專利名稱：等離子顯示裝置的制作方法
等離子顯示裝置[技術(shù)領(lǐng)域]本發(fā)明為等離子顯示裝置相關(guān)發(fā)明。 [背景技術(shù)]等離子顯示裝置包括等離子顯示板。在等離子顯示板中，由障壁劃分的放電串(Cell)內(nèi)形成熒光體層，同時(shí)形 成多個(gè)電極(Electrode)。向等離子顯示板電極提供驅(qū)動(dòng)信號，貝U，放電串內(nèi)根據(jù)提供的驅(qū)動(dòng)信號產(chǎn) 生放電。其中，放電串內(nèi)通過驅(qū)動(dòng)信號產(chǎn)生放電時(shí)，充入放電串內(nèi)的放電氣體 釋放真空紫外線(VacuumUltravioletrays),這種真空紫外線使形成在放電串內(nèi) 的熒光體發(fā)光，從而產(chǎn)生可見光。通過這種可見光，在等離子顯示板的畫面上 顯示影像。 [發(fā)明內(nèi)容]本發(fā)明為防止誤放電，提高對比度(Contrast)特性和亮度，提供驅(qū)動(dòng)限度 的等離子顯示裝置相關(guān)發(fā)明。本發(fā)明的等離子顯示裝置包括配置掃描電極的前面基板；與前面基板對 置配置的后面基板；配置在后面基板上的下部電介質(zhì)層；及配置在下部電介質(zhì) 層上部，包含金屬材質(zhì)或碳材質(zhì)當(dāng)中的至少一個(gè)材質(zhì)的熒光體層的等離子顯示 板和，在初始化至少一個(gè)子字段的重置期間中，向掃描電極提供包含電壓逐漸 上升的上斜信號的重置信號的驅(qū)動(dòng)部，上斜信號的傾斜度為2V/Z/s以上20V/^以 下。而且，上斜信號的傾斜度為3V/^以上5V/^以下。而且，添加物材質(zhì)可以為氧化鎂材質(zhì)，氧化鋅材質(zhì)，氧化硅材質(zhì)，氧化鈦 材質(zhì)，氧化釔材質(zhì)，氧化鋁材質(zhì)，氧化鑭材質(zhì)，氧化銪材質(zhì)，氧化鈷材質(zhì)，氧 化鐵材質(zhì)或CNT (CarbonNanoTube)材質(zhì)當(dāng)中的至少一個(gè)。而且，添加物材質(zhì)的顆粒當(dāng)中的至少一個(gè)可以配置在上述熒光體層表面上。而且，可以在熒光體層和后面基板之間再配置下部電介質(zhì)層，添加物材質(zhì) 顆粒當(dāng)中的至少一個(gè)配置在熒光體層和下部電介質(zhì)層之間。而且，添加物材質(zhì)的含量對熒光體層的體積的比例可以為2%以上40%。而且，添加物材質(zhì)的含量對熒光體層的體積的比例可以為6%以上27%以下。 而且，熒光體層可以包括釋放紅色光的第l熒光體層，釋放藍(lán)色光的第2熒光體層；及釋放綠色光的第3熒光體層，第1熒光體層、第2熒光體層或第3熒光體層當(dāng)中的至少一個(gè)可以省略添加物材質(zhì)。本發(fā)明的等離子顯示裝置通過縮短上斜信號的提供時(shí)間，提高驅(qū)動(dòng)限度及亮度，通過在熒光體層上包含添加物，具有提高放電穩(wěn)定性及對比度(Contrast)特性，改善影像畫質(zhì)的效果。[


]圖l為介紹本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示裝置組成的圖片。 圖2為介紹等離子顯示板結(jié)構(gòu)的圖片。圖3為介紹本發(fā)明的一實(shí)例的等離子顯示裝置中，體現(xiàn)影像色調(diào)的幀(Frame) 的圖片。圖4為介紹本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示裝置操作一例的圖片。 圖5為介紹上斜信號的圖片。 圖6為介紹重置信號的另一實(shí)例的圖片。 圖7為介紹下斜信號的圖片。 圖8為介紹熒光體層的圖片。 圖9為熒光體層的制造方法的一例的圖片。 圖10至圖11為進(jìn)一步具體介紹添加物材質(zhì)的效果的圖片。 圖12為介紹添加物材質(zhì)的含量的圖片。 圖13為介紹添加物材質(zhì)顆粒的粒度的圖片。 圖14為介紹熒光體層的另一結(jié)構(gòu)一例的圖片。 圖15為介紹熒光體層的制造方法又一例的圖片。 圖16為介紹選擇性使用添加物材質(zhì)的方法的圖片。 圖17a至圖17b為介紹熒光體組成物的碳含量及其亮度特性的圖片。 圖18a至圖18b為介紹熒光體組成物中粘合劑和熒光體粉末比率的圖片。 [具體實(shí)施方式
]以下，參照附加的圖片具體介紹本發(fā)明的等離子顯示裝置的實(shí)例。圖l為介紹本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示裝置組成的圖片。分析圖l，本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示裝置包括等離子顯示板100和驅(qū)動(dòng)部110。等離子顯示板100包括互相并排的掃描電極(Yl Yn)和維持電極(Z廣Zn)，同 時(shí)與掃描電極及維持電極交叉的尋址電極(Xl Xm)。驅(qū)動(dòng)部110向等離子顯示板100的掃描電極，向維持電極或?qū)ぶ冯姌O當(dāng)中的 至少一個(gè)提供驅(qū)動(dòng)信號，以此能夠在等離子顯示板100畫面顯示影像。其中，圖1中，顯示了驅(qū)動(dòng)部110由一個(gè)板(Board)形式的例子，本發(fā)明中驅(qū) 動(dòng)部110可以根據(jù)形成在等離子顯示板100的電極，分為多個(gè)板形式。例如，驅(qū) 動(dòng)部110可以分為驅(qū)動(dòng)等離子顯示板100的掃描電極的第1驅(qū)動(dòng)部(圖中沒有顯示) 和、驅(qū)動(dòng)維持電極的第2驅(qū)動(dòng)部和、驅(qū)動(dòng)尋址電極的第3驅(qū)動(dòng)部(圖中沒有顯示)。圖2為介紹等離子顯示板結(jié)構(gòu)的圖片。分析圖2，則等離子顯示板100可以包括形成互相并排的掃描電極(202， Y) 和維持電極(203， Z)的前面基板201和，形成與掃描電極(202， Y)及維持電極 (203， Z)交叉的尋址電極(213, X)的后面基板211。可以在形成掃描電極(202， Y)和維持電極(203， Z)的前面基板201上部，形 成限制掃描電極(202，Y)及維持電極(203，Z)的放電電流，同時(shí)使掃描電極(202， Y)和維持電極(203， Z)之間絕緣的上部電介質(zhì)層204?？梢栽谏喜侩娊橘|(zhì)層204的前面基板201上形成易化放電條件的保護(hù)層205。 這種保護(hù)層205可以包含二次電子釋放系數(shù)高的材料，例如氧化鎂(MgO)材質(zhì)。而且，后面基板211上配置電極，例如尋址電極(213, X)，可以在這種配置 尋址電極(213， X)的后面基板211上形成覆蓋尋址電極(213， X)，并使尋址電極 (213， X)絕緣的下部電介質(zhì)層215。下部電介質(zhì)層215的上部可以形成劃分放電空間即放電串的條形 (StripeType)，井形(WellType)，三角形(DeltaType)，蜂窩形等障壁212。由 此，可以在前面基板201和后面基板211之間形成釋放紅色(Red:R)光的第l放電 串，釋放藍(lán)色(Blue:B)光的第2放電串及釋放綠色(Blue:B)光的第3放電串。而且，除了第l， 2， 3放電串之外，可以再配置釋放白色(White:W)或黃色 (Yellow:Y)的第4放電串。同時(shí)，第l， 2， 3放電串的寬度可以實(shí)際相同，也可以將第l放電串，第2 放電串及第3放電串當(dāng)中的一個(gè)以上的放電串的寬度設(shè)為與其他放電串寬度不 同。例如，可以設(shè)為釋放紅色(R)光的第1放電串的寬度最小，使釋放綠色(G) 光的第3放電串及釋放藍(lán)色(B)光的第1放電串寬度大于釋放紅色(R)光的第1放電串的寬度。則可以提高所顯現(xiàn)的影像的色溫特性。第2放電串的寬度可以與第 3放電串的寬度實(shí)際相同或不同。而且，不僅可以采用圖2所示的障壁212結(jié)構(gòu)，也可以采用多種形狀的障壁 結(jié)構(gòu)。例如，障壁212包括第l障壁212b和第2障壁212a。在此可以采用，第l障 壁212b高度與第2障壁212a高度互不相同的差分型障壁結(jié)構(gòu)。在第l障壁212a或 第2障壁212b當(dāng)中至少任一個(gè)以上障壁形成可作為排氣通道的頻道(Channel)的 頻道型障壁結(jié)構(gòu)，第l障壁212b或第2障壁212a當(dāng)中至少任一個(gè)以上障壁形成槽 (Hollow)的槽形障壁結(jié)構(gòu)。其中，如果采用差分型障壁則第l障壁212b的高度可以比第2障壁212a的高 度更低。同時(shí)，如果采用頻道型障壁結(jié)構(gòu)，則可以在第l障壁212b上形成頻道或 槽。而且，圖示和介紹了第l， 2， 3放電串分別在同一個(gè)線上的例子，但是也可 以采用其他方式排列。比如第l， 2， 3放電串以三角形排列的三角洲(Delta)型 的排列。放電串的形狀也同樣，不僅可以采取四角形，也可以采取五角形，六 角形等多種多角形狀。而且，在此圖2中只顯示了障壁212形成在后面基板211上的例子，障壁212 形成在前面基板201或后面基板211當(dāng)中的至少一個(gè)上。在此，由障壁212劃分的放電串內(nèi)最好充入指定的放電氣體。同時(shí)，可以在由障壁112劃分的放電串內(nèi)形成尋址放電時(shí)釋放顯示圖像的可 見光的熒光體層214。例如，可以形成釋放紅光的第l熒光體層，釋放藍(lán)色光的 第2熒光體層及釋放綠色光的第3熒光體層。而且，除了第l， 2， 3熒光體之外，還可以再形成釋放白色(White:W)及/ 或黃色(Yel low: Y)光的第4熒光體層。而且，第l， 2， 3熒光體層的厚度可以與其他熒光體層不同。例如，第2熒 光體層或第3熒光體層的厚度可以比第1熒光體層厚度更厚。在此，第2熒光體層 的厚度可以與第3熒光體層的厚度實(shí)際相同或不同。以上介紹中只顯示了編號204的上部電介質(zhì)層及編號215的下部電介質(zhì)層分 別為一個(gè)層(Layer)的例子，但是這種電介質(zhì)層及下部電介質(zhì)層當(dāng)中可以至少一 個(gè)是由多個(gè)層組成。同時(shí)，為了防止編號212的障壁引起的外光反射，可以在障壁212的上部增 設(shè)可以吸收外光的黑色層(圖中未顯示)。而且，也可以在與障壁212對應(yīng)的前面基板201上的特定位置增設(shè)其他黑色 層(圖中未顯示)。而且，形成在后面基板211上的尋址電極213的寬或厚度可以是一定值，但 是放電串內(nèi)的寬或厚度可以與放電串外部的寬或厚度不同。例如，放電串內(nèi)部 的寬或厚度大于放電串外部的寬或厚度。圖3為介紹本發(fā)明的一實(shí)例的等離子顯示裝置中，體現(xiàn)影像色調(diào)的幀(Frame) 的圖片。首先分析圖3，則在本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示裝置中，體現(xiàn)影像的色調(diào) (GrayLevel)的影像幀分為發(fā)光次數(shù)不同的子字段。同時(shí)，雖然圖中未顯示，多個(gè)子字段當(dāng)中一個(gè)以上的子字段可以再分為初 始化所有放電串的重置期間(ResetPeriod)，選擇將要放電的放電串的尋址期間 (AddressPeriod)及根據(jù)放電次數(shù)體現(xiàn)色調(diào)的維持期間(SustainPeriod)。例如，如圖3所示，在以256色調(diào)顯示圖像時(shí)一個(gè)影像幀分為8個(gè)子字段(SF1 至SF8)， 8個(gè)子字段(SF1至SF8)再分別分為重置期間，尋址期間及維持期間。同時(shí)，可以通過調(diào)節(jié)提供給維持期間的維持信號個(gè)數(shù)，設(shè)定相應(yīng)子字段的 色調(diào)加權(quán)值。即，可以利用維持期間為各個(gè)子字段設(shè)定一定的色調(diào)加權(quán)值。例 如，可以采用將第1子字段的色調(diào)加權(quán)值設(shè)為20，將第2子字段的色調(diào)加權(quán)值設(shè) 為21的方法，決定各子字段的色調(diào)加權(quán)值，從而使各個(gè)子字段的色調(diào)加權(quán)值以 2n(但是，n=0， 1， 2， 3， 4， 5， 6， 7)的比率增加。如此，可以在各個(gè)子字段 中根據(jù)色調(diào)加權(quán)值調(diào)節(jié)在各個(gè)子字段的維持期間供應(yīng)的維持信號的個(gè)數(shù)，從而 體現(xiàn)多樣的影像色調(diào)。本發(fā)明的一實(shí)例的等離子顯示裝置為了顯示l秒的影像，比如為顯示l秒的 影像，采用多個(gè)影像幀。例如，為顯示l秒的影像，采用60個(gè)幀。此時(shí)， 一個(gè)幀 的長度可以是l/60秒，即16.67ms。其中，圖3只顯示和介紹了一個(gè)影像幀分為8個(gè)子字段的例子，但是可以與 其不同，可以多樣變更組成一個(gè)幀的子字段的個(gè)數(shù)。例如，可以由第l子字段到 第12子字段為止的12個(gè)子字段組成一個(gè)幀，也可以由10個(gè)子字段組成一個(gè)幀。而且，在圖3所示的一個(gè)影像幀內(nèi)各個(gè)子字段是按照色調(diào)加權(quán)值大小增加的 順序排列，但是也可以與其不同，按照色調(diào)加權(quán)值減少的順序排列，各個(gè)子字 段也可以與色調(diào)加權(quán)值無關(guān)地排列。圖4為介紹本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示裝置操作一例的圖片。本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)波形在各子字段(Sub-Field)中，包 括重置期間，尋址期間及維持期間。例如，在進(jìn)行初始化的重置期間的創(chuàng)建(Set-Up)期間內(nèi)，驅(qū)動(dòng)部向掃描電 極Y)提供上斜(Ramp-Up)信號。B卩，向掃描電極Y)施加電壓逐漸上升的信號。在這個(gè)創(chuàng)建期間內(nèi)，放電串內(nèi)通過上斜信號發(fā)生弱的暗放電 (DarkDischarge),即創(chuàng)建放電。通過此創(chuàng)建放電，放電串內(nèi)將積累某一程度的 壁電荷(WallCharge)。在此，上斜信號以一定傾斜度上升。圖5中將進(jìn)一步具體介紹這種上斜信號。之后，向掃描電極提供下斜信號，則在放電串內(nèi)發(fā)生微弱的消除放電 (EraseDischarge)，即記憶放電。通過此記憶放電，將在放電串內(nèi)均勻殘留可 以穩(wěn)定發(fā)生尋址放電的壁電荷。在向掃描電極提供下斜信號的期間內(nèi)，可以向維持電極Z)提供維持偏置信 號(Vzb)。貝U，能夠穩(wěn)定記憶放電。在重置期間之后的尋址期間內(nèi)，可以向掃描電極提供具有比下斜信號的最 低電壓更高的掃描偏置信號(Vsc)。而且，在尋址期間，向掃描電極提供從掃描偏置信號下降的掃描信號 (Scan)。同時(shí)，掃描信號(Scan)的寬度可以按照子字段單位進(jìn)行變更。g卩，至少一 個(gè)以上的子字段中，掃描信號(Scan)的寬度可以與其他子字段中的掃描信號 (Scan)寬度不同。例如，在時(shí)間上位于后位的子字段中的掃描信號(Scan)寬度 可以比在前面的子字段中的掃描信號(Scan)寬度更小。而且，子字段排列順序 的掃描信號(Scan)寬度減少可以采用2.6/zs(微秒)，2.3/^s， 2.1/"s， 1.9//s等漸 進(jìn)的方式，或采用2.6/"s， 2.3//s， 2.3/"s， 2.1/"s......1.9/WS， 1.9/"s等方式。如此，向掃描電極提供掃描信號時(shí)，可以與掃描信號對應(yīng)，向?qū)ぶ冯姌OX) 提供數(shù)據(jù)(Data)信號。 隨著這些掃描信號和數(shù)據(jù)信號的供應(yīng)，掃描信號的電壓與數(shù)據(jù)信號的電壓 之差將與，重置期間內(nèi)生成的壁電荷引起的壁電壓相加，由此在供應(yīng)數(shù)據(jù)信號 的放電串內(nèi)產(chǎn)生尋址放電。在此，在尋址期間內(nèi)，為了防止維持電極的干涉引起尋址放電的不穩(wěn)定， 可以向維持電極Z提供維持偏置信號(Vz)。維持偏置信號(Vz)的電壓大小，可以比尋址期間之后的維持期間內(nèi)向掃描電極或維持電極當(dāng)中的至少一個(gè)電極提供的維持信號(SUS)的電壓大小(AVs) 更小?？梢栽趯ぶ菲陂g之后的維持期間內(nèi)，向掃描電極或維持電極當(dāng)中至少一個(gè) 提供維持信號。例如，可以向掃描電極和維持電極交替提供維持信號。若提供這樣的維持信號，則通過尋址放電被選的放電串在隨著放電串內(nèi)壁 電壓和維持信號的維持電壓(Vs)相加而提供維持信號時(shí)，在掃描電極和維持電 極之間產(chǎn)生維持放電即顯示放電。同時(shí)，至少一個(gè)子字段中，在維持期間內(nèi)提供多個(gè)維持信號，多個(gè)維持信 號當(dāng)中至少一個(gè)維持信號的脈沖寬度可以與其他維持信號的脈沖寬度不同。例 如，多個(gè)維持信號當(dāng)中，最早提供的維持信號的脈沖寬度大于其他維持信號的 脈沖寬度。貝U，維持信號能夠更穩(wěn)定。圖5為介紹上斜信號的圖片。分析圖5，則重置期間內(nèi)向掃描電極提供的重置信號包括，電壓從第l電壓 (VI)急劇上升到第2電壓(V2)之后，從第2電壓(V2)逐漸上升到第3電壓(V3)的上 斜信號。之后，具有從第3電壓(V3)急劇下降至第4電壓(V4)之后，從第4電壓(V4) 逐漸下降至第5電壓(V5)為止的下降期間。在此，上斜信號可以以一定傾斜度上升。在此，圖5顯示了傾斜度分別不同的第1上斜信號，第2上斜信號及第3上斜 信號。第2上斜信號的傾斜度可以比第1上斜信號更急。此時(shí)，第2上斜信號的提供期間(d2)要比第l上斜信號的提供期間(dl)更短。 因此縮短了重置期間，從而可以提高驅(qū)動(dòng)限度，能夠在短時(shí)間內(nèi)提供相同大小 的電壓，因而可以提高影像亮度。而且，第3上斜信號的傾斜度可以比第2上斜信號更急。此時(shí)，第3上斜信號的提供期間(d3)也會(huì)比第2上斜信號的提供期間(d2)更 短，因此可以提高驅(qū)動(dòng)限度，提高影像亮度。如此，通過加大上斜信號的傾斜度，短時(shí)間內(nèi)將電壓從第2電壓(V2)上升至 第3電壓(V3)時(shí)，可以減少重置期間，因此提高驅(qū)動(dòng)限度，同時(shí)也可以提高體現(xiàn) 的影像亮度。這種上斜信號的傾斜度可以為2V/^s以上20V/^以下，最好為3V/Z/s以上5V/ //s以下。傾斜度為2V/^以下，過度緩慢時(shí)，電壓會(huì)過度緩慢上升，因此能夠穩(wěn)定引 起放電，會(huì)過度降低亮度，加長重置期間，驅(qū)動(dòng)限度會(huì)變差。相反，傾斜度為2￥///8以上3￥///8以下時(shí)，會(huì)降低亮度和驅(qū)動(dòng)限度，但是其 程度微小，同時(shí)也能夠充分穩(wěn)定進(jìn)行放電。而且，傾斜度為3V/^以上5V/Z/s以下時(shí)，亮度和驅(qū)動(dòng)限度很好，同時(shí)也能 夠充分穩(wěn)定進(jìn)行放電。而且，傾斜度為5V/^以上20V/^以下時(shí)，放電可能稍微不穩(wěn)定，但是其程 度微小，因此良好，也可以提高亮度和驅(qū)動(dòng)限度。相反，傾斜度過急，為20V/^以上時(shí)，可以提高亮度和驅(qū)動(dòng)限度，但是放 電可能會(huì)不穩(wěn)定。因此，上斜信號的傾斜度最好為2VA/s以上20V/zs以下，3V^ s以上5V///s以下。同時(shí)，上斜信號的傾斜度越急，通過增加包含在熒光體層中的添加物材質(zhì) 的含量，防止放電隨著傾斜度變急而不穩(wěn)定。例如，可以將提供第2上斜信號時(shí)熒光體層包括的添加物材質(zhì)含量，設(shè)的比 提供第l上斜時(shí)更高。而且，可以將提供第3上斜信號時(shí)熒光體層包括的添加物材質(zhì)含量，設(shè)的比 提供第2上斜時(shí)更高。如此，傾斜度越急，將熒光體層包括的添加物材質(zhì)的含量設(shè)的更高，防止 放電隨著傾斜度變急而變得不穩(wěn)定。圖6為介紹重置信號的另一實(shí)例的圖片。分析圖6，則顯示了多種形式的重置信號。如上所述的重置信號，不僅可以采取圖4及圖5介紹的形式，也可以變更為 其他形式。例如，重置信號可以包括電壓維持一定時(shí)間的平坦期間。如(a)所示，這種平坦期間可以配置在提供上斜信號之前，如(b)所示，也可以配置在提供上斜信號之后，如(c)所示，也可以同時(shí)配置在提供上斜信號之前和之后。如此，重置信號中包括平坦期間，加急上斜信號的傾斜度，從而在短時(shí)間 內(nèi)提高電壓，能夠防止放電不穩(wěn)定。而且，重置信號不僅可以采取圖4至圖6介紹的形式，只要包括具有2V/^以上20V/Z/s以下的傾斜度的上斜信號，就可以變更為其他多種形式。 圖7為介紹下斜信號的圖片。分析圖7，則顯示下斜信號的傾斜度不同的兩個(gè)重置信號。重置期間內(nèi)向掃描電極提供的重置信號，除了包括上斜信號之外，還可以 包括電壓逐漸下降的下斜信號。如上所述，通過加急上斜信號的傾斜度縮短了重置期間，但是圖7中可以加 急下斜信號的傾斜度。將包含在(b)的重置信號的第2下斜信號的傾斜度，設(shè)為比包含在(a)的重置 信號的第1下斜信號的傾斜度更急。貝IJ，如(a)的重置信號所示，提供第l下斜信號時(shí)相比；如(b)的重置信號所 示，提供傾斜度更急的第2下斜信號時(shí)，會(huì)縮短重置期間。如此，通過加急下斜信號的傾斜度，可以通過縮短重置期間，提高驅(qū)動(dòng)限度。以下，圖8為介紹熒光體層的圖片。分析圖8，熒光體層214包括熒光體材質(zhì)的顆粒1000和添加物材質(zhì)的顆粒 1010。添加物材質(zhì)的顆粒IOIO，可以在掃描電極和尋址電極之間或維持電極和尋 址電極之間提高放電應(yīng)答特性。對其進(jìn)一步具體介紹如下。向掃描電極提供掃描信號，向?qū)ぶ冯姌O提供數(shù)據(jù)信號時(shí)，電荷會(huì)積累在熒 光體材質(zhì)的顆粒1000表面上。在此，如果熒光體層214不包括添加物材質(zhì)，則熒光體層的高度不均勻，或 熒光體材質(zhì)顆粒分布不均勻，則向掃描電極提供掃描信號，向?qū)ぶ冯姌O提供數(shù) 據(jù)信號時(shí)，電荷會(huì)集中到熒光體層214的指定部分。貝ij，在電荷集中的指定部分 會(huì)發(fā)生相對強(qiáng)烈的放電。而且，各個(gè)放電串當(dāng)中，電荷集中的部分會(huì)不同，由此放電會(huì)不均，會(huì)不 穩(wěn)定。此時(shí)，觀眾的視覺中可以見到斑點(diǎn)等噪聲，會(huì)惡化影像畫質(zhì)。 相反，與本發(fā)明一樣，熒光體層包含氧化鎂等添加物材質(zhì)時(shí)，添加物材質(zhì) 的顆粒起到放電的催化作用，在較低的電壓下，也能夠在掃描電極和尋址電極 之間穩(wěn)定發(fā)生放電。因此，在電荷集中的部分中由于較高的電壓而發(fā)生強(qiáng)烈放 電之前，在配置氧化物材質(zhì)顆粒的部分，在較低的電壓下先發(fā)生放電，可以均勾化各個(gè)放電串的放電特性。這是因?yàn)檠趸锊馁|(zhì)的電性特性當(dāng)中，2次電子釋 放系數(shù)較高。對于添加物材質(zhì)材質(zhì)，除了提高掃描電極和尋址電極之間或維持電極和尋 址電極之間的放電應(yīng)答特性之外，沒有特別限制。例如，添加物材質(zhì)為氧化鎂 材質(zhì)，氧化鋅材質(zhì)，氧化硅材質(zhì)，氧化鈦材質(zhì)，氧化釔材質(zhì)，氧化鋁材質(zhì)，氧 化鑭材質(zhì)，氧化銪材質(zhì)，氧化鈷材質(zhì)，氧化鐵材質(zhì)或CNT(CarbonNanoTube)材質(zhì) 當(dāng)中的至少一個(gè)。而且，在熒光體層214表面上，熒光體材質(zhì)的顆粒1000當(dāng)中的至少一個(gè)外露 在放電串的中心方向上。例如，添加物材質(zhì)的顆粒1010可以在熒光體層214表面， 配置在熒光體材質(zhì)的顆粒1000之間，由此至少一個(gè)的熒光體材質(zhì)的顆粒1000外露。如此，添加物材質(zhì)的顆粒1010配置在熒光體材質(zhì)的顆粒1000之間時(shí)，可以提高掃描電極和尋址電極之間或維持電極和尋址電極之間的放電應(yīng)答特性，同時(shí)可以最小化被添加物材質(zhì)的顆粒1010遮擋的熒光體材質(zhì)的顆粒1000表面積，從而防止亮度的過度降低。雖然圖中沒有顯示，如果添加物材質(zhì)的顆粒1010均勻涂敷(Coating)在熒光 體層214表面，形成了添加物材質(zhì)層，則添加物材質(zhì)層會(huì)遮擋大部分熒光體材質(zhì) 的顆粒1000的表面，因此亮度會(huì)過度降低。圖9為熒光體層的制造方法的一例的圖片。分析圖9，首先制造添加物材質(zhì)的粉末S1100。例如，分析氧化鎂的一例， 則通過加熱鎂，氣象氧化鎂蒸汽，制造氧化鎂材質(zhì)粉末。之后，將制造的添加物材質(zhì)的粉末與溶劑(Solvent)混合(SlllO)。例如， 將氧化鎂材質(zhì)的粉末與甲醇混合，制造添加物膏(Paste)或添加物泥膏 (Slurry)。在此，為了調(diào)整膏或泥膏粘度，可以再添加粘合劑(Binder)。之后，將與溶劑混薈的添加物材質(zhì)涂敷到熒光體層上部S1120。此時(shí)，可以 調(diào)整與溶劑混合的添加物物質(zhì)的粘度，使添加物材質(zhì)的顆粒順利配置在熒光體 材質(zhì)的顆粒之間。之后進(jìn)行干燥或燒成工序S1130。貝U，與添加物材質(zhì)混合的溶劑蒸發(fā)，而形 成圖2所示的熒光體層。圖10至圖11為進(jìn)一步具體介紹添加物材質(zhì)的效果的圖片。 圖10顯示了比較例，實(shí)例l，實(shí)例2，實(shí)例3的放電開始電壓(FiringVoltage)和，所顯現(xiàn)的影像的亮度，明室對比度(明室CR)的數(shù)據(jù)。在此，明室對比度是， 在周圍較亮的明室，在畫面顯示45%窗口圖形的影像，測量了對比度，放電開始 電壓為掃描電極和尋址電極之間的放電開始電壓。 比較例為熒光體層不包括添加物材質(zhì)的例子。實(shí)例l為熒光體層為添加物材質(zhì)，包含在熒光體層的體積比率為3%的氧化鎂。實(shí)例2為熒光體層為添加物材質(zhì)，包含在熒光體層的體積比率為9%的氧化鎂。實(shí)例3熒光體層為添加物材質(zhì)，包含在熒光體層的體積比率為12%的氧化鎂。 分析比較例，放電開始電壓為135V，此時(shí)體現(xiàn)的影像的亮度為170[cd/m2]。 相反，分析實(shí)例l， 2， 3，則放電開始電壓為127V以上129V以下，此時(shí)所顯現(xiàn)的影像的亮度為176[cd/m2]以上178[cd/ra2]以下，與比較例相比，放電開始電壓更低，所體現(xiàn)的影像的亮度更高。這是因?yàn)?，作為添加物材質(zhì)的氧化鎂(MgO)材質(zhì)的顆粒起到放電催化劑作用，由此降低掃描電極和尋址電極之間降低放電開始電壓，通過放電開始電壓降低，從而加強(qiáng)由于相同電壓而發(fā)生的放電強(qiáng)度，由此進(jìn)一步增加所體現(xiàn)的影像亮度。而且，分析比較例和實(shí)例l， 2， 3的25%窗口圖形的明室對比度，則比較例中，明室對比度為55:1，相反實(shí)例l， 2， 3的明室對比度為58:1以上61:1以下，可以得知與比較例相比，進(jìn)一步提高了對比度特性。這是因?yàn)椋瑢?shí)例l， 2， 3與比較例相比，在較低的電壓下發(fā)生均勻的放電，由此重置期間中發(fā)生的光量會(huì)較少。分析圖ll，貝U(a)顯示了實(shí)例l， 2， 3的例子，(b)顯示了比較例的例子。 分析(b)，則熒光體層中沒有包含氧化鎂(MgO)材質(zhì)的比較例中，發(fā)生較高的電壓，由此急劇發(fā)生瞬間強(qiáng)烈的放電，此時(shí)發(fā)生的光量也可能會(huì)急劇增加。因此，可能會(huì)惡化對比度特性。相反，分析(a)，則熒光體層中包含氧化鎂(MgO)材質(zhì)時(shí)，能夠在較低的電壓發(fā)生放電，由此在重置期間內(nèi)持續(xù)發(fā)生弱的放電。因此，此時(shí)發(fā)生的光量也較少，因此提高了對比度特性。圖12為介紹添加物材質(zhì)的含量的圖片。圖12中顯示了，采用氧化鎂(MgO)作為添加物材質(zhì)，將氧化鎂材質(zhì)的體積(A) 和熒光體層的體積(B)的比率(A/B，單位%)從0%改變到50%的同時(shí)，測量尋址放電的放電遲延時(shí)間的數(shù)據(jù)。尋址放電遲延特性是指，在尋址期間內(nèi)向掃描電極提供掃描信號，向?qū)ぶ?電極提供數(shù)據(jù)信號的時(shí)點(diǎn)到，在掃描電極和尋址電極之間發(fā)生尋址放電的時(shí)點(diǎn) 為止的時(shí)間之差。分析圖12，可以得知氧化鎂材質(zhì)的含量對熒光體層的體積比率為0%時(shí)，放 電遲延時(shí)間約為O. 8/fi。相反，氧化鎂材質(zhì)的含量對熒光體層的體積的比率為2%時(shí)，改善了放電遲 延時(shí)間，是0.75/"s，得到了改善。g卩，改善了尋址抖動(dòng)(Jitter)特性。這是因 為氧化鎂材質(zhì)的顆粒提高掃描電極和尋址電極之間的放電應(yīng)答特性。而且，可以得知氧化鎂材質(zhì)的含量對熒光體層的體積比率為5%時(shí)，放電遲 延時(shí)間約為O. 72AS， 6%時(shí)放電遲延時(shí)間約為0. 63//s。而且，可以得知氧化鎂材質(zhì)的含量對熒光體層的體積的比率為10%以上50% 之間時(shí)，放電遲延時(shí)間約從O. 55^s減少到0， 24/"s為止。分析以上的圖ll的數(shù)據(jù)時(shí)，氧化鎂材質(zhì)的含量越是增加，放電遲延時(shí)間越 會(huì)減少，改善抖動(dòng)特性，但其改善程度會(huì)逐漸降低。而且，氧化鎂材質(zhì)含量對 熒光體層的體積的比率為40%以上時(shí)，放電遲延時(shí)間的改善程度很微小。相反，氧化鎂材質(zhì)含量過多時(shí)，氧化鎂材質(zhì)顆粒會(huì)過度遮擋熒光體材質(zhì)的 顆粒表面，由此會(huì)降低亮度。因此，為了減少放電遲延時(shí)間，防止亮度的過度降低，最好氧化鎂材質(zhì)含 量對熒光體層的體積對比率為2%以上40%以下，最好為6%以上27%以下。圖13為介紹添加物材質(zhì)顆粒的粒度的圖片。在此，假設(shè)添加物材質(zhì)的顆粒 的粒度為R1，熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度設(shè)為R2。圖13中作為添加物材質(zhì)使用氧化鎂，而且所使用的氧化鎂材質(zhì)的含量對熒 光體層的體積的比率為16%的狀態(tài)下，改變氧化鎂材質(zhì)顆粒的粒度(R1)的同時(shí)觀 察亮度，判斷了工序難易度。在此， 表示很好，O表示較好，X表示不良。分析亮度時(shí)，周圍黑暗的暗室中在表面上表示指定圖形的影像時(shí)，多位觀 察人員感官性評價(jià)了影像亮度。分析圖13，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)為熒光體材質(zhì)的顆粒粒度(R2)的 0.001倍以上0.25倍以下時(shí)，與熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)相比，氧化鎂材質(zhì) 的顆粒的粒度(R1)充分小，氧化鎂材質(zhì)的顆粒可以充分位于熒光體材質(zhì)的顆粒 之間，因此可以充分確保熒光體材質(zhì)的顆粒的可見光排放路徑。因此，亮度很好(O))o而且，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(Rl)為熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)的 0.275倍以上1.0倍以下時(shí)，亮度較好(O)。相反，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(Rl)超過熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)的 l.O倍時(shí)，與熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)相比，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1) 大，氧化鎂材質(zhì)的顆粒會(huì)遮斷熒光體材質(zhì)的顆粒的可見光排放路徑，因此亮度 不良。而且，氧化鎂材質(zhì)的顆粒粒度(Rl)為熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)的O. 001 倍以上0.003倍以下時(shí)，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)過小，因此可以得知處理 氧化鎂材質(zhì)的顆粒的工序的難易度不良。而且，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的大小(R1)， 比熒光體材質(zhì)的顆粒(R2)大小(R2)過小，因此氧化鎂材質(zhì)的顆粒不在熒光體層 表面，大部分流入熒光體顆粒之間空間，位于熒光體層內(nèi)部，因此掃描電極和 尋址電極之間或維持電極和尋址電極之間穩(wěn)定發(fā)生放電的效果微小。相反，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(Rl)為熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)的 0. 005倍以上0. 03倍以下及0. 4倍以上1. O倍以下時(shí)，氧化鎂材質(zhì)的顆粒大小(Rl) 適當(dāng)，工序難易度較好。而且，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(Rl)為熒光體材質(zhì)的顆粒的粒度(R2)的 0. 05倍以上0. 3倍以下時(shí)，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)最佳，工序難易度很好。 同時(shí)，此時(shí)大部分的氧化鎂顆粒在熒光體層表面，可以配置在熒光體材質(zhì)的顆 粒之間，因此具有可以在掃描電極和尋址電極之間或維持電極和尋址電極之間 穩(wěn)定發(fā)生放電的效果?？紤]以上數(shù)據(jù)時(shí)，氧化鎂材質(zhì)的顆粒的粒度(R1)最好為熒光體材質(zhì)顆粒(R2) 的0.005倍以上1倍以下時(shí)，最好為0.05倍以上0.25倍以下。例如，氧化鎂材質(zhì) 的顆粒大小為20nm以上3000nm以下。同時(shí)，以上只介紹了氧化鎂材質(zhì)的顆粒粒度(R1)與熒光體材質(zhì)的顆粒粒度 (R2)相比，較小的例子。但是熒光體材質(zhì)的顆粒粒度(R2)比目前變小時(shí)，氧化 鎂材質(zhì)顆粒粒度(Rl)會(huì)比熒光體材質(zhì)的顆粒粒度(R2)更大。而且，氧化鎂材質(zhì)的顆粒具有一種方向性，也可以具有兩種以上的互不相 同的方向性。例如，也可以使用200方向性的氧化鎂材質(zhì)，或同時(shí)使用200， 220， lll方向性的氧化鎂材質(zhì)。這種氧化鎂材質(zhì)的方向性，可以根據(jù)放電氣體的性質(zhì)、熒光體材質(zhì)的種類、驅(qū)動(dòng)信號的電壓大小等條件進(jìn)行多種變更。圖14為介紹熒光體層的另一結(jié)構(gòu)一例的圖片。而且，圖15為介紹熒光體層的制造方法又一例的圖片。首先分析圖14，熒光體層214中添加物材質(zhì)的顆粒1010可以分別配置在，熒 光體層214表面、熒光體層214內(nèi)部、熒光體層214和下部電介質(zhì)層215的之間。如果添加物材質(zhì)的顆粒1010配置在熒光體層214表面、熒光體層214內(nèi)部、 熒光體層214和下部電介質(zhì)層215的之間，則可以進(jìn)一步提高掃描電極和尋址電 極之間或維持電極和尋址電極之間的放電應(yīng)答特性。圖14為介紹熒光體層的另一結(jié)構(gòu)一例的圖片。而且，圖15為介紹熒光體層的制造方法又一例的圖片。首先分析圖14，熒光體層214中添加物材質(zhì)的顆粒1010可以分別配置在，熒 光體層214表面、熒光體層214內(nèi)部、熒光體層214和下部電介質(zhì)層215的之間。如果添加物材質(zhì)的顆粒1010配置在熒光體層214表面、熒光體層214內(nèi)部、 熒光體層214和下部電介質(zhì)層215的之間，則可以進(jìn)一步提高掃描電極和尋址電 極之間或維持電極和尋址電極之間的放電應(yīng)答特性。以下，圖15顯示了具有圖14所示結(jié)構(gòu)的熒光體層214的制造方法一例。分析圖15，首先制造添加物材質(zhì)的粉末S1600。之后，混合制造的添加物材質(zhì)的粉末和熒光體材質(zhì)的顆粒S1610。之后，混合氧化物材質(zhì)的粉末和熒光體材質(zhì)的顆粒溶劑S1620。之后，將與溶劑混合的氧化物材質(zhì)和熒光體材質(zhì)，涂敷在放電串內(nèi)S1630。 此時(shí)，也可以采用滴膠(Dispensing)法。之后，進(jìn)行干燥或燒成工序S1640。則溶劑蒸發(fā)，可以形成圖15所示結(jié)構(gòu)的 熒光體層。圖16為介紹選擇性使用添加物材質(zhì)的方法的圖片。分析圖16，則熒光體層包括釋放紅光的第1熒光體層(214R)，釋放藍(lán)色光的 第2熒光體層(214B)及釋放綠色光的第3熒光體層(214G),同時(shí)第l熒光體層 (214R)，第2熒光體層(214B)或第3熒光體層(214G)當(dāng)中的至少一個(gè)熒光體層中 可以省略添加物材質(zhì)。例如，如(a)所示，，第1熒光體層(214R)中包括紅色熒光體材質(zhì)的顆粒1700， 但是不包括添加物材質(zhì)；如(b)所示，藍(lán)色熒光體層214B包含藍(lán)色熒光體材質(zhì)的 顆粒1710和添加物材質(zhì)的顆粒1010。此時(shí)，可以增加藍(lán)色熒光體層214B中發(fā)生的光量，由此可以提高色溫特性。而且，(b)中的第2熒光體材質(zhì)的顆粒1710大小，可以比(a)中第l熒光體材 質(zhì)的顆粒1700的大小更大。此時(shí)，(b)的第2熒光體層214B，與(a)的第l熒光體 層214R相比，放電不穩(wěn)定的可能性相對高。因此，此時(shí)最好使第2熒光體層214B 包括添加物材質(zhì)的顆粒IOIO，穩(wěn)定化第2熒光體層214B中的放電。同時(shí)，制造熒光體層時(shí)，熒光體層的碳(Carbon)含量，隨著與熒光體材質(zhì) 粉末及添加物材質(zhì)的粉末混合的粘合劑(Binder)及溶劑的含量變化，基板特性 會(huì)隨著這種碳含量變化。對其分析如下。例如，假設(shè)混合熒光體材質(zhì)粉末、添加物材質(zhì)粉末、粘合劑及溶劑形成膏 狀熒光體組成物，將熒光體組成物涂敷在放電串之后，將涂敷的熒光體組成物 燒成后形成熒光體層的例子。此時(shí)，燒成時(shí)粘合劑蒸發(fā)的同時(shí)，在熒光體層殘留碳成分。這種殘留在熒 光體層的碳成分，可能會(huì)惡化等離子顯示板的亮度特性，因此含在熒光體組成 物的粘合劑的量較少為有利。相反，熒光體組成物中粘合劑含量過少時(shí)，由于熒光體組成物粘度過低， 因此會(huì)出現(xiàn)熒光體層的成型難的問題。而且，熒光體組成物中溶劑含量過少時(shí)，熒光體組成物的粘度會(huì)過低。考慮其，則最好含在熒光體組成物的粘合劑及溶劑的含量，在不惡化熒光 體組成物的粘度特性的同時(shí)，進(jìn)行調(diào)整，以便可以在燒成后提高亮度特性。圖17a至圖17b為介紹熒光體組成物的碳含量及其亮度特性的圖片。圖17a顯示了熒光體組成物中，隨著粘合劑含量變化的碳含量的數(shù)據(jù)。圖17a 所示的數(shù)據(jù)為，在混合熒光體材質(zhì)粉末，溶劑及粘合劑，形成熒光體組成物之 后，燃燒熒光體組成物之后，分析所燃燒的熒光體組成物的殘存物質(zhì)，測量碳 含量的數(shù)據(jù)。而且，所有類型都包含7%的氧化鎂材質(zhì)。A， B， C， D類型采用的熒光體粉末為YVP04:Eu材質(zhì)，E， F， G， H類型釆用 的熒光體粉末為(Y， Gd)BO:Eu材質(zhì)。分析圖17a，則A類型熒光體組成物混合了44. 5重量份數(shù)的熒光體粉末、35. 5 重量份數(shù)的溶劑、20重量份數(shù)的粘合劑，這種A類型的碳含量約為 1883ppm(PartsPerMillon)。B類型熒光體組成物混合了44. 5重量份數(shù)的熒光體粉末、41. 5重量份數(shù)的溶 劑、M重量份數(shù)的粘合劑，這種B類型的碳含量約為1080ppm。C類型熒光體組成物混合了44. 5重量份數(shù)的熒光體粉末、45. 5重量份數(shù)的溶 劑、IO重量份數(shù)的粘合劑，這種B類型的碳含量約為640ppm。D類型熒光體組成物混合了44. 5重量份數(shù)的熒光體粉末、51. 5重量份數(shù)的溶 劑、4重量份數(shù)的粘合劑，這種D類型的碳含量約為155ppni。E類型熒光體組成物混合了31. 5重量份數(shù)的熒光體粉末、49. 5重量份數(shù)的溶 劑、19重量份數(shù)的粘合劑，這種E類型的碳含量約為2370ppm。F類型熒光體組成物混合了31. 5重量份數(shù)的熒光體粉末、56. 5重量份數(shù)的溶 劑、12重量份數(shù)的粘合劑，這種F類型的碳含量約為1825ppm。G類型熒光體組成物混合了31. 5重量份數(shù)的熒光體粉末、61. 5重量份數(shù)的溶 劑、7重量份數(shù)的粘合劑，這種G類型的碳含量約為722ppm。H類型熒光體組成物混合了31. 5重量份數(shù)的熒光體粉末、63重量份數(shù)的溶 劑、5.5重量份數(shù)的粘合劑，這種這種H類型的碳含量約為207ppm。分析以上的圖17a的數(shù)據(jù)，則熒光體組成物的碳含量會(huì)隨粘合劑的含量變化。圖17b顯示了隨碳含量變化的影像亮度的數(shù)據(jù)。圖17b所示的數(shù)據(jù)為，采用 圖17a所示的A H類型的熒光體組成物，分別制造A H類型的等離子顯示板，操作 所制造的等離子顯示板的同時(shí)測量了亮度的數(shù)據(jù)。測量亮度時(shí)，分別測量啟動(dòng)(Turn-on)所有放電串的全白(Full-White，F(xiàn)/W) 時(shí)的亮度和，畫面上顯示25%窗口 (Window)圖形的影像的亮度。亮度單位為 [cd/m2]。分析圖17b，如果是A類型，則向掃描電極和維持電極之間施加192V的驅(qū)動(dòng) 電壓，全白狀態(tài)下測量發(fā)生的光的亮度，則亮度約為120[cd/m2]， 25%窗口圖形 發(fā)生的光的亮度約為319[cd/m2]。而且，如果是B類型，則全白亮度約為126[cd/m2]， 25%窗口圖形亮度約為 327[cd/m2]0如果是C類型，則全白亮度約為133[cd/m2]， 25%窗口圖形亮度約為 343[cd/m2]。如果是D類型，則全白亮度約為149[cd/m2]， 25%窗口圖形亮度約為 377[cd/m2]。如果是E類型，則全白亮度約為117[cd/m2]， 25%窗口圖形亮度約為 304[cd/m2]。如果是F類型，則全白亮度約為121[cd/m2]， 25%窗口圖形亮度約為 322[cd/m2]。如果是G類型，則全白亮度約為132[cd/m2]， 25%窗口圖形亮度約為 338[cd/m2]。如果是H類型時(shí)，則全白亮度約為148[cd/m2]， 25%窗口圖形亮度約為 373[cd/m2]。分析以上的圖17a至圖17b的數(shù)據(jù)，熒光體組成物中碳含量較多時(shí)，包含采 用其熒光體組成物制造的熒光體層的等離子顯示板顯現(xiàn)的影像亮度會(huì)降低；相 反碳含量較少時(shí)，可以提高所顯現(xiàn)的影像亮度。如此，分析碳含量越多所體現(xiàn)的影像亮度越是降低的理由如下。進(jìn)行熒光體組成物的燒成工序時(shí)，含在熒光體組成物的粘合劑燃燒的同時(shí)， 排放到包含在粘合劑的碳成分中，碳可能會(huì)混合到充入基板內(nèi)部的放電氣體中。 這種碳會(huì)與氧結(jié)合，生成一氧化碳(C0)或二氧化碳(C02)等的不純氣體。這種， 由于碳而生成的不純氣體會(huì)妨礙放電氣體釋放紫外線，由此減少照射到熒光體 層上的紫外線的量，因此會(huì)減少影像亮度。而且，進(jìn)行熒光體組成物的燒成工序時(shí)，含在熒光體組成物的粘合劑燃燒 的同時(shí)，包含在粘合劑的碳成分會(huì)殘留到熒光體層表面。貝U，部分熒光體層表 面會(huì)被碳成分遮擋，由此影像的亮度會(huì)降低。圖18a至圖18b為介紹熒光體組成物中粘合劑和熒光體粉末比率的圖片。圖18a顯示了，熒光體粉末采用(Ba， Sr， Eu)MgA110017材質(zhì)，粘合劑采用 丙烯樹脂材質(zhì)，溶劑采用乙二醇形成熒光體組成物，將此粘合劑和熒光體粉末 的比率(B/P)從W改變到25免為止的同時(shí)，測量熒光體組成物的碳含量的數(shù)據(jù)。分析圖18a， B/P為W時(shí)，即粘合劑含量為熒光體粉末的含量的1%時(shí)，熒光 體組成物的碳含量約為70ppm。B/P為3先時(shí)，熒光體組成物的碳含量約為91ppm。B/P為5W時(shí)，熒光體組成物的碳含量約為107ppm。B/P為10M時(shí)，熒光體組成物的碳含量約為139ppm。B/P為15免時(shí)，約為196ppm; B/P為17M時(shí),約為282卯m; B/P為2(^時(shí)，約為 440ppm; B/P為25W時(shí)，約為895ppro。圖18b顯示了，利用圖18a所示的熒光體組成物制造等離子顯示板，操作所 制造的基板的同時(shí)測量所體現(xiàn)的影像亮度的數(shù)據(jù)。在此，亮度為打開所有放電串的全白圖形的亮度，其單位為[cd/m2]。 分析圖18b，貝UB/P為W時(shí)，即粘合劑含量為熒光體粉末的含量的1%時(shí)，體 現(xiàn)的影像亮度約為152[cd/m2]。B/P為3冗時(shí)，所體現(xiàn)的影像亮度約為150[cd/m2]。 B/P為596時(shí)，所體現(xiàn)的影像的亮度約為149[cd/m2]。 B/P為l(^時(shí)，所體現(xiàn)的影像的亮度約為150[cd/m2]。B/P為15免時(shí)，約為144[cd/m2]; B/P為17W時(shí)，約為142[cd/m2]; B/P為20W 時(shí)，約為137[cd/m2]; B/P為25《時(shí)，約為124[cd/m2]。如以上的圖18a至18b的數(shù)據(jù)所示，粘合劑含量為熒光體粉末含量的17免以下 時(shí)，熒光體組成物的碳含量約為300ppm以下，充分低，由此制造的等離子顯示 板體現(xiàn)的影像的亮度約為140[cd/m2]以上，充分高。而且，粘合劑含量為熒光體粉末含量的17%以上20%以下時(shí)，熒光體組成物 的碳含量約為450ppm以下，相對低，由此制造的等離子顯示板中所體現(xiàn)的影像 亮度約為135[cd/m2]以上，相對高。相反，粘合劑含量為熒光體粉末含量的25%以上時(shí)，熒光體組成物的碳含量 約為800ppm以上，含量過高，由此制造的等離子顯示板所顯現(xiàn)的影像亮度約為 125[cd/m2]以下，過低。根據(jù)以上的數(shù)據(jù)，分析熒光體組成物的碳含量為500ppm以下時(shí)體現(xiàn)的影像 的亮度特性時(shí)，更為有利。同時(shí)，熒光體組成物中粘合劑的含量過少時(shí)，熒光體組成物的粘度過低， 因此可能會(huì)不利于熒光體層形成工序。因此，降低碳含量，因此為了在提高所制造的等離子顯示板的亮度的同時(shí)， 充分維持熒光體組成物的粘度，最好熒光體組成物中粘合劑的含量為熒光體粉 末的含量的3%以上20%以下，最好為5%以上17%以下。由此，可以理解，上述本發(fā)明的技術(shù)組成是本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的行內(nèi)人 士不對本發(fā)明的技術(shù)思想或必要特點(diǎn)進(jìn)行變更，就可以以其他具體形式實(shí)施。因此，應(yīng)理解以上所記述的實(shí)例是在各方面的例示，并不是為限制。比上 述詳細(xì)介紹，更能顯示本發(fā)明的范圍的是后述的專利申請范圍，應(yīng)解釋為從專 利申請范圍的意義及范圍且其等價(jià)觀念導(dǎo)出的所有變更或變更形式都包括在本 發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1、一種等離子顯示裝置，其特征在于包括配置掃描電極的前面基板；與上述前面基板對置配置的后面基板；配置在上述后面基板上的下部電介質(zhì)層；及配置在上述下部電介質(zhì)層上部，包含金屬材質(zhì)或碳材質(zhì)當(dāng)中的至少一個(gè)材質(zhì)的熒光體層的等離子顯示板和，在初始化至少一個(gè)子字段的重置期間中，向上述掃描電極提供包含電壓逐漸上升的上斜信號的重置信號的驅(qū)動(dòng)部，上述上斜信號的傾斜度為2V/μs以上20V/μs以下。
2、 根據(jù)權(quán)利要求所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述上斜信號的傾斜 度為3V/;"s以上5V/Z/s以下。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述添加物材質(zhì)為， 氧化鎂材質(zhì)，氧化鋅材質(zhì)，氧化硅材質(zhì)，氧化鈦材質(zhì)，氧化釔材質(zhì)，氧化鋁材 質(zhì)，氧化鑭材質(zhì)，氧化銪材質(zhì)，氧化鈷材質(zhì)，氧化鐵材質(zhì)或CNT材質(zhì)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述添加物材質(zhì)的 顆粒當(dāng)中的至少一個(gè)配置在上述熒光體層表面的等離子顯示板。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子顯示裝置，其特征在于在上述熒光體層和 后面基板之間再配置下部電介質(zhì)層，上述添加物材質(zhì)顆粒當(dāng)中的至少一個(gè)配置 在熒光體層和下部電介質(zhì)層之間。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述添加物材質(zhì)的 含量對上述熒光體層的體積的比例可以為2%以上40%以下。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述添加物材質(zhì)的 含量對熒光體層的體積的比例為6%以上27%以下。
8、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述熒光體層可以 包括釋放紅色光的第l熒光體層，釋放藍(lán)色光的第2熒光體層；及釋放綠色光的 第3熒光體層，上述第l熒光體層、第2熒光體層或第3熒光體層當(dāng)中的至少一個(gè) 可以省略添加物材質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明為等離子顯示裝置相關(guān)發(fā)明。本發(fā)明的等離子顯示裝置包括配置掃描電極的前面基板；與前面基板對置配置的后面基板；配置在后面基板上的下部電介質(zhì)層；及配置在下部電介質(zhì)層上部，包含金屬材質(zhì)或碳材質(zhì)當(dāng)中的至少一個(gè)材質(zhì)的熒光體層的等離子顯示板和，在初始化至少一個(gè)子字段的重置期間中，向掃描電極提供包含電壓逐漸上升的上斜信號的重置信號的驅(qū)動(dòng)部，上斜信號的傾斜度為2V/μs以上20V/μs以下。
文檔編號H01J17/49GK101334952SQ200810211019
公開日2008年12月31日 申請日期2008年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月15日
發(fā)明者榮 軫, 金炳賢, 金熙權(quán) 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司