專利名稱：顯示器用間隔層的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種平面顯示器用間隔物的制造方法，尤其是指一種適用于場發(fā)射
顯示器的場發(fā)射組件間隔物的制造方法。
背景技術(shù)：
顯示器在人們現(xiàn)今生活中的重要性日益增加，除了使用計算機或因特網(wǎng)外，電視 機、手機、個人數(shù)字助理(PDA)、車用信息系統(tǒng)等，均須通過顯示器控制來傳遞訊息?；谥?量、體積、及健康方面的理由，人們采用平板顯示器的比率越來越高。在眾多新興的顯示器 技術(shù)中，場發(fā)射顯示(field emission display, FED)由于具有映像管高畫質(zhì)的優(yōu)點，較傳 統(tǒng)液晶面板的視角不清、使用溫度范圍過小及反應慢而言，具有高制成率、高速反應、良好 的協(xié)調(diào)顯示性能，及超過100ftL的高亮度、輕薄構(gòu)造、色溫范圍大、高行動效率、良好的偏 斜方向辨認性等優(yōu)點。也因為FED為自體發(fā)光的平面顯示器，結(jié)構(gòu)中使用高效率熒光膜技 術(shù)，所以即使在戶外陽光下使用，依然能夠提供優(yōu)異的亮度表現(xiàn)，被視為相當有機會與液晶 顯示技術(shù)競爭，甚至將其取代的新技術(shù)。 FED發(fā)光原理須在低于10—6t0rr的高度真空環(huán)境下，利用電場將陰極尖端的電子 拉出，在陽極板正電壓的加速下，撞擊陽極板的熒光粉而產(chǎn)生發(fā)光(Luminescence)現(xiàn)象。 因此，電場大小會直接影響陰極放射出的電子數(shù)量，亦即電場越大陰極放射出的電子數(shù)量 越多。由于場發(fā)射顯示器的閘極成環(huán)狀，因此，陰極受到的電場大小不同，造成陰極發(fā)射出 去的電子分布呈環(huán)狀而發(fā)射分布不均。這種現(xiàn)象，會造成場發(fā)射顯示器的畫面亮度不均，而 影響成像質(zhì)量。 另夕卜，F(xiàn)ED除了陽極和陰極的外還必須包括有間隔物用以維持陰極和陽極之間的 空間。先前的間隔層為長條狀，大多以微機電系統(tǒng)的方式制作，成本高且組裝不易，容易在 封裝的時候因為受力不均而倒下或是造成基板破裂，因此好的間隔層在封裝工藝上非常重要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種顯示器用間隔層的制造方法，能簡化場發(fā)射組件封裝 工藝，降低基板或間隔層于制造過程中破裂的機率，并使其易于組裝。 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的顯示器用間隔層的制造方法，包括首先，提供一 基板。然后，于該基板表面涂布離型層。接著，于離型層上涂布犧牲層。隨后，圖案化該犧 牲層。再者，將玻璃膠形成于離型層上并加熱燒結(jié)玻璃膠以形成間隔層。最后，分離間隔層 與基板。因此，可得到一用于場發(fā)射顯示器之間隔物。 在本發(fā)明場發(fā)射組件間隔物的制造方法，基板不限使用任何材料，只要表面平整 度良好即可；其材料較佳可選自由玻璃、金屬、不銹鋼及陶瓷所組成的群組。此外，基板表面 可具有一離型劑(或脫膜劑)，并使膠體形成于此離型劑表面。因此，在移除基板的步驟時， 可由離型劑而方便移除。本發(fā)明的制造方法所使用的離型劑的材料無特殊的限制，較佳為石墨、陶瓷粉、乳化劑、水性溶劑或其混合物。 在本發(fā)明中，犧牲層形成于離型層上，其可經(jīng)由圖案化形成具孔洞的犧牲層或復 數(shù)個犧牲層柱體。其中，犧牲層柱體圖案化形成的形狀無限制，其較佳為圓形、矩形、三角 形、多邊形、不規(guī)則形或上述各形狀的混合。圖案化的犧牲層材質(zhì)無特殊的限制，其較佳為 光阻，更佳為干膜。 本發(fā)明的間隔層制造方法中，于形成圖案化的犧牲層的步驟后，于離型層表面形 成玻璃膠的方式無限制，較佳地是以澆灌或網(wǎng)版印刷的方式形成。本發(fā)明的間隔層制造方 法中，加熱燒結(jié)玻璃膠前較佳可選擇性地先烘烤犧牲層。本發(fā)的之間隔層制造方法中，移除 犧牲層的方式無特殊限制，較佳為以濕式酸堿移除犧牲層。本發(fā)明的間隔層制造方法中，燒 結(jié)玻璃膠的溫度為350至80(TC之間，較佳為450至550°C 。 本發(fā)明的間隔層制造方法中，若于燒結(jié)前未移除犧牲層，則燒結(jié)后較佳先清除殘 留的碳渣。本發(fā)明的間隔層制造方法中，若使用的犧牲層為耐高溫光阻，則可于燒結(jié)后移除 犧牲層。本發(fā)明的間隔層制造方法中，犧牲層的高度可為350 ii m以上，較佳為500 y m以上。 移除犧牲層后，利用離型層分離基板與間隔層。 本發(fā)明的間隔層制造方法中，離型層表面形成的玻璃膠無特殊的限制，該玻璃膠 較佳地為氧化鉛、氧化硼、氧化鋅、氧化硅、氧化鈉、氧化鋁、氧化*丐或其混合物。


圖1A至1F是本發(fā)明一較佳實施例的制作場發(fā)射組件間隔物流程剖視圖, 圖2是本發(fā)明一較佳實施例的場發(fā)射組件間隔物示意圖。 圖3是本發(fā)明一較佳實施例的用于場發(fā)射顯示器間隔物的剖面示意圖。 附圖中主要組件符號說明







10基板
13玻璃膠
40陰極板
43陰極電子放射部
50陽極板
53透光面板
ll離型層 14間隔層 41基板 44絕緣層 51發(fā)光層 54遮光層
12犧牲層 30間隔層 42陰極 45閘極 52陽極
具體實施方式

實施例1 請參考圖1A至1F，為制作本發(fā)明場發(fā)射組件間隔物流程剖視圖。 如圖1A所示，本方法先提供一基板IO，此基板10為質(zhì)地堅硬、表面平整度良好的
材質(zhì)，于本實施例中使用不銹鋼作為基板10。 接著，如圖1B所示，于該基板10表面涂布一離型層11，于本實施例中，該離型層 11的成分為石墨。 而后，如圖1C所示，于該離型層ll上涂布一犧牲層12并圖案化該犧牲層12，該犧 牲層12為利用光阻作為犧牲層12，而此犧牲層12的材料于本實施例中為一干膜。該犧牲 層12的厚度為500ym以上，可經(jīng)由圖案化形成復數(shù)個犧牲層12柱體，其中，該犧牲層12
4柱體圖案化的形狀可為圓形、矩形、三角形、多邊形、不規(guī)則形或上述各形狀的混合，于本實 施例中是形成圓形柱體。 隨后，如圖1D所示，將一玻璃膠13以澆灌或網(wǎng)版印刷的方式形成于該離型層11 上。加熱燒結(jié)該玻璃膠13以形成一間隔層14，如圖1E所示。該玻璃膠13可為氧化鉛、氧 化硼、氧化鋅、氧化硅、氧化鈉、氧化鋁、氧化鈣或其混合物，于本實施例中是使用氧化鉛。其 中，燒結(jié)溫度為450至55(TC。燒結(jié)后需移除該犧牲層12殘留的碳渣。
最后，如圖1F所示，利用離型層11分離該間隔層14與該基板10。完成前述步驟 之后，請參考圖2，為本發(fā)明場發(fā)射組件間隔物的示意圖。經(jīng)燒結(jié)玻璃膠13成為間隔層14 作為一場發(fā)射組件的間隔物30，而其為平板式的間隔物30，圖1F為此平板式間隔物30的 其中一區(qū)域的剖視圖。 請參考圖3，為本發(fā)明一實施例間隔層應用于場發(fā)射顯示器剖面示意圖。主要包括 陰極板40、陽極板50以及夾置于兩者之間的間隔物30。完成前述本發(fā)明間隔物30之后， 可與陰極發(fā)射基板40以及顯示面板50組合封裝而成。 在此，更進一步說明陰極板40與陽極板50的組成。陰極板40包括有基板41、陰 極42、陰極電子放射部43、第一絕緣層44與閘極45。此陰極42披覆于基板41之上。而在 陰極42上的適當位置，設置有數(shù)個陰極電子放射部43。此陰極電子放射部43是由陰極電 子放射材料所組成，例如納米碳管，用以提供場發(fā)射顯示器的發(fā)光機制所需的電子。因此， 由控制施加于陰極42與閘極45間的電壓差的變化，可控制每個陰極電子放射部43在指定 的時間出射電子。而陽極板50則包括有發(fā)光層51、遮光層54、陽極52及透光面板53。陽 極52是由銦錫氧化物(indium tin oxide ;ITO)等透明導電材料所制作而成的電極；而此 陽極52的下表面具有一層發(fā)光層51和遮光層54。此發(fā)光層51是由熒光或其它發(fā)光材料 所制成。而在陽極52的上方，設置有以玻璃或是其它透明材料制作而成的透光面板53。
本發(fā)明平板式間隔物30，可將陰極板40與陽極板50之間絕緣，并幫助電子束集中
以降低電子累積在間隔層所造成的放電現(xiàn)象。
實施例2 本實施例與實施例1的實施方式大致相同，但不同的是，本實施例于圖1D將玻璃 膠13形成于離型層ll后，于燒結(jié)前先烘烤該犧牲層12，然后以濕式酸堿移除該犧牲層12， 之后如圖1E進行燒結(jié)形成該間隔層14以及后續(xù)與實施例1相同的步驟。
實施例3 本實施例與實施例1的實施方式大致相同，但不同的是，本實施例于圖1D至圖1E 燒結(jié)后形成該間隔層14后再移除該犧牲層12。 上述實施例僅是為了方便說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應以申請 的權(quán)利要求范圍所述為準，而非僅限于上述實施例。
權(quán)利要求
一種場發(fā)射組件用間隔層的制造方法，其包括以下的步驟提供一基板；于該基板表面涂布一離型層；于該離型劑上涂布一犧牲層；圖案化該犧牲層；將一玻璃膠形成于該離型劑上；加熱燒結(jié)該玻璃膠以形成一間隔層；以及分離該間隔層與該基板。
2. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射組件間隔物的制造方法，其中，該基板的材質(zhì)選自由玻 璃、金屬、不銹鋼及陶瓷所組成的群組。
3. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射組件間隔物的制造方法，其中，該犧牲層形成于該離型 層上。
4. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射組件間隔物的制造方法，其中，該離型層為石墨、陶瓷 粉、乳化劑、水性溶劑或其混合物。
5. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射組件間隔物的制造方法，其中，該犧牲層經(jīng)由圖案化形 成具孔洞的犧牲層或復數(shù)個犧牲層柱體。
6. 如權(quán)利要求5所述的場發(fā)射組件間隔物的制造方法，其中，該圖案化犧牲層柱體的 形狀為圓形、矩形、三角形、多邊形、不規(guī)則形或上述各形狀的組合。
7. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射組件間隔物的制造方法，其中，該圖案化的犧牲層為一 干膜。
8. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射組件間隔物的制造方法，其中，于該離型層表面形成該 玻璃膠是以澆灌或網(wǎng)版印刷的方式形成。
9. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射組件間隔物的制造方法，其中，加熱燒結(jié)該玻璃膠前先 移除該犧牲層。
10. 如權(quán)利要求9所述的場發(fā)射組件間隔物的制造方法，其中，該犧牲層移除前先在該 犧牲層熔點溫度以下烘烤，而后再移除該犧牲層。
11. 如權(quán)利要求9所述的場發(fā)射組件間隔物的制造方法，其中，該犧牲層是以濕式酸堿 移除。
12. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射組件間隔物的制造方法，其中，燒結(jié)溫度為450至 550°C。
13. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射組件間隔物的制造方法，其中，燒結(jié)后需移除該犧牲層 殘留的碳渣。
14. 如權(quán)利要求l所述的場發(fā)射組件間隔物的制造方法，其中，該犧牲層的高度為 500 iim以上。
15. 如權(quán)利要求1所述的場發(fā)射組件間隔物的制造方法，其中，該玻璃膠為氧化鉛、氧 化硼、氧化鋅、氧化硅、氧化鈉、氧化鋁、氧化鈣或其混合物。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示器用間隔層的制造方法，其步驟包括首先，提供一基板。然后，于該基板表面涂布離型層。接著，于離型層上涂布犧牲層。隨后，圖案化該犧牲層。再者，將玻璃膠形成于離型層上并加熱燒結(jié)玻璃膠以形成間隔層。最后，分離間隔層與基板。因此，可得到一用于場發(fā)射顯示器的間隔物。本發(fā)明可簡化場發(fā)射組件間隔層工藝。
文檔編號H01J9/24GK101740283SQ20081017860
公開日2010年6月16日 申請日期2008年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月21日
發(fā)明者李宏元, 秦年君, 范明忠, 鄭景翔 申請人:大同股份有限公司;財團法人工業(yè)技術(shù)研究院