專利名稱：：準分子燈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是涉及一種準分子燈，其具備由二氧化硅玻璃構(gòu)成的放電容器，在曝露于該放電容器中的表面上形成有紫外線反射膜。
背景技術(shù)：
：近年來，開發(fā)了例如通過將波長200nm以下的真空紫外光照射在由金屬、玻璃及其它材料構(gòu)成的被處理體上，而在該真空紫外光及由此所生成的臭氧的作用下來進行被處理體的表面處理、例如清洗處理、成膜處理、去灰處理的技術(shù)，而將這些技術(shù)實用化。作為照射真空紫外光的裝置，將例如通過準分子放電形成準分子分子、并利用從該準分子分子所放射的光的準分子燈作為光源，在此種準分子燈中，為了更有效率地放射更高強度的紫外線，進行了很多嘗試。具體上，例如參照圖6加以說明，公開了如下技術(shù)(參照專利文獻1》一種準分子燈50，具備透射紫外線的由二氧化硅玻璃構(gòu)成的放電容器51，在該放電容器51的內(nèi)側(cè)與外側(cè)分別設(shè)有電極55、56，其中，在放電容器51的曝露于放電空間S的表面上形成紫外線反射膜20，例如通過紫外線反射率高的紫外線散射粒子，例如二氧化硅、氧化鋁、氟化鎂、氟化鈣、氟化鋰、氧化鎂等，形成紫外線反射膜。在該準分子燈50中，在放電容器51的一部分，未形成紫外線反射膜20，從而形成出射在放電空間S內(nèi)產(chǎn)生的紫外線的光出射部58。在此種構(gòu)成的準分子燈50中，入射于紫外線反射膜的在放電空間S內(nèi)產(chǎn)生的紫外線被擴散反射，即重復(fù)進行在多個紫外線散射粒子的表面上的折射、反射，并從光出射部58出射。專利文獻1:日本專利第3580233號公報
發(fā)明內(nèi)容然而，在具備上述構(gòu)成的紫外線反射膜的準分子燈中，入射于紫外線反射膜的紫外線會透射該紫外線反射膜，為了防止產(chǎn)生紫外線的反射率降低的問題，需要以適當(dāng)?shù)哪ず駚硇纬勺贤饩€反射膜。所以本申請發(fā)明人，在與構(gòu)成紫外線反射膜的紫外線散射粒子的中心粒徑的大小的關(guān)系上，發(fā)現(xiàn)了通過設(shè)定紫外線反射膜的膜厚可以有效率地利用紫外線，從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明鑒于上述情況，其目的在于提供一種準分子燈，其可得到能有效率地反射在放電空間內(nèi)產(chǎn)生的真空紫外光的紫外線反射膜，而可有效率地出射真空紫外光，并且可確實地防止紫外線反射膜從放電容器剝落。本發(fā)明的準分子燈，包括具有放電空間的由二氧化硅玻璃構(gòu)成的放電容器，在夾著形成該放電容器的二氧化硅玻璃的狀態(tài)下設(shè)有一對電極，并且在放電空間內(nèi)封入有氙氣體，其特征在于，在上述放電容器的曝露于放電空間中的表面上，形成通過由二氧化硅粒子和氧化鋁粒子形成的紫外線散射粒子構(gòu)成的紫外線反射膜，該紫外線反射膜的膜厚YOmi)，在將構(gòu)成紫外線反射膜的紫外線散射粒子的中心粒徑設(shè)為X(nm)時，滿足Y>4X+5的關(guān)系。在本發(fā)明的準分子燈中，優(yōu)選上述紫外線反射膜中二氧化硅粒子的含有比率為30wt。/。以上。根據(jù)本發(fā)明的準分子燈，通過由二氧化硅粒子與氧化鋁粒子形成的紫外線散射粒子構(gòu)成的紫外線反射膜，以在與紫外線散射粒子的中心粒徑的大小的關(guān)系上設(shè)定的適當(dāng)大小的膜厚形成，從而可將真空紫外光通過紫外線反射膜確實地擴散反射，因此可有效率地出射真空紫外光，而且紫外線反射膜所含的二氧化硅粒子相對于形成放電容器的二氧化硅玻璃具有高粘結(jié)性，因此可確實地防止紫外線反射膜從放電容器剝落?！獔Dl是表示本發(fā)明的準分子燈的一例的構(gòu)成概略的說明用截面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的截面的截面圖，(b)是表示(a)的A-A線截面圖。圖2是表示用于說明二氧化硅粒子及氧化鋁粒子的粒徑的定義的說明圖。圖3是表示實驗例的各準分子燈的照度相對值的測定結(jié)果的圖表。圖4是表示用于說明實驗例的準分子燈的照度測定方法的截面圖。圖5是表示照度相對值為1.2以上時的、紫外線散射粒子的中心粒徑和紫外線反射膜的需要膜厚的關(guān)系的圖表。圖6是表示本發(fā)明的準分子燈的另一例子的構(gòu)成概略的說明用截面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的截面的橫截面圖，(b)是表示(a)的A-A線截面圖。圖7是表示本發(fā)明的準分子燈的其它例子的構(gòu)成概略的說明用截面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的截面的截面圖，(b)是表示垂直于(a)的紙面的平面下的截面的截面圖。具體實施例方式圖1是表示本發(fā)明的準分子燈的一例的構(gòu)成的概略的說明用截面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的截面的截面圖，(b)是表示(a)的A-A線截面圖。該準分子燈io具備兩端被氣密地封閉而形成有放電空間s的截面矩形狀的中空長條狀的放電容器11，在該放電容器11的內(nèi)部，作為放電用氣體封入有氙氣體。放電容器11是由良好地透射真空紫外光的二氧化硅玻璃、例如合成石英玻璃構(gòu)成，具有作為電介質(zhì)的功能。在放電容器11的長邊面的外表面，以在長度方向延伸的方式相對地配置有一對柵格狀電極、即作為高電壓供給電極發(fā)揮功能的一個電極15及作為接地電極發(fā)揮功能的另一個電極16，從而成為在一對電極15、16之間夾著作為電介質(zhì)發(fā)揮功能的放電容器11的狀態(tài)。此種電極例如可以通過將金屬構(gòu)成的電極材料糊膏涂布于放電容器11上、或通過照片印刷形成。在該準分子燈10中，向一個電極15供給點燈電力時，經(jīng)由作為電介質(zhì)發(fā)揮的放電容器11的壁而在兩電極15、16間產(chǎn)生放電，從而形成準分子分子，并且產(chǎn)生從該準分子分子放射在例如波長170mn附近具有峰值的真空紫外光的準分子放電，但為了有效率地利用通過該準分子放電所產(chǎn)生的真空紫外光，將紫外線反射膜20設(shè)于放電容器11的曝露于放電空間S中的內(nèi)表面上。紫外線反射膜20例如在放電容器11的長邊面的與作為高電壓供給電極發(fā)揮功能的一個電極15對應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域、及與該區(qū)域連續(xù)的短邊面的內(nèi)表面區(qū)域的一部分上形成，而在放電容器11的長邊面的與作為接地電極發(fā)揮功能的另一個電極16對應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域上，通過未形成有紫外線反射膜20來構(gòu)成光出射部(孔徑部)18。紫外線反射膜20通過由二氧化硅粒子與氧化鋁粒子形成的紫外線散射粒子所構(gòu)成，可以通過氧化鋁粒子與二氧化硅粒子混在的物質(zhì)、例如二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的堆積體構(gòu)成。紫外線反射膜20具有重復(fù)產(chǎn)生反射與折射的"擴散反射"的功能，具體原理如下二氧化硅粒子及氧化鋁粒子自身具有高折射率從而具有真空紫外光透射性，因此到達二氧化硅粒子或氧化鋁粒子的真空紫外光的一部分在粒子表面被反射，同時其它的部分折射而入射至粒子內(nèi)部，進而入射至粒子內(nèi)部的大部分光被透射(一部分被吸收)，而再出射之際被折射。此外，紫外線反射膜20由二氧化硅粒子與氧化鋁粒子構(gòu)成，即由陶瓷構(gòu)成，具有不會產(chǎn)生雜質(zhì)氣體、且耐于放電的特性。構(gòu)成紫外線反射膜20的二氧化硅粒子，可以是玻璃狀態(tài)、或是結(jié)晶狀態(tài)、或是任何狀態(tài)，但優(yōu)選使用玻璃狀態(tài)，例如可使用將二氧化硅玻璃粉末狀地作成細粒子后的物質(zhì)等。二氧化硅粒子的如下定義的粒徑例如在0.01~20pm的范圍內(nèi)，中心粒徑(數(shù)均粒徑的峰值)例如優(yōu)選為0.11(Him，更優(yōu)選為0.3~3|Lim。此外，具有中心粒徑的二氧化硅粒子的比率優(yōu)選為50%以上。構(gòu)成紫外線反射膜20的氧化鋁粒子的如下定義的粒徑例如在0.110nm的范圍內(nèi)，中心粒徑(數(shù)均粒徑的峰值)例如優(yōu)選為0.13nm，更優(yōu)選為0.3~l(im。此外，具有中心粒徑的氧化鋁粒子的比率優(yōu)選為50%以上。構(gòu)成紫外線反射膜20的二氧化硅粒子及氧化鋁粒子的"粒徑"是指將紫外線反射膜20在與其表面垂直的方向上切剖時的切剖面中的厚度方向的大約中間位置作為觀察范圍，通過掃描型電子顯微鏡(SEM)取得放大投影圖像，以一定方向的兩條平行線夾著該放大投影圖像的任意粒子時的該平行線的間隔、即費雷特(Feret)直徑。如圖2(a)所示地，具體上，在以單獨存在大約球狀的粒子A及具有粉碎粒子形狀的粒子B等的粒子時，將以朝著一定方向(例如紫外線反射膜20的厚度方向)延伸的兩條平行線夾著該粒子時的對應(yīng)平行線的間隔作為粒徑DA、DB。此外，對于具有初始材料的粒子熔融而接合的形狀的粒子C，如圖2(b)所示地，對于被判別為初始材料的粒子C1、C2的部分中的各球狀部分，測定由朝一定方向(例如紫外線反射膜20的厚度方向)延伸的2條平線夾著時的該平行線的間隔，將此作為該粒子的粒徑DC1、DC2。構(gòu)成紫外線反射膜20的二氧化硅粒子及氧化鋁粒子的"中心粒徑"是指將如上得到的各粒子的粒徑的最大值和最小值的粒徑的范圍，例如以O(shè).lpm的范圍分成多個區(qū)分、例如分成的15區(qū)分左右后，屬于各個區(qū)分的粒子個數(shù)(度數(shù))最大的區(qū)分的中心值。二氧化硅粒子及氧化鋁粒子通過具有與真空紫外光的波長相同程度的上述范圍的粒徑，而可有效率地擴散反射真空紫外光。上述準分子燈10的紫外線反射膜20所含的二氧化硅粒子的比率，例如優(yōu)選為30wt。/。以上，更優(yōu)選為40wt。/。以上。從而，可得到紫外線反射膜20相對于放電容器11的充分的粘結(jié)性，而可確實地防止紫外線反射膜20從放電容器剝落。此外，紫外線反射膜20中的氧化鋁粒子的比率優(yōu)選是二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的合計的例如lwt。/。以上，更優(yōu)選5wt%，進一步優(yōu)選為10wt。/。以上，而優(yōu)選為70wt。/。以下。氧化鋁粒子具有比二氧化硅粒子高的折射率，因此通過含有氧化鋁粒子，與僅由二氧化硅粒子形成的紫外線反射膜20相比較，可得到高反射率。以上，上述準分子燈10的紫外線反射膜20的膜厚YOim),在將構(gòu)成紫外線反射膜20的紫外線散射粒子的中心粒徑設(shè)為XOun)時，為滿足Y>4X+5的關(guān)系的狀態(tài)。紫外線散射粒子的粒徑相對于紫外線反射膜20的膜厚大小過大時，由于紫外線反射膜20的紫外線散射粒子的密度變小，從而存在入射于該紫外線反射膜20的真空紫外光透射紫外線反射膜20的可能性變高、反射率降低的問題。此外，在紫外線散射粒子的粒徑較小時，即使在減小紫外線反射膜20的膜厚時，也可使入射于紫外線反射膜20的真空紫外光充分地擴散反射而可得到高照度，因此紫外線反射膜20的膜厚的下限值(需要膜厚)，并不是絕對值而是在與紫外線散射粒子的中心粒徑的關(guān)系中被設(shè)定。此外，若將紫外線反射膜20的膜厚變大，則有反射率變高的趨勢，但若成為某一定厚度以上，則反射率并不會進一步變高，相反地，向放電容器11內(nèi)的填充有放電氣體的放電空間S施加的電壓會隨著膜厚變大而降低，從而使得燈的放電開始電壓變高，會產(chǎn)生無法使準分子燈點燈的問題，以及若將膜厚作成過厚，則存在紫外線反射膜20容易被剝落、例如因燈輸送中的振動而剝落的問題，因此紫外線反射膜20的膜厚上限值被設(shè)定為可確實地防止產(chǎn)生此種問題的同時可得到充分的反射率，例如為1000(am。此種紫外線反射膜20例如可通過稱為"流下法"的方法形成。艮P，在組合了水與PEO樹脂(聚氧化乙烯)的具有粘性的溶劑中混合二氧化硅粒子、或二氧化硅粒子及氧化鋁粒子來調(diào)配分散液，通過將該分散液流進放電容器形成材料內(nèi)，在附著于放電容器形成材料的內(nèi)表面的所定區(qū)域之后，利用干燥、燒成，把水與PEO樹脂予以蒸發(fā)，從而可形成紫外線反射膜20。在此，應(yīng)形成的紫外線反射膜20的膜厚大小，可通過調(diào)整分散液的粘度來調(diào)整，例如通過降低粘度可使紫外線反射膜20的膜厚變薄，而通過提高粘度可使紫外線反射膜20的膜厚變厚。形成紫外線反射膜20時所用的二氧化硅粒子及氧化鋁粒子的制造，可利用固相法、液相法、氣相法的任何方法，但其中，由于可確實地得到亞微細粒、微米尺寸的粒子，而優(yōu)選氣相法、尤其是化學(xué)蒸鍍法(CVD)。具體上，例如二氧化硅粒子可以通過將氯化硅與氧在900~1000°C予以反應(yīng)而合成，氧化鋁粒子可以通過將原料的氯化鋁與氧在1000120(TC予以加熱反應(yīng)而合成，粒徑可通過控制原料濃度、反應(yīng)場所的壓力、反應(yīng)溫度來調(diào)整。然而，根據(jù)上述構(gòu)成的準分子燈10，由二氧化硅粒子與氧化鋁粒子形成的紫外線散射粒子所構(gòu)成的紫外線反射膜20，以在與紫外線散射粒子的中心粒徑的大小的關(guān)系中設(shè)定的適當(dāng)大小的膜厚形成，從而可通過紫外線反射膜20確實地將真空紫外光予以擴散反射，因此可有效率地可出射真空紫外光，而且紫外線反射膜20所含的二氧化硅粒子相對于形成放電容器11的二氧化硅玻璃具有高粘結(jié)性，因此可確實地防止紫外線反射膜20從放電容器11剝落。一般，在準分子燈中，公知隨著準分子放電而產(chǎn)生等離子體，但在如上構(gòu)成的準分子燈中，等離子體大約直角地入射于紫外線反射膜而施以作用，因此紫外線反射膜的溫度會局部地急劇上升，如果紫外線反射膜僅例如僅由二氧化硅粒子構(gòu)成，則會通過等離子體的熱而使得二氧化硅粒子熔融從而粒界消失，因此無法確實地擴散反射真空紫外光，反射率下降。然而，紫外線反射膜20由二氧化硅粒子與氧化鋁粒子構(gòu)成，從而根據(jù)上述構(gòu)成的準分子燈10，即使被曝露在由等離子體產(chǎn)生的熱中時，由于熔點高于二氧化硅粒子的氧化鋁粒子不會熔融，因此可以防止在粒子之間結(jié)合著互相鄰接的二氧化硅粒子與氧化鋁粒子，粒界得到維持，因此即使長時間點燈時，也可有效率地擴散反射真空紫外光，而可維持初期的反射率，其結(jié)果可有效率地出射真空紫外光，而且不會因混入有氧化鋁粒子而導(dǎo)致紫外線反射膜20相對于放電容器11的粘合性大幅度降低，因此可確實地防止紫外線反射膜20從放電容器11剝落。此外，通過在被曝露在產(chǎn)生準分子發(fā)光的放電空間S中的放電容器11內(nèi)表面上形成有紫外線反射膜20，可將隨著放電空間S內(nèi)的真空紫外線入射于構(gòu)成光出射部18以外區(qū)域的二氧化硅玻璃上產(chǎn)生的紫外線應(yīng)變所致的損傷予以減小，而可防止產(chǎn)生裂痕。以下說明為了確認本發(fā)明的效果所進行的實驗例。<實驗例1>按照圖1所示的構(gòu)成，在除了紫外線反射膜的構(gòu)成按照下述表1變更以外具有同一構(gòu)成的7種準分子燈中，分別制作在18(Hrni的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)刈兏俗贤饩€反射膜的膜厚的準分子燈。各準分子燈的基本構(gòu)成如下所述。放電容器是材質(zhì)為合成石英玻璃，尺寸是10x42xl50mm，厚度為2.5mm。封入在放電容器內(nèi)的放電用氣體是氙氣體，其封入量是40kPa。高電壓供給電極及接地電極的尺寸是30xl00mm。構(gòu)成紫外線反射膜的二氧化硅粒子中具有中心粒徑的粒子比率為50%。構(gòu)成紫外線反射膜的氧化鋁粒子中具有中心粒徑的粒子比率為50%。紫外線反射膜通過流下法使燒成溫度為IOO(TC而得到。二氧化硅粒子及氧化鋁粒子的粒徑并不是初始材料的粒徑，而是紫外線反射膜中的粒徑，二氧化硅粒子的粒徑及氧化鋁粒子的粒徑如下測定使用日本日立制電場放射型掃描電子顯微鏡"S4100"，將加速電壓設(shè)為20kV，將放大投影圖像的觀察倍率設(shè)定為對于粒徑Q.05li^m的粒子為20000倍，對于粒徑l-10pm的粒子為2000倍。構(gòu)成材料粒徑范圍[pm〗中心粒徑[pm]構(gòu)成比[wt。/。]準分子燈l紫外線反射膜l二氧化硅粒子0.05-0.50290氧化鋁粒子10準分子燈2紫外線反射膜2二氧化硅粒子0.1~20.590氧化鋁粒子10準分子燈3紫外線反射膜3二氧化硅粒子0.1~20.580氧化鋁粒子20準分子燈4紫外線反射膜4二氧化硅粒子0.1~9290氧化鋁粒子10準分子燈5紫外線反射膜5二氧化硅粒子0.15—12490氧化鋁粒子10準分子燈6紫外線反射膜6二氧化硅粒子0.15-12480氧化鋁粒子20準分子燈7紫外線反射膜7二氧化硅粒子1~1590氧化鋁粒子10針對各準分子燈，測定150200nm的波長區(qū)域的真空紫外光的照度，調(diào)查將不具有紫外線反射膜的該波長區(qū)域的光的照度為1時的照度相對值。結(jié)果示于圖3中。如圖4所示，照度測定如下進行在配置于鋁制容器30的內(nèi)部的陶瓷制的支撐臺31上固定準分子燈10，并且在距準分子燈10的表面lmm的位置，以與準分子燈10相對的方式固定紫外線照度計35，在用氮置換鋁制容器30的內(nèi)部氣氛的狀態(tài)下，通過將交流高電壓施加于準分子燈10的電極15、16間，而在放電容器11的內(nèi)部產(chǎn)生放電，測定經(jīng)由另一個電極(接地電極)16的網(wǎng)絡(luò)放射的150~200nm的波長區(qū)域的真空紫外光的照度。在設(shè)有紫外線反射膜的準分子燈中，與不具有紫外線反射膜的準分子燈相比，若具有高兩成以上的照度、即照度相對值為1.2以上，則可判斷為實用上可得到充分的效果，因此，根據(jù)圖3求出使照度相對值為1.2以上所需要的紫外線反射膜的膜厚，得到下述表2所示的結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>由以上結(jié)果可確認，通過使紫外線反射膜的二氧化硅粒子的含有比率為30wt。/。以上，不會產(chǎn)生紫外線反射膜的剝落。以上，針對于本發(fā)明的實施方式加以說明，惟本發(fā)明是并不被限定于上述實施方式者，可施加各種變更。本發(fā)明是并不被限定于上述構(gòu)成的準分子燈，也可適用于圖6所示的雙重管構(gòu)造的準分子燈、或圖7所示的所謂"四方型"的準分子燈。圖6所示的準分子燈50，具有由二氧化硅玻璃形成的圓筒狀的外側(cè)管52、及在該外側(cè)管52內(nèi)沿其管軸配置的具有比該外側(cè)管52的內(nèi)徑小的外徑的例如由二氧化硅玻璃形成的圓筒狀內(nèi)側(cè)管53，外側(cè)管52與內(nèi)側(cè)管53在兩端部被熔融接合而在外側(cè)管52與內(nèi)側(cè)管53之間具備形成有環(huán)狀放電空間S的雙重管構(gòu)造的放電容器51，例如由金屬形成的一個電極(高電壓供給電極)55密接設(shè)于內(nèi)側(cè)管53的內(nèi)周面，并且例如由金屬網(wǎng)等的導(dǎo)電性材料形成的另一個電極56密接設(shè)于外側(cè)管52的外周面，在放電空間S內(nèi)，例如填充有氤氣體等通過準分子放電形成準分子分子的放電用氣體。在此種構(gòu)成的準分子燈50中，例如在放電容器51的內(nèi)側(cè)管53的內(nèi)表面的全周設(shè)有上述紫外線反射膜20，并且在外側(cè)管52的內(nèi)表面，除了形成光出射部58的一部分區(qū)域以外，設(shè)有由二氧化硅粒子與氧化鋁粒子形成的紫外線反射膜20。此外，圖7所示的準分子燈40例如具備由合成二氧化硅玻璃構(gòu)成的截面長方形的放電容器41，將由金屬構(gòu)成的一對外側(cè)電極45、45以在放電容器41的管軸方向延伸的方式配設(shè)于放電容器41的彼此相對的外表面上，而且放電用氣體的例如氙氣體被填充于放電容器41內(nèi)。在圖5中，符號42是排氣管，符號43是由鋇形成的吸氣器。在此種構(gòu)成的準分子燈40中，在放電容器41的內(nèi)表面中與各個外側(cè)電極45，45對應(yīng)的區(qū)域及與該區(qū)域連續(xù)的一個內(nèi)面區(qū)域上，設(shè)有上述紫外線反射膜20，并通過不設(shè)置紫外線反射膜20而形成光出射部44。權(quán)利要求1.一種準分子燈，包括具有放電空間的由二氧化硅玻璃構(gòu)成的放電容器，在夾著形成該放電容器的二氧化硅玻璃的狀態(tài)下設(shè)有一對電極，并且在放電空間內(nèi)封入有氙氣體，其特征在于，在上述放電容器的曝露于放電空間中的表面上，形成通過由二氧化硅粒子和氧化鋁粒子形成的紫外線散射粒子構(gòu)成的紫外線反射膜，該紫外線反射膜的膜厚Y(μm)，在將構(gòu)成紫外線反射膜的紫外線散射粒子的中心粒徑設(shè)為X(μm)時，滿足Y＞4X+5的關(guān)系。2.如權(quán)利要求l所述的準分子燈，其中，上述紫外線反射膜中二氧化硅粒子的含有比率為30wt。/。以上。全文摘要本發(fā)明提供一種能得到可有效率地反射真空紫外光的紫外線反射膜而可有效率地出射真空紫外光、而且可確實地防止紫外線反射膜剝落的準分子燈。本發(fā)明的準分子燈，包括具有放電空間的由二氧化硅玻璃構(gòu)成的放電容器，在夾著形成該放電容器的二氧化硅玻璃的狀態(tài)下設(shè)有一對電極，并且在放電空間內(nèi)封入有氙氣體，其中，在放電容器的曝露于放電空間中的表面上，形成通過由二氧化硅粒子和氧化鋁粒子形成的紫外線散射粒子構(gòu)成的紫外線反射膜，該紫外線反射膜的膜厚Y(μm)，在將構(gòu)成紫外線反射膜的紫外線散射粒子的中心粒徑設(shè)為X(μm)時，滿足Y＞4X+5的關(guān)系。優(yōu)選紫外線反射膜中二氧化硅粒子的含有比率為30wt％以上。文檔編號H01J61/35GK101409203SQ200810170149公開日2009年4月15日申請日期2008年10月13日優(yōu)先權(quán)日2007年10月11日發(fā)明者松澤聰司,森本幸裕,藤澤繁樹申請人:優(yōu)志旺電機株式會社