專利名稱：電子發(fā)射器及包括該電子發(fā)射器的發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子發(fā)射器及包括該電子發(fā)射器的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
當(dāng)從任意裝置發(fā)出的光在從外部觀看時(shí)能夠被^r測到，該裝置被認(rèn)為是 發(fā)光裝置。在這一點(diǎn)上，發(fā)光裝置在本領(lǐng)域中是眾所周知的。發(fā)光裝置包括 形成在上基板(top substrate )上的陽極和磷光層以及形成在下基板(bottom substrate)上的電子發(fā)射部分和驅(qū)動(dòng)電極。上基板和下基板的邊緣通過密封 件彼此結(jié)合。然后，在上基板與下基板之間的內(nèi)部空間中形成真空。因此， 上基板和下基板與密封件一起限定出真空室。
驅(qū)動(dòng)電極包括彼此平行設(shè)置的陰極和柵電極。電子發(fā)射部分可以設(shè)置在 陰極的側(cè)表面上，其中陰極的該側(cè)表面面對(duì)柵電極。驅(qū)動(dòng)電極和電子發(fā)射部 分構(gòu)成電子發(fā)射單元。
陽極設(shè)置在磷光層的第 一表面上，其中磷光層的第 一表面面對(duì)下基板。 因此，陽極和磷光層構(gòu)成發(fā)光單元。
發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)如下將預(yù)定電壓施加到陰極和柵電極，并且將幾千伏 特(V)的直流(DC)電壓(即，陽極電壓)施加到陽極。然后，由于陰極 與柵電極之間的電壓差在電子發(fā)射部分周圍產(chǎn)生電場，從而從電子發(fā)射部分 發(fā)射電子。發(fā)射的電子受到陽極電壓吸引而與對(duì)應(yīng)的磷光層碰撞，從而磷光 層發(fā)光。
然而，在上述發(fā)光裝置中，當(dāng)通過將預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓施加至陰極和柵電極 而驅(qū)動(dòng)發(fā)光裝置時(shí)，所有行和列中的電子發(fā)射器同時(shí)發(fā)光。此外，陰極和柵 電極設(shè)置在相同層中。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例4是供一種電子發(fā)射器及包括該電子發(fā)射器的發(fā)光裝置， 其通過包括與陰極和柵電極絕緣的附加電極而能夠提供局部變暗能力。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種電子發(fā)射裝置。該電子發(fā)射裝置包
括基板；第一電極，其彼此隔開并且在基板上沿著第一方向延伸；第二電 極，其位于所述多個(gè)第一電極之間并且平行于第一電才及延伸；多個(gè)第三電才及， 與第一電極和第二電極電絕緣并且沿著與第一方向交叉的方向延伸；以及第 一電子發(fā)射單元和第二電子發(fā)射單元，分別形成于第一電^L和第二電極的側(cè) 表面上。
第 一 電子發(fā)射單元和第二電子發(fā)射單元可以彼此隔開。 第一電子發(fā)射單元和第二電子發(fā)射單元中每個(gè)的厚度可以小于第一電 極和第二電極中每個(gè)的厚度。
第一電子發(fā)射單元和第二電子發(fā)射單元中的每個(gè)可以包括碳化物誘導(dǎo)碳。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供一種發(fā)光裝置。該發(fā)光裝置包括第 一基板；第二基板，與第一基板面對(duì)；電子發(fā)射單元，位于第一基板的表面 上，以及；發(fā)光單元，位于第二基板上。電子發(fā)射單元包括多個(gè)電子發(fā)射器。 多個(gè)電子發(fā)射器中的每個(gè)包括多個(gè)第一電極，其4皮此隔開并且在第一141 上沿著第一方向延伸；多個(gè)第二電極，位于多個(gè)第一電極之間并且平行于多 個(gè)第一電極延伸；多個(gè)第三電極，與多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極電絕緣， 并且沿著與第一方向交叉的方向延伸；多個(gè)第一電子發(fā)射單元，位于第一電 極的側(cè)表面上；以及多個(gè)第二電子發(fā)射單元，位于第二電極的側(cè)表面上。所 述發(fā)光單元包括第四電極，位于第二基板的表面上；以及磷光層，位于第 四電極的第一表面上。第四電極的第一表面面對(duì)第一基板。
多個(gè)電子發(fā)射器中的一個(gè)電子發(fā)射器可以包括多個(gè)第三電極中的一個(gè) 第三電極。第三電極配置為當(dāng)電壓施加到第三電極時(shí)基本防止從第一電子發(fā) 射單元和第二電子發(fā)射單元發(fā)射的電子朝向發(fā)光單元行進(jìn)。
多個(gè)電子發(fā)射器中的一個(gè)電子發(fā)射器可以包括多個(gè)第三電極中的一個(gè) 第三電極。第三電極配置為當(dāng)電壓沒有施加到第三電極時(shí)允許從第一電子發(fā) 射單元和第二電子發(fā)射單元發(fā)射的電子與磷光層碰撞以發(fā)射可見光。
發(fā)光裝置可以還包括用于為第一電極和第二電極供應(yīng)電流的布線，其中 所述布線設(shè)置為與第三電極交叉。
第一電子發(fā)射單元和第二電子發(fā)射單元可以彼此隔開。
第一電子發(fā)射單元和第二電子發(fā)射單元中每個(gè)的厚度可以小于第一電極和第二電極中每個(gè)的厚度。
第 一 電子發(fā)射單元和第二電子發(fā)射單元中的每個(gè)可以包括碳化物誘導(dǎo)碳。


通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述及其它特 征和方面將變得更為明顯，在附圖中
圖1為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置的部分—黃截面圖； 圖2為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的圖1所示發(fā)光器件的電子發(fā)射裝置的透 視圖3為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的圖1的發(fā)光裝置的電子發(fā)射單元的俯 視圖，該發(fā)光裝置包括圖2所示的多個(gè)電子發(fā)射器；以及
圖4和圖5為示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的圖1所示發(fā)光裝置的部分橫 截面圖，用于描述正在驅(qū)動(dòng)中的發(fā)光裝置。
具體實(shí)施方式
'
下面將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，其中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施 例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)解釋為限于這里闡 述的實(shí)施例；更確切地，提供這些實(shí)施例使得本發(fā)明的公開是全面且完整的， 并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的思想。
圖1為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光裝置1的部分橫截面圖。圖2為根 據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的圖1所示發(fā)光裝置1的電子發(fā)射器22的透視圖。圖3 為才艮據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的圖1的發(fā)光裝置1的電子發(fā)射單元20的俯視 圖，該發(fā)光裝置1包括多個(gè)電子發(fā)射器22。
參照?qǐng)D1至圖3，發(fā)光裝置1包括第一基板12和第二基板24，第一基 板12和第二基板24被隔開且彼此平行設(shè)置。密封件(未示出)設(shè)置在第一 基板12和第二基板24的邊緣上。因此，第一基板12和第二基板24彼此耦 接。此外，第一基板12與第二基板24之間的內(nèi)部空間中的空氣被排放到外 部，從而在內(nèi)部空間中形成10-6托(torr)的真空。因此，第一基板12、第 二基板24和密封件限定出真空室。
在第一基板12和第二基板24的每個(gè)上位于真空室內(nèi)的區(qū)域可分為顯示
6區(qū)和圍繞顯示區(qū)的非顯示區(qū)，顯示區(qū)實(shí)際上關(guān)系到發(fā)射可見光。用于發(fā)射電
子的電子發(fā)射單元20 (見圖3)設(shè)置在第二基板24的顯示區(qū)上。用于發(fā)射 可見光的發(fā)光單元IO設(shè)置在第一基板12的顯示區(qū)上。
電子發(fā)射單元20包括多個(gè)電子發(fā)射器22，電子發(fā)射器22的發(fā)射電流是 分別受控的。發(fā)光單元10設(shè)置在第一基板12上。當(dāng)發(fā)光裝置l工作時(shí)，發(fā) 光單元10接收來自設(shè)置在第二基板24上的電子發(fā)射器22的電子，從而發(fā) 射可見光。
電子發(fā)射單元20配置為雙極驅(qū)動(dòng)。
特別地，參照?qǐng)D2,電子發(fā)射器22包括第一電極32，其被彼此隔開 (即圖2的y軸方向)并且沿第二基;f反24的第一方向(即圖2的x軸方向) 延伸；第二電極34，設(shè)置在第一電極32之間；以及第一電子發(fā)射單元36， 其具有小于各第一電極32的厚度并且與第一電極32的側(cè)表面相鄰設(shè)置，其 中第一電極32的側(cè)表面面對(duì)第二電4及34的側(cè)表面。第二電子發(fā)射單元38 設(shè)置在第二電極34的側(cè)表面上，其中第二電極34的側(cè)表面面對(duì)第一電極32， 使得各第二電子發(fā)射單元38的厚度小于各第二電極34的厚度。第一電極32 和第二電極34彼此平行地形成。
在第一電子發(fā)射單元36與第二電子發(fā)射單元38之間形成間隙，以防止 第一電子發(fā)射單元36與第二電子發(fā)射單元38之間電短路。因此，第一電子 發(fā)射單元36與第二電子發(fā)射單元38被以間距(例如，預(yù)定距離)隔開。
如圖2所示，第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38可以均形成 為以條形圖案沿平行于第一電極32的方向延伸?？蛇x地，盡管圖1至圖3 沒有示出，第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38可以均形成為以彼 此隔開的多個(gè)圖案沿平行于第一電極32和第二電極34的方向延伸。
參照?qǐng)D2，第一連接電極321設(shè)置為將第一電極32的第一端相互電耦接 從而與第一電極32 —起構(gòu)成第一電極組322。第二連接電極341設(shè)置為將第 二電極34的第一端相互電耦接從而與第二電極34 —起構(gòu)成第二電極組342 。
第一電極32和第二電極34形成在第二基板24上，第一電極32和第二 電極34的每個(gè)具有大于第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38的每 個(gè)的厚度。為實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，第一電極32和第二電極34可以利用厚膜工藝(例 如絲網(wǎng)印刷或?qū)盈B)或者薄膜工藝(例如濺射或真空鍍)來形成。然而，本 發(fā)明不限于此，并且可采用各種其它方法來形成第一電極32和第二電極34.第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38可以包含在真空下被施加 電場以發(fā)射電子的材料(例如，碳基材料或納米尺寸材料)。例如，第一電 子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38可以包括選自碳納米管、石墨、石墨 納米纖維、金剛石、類金剛石碳、富勒烯(C60)、硅納米線或其組合之一的材料。
此外，第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38可以包括碳化物誘 導(dǎo)碳(carbide-driven carbon )。碳化物誘導(dǎo)碳能夠通過使用以下方法制備碳 化物化合物與含卣素的氣體和元素發(fā)生熱化學(xué)反應(yīng)，除了從碳化物化合物中 提出(extract)碳之外。
碳化物化合物可以是SiC4、 B4C、 TiC、 ZrCx、 A14C3、 CaC2、 TixTayC、 MoxWyC、 TiNxCy或者ZrNxCy中的至少一個(gè)。含卣素的氣體可以是Cl2、 TiCl4 或者F2。如果第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38包括碳化物誘導(dǎo) 碳，它們具有增強(qiáng)的電子發(fā)射均勻性和增加的壽命。
第 一 電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38可使用例如絲網(wǎng)印刷來形 成，但是本發(fā)明不限于此。即，多種方法可用于形成第一電子發(fā)射單元36 和第二電子發(fā)射單元38。
電子發(fā)射單元20配置為具有局部變暗能力。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，在一個(gè) 實(shí)施例中，電子發(fā)射器22包括第三電極26。特別地，多個(gè)第三電極26形成 在第二基板24上沿著第一方向(即x軸方向)延伸介電層28形成在每個(gè) 第三電極26上以使第三電極26與第一電極32和第二電極34電絕緣。第一 電極32和第二電極34形成在介電層28上。關(guān)于第三電極26的局部變暗將 在下文描述。
參照?qǐng)D3，電子發(fā)射器22以行和列設(shè)置在第二基才反24的顯示區(qū)上。第 一布線部分42和第二布線部分44設(shè)置在電子發(fā)射器22的行之間，以沿著 列方向電連接相鄰電子發(fā)射器22，并且將驅(qū)動(dòng)電壓施加至各個(gè)電子發(fā)射器 22的第一電極32和第二電極34。
每個(gè)第一布線部分42在第二基板24上沿著列方向(即圖3的y軸方向) 延伸，并且在兩個(gè)沿著列方向相鄰的電子發(fā)射器22的兩個(gè)對(duì)應(yīng)第一電極組 322之間電連接該第一布線部分42。每個(gè)第二布線部分44沿著平行于第一 布線部分42的方向(即圖3的y軸方向)延伸，并且在兩個(gè)沿著列方向相 鄰的電子發(fā)射器22的兩個(gè)對(duì)應(yīng)第二電極組342之間電連接該第二布線部分44。
在圖3中第一布線部分42和第二布線部分44分離地形成，但是本發(fā)明 不限于此。即，電子發(fā)射器22中第一個(gè)的第二電極34可以與鄰近電子發(fā)射 器22中第一個(gè)的電子發(fā)射器22中第二個(gè)的第一電極32共用連接電極。特 別地，電子發(fā)射器22的第二電極34可以從該連接電極的左側(cè)形成，同時(shí)電 子發(fā)射器22的第一電極32可以從該連接電極的右側(cè)形成。即，連接電極能 夠用作電子發(fā)射器22中第一個(gè)的第二連接電極341，同時(shí)能夠用作鄰近電子 發(fā)射器22中第一個(gè)的電子發(fā)射器22中第二個(gè)的第一連接電極321。因此， 連接到連接電極的布線部分沒有分為第一布線部分42和第二布線部分44， 并且能夠分別為兩個(gè)相鄰電子發(fā)射器22的第一電極32和第二電極34共用。
再參照?qǐng)D1 ，發(fā)光單元10包括第四電極14和磷光層(phosphor layer) 16。第四電極14形成在第一基板12面對(duì)第二基板24的表面上。磷光層16 形成在第四電極14面對(duì)第二基板24的表面上。
磷光層16可以由包括紅磷光體、綠磷光體和藍(lán)磷光體的混合磷光體形 成，其發(fā)射白光，并且可以設(shè)置在第一基板12的整個(gè)顯示區(qū)上。第四電極 14從真空室外部的電源接收電力從而用作陽極電極。
第四電極14可以由諸如氧化銦錫(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成，以傳輸 從磷光層16發(fā)出的可見光。
第四電極14可以由鋁形成而具有幾埃的厚度，并且可以包括用于經(jīng)過 其傳輸電子束的微孔。
間隔物(未示出)可以設(shè)置在第一基板12與第二基板24之間以承受施 加到真空室的壓力，并且保持第一基板12與第二基板24之間的預(yù)定距離。
關(guān)于具有上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置1,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，像素是由電子發(fā)射 器22之一及與其對(duì)應(yīng)的部分磷光層16定義的。發(fā)光裝置l的驅(qū)動(dòng)如下將 掃描驅(qū)動(dòng)電壓施加到第一布線部分42和第二布線部分44中的一個(gè)；將數(shù)據(jù) 驅(qū)動(dòng)電壓施加到第一布線部分42和第二布線部分44中的另一個(gè)；將尋址電 壓(address voltage )施加到第三電極26;以及將10kV或更大的直流(DC ) 電壓(即，陽極電壓)施加到第四電極14。
然后，在第一電極32與第二電極34之間的電壓差大于或等于標(biāo)準(zhǔn)值的 像素中，在第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38周圍產(chǎn)生電場，由 此從第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38發(fā)射電子(圖4和圖5中
9以e-表示)。此時(shí)，從沒有施加尋址電壓的第一電子發(fā)射單元36和第二電子 發(fā)射單元38發(fā)出的電子受到施加至第四電極14的陽極電壓吸引而與對(duì)應(yīng)的 磷光層16碰撞，由此磷光層16發(fā)光。從磷光層16發(fā)出的可見光通過第一 基板12傳輸。
圖4和圖5為示出圖1所示的發(fā)光裝置1的部分橫截面圖，用于描述根
據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例驅(qū)動(dòng)發(fā)光裝置1的情況。
根據(jù)本實(shí)施例，在發(fā)光裝置l中，掃描驅(qū)動(dòng)電壓和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓分別交 替且重復(fù)地施加到第一電極32和第二電極34。在這一點(diǎn)上，第一電才及32 和第二電極34中被施加低電壓的一個(gè)構(gòu)成陰極，而第一電極32和第二電極 34中被施加高電壓的另一個(gè)構(gòu)成柵電極。
在發(fā)光裝置1中，掃描驅(qū)動(dòng)電壓可以通過第一布線部分42施加到第一 電極32上，而數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓可以通過第二布線部分44施加到第二電極34 上，例如在時(shí)間間隔(interval) "U"。然后，在發(fā)光裝置1中，掃描驅(qū)動(dòng)電 壓可以通過第二布線部分44施加到第二電極34上，而且敎據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓可以 通過第一布線部分42施加到第一電極32，例如在時(shí)間間隔"t2"。
當(dāng)掃描驅(qū)動(dòng)電壓大于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，在時(shí)間間隔"tl"，第二電極34 構(gòu)成陰極，并且從第二電子發(fā)射單元38發(fā)射電子(圖4中以e-表示)。在時(shí) 間間隔"t2"，第一電極32構(gòu)成陰極，并且從第一電子發(fā)射單元36發(fā)射電子 (圖5中以e-表示)。
通過在時(shí)間間隔"tl"和"t2，，如圖所示交替且重復(fù)地驅(qū)動(dòng)第一電子發(fā) 射單元36和第二電子發(fā)射單元38,能夠從第一電子發(fā)射單元36和第二電子 發(fā)射單元38交替地發(fā)射電子。使用這種雙極驅(qū)動(dòng)方法，施加到第一電子發(fā) 射單元36和第二電子發(fā)射單元38的負(fù)載減小，因此第一電子發(fā)射單元36 和第二電子發(fā)射單元38的壽命增加，并且第一電子發(fā)射單元36和第二電子 發(fā)射單元38的發(fā)射表面的亮度增加。
根據(jù)所述實(shí)施例，電子發(fā)射單元20包括用于局部變暗的第三電極26。 特別地，在將尋址電壓施加到第三電極26時(shí)，從分別被第一電極32和第二 電極34驅(qū)動(dòng)的第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38發(fā)射的電子受 到電子發(fā)射器22吸引，而不是朝向發(fā)光單元10的磷光層16行進(jìn)，因此發(fā) 光單元10不能發(fā)光。另一方面，在沒有將尋址電壓施加到第三電極26時(shí)， 從分別被第一電極32和第二電極34驅(qū)動(dòng)的第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38發(fā)射的電子與對(duì)應(yīng)于第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單 元38的部分磷光層16碰撞，并且發(fā)光單元10發(fā)光。
就是說，當(dāng)掃描驅(qū)動(dòng)電壓和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓中的一個(gè)通過電子發(fā)射單元20 的第 一布線部分42施加到第一電極32,掃描驅(qū)動(dòng)電壓和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓中的 另 一個(gè)通過第二布線部分44施加到第二電極34時(shí)，從連接到第一布線部分 42的第 一 電極組322的第 一電子發(fā)射單元36和連接到第二布線部分44的第 二電極組342的第二電子發(fā)射單元38交替地發(fā)射電子。這里，在包括第三 電極26中的一個(gè)的一行中在尋址電壓被施加到該第三電極26的情況下，發(fā) 射的電子由于施加到第三電極26的尋址電壓而不朝向發(fā)光單元IO的磷光層 16行進(jìn)，因此發(fā)光單元IO不能發(fā)光。另一方面，在包括第三電極26中的一 個(gè)的另一行中在尋址電壓沒有被施加到該第三電極26的情況下，發(fā)射的電 子受到陽極電壓吸引而與磷光層16的對(duì)應(yīng)部分碰撞，因此磷光層16能夠發(fā) 光。
就是說，為了選擇不發(fā)光的電子發(fā)射器22,將電壓施加到一列中(即圖 3中的y軸方向)的電子發(fā)射器22的第一電極32和第二電極34而從對(duì)應(yīng)的 第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38發(fā)射電子，同時(shí)將電壓施加到 電子發(fā)射器22的一行(即圖3中的x軸方向)的第三電極26，以防止發(fā)射 的電子朝向?qū)?yīng)的磷光層16行進(jìn)并與其碰撞，從而不發(fā)光。因此，提供了 具有局部變暗能力的電子發(fā)射器及包括該電子發(fā)射器的發(fā)光裝置。
第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38的厚度分別小于第一電極 32和第二電極34的厚度。特別地，第一電子發(fā)射單元36每個(gè)的厚度比第一 電極32每個(gè)的厚度小大約1至10nm,并且第二電子發(fā)射單元38每個(gè)的厚 度比第二電極34每個(gè)的厚度小1至10pm。當(dāng)?shù)谝浑姌O32和第二電極34分 別與第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38之間的厚度差為lMm或 更小時(shí)，陽極電場的屏蔽效應(yīng)減小。因此，高電壓穩(wěn)定性降低，由此發(fā)光裝 置1的亮度、效率及壽命不能得到提高。當(dāng)?shù)谝浑姌O32和第二電極34分別 與第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38之間的厚度差分別為10pm 或更大時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓由于在第一電極32和第二電極34分別與第一電子發(fā)射 單元36和第二電子發(fā)射單元38之間增加的距離而能夠增加。
在上述結(jié)構(gòu)中，第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38周圍的電 場隨著施加在第一電極32和第二電極34的電壓而改變，其中第一電極32和第二電極34形成在第二基板24上且其厚度分別大于第一電子發(fā)射單元36 和第二電子發(fā)射單元38,因此陽極電場的效果關(guān)于第一電子發(fā)射單元36和 第二電子發(fā)射單元38而減低。因此，即使當(dāng)10kV或更大的陽極電壓施加到 第四電極14以增加發(fā)光裝置1的發(fā)射表面的亮度時(shí)，第一電極32和第二電 極34減小第一電子發(fā)射單元36和第二電子發(fā)射單元38周圍的電場。因此， 能夠防止由于陽極電場引起的二極管發(fā)射。
在發(fā)光裝置1中，當(dāng)陽極電壓增大時(shí)，發(fā)光裝置1的發(fā)射表面的亮度能 夠得到增加。此外，能夠防止二極管發(fā)射，并且能夠?yàn)槊總€(gè)像素準(zhǔn)確地控制 亮度。因此，發(fā)光裝置1具有提高的高電壓穩(wěn)定性，從而最小化真空室中的 電弧發(fā)生，并且能夠防止由于電弧引起的發(fā)光裝置1的內(nèi)部結(jié)構(gòu)損壞。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了具有局部變暗能力的電子發(fā)射器及包括該 電子發(fā)射器的發(fā)光裝置。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在具有局部變暗能力的電子發(fā)射器及包括該電子 發(fā)射器的發(fā)光裝置中，電子發(fā)射部分彼此面對(duì)，并且電子發(fā)射部分能夠被雙 極驅(qū)動(dòng)，從而能夠提高電子發(fā)射部分的壽命和亮度。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在電子發(fā)射器及包括該電子發(fā)射器的發(fā)光裝置 中，通過圖案化包括碳化物誘導(dǎo)碳的光膠(photo paste),能夠克服不穩(wěn)定的 發(fā)射性能，該碳化物誘導(dǎo)碳作為用于形成電子發(fā)射部分的材料，并且相比于 具有冷負(fù)極的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)能夠獲得具有簡單冷負(fù)極的結(jié)構(gòu)。
盡管參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體地示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng) 域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解在不脫離由隨附權(quán)利要求書定義的本發(fā)明的精 神和范圍的情況下可以在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種改變。
本申請(qǐng)要求2007年11月28日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局申請(qǐng)的韓國專利申請(qǐng) No.10-2007-0121993的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其公開的全部內(nèi)容合并于此。
權(quán)利要求
1. 一種電子發(fā)射器，包括基板；多個(gè)第一電極，其彼此隔開并且在所述基板上沿著第一方向(y方向)延伸；多個(gè)第二電極，位于所述多個(gè)第一電極之間并且平行于所述多個(gè)第一電極延伸；多個(gè)第三電極，與所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極電絕緣，并且沿著與所述第一方向交叉的方向(x方向)延伸；以及多個(gè)第一電子發(fā)射單元和多個(gè)第二電子發(fā)射單元，分別位于與所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極的側(cè)表面相鄰的位置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器，其中所述第一電子發(fā)射單元和所 述第二電子發(fā)射單元彼此隔開。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器，其中所述多個(gè)第一電子發(fā)射單元 和所述多個(gè)第二電子發(fā)射單元中每個(gè)的厚度小于所述多個(gè)第一電極和所述 多個(gè)第二電極中每個(gè)的厚度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射器，其中所述多個(gè)第一電子發(fā)射單元 和所述多個(gè)第二電子發(fā)射單元中的每個(gè)包括碳化物誘導(dǎo)碳。
5. —種發(fā)光裝置，包括 第一基板；第二基板，面對(duì)所述第一基板；電子發(fā)射單元，位于所述第一基板的表面上，所述電子發(fā)射單元包括多 個(gè)電子發(fā)射器，所述多個(gè)電子發(fā)射器中的每個(gè)包括多個(gè)第一電極，其彼此隔開并且在所述第一基板上沿著第一方向(y 方向)延伸；多個(gè)第二電極，位于所述多個(gè)第一電極之間并且平行于所述多個(gè)第 一電4及延伸；多個(gè)第三電極，與所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極電絕緣， 并且沿著與所述第一方向交叉的方向(x方向)延伸；多個(gè)第一電子發(fā)射單元，位于所述第一電極的側(cè)表面上；以及多個(gè)第二電子發(fā)射單元，位于所述第二電極的側(cè)表面上；和 發(fā)光單元，包括第四電極，位于所述第二基板的表面上；以及磷光層，位于所述第四電極的第一表面上，其中所述第四電極的第 一表面面對(duì)所述第 一基板。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其中所述多個(gè)電子發(fā)射器中的一個(gè)電子發(fā)射器包括所述多個(gè)第三電極 中的一個(gè)第三電極，并且其中所述第三電極配置為當(dāng)電壓施加到所述第三電極時(shí)基本防止從所 述多個(gè)第一電子發(fā)射單元和所述多個(gè)第二電子發(fā)射單元發(fā)射的電子朝向所 述發(fā)光單元行進(jìn)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其中所述多個(gè)電子發(fā)射器中的一個(gè)電子發(fā)射器包括所述多個(gè)第三電極 中的對(duì)應(yīng)第三電極，并且其中所述第三電極配置為當(dāng)電壓沒有施加到所述第三電極時(shí)允許從所 述第一電子發(fā)射單元和所述第二電子發(fā)射單元發(fā)射的電子與所述磷光層碰 撞以發(fā)射可見光。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，還包括用于為所述第一電極和所述 第二電極供應(yīng)電流的多個(gè)布線，其中所述多個(gè)布線與所述多個(gè)第三電極交 叉。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其中所述多個(gè)第一電子發(fā)射單元和 所述多個(gè)第二電子發(fā)射單元彼此隔開。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其中所述多個(gè)第一電子發(fā)射單元 和所述多個(gè)第二電子發(fā)射單元中每個(gè)的厚度小于所述多個(gè)第一電極和所述 多個(gè)第二電極中每個(gè)的厚度。
11. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其中所述多個(gè)第一電子發(fā)射單元 和所述多個(gè)第二電子發(fā)射單元中的每個(gè)包括碳化物誘導(dǎo)碳。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子發(fā)射器及包括該電子發(fā)射器的發(fā)光裝置。電子發(fā)射器及包括該電子發(fā)射器的發(fā)光裝置具有局部變暗能力。電子發(fā)射器包括基板；第一電極，其彼此隔開并且在基板上沿著第一方向延伸；第二電極，位于第一電極之間并且平行于第一電極延伸；多個(gè)第三電極，與第一電極和第二電極電絕緣并且沿著與第一方向交叉的方向延伸；以及第一電子發(fā)射單元和第二電子發(fā)射單元，分別形成在第一電極和第二電極的側(cè)表面上。
文檔編號(hào)H01J29/08GK101447385SQ200810182399
公開日2009年6月3日 申請(qǐng)日期2008年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月28日
發(fā)明者文希誠, 朱圭楠, 樸鉉基, 李邵羅, 金潤珍, 金載明 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社