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區(qū)振蕩的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微波真空器件中的電子槍技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種抑制回 旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區(qū)振蕩的方法。
背景技術(shù)：
回旋管放大器在毫米波段具有高峰值功率、高平均功率和頻帶寬等優(yōu) 點，在高性能毫米波雷達、電子對抗、通信和高能加速器等領(lǐng)域有著廣泛 的應(yīng)用前景，為高功率微波源中倍受關(guān)注的一種相干輻射源?；匦芊糯?器電子槍，提供和高頻場進行互作用的電子束。
如圖1所示，圖1為回旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍的結(jié)構(gòu)示
意圖，其中，l為陰極，2為第一陽極，3為第二陽極，4為陶瓷絕緣段， 5為前聚焦極，6為后聚焦極。
請參照圖1，回旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍提供的電子注， 從陰極發(fā)射出來進入絕熱壓縮段之前，要經(jīng)過第一陽極和第二陽極加速。 理論上這個區(qū)域僅有靜電磁場沒有高頻場，不會對電子注有任何預(yù)調(diào)制。 然而這個結(jié)構(gòu)是個類似同軸腔結(jié)構(gòu)，在第一陽極外側(cè)面與第二陽極相對形 成同軸TEM模，在第一陽極和第二陽極間隙處，容易形成rM。，或rM,，模 式，完全會對回旋管放大器穩(wěn)定工作造成危害，因而必須加以抑制。

發(fā)明內(nèi)容
(一) 要解決的技術(shù)問題
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種抑制回旋管放大器雙陽極 磁控式注入電子槍區(qū)振蕩的方法，以抑制回旋管放大器雙陽極磁控式注入 電子槍區(qū)的振蕩，避免對回旋管放大器穩(wěn)定工作造成的危害。
(二) 技術(shù)方案為達到上述目的，本發(fā)明提供了一種抑制回旋管放大器雙陽極磁控式 注入電子槍區(qū)振蕩的方法，該方法包括
對第一陽極外側(cè)壁金屬表面進行粗糙化處理；
在粗糙化后的第一陽極外側(cè)壁金屬表面涂一層衰減材料；
將涂有衰減材料的樣品放入氫爐中高溫?zé)Y(jié)。
上述方案中，所述對第一陽極外側(cè)壁金屬表面進行粗糙化處理，是在 第一陽極外側(cè)壁金屬表面進行打毛。
上述方案中，所述在第一陽極外側(cè)壁金屬表面涂的一層衰減材料為 FeSiA，或者為能夠抑制高頻振蕩的無磁性衰減材料。
上述方案中，所述將涂有衰減材料的樣品放入氫爐中高溫?zé)Y(jié)，是將 涂有衰減材料的樣品放入氫爐中在1000 。C下進行燒結(jié)。
(三)有益效果 從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果
本發(fā)明通過對第一陽極外側(cè)壁金屬表面進行粗糙化處理，然后在粗糙 化后的第一陽極外側(cè)壁金屬表面涂一層衰減材料，并將涂有衰減材料的樣 品放入氫爐中高溫?zé)Y(jié)，有效地抑制了回旋管放大器雙陽極磁控式注入電 子槍區(qū)的振蕩，避免了對回旋管放大器穩(wěn)定工作造成的危害。


圖1是回旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍的結(jié)構(gòu)示意圖2是本發(fā)明提供的抑制回旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區(qū)振
蕩的方法流程圖3是雙陽極磁控式注入電子槍第一陽極表面粗糙化的示意圖4是雙陽極磁控式注入電子槍涂衰減前的振蕩模式示意圖5是采用本發(fā)明對回旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區(qū)振蕩進
行抑制后的示意圖6是本發(fā)明第一陽極燒結(jié)衰減材料后的示意圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實 施例，并參照附圖，對本發(fā)明進一步詳細說明。
請參照圖1，本發(fā)明根據(jù)場結(jié)構(gòu)在第一陽極外側(cè)面與第二陽極形成同
軸場這一特點，在此處加衰減抑制TEM模，消除陽極間隙處的TM模。 如圖2所示，圖2為本發(fā)明提供的抑制回旋管放大器雙陽極磁控式注
入電子槍區(qū)振蕩的方法流程圖，該方法包括
步驟1、對第一陽極外側(cè)壁金屬表面進行粗糙化處理；
步驟2、在粗糙化后的第一陽極外側(cè)壁金屬表面涂一層衰減材料；
步驟3、將涂有衰減材料的樣品放入氫爐中高溫?zé)Y(jié)。
上述步驟1中對第一陽極外側(cè)壁金屬表面進行粗糙化處理，是在第一
陽極外側(cè)壁金屬表面進行打毛，具體如圖3所示。
上述步驟2中在第一陽極外側(cè)壁金屬表面涂的一層衰減材料一般為 FeSiAl，但衰減材料并不限于FeSiAl衰減材料，還可以為其它能夠抑制高 頻振蕩的無磁性衰減材料。另外，雖然FeSiAl衰減材料有磁性，但在這個 特殊位置使用不會對電子軌跡產(chǎn)生破壞。材料本身處在陰極相對的位置， 背景溫度會達到幾百度，雖未達到材料的居里點，但退磁的作用會存在； 再者材料厚度有限，磁性較弱，同時陰極區(qū)磁場很強，大于1000高斯， 那么衰減材料磁性作用就很有限了。圖4和圖5分別示出了雙陽極磁控式 注入電子槍涂衰減前的振蕩模式示意圖以及采用本發(fā)明技術(shù)方案對回旋 管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區(qū)振蕩進行抑制以后的示意上述步驟3中將涂有衰減材料的樣品放入氫爐中高溫?zé)Y(jié)，是將涂有 衰減材料的樣品放入氫爐中在100(TC下進行燒結(jié)。具體如圖6所示，圖6 是本發(fā)明第一陽極燒結(jié)衰減材料后的示意圖。
經(jīng)過這種衰減方法，陽極間隙處的TM模場被排除掉了，對同軸模也 起了抑制作用。
以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進行 了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而 己，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修 改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種抑制回旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區(qū)振蕩的方法，其特征在于，該方法包括對第一陽極外側(cè)壁金屬表面進行粗糙化處理；在粗糙化后的第一陽極外側(cè)壁金屬表面涂一層衰減材料；將涂有衰減材料的樣品放入氫爐中高溫?zé)Y(jié)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制回旋管放大器雙陽極磁控式注入電子 槍區(qū)振蕩的方法，其特征在于，所述對第一陽極外側(cè)壁金屬表面進行粗糙 化處理，是在第一陽極外側(cè)壁金屬表面進行打毛。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制回旋管放大器雙陽極磁控式注入電子 槍區(qū)振蕩的方法，其特征在于，所述在第一陽極外側(cè)壁金屬表面涂的一層 衰減材料為FeSiAl，或者為能夠抑制高頻振蕩的無磁性衰減材料。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制回旋管放大器雙陽極磁控式注入電子 槍區(qū)振蕩的方法，其特征在于，所述將涂有衰減材料的樣品放入氫爐中高 溫?zé)Y(jié)，是將涂有衰減材料的樣品放入氫爐中在100(TC下進行燒結(jié)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種抑制回旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區(qū)振蕩的方法，該方法包括對第一陽極外側(cè)壁金屬表面進行粗糙化處理；在粗糙化后的第一陽極外側(cè)壁金屬表面涂一層衰減材料；將涂有衰減材料的樣品放入氫爐中高溫?zé)Y(jié)。利用本發(fā)明，有效地抑制了回旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區(qū)的振蕩，避免了對回旋管放大器穩(wěn)定工作造成的危害。
文檔編號H01J9/02GK101599401SQ200810114538
公開日2009年12月9日 申請日期2008年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月6日
發(fā)明者劉濮鯤, 張世昌, 徐壽喜, 偉 顧 申請人:中國科學(xué)院電子學(xué)研究所