專利名稱：等離子顯示板的制作方法
等離子顯示板
本發(fā)明為等離子顯示板相關(guān)發(fā)明。 [背景技術(shù)]
在等離子顯示板中，由障壁劃分的放電串(Cell)內(nèi)形成熒光體層，同時形 成多個電極(Electrode)。
向等離子顯示板電極提供驅(qū)動信號，貝U，放電串內(nèi)根據(jù)提供的驅(qū)動信號產(chǎn) 生放電。其中，放電串內(nèi)通過驅(qū)動信號產(chǎn)生放電時，充入放電串內(nèi)的放電氣體 釋放真空紫外線(Vacu咖Ultravioletrays)，這種真空紫外線使形成在放電串內(nèi) 的熒光體發(fā)光，從而產(chǎn)生可見光。通過這種可見光，在等離子顯示板的畫面上 顯示影像。 [發(fā)明內(nèi)容]
本發(fā)明的目的在于，通過降低上部電介質(zhì)層引起的光反射，提供提高對比 度(Contrast)特性的等離子顯示板。
而且，本發(fā)明另一目的在于，提供補(bǔ)償由于上部電介質(zhì)層引起的亮度降低 的等離子顯示板。
本發(fā)明所述的一種等離子顯示板，包括
前面基板；
配置在上述前面基板上，同時互相并排的掃描電極和維持電極； 配置上述掃描電極和維持電極上部的上部電介質(zhì)層； 與上述前面基板對置配置的后面基板；及 在上述前面基板和后面基板之間劃分放電串的障壁； 上述上部電介質(zhì)層包括玻璃材質(zhì)和作為顏料的鈷材質(zhì)， 上述障壁的鉛含量為1000ppm以下的等離子顯示板。 又，上述鈷材質(zhì)的含量為0.1重量份數(shù)以上，0.6重量份數(shù)以下。 又，上述上部電介質(zhì)層作為顏料，再包括鎳、鎘、銅、鈰、猛當(dāng)中至少一 個材質(zhì)。
又，上述上部電介質(zhì)層的厚度為33//111以上39^以下。 又，上述上部電介質(zhì)層的鉛含量為1000ppm以下。又，上述掃描電極或維持電極當(dāng)中至少一個為總線電極。 又，上述掃描電極或維持電極當(dāng)中至少包括一個 與上述尋址電極交叉的多數(shù)線部； 連接上述多數(shù)線部中的至少兩個線部的連接部；及 從上述多數(shù)線部凸出的一個凸出部. 本發(fā)明的另一種等離子顯示板，包括 前面基板；
配置在上述前面基板，同時并排的掃描電極和維持電極； 配置在上述掃描電極和維持電極上部的上部電介質(zhì)層； 與上述前面基板對置配置的后面基板；及 在上述前面基板和后面基板之間劃分放電串的障壁； 上述上部電介質(zhì)層包括玻璃材質(zhì)和作為顏料包括鈷材質(zhì)， 上述上部電介質(zhì)層的厚度依照以下公式得到，
1:40《T/C《420 式中T:上部電介質(zhì)層的厚度[//m] ， C:鈷材質(zhì)的含量[重量份數(shù)]。 本發(fā)明所述的另等離子顯示板，其特征在于包括-前面基板；
配置在上述前面基板上，同時互相并排的掃描電極和維持電極； 配置在上述掃描電極和維持電極上部的上部電介質(zhì)層； 與上述前面基板對置配置的后面基板；及 在上述前面基板和后面基板之間劃分放電串的障壁； 上述上部電介質(zhì)層包括玻璃材質(zhì)和，作為顏料包括鈷材質(zhì)， 在上述前面基板和后面基板之間充入放電氣體，上述放電氣體包括10%以 上30%以下的氙。
又，上述放電氣體包括12%以上20%以下上述氙。
本發(fā)明的等離子顯示板通過上部電介質(zhì)層包括鈷(Co)材質(zhì)作為顏料，具有
降低基板反射率，提高對比度，及提高色溫特性的效果。
而且，本發(fā)明通過將障壁的鉛(Pb)含量設(shè)為1000ppm以下，或在放電氣體中 的氤(Xe)的含量設(shè)為10%以上30%以下，從而降低包含在上部電介質(zhì)層的顏料材 質(zhì)的亮度降低。[


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圖l為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示板結(jié)構(gòu)的圖片。
圖2為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示板操作一例的圖片。
圖3為介紹上部電介質(zhì)層的成分的圖片。
圖4為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示板的色坐標(biāo)特性的圖片。
圖5為介紹鈷的含量和上部電介質(zhì)層的厚度關(guān)系的圖片。
圖6a至圖6b為進(jìn)一步介紹顏料的含量的圖片。
圖7a至圖7b為進(jìn)一步具體介紹上部電介質(zhì)層的厚度的圖片。
圖8a至圖8b為介紹鉛(Pb)含量的圖片。
圖9a至圖9b為介紹氙的含量和亮度及放電開始電壓關(guān)系的圖片。
圖10a至圖10b為介紹掃描電極和維持電極的圖片。
圖ll為介紹單層結(jié)構(gòu)優(yōu)點的圖片。
圖12a至圖12b為進(jìn)一步具體介紹掃描電極和維持電極的結(jié)構(gòu)的圖片。 圖13為介紹單層結(jié)構(gòu)中上部電介質(zhì)層包括顏料的理由一例的圖片。 圖14為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示板的色坐標(biāo)特性的圖片。 圖15為介紹上部電介質(zhì)層的另一結(jié)構(gòu)一例的圖片。 圖16為介紹上部電介質(zhì)層的又一個結(jié)構(gòu)一例的圖片。 圖17a至圖17c為本發(fā)明一實例的等離子顯示板的又一例的圖片。 〈圖片中主要部分符號說明〉 101:前面基板 102:掃描電極 103:維持電極 104:上部電介質(zhì)層 105:保護(hù)層 lll:后面基板 112:障壁 113:尋址電極 114:熒光體層 115:下部電介質(zhì)層
112a:第2障壁 112b:第l障壁 [具體實施例]
以下，參照附加的圖片具體介紹本發(fā)明的等離子顯示板。 圖l為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示板的結(jié)構(gòu)的圖片。 分析圖l，本發(fā)明一實例的等離子顯示板100可以包括配置并排的掃描電極 (102， Y)和維持電極(103， Z)的前面基板101和，與前面基板101對置配置，同時配置與前述掃描電極(102， Y)及維持電極(103， Z)交叉的尋址電極(113， X) 的后面基板lll。
可以在配置掃描電極102和維持電極103的前面基板101的上部，配置填充掃 描電極102和維持電極103的上部電介質(zhì)層104。
上部電介質(zhì)層104限制掃描電極102及維持電極103的放電電流，可以使掃描 電極102和維持電極103之間絕緣。
可以在上部電介質(zhì)層104的上部形成易化放電條件的保護(hù)層105。這種保護(hù) 層105可以包含二次電子釋放系數(shù)高的材料，例如氧化鎂(MgO)材質(zhì)。
而且，后面基板lll上配置電極，例如尋址電極U3，可以在這種配置尋址 電極(113， X)的后面基板lll上形成覆蓋尋址電極113，并使尋址電極113絕緣的 下部電介質(zhì)層115。
同時，下部電介質(zhì)層115的上部可以形成劃分放電空間即放電串的條形 (StripeType)，井形(WellType)，三角形(DeltaType)，蜂窩形等障壁112)。通 過這種障壁112，在前面基板101和后面基板lll的之間配置綠色(Green:G)，藍(lán)色 (Blue:B)放電串。而且，除了紅色(R)，綠色(G)，藍(lán)色(B)放電串之外，還可以再 配備白色(Whi t e: W)或黃色(Ye 11 ow: Y)放電串。
由障壁112劃分的放電串內(nèi)充入了包含氙(Xe)，氖(Ne)等放電氣體。
同時，可以在由障壁112劃分的放電串內(nèi)形成尋址放電時釋放顯示圖像的可 見光的熒光體層114。例如，可以形成釋放紅色(Red:R)光的第l熒光體層，釋放 藍(lán)色(Blue, B)光的第2熒光體層及釋放綠色(Green:G)光的第3熒光體層。而且， 除了紅色(R)，綠色(G)，藍(lán)色(B)光之外，還可以配置釋放白色(White: W)或黃色 (Yellow:Y)光的其他熒光體層。
而且，第l， 2， 3熒光體層的厚度可以與其他熒光體層的厚度不同。例如， 第2熒光體層或第3熒光體層的厚度可以比第1熒光體層厚度更厚。
同時，發(fā)明一實例的等離子顯示板100中，紅色(R)，綠色(G)及藍(lán)色(B)放電 串的寬度可以實際相同，也可以將紅色(R)，綠色(G)及藍(lán)色(B)當(dāng)中的一個以上 的放電串的寬度設(shè)為與其他放電串寬度不同。
例如，可以設(shè)為釋放紅色放電串的寬度最小，使綠色(G)光放電串及藍(lán)色(B) 放電串寬度大于紅色(R)放電串的寬度。在此綠色(G)放電串的寬度可以與藍(lán)色 (B)放電串的寬度實際相同或不同。貝lj，可以提高所體現(xiàn)的影像色溫特性。而且，不僅可以采用圖1所示的障壁112結(jié)構(gòu)，也可以采用多種形狀的障壁 結(jié)構(gòu)。例如，障壁112包括第l障壁112b和第2障壁112a。在此可以采用，第l障 壁112b高度與第2障壁112a高度互不相同的差分型障壁結(jié)構(gòu)。如果采用差分型障 壁則第l障壁112b的高度可以比第2障壁112a的高度更低。
而且，圖1中只顯示和介紹了紅色(R),綠色(G)及藍(lán)色(B)放電串分別在同一 個線上的例子，但是也可以采用其他方式排列。比如紅色(R)，綠色(G)及藍(lán)色(B) 放電串以三角形排列的三角洲(Delta)型的排列。放電串的形狀也同樣，不僅可 以采取四角形，也可以采取五角形，六角形等多種多角形狀。
而且，在此圖1中只顯示了障壁112形成在后面基板111上的例子，障壁112 形成在前面基板201或后面基板111當(dāng)中的至少一個上。
而且，以上以上介紹中只顯示了編號115的下部電介質(zhì)層及編號104的上部 電介質(zhì)層分別為一個層(Layer)的例子，但是這種電介質(zhì)層及下部電介質(zhì)層當(dāng)中 可以至少一個是由多個層組成。
而且，形成在后面基板111上的尋址電極113的寬或厚度可以是一定值，但 是放電串內(nèi)的寬或厚度可以與放電串外部的寬或厚度不同。例如，放電串內(nèi)部 的寬或厚度大于放電串外部的寬或厚度。
圖2為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示板操作一例的圖片。在此，圖2介紹 了本發(fā)明一實例的等離子顯示板的方法的一例。本發(fā)明并不限于圖2，可以多樣 變化操作本發(fā)明一實例的等離子顯示板的方法。
分析圖2，可以在初始化的重置期間向掃描電極提供重置信號。重置信號可 以包含上斜(Ramp-Up)信號和下斜(Rarap-Down)信號。
例如，在進(jìn)行初始化的重置期間的創(chuàng)建(Set-Up)期間內(nèi)，向掃描電極提供 從第1電壓(VI)急劇上升到第2電壓(V2)后，電壓再從第2電壓(V2)開始逐漸下降 到第3電壓(V3)的上斜信號。其中，第1電壓(V1)可以是接地(GND)的電壓。
在這個創(chuàng)建期間內(nèi)，放電串內(nèi)通過上斜信號發(fā)生弱的暗放電 (DarkDischarge)，即創(chuàng)建放電。通過此創(chuàng)建放電，放電串內(nèi)將積累某一程度的 壁電荷(WallCharge)。
在創(chuàng)建期間之后的記憶(Set-Down)期間內(nèi)，可以在上斜信號之后，向掃描 電極(Y)提供與這種上斜信號相反極性方向的下斜信號。
其中，下斜信號可以從上斜信號的峰值(Peak)電壓，即低于第3電壓(V3)的第4電壓(V4)逐漸下降到第5電壓(V5)。
隨著這種下斜信號的供應(yīng)，在放電串內(nèi)發(fā)生微弱的消除放電 (EraseDischarge)，即記憶放電。通過此記憶放電，將在放電串內(nèi)均勻殘留可 以穩(wěn)定發(fā)生尋址放電的壁電荷。
在重置期間之后的尋址期間內(nèi)，可以向掃描電極提供實際維持比下斜信號 的最低電壓即第5電壓(V5)更高電壓，例如第6電壓(V6)的掃描偏置信號。
同時，至少一個子字段的尋址期間內(nèi)，向掃描電極提供的掃描信號(Scan) 的脈沖寬度可以與其他子字段脈沖寬度不同。例如，在時間上位于后位的子字 段中的掃描信號(Scan)寬度可以比在前面的子字段中的掃描信號(Scan)寬度更 小。而且，子字段排列順序的掃描信號(Scan)寬度減少可以釆用2.6/zs(微秒)，
2. 3//s,2.1/^，1.9//s等漸進(jìn)的方式，或采用2.6/zs，2. 3;"s，2. 3/"s，2. 1//s......1.9
/ ， 1.9//s等方式。
如此，向掃描電極提供掃描信號時，可以與掃描信號對應(yīng)，向?qū)ぶ冯姌O提 供數(shù)據(jù)信號。
隨著這些掃描信號和數(shù)據(jù)信號信號的供應(yīng)，掃描信號與數(shù)據(jù)信號之間的電 壓之差將與，重置期間內(nèi)生成的壁電荷引起的壁電壓相加，由此在供應(yīng)數(shù)據(jù)信 號的放電串內(nèi)產(chǎn)生尋址放電。
在此，在尋址期間內(nèi)，為了防止維持電極的干涉引起尋址放電的不穩(wěn)定， 可以向維持電極提供維持偏置信號。
在此，維持偏置信號穩(wěn)定維持小于在維持期間施加維持信號的電壓，大于 接地電平(GND)的電壓的維持偏置電壓(Vz)。
之后，在顯示影像的維持期間內(nèi)向掃描電極或維持電極當(dāng)中的一個以上電 極提供維持信號。例如，可以向掃描電極或維持電極交替施加維持信號。
若提供這樣的維持信號，則通過尋址放電被選的放電串在隨著放電串內(nèi)壁 電壓和維持信號的維持電壓(Vs)相加而提供維持信號時，在掃描電極和維持電 極之間產(chǎn)生維持放電即顯示放電。
同時，至少一個子字段中，在維持期間內(nèi)提供多個維持信號，多個維持信 號當(dāng)中至少一個維持信號的脈沖寬度可以與其他維持信號的脈沖寬度不同。例 如，多個維持信號當(dāng)中，最早提供的維持信號的脈沖寬度大于其他維持信號的 脈沖寬度。貝U，維持信號能夠更穩(wěn)定。圖3為介紹上部電介質(zhì)層成分的圖片。
分析圖3，上部電介質(zhì)層包括玻璃材質(zhì)和顏料(Pigment),通過顏料具有藍(lán) 色系顏色。
雖然沒有特別限制，玻璃材質(zhì)可以是P206-B203-Zn0系玻璃、 Zn0-B203-R0(R0為BaO, SrO, La203, Bi203， P203， SnO當(dāng)中的任 一 個)系玻 璃，Zn0-BaO-R0(R0為SrO， La203， Bi203， P203， SnO當(dāng)中任 一 個)系玻 璃，Zn0-Bi203-R0(R0為Sr0， La203， P203， SnO當(dāng)中任一個)系玻璃材質(zhì)當(dāng)中任一 個或兩個以上的混合物。
對于顏料，除了包含在上部電介質(zhì)層中，上部電介質(zhì)層具有藍(lán)色系顏色之 外，沒有特別限制。但是，考慮粉末制造的容易性，色感，制造單價，上部電 介質(zhì)層的反射率時,最好包括鈷(Co)材質(zhì)。
介紹上部電介質(zhì)層的制造方法的一例如下。
首先，混合玻璃材料和顏料。例如，可以混合P206-B203-ZnO系玻璃材質(zhì)和 作為顏料的鈷(Co)材質(zhì)。
之后，采用混合顏料的玻璃材質(zhì)制造玻璃。在此，采用鈷(Co)制造具有藍(lán)色 系列的藍(lán)色玻璃。
之后，破碎制造的藍(lán)色玻璃后，制造藍(lán)色玻璃粉末。在此,玻璃粉末的粒度 最好約為O. l聲(微米)以上10/"m(微米)以下。
之后，將藍(lán)色玻璃粉末與粘合劑(Binder)、溶劑混合，制造電解質(zhì)膏 (Paste)。此時，電介質(zhì)膏中可以再添加分散穩(wěn)定劑等添加劑。
之后，將電介質(zhì)膏涂敷在形成掃描電極(Y)和維持電極(Z)的前面基板上， 干燥或燒成涂敷后的電介質(zhì)膏，由此可以形成上部電介質(zhì)層。
采用這種方法形成的上部電介質(zhì)層能夠具有藍(lán)色系列顏色。
以上只介紹形成上部電介質(zhì)層的方法的一例，但是本發(fā)明并非限于其。例 如，可以采用覆膜(Laminating)方法形成上部電介質(zhì)層。
圖4為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示板色坐標(biāo)特性的圖片。
圖4中顯示了，上部電介質(zhì)層制作玻璃材料和，作為顏料包括O. 2重量份數(shù) 鈷(Co)材質(zhì)的第l類型基板(Typel)和，不包括顏料的第2類型基板(Type2)，在向 各個基板提供相同的驅(qū)動信號的狀態(tài)下，采用MCPD-1000設(shè)備測量色坐標(biāo)的圖 表。分析圖4，如果是沒有包含顏料的第2類型，則綠色(G)的色坐標(biāo)(P1)為X軸 約為O. 272， Y軸約為O. 672。紅色(R)的色坐標(biāo)(P2)X軸約為0. 630， Y軸約為O. 357。 而且，藍(lán)色(B)的色坐標(biāo)(P3)為X軸約為0. 190, Y軸約為O. 115。
如果是第l類型基板，則綠色(G)的色坐標(biāo)(P10)為X軸約為0.270，Y軸約為 0.670.而且，紅色(R)的色坐標(biāo)(P20)為，X軸約為0.600， Y軸約為O. 340.而且， 藍(lán)色(B)的色坐標(biāo)(P30)為，X軸約為O. 155， Y軸約為O. 060.
由此可以得知，連接第I類型基板的PIO, P20及P30的三角形與，連接第2類型 基板的P1,P2及P3的三角形相比，在色坐標(biāo)上沿著藍(lán)色(B)方向移動。這是因為 第1類型基板的色溫比第2類型基板色溫更高,因此觀眾覺得第l類型基板的影像 要比第2類型基板的影像更清晰。
同時，上部電介質(zhì)層包含的顏料的含量過多時，會降低上部電介質(zhì)層的透 過率，因此會過度降低所體現(xiàn)的影像亮度。想放哪，顏料的含量過少時，色溫 改善效果微小。因此，將顏料與玻璃材質(zhì)混合時，考慮透過率及色坐標(biāo)特性時，最好調(diào)整 顏料的含量。
而且，上部電介質(zhì)層中包含鈷(Co)用作顏料，上部電介質(zhì)層具有藍(lán)色系顏 色，貝IJ，上部電介質(zhì)層能夠吸收外部入射的光，由此能減少基板反射率，提高對 比度(Contrast)特性。
同時，上部電介質(zhì)層中包含的顏料即鈷(Co)含量一定時，如果上部電介質(zhì)層 的厚度增加，則反射率會減少，會提高對比度特性，但是透過率會減少而會減 少所體現(xiàn)的影像亮度。而且,上部電介質(zhì)層的厚度一定時，鈷(Co)材質(zhì)的含量增 加時，反射率會降低，因此會提高對比度特性，但是由于透過率降低，會降低 影像亮度。
因此，為了在降低反射率的同時提高透過率，最好根據(jù)所包含的顏料即鈷 (Co)的含量，決定上部電介質(zhì)層的厚度。 對此分析如下。
圖5為介紹鈷的含量和上部電介質(zhì)層厚度之間關(guān)系的圖片。 圖5顯示了隨上部電介質(zhì)層厚度(T)和鈷(Co)材質(zhì)含量(C)的比率(T/C)變化 的對比度特性和，所顯現(xiàn)的影像亮度數(shù)據(jù)。
上部電介質(zhì)層的厚度為T，單位為[/zm]，鈷材質(zhì)的含量為C，單位為[重量份數(shù)]。
A類型中，將上部電介質(zhì)層的厚度設(shè)為39聲和33//"1，通過變更鈷(Co)材質(zhì)含 量方法，將T/C從10變更到500的同時測量對比度和亮度。
B類型中，將鈷(Co)材質(zhì)的含量設(shè)為0.1重量份數(shù)和0.6重量份數(shù)，通過變更 上部電介質(zhì)層厚度的方法，將T/C從10變更到500的同時測量對比度和亮度。
0)表示對比度特性充分高或影像亮度充分高，表示很好；O表示較好；X 表示對比度特性過低或所體現(xiàn)的影像亮度過低，表示很差。
首先，分析A類型的對比度，貝IJT/C為10以上330以下時，對比度特性很好 (◎)。這是因為，與電介質(zhì)層的厚度(T)相比，鈷(Co)材質(zhì)含量(C)充分多，由 此電介質(zhì)層的反射率充分高。
此時，若假設(shè)電介質(zhì)層的厚度(T)為33/^，則鈷(Co)材質(zhì)的含量約為O.l重 量份數(shù)以上3. 3重量份數(shù)以下，充分多。則反射率充分高，從而提高對比度特性。
而且，T/C為390以上480以下時，對比度特性較好(O)。此時，反射率低， 會惡化對比度特性，但是其程度很微小。
相反,T/C為500以上時對比度特性很差(X)。其理由為，與電介質(zhì)層的厚度 (T)相比，鈷(Co)材質(zhì)的含量(C)過小，因此電介質(zhì)層的反射率會過低。
此時，若假設(shè)電介質(zhì)層的厚度(T)為39/zni，則鈷(Co)材質(zhì)的含量過小，約為 0.078重量份數(shù)以下。貝IJ,反射率過低，由此會惡化對比度特性。
而且,分析A類型的體現(xiàn)的影像亮度，貝UT/C為10以上30以下時，亮度很差 (X)。其原因是，與電介質(zhì)層厚度(T)相比，鈷(Co)材質(zhì)的含量(C)過多，因此電 介質(zhì)層透過率過低。
相反，T/C為40以上80以下時，亮度較好(O)。此時透過率低，會降低所體 現(xiàn)的影像亮度，但是其程度微小。
而且，T/C為110以上時，亮度很好( )。其理由為，與電介質(zhì)層厚度(T)相 比，鈷(Co)材質(zhì)的含量(C)充分小，因此電介質(zhì)層的透過率充分高。
之后，分析B類型的對比度，T/C為10時，對比度特性很差(X)。這是因為， 與鈷(Co)材質(zhì)含量相比，電介質(zhì)層的厚度(T)過薄，因此電介質(zhì)層的反射率過低。
此時，假設(shè)鈷(Co)材質(zhì)的含量為O. l重量份數(shù)，上部電介質(zhì)層的厚度(T)過 薄，約為l/zm。貝lj，反射率過低，會惡化對比度特性。
相反，T/C為30以上60以下時，對比度特性較好(O)。此時，反射率低，會降低對比度特性，其程度微小。
而且,T/C為80以上時，對比度特性很好(O))。這是因為，與鈷(Co)材質(zhì)的 含量相比，電介質(zhì)層的厚度(T)充分厚，由此電介質(zhì)層的反射率充分高。
此時，假設(shè)鈷(Co)的含量(C)為0.6重量份數(shù)，上部電介質(zhì)層的厚度(T)為48 戶以上300，以下，充分厚。貝ij，反射率充分高，因此能夠提高對比度特性。
以下,分析B類型的體現(xiàn)的影像亮度，貝UT/C為10以上260以下時，亮度很好 (◎)。這是因為，與鈷(Co)材質(zhì)的含量相比，電介質(zhì)層的厚度(T)充分薄，由此 電介質(zhì)層的透過率充分高。
而且，T/C為290以上420以下時，亮度較好(O)。此時，透過率低，所顯現(xiàn) 的影像亮度會降低，其程度微小。
相反，T/C為480以上時，亮度很差(X)。這是因為，與Co)材質(zhì)的含量相比， 電介質(zhì)層的厚度(T)過厚，因此電介質(zhì)層的透過率過低。
分析以上介紹的圖5的數(shù)據(jù)，則上部電介質(zhì)層的厚度(T)可以依照以下公式1。
公式1:40《T/C《420
最好上部電介質(zhì)層的厚度(T)依照以下公式2。 公式2:110《T/C《260
圖6a至圖6b為進(jìn)一步具體介紹顏料的含量的圖片。
圖6a至圖6b顯示了，包含在上部電介質(zhì)層的鈷材質(zhì)(Co)含量為0重量份數(shù)、 0. 05重量份數(shù)、0. l重量份數(shù)、0. 15重量份數(shù)、0. 2重量份數(shù)、0. 3重量份數(shù)、0. 5 重量份數(shù)、0. 6重量份數(shù)、0. 7重量份數(shù)、1. 0重量份數(shù)時，測量暗室對比度(C/R)、 明室對比度、反射光、反射率、色溫，亮度的數(shù)據(jù)。此時，上部電介質(zhì)層的厚度 (T)為38拜，全部一致。
暗室對比度為，在周圍黑暗的暗室，在畫面上顯示1%窗口 (Window)圖形的 影像的狀態(tài)下，測量了對比度。
明室對比度為，在周圍明亮的明室，在畫面上顯示25%窗口圖形的影像的狀 態(tài)下，測量了對比度。
分析圖6a,鈷(Co)材質(zhì)的含量為0重量份數(shù)時，即上部電介質(zhì)層中不包括顏 料時，暗室對比度為9870:1，明室對比度為48:1，反射光為18. 31 [cd/m2],基板 反射率為35%，色溫為7100K。而且，鈷(Co)材質(zhì)的含量為0.05重量份數(shù)時，暗室對比度為9900:1;明室對 比度為49:1，反射光為17.8[cd/ni2];基板反射率為34%，色溫為7200K。
如上所述，鈷(Co)材質(zhì)的含量為O. 05重量份數(shù)以下時，鈷材質(zhì)的含量微小， 對比度特性降低，反射光及反射率具有較大的值，色溫低。
相反，可以得知鈷(Co)材質(zhì)的含量為O.l重量份數(shù)時，暗室對比度為 10400:1，明室對比度為52:1，反射光為12. 1[cd/m2]，基板反射率為31%，色溫為 7500K。 g卩，鈷(Co)含量為0.1重量份數(shù)時，與0.05重量份數(shù)以下時相比，改善了 對比度特性，減少反射光及反射率的值，增加色溫。
由于鈷(Co)材質(zhì)的物性，上部電介質(zhì)層具有藍(lán)色系顏色，因此上部電介質(zhì) 層吸收通過外部入射的光，由此提高對比度特性，會降低反射光及反射率。
而且，上部電介質(zhì)層具有藍(lán)色系顏色，通過基板內(nèi)部釋放到外部的可見光穿 透上部電介質(zhì)層的同時，藍(lán)色光會進(jìn)一步加強(qiáng)，因此會提高色溫特性。
而且，鈷(Co)材質(zhì)的含量為O. 15重量份數(shù)以上0.3重量份數(shù)以下時，暗室對 比度為11000:1 11670:1，會進(jìn)一步改善，明室對比度為54:廣56:1，反射光進(jìn) 一步減少，是10.2[cd/m2r8.2[cd/m2];基板反射率也進(jìn)一步減少，是 29% 25.2%;色溫進(jìn)一步增加，是8050fT8400K。即，鈷(Co)含量為O. 15重量份數(shù) 以上0.3重量份數(shù)以下時，對比度特性、反射光及反射率、色溫特性都得到了改 善。
而且，鈷(Co)材質(zhì)的含量為O. 5重量份數(shù)以上時，暗室對比度為12010:1以 上，明室對比度為58:1以上，反射光為7.8[cd/m2]以下，基板反射率為24冗以下， 色溫為8500K以上。
以下分析圖6b，則上部電介質(zhì)層上不包括作為顏料的鈷(Co)時，顯現(xiàn)的影 像亮度約為183[cd/m2]。
鈷(Co)材質(zhì)的含量為0.05重量份數(shù)時，影像的亮度約為182[cd/m2]。如此， 包含鈷(Co)材質(zhì)時影像亮度降低的原因為，由于鈷(Co)材質(zhì)，上部電介質(zhì)層具 有藍(lán)色系顏色，因此會降低上部電介質(zhì)層的透過率。
鈷(Co)材質(zhì)的含量為O. l重量份數(shù)時，所體現(xiàn)的影像亮度約為180[cd/m2]。 而且，鈷(Co)材質(zhì)的含量為O. 15重量份數(shù)以上0.3重量份數(shù)以下時，所體現(xiàn)的影 像的亮度約為177[cd/m2]以上179[cd/m2]以下。
鈷(Co)材質(zhì)的含量為0.4重量份數(shù)以上0.6重量份數(shù)以下時，所體現(xiàn)的影像亮度約為168[cd/m2]以上173[cd/m2]以下。
相反，鈷(Co)材質(zhì)的含量為O. 7重量份數(shù)以上時，鈷(Co)材質(zhì)的含量會過量， 因此上部電介質(zhì)層的透過率過低，所體現(xiàn)的影像的亮度會急劇下降，約降低至 154[cd/m2]以下。
分析以上的圖6a至圖6b內(nèi)容，則為了在提高反射率及反射光特性、對比度特 性、色溫特性的同時，防止所體現(xiàn)的影像亮度過低，上部電介質(zhì)層最好包括0.01 重量份數(shù)以上O. 6重量份數(shù)以下的顏料即鈷(Co)材質(zhì)，最好包括O. 15重量份數(shù)以 上O. 3重量份數(shù)以下。
圖7a至圖7b為介紹上部電介質(zhì)層的厚度的圖片。
圖7a至圖7b顯示了，分別在上部電介質(zhì)層的厚度(T)為25/zm， 28/ m， 30^, 33 燜，35，， 36//m, 38//m， 39//m， 43//m， 45廁時，測量的反射率和亮度數(shù)據(jù)。其中，上部 電介質(zhì)層作為顏料包含鈷(Co),鈷(Co)材質(zhì)的含量為O. 2重量份數(shù)，全部一致。
首選，分析圖7a,上部電介質(zhì)層的厚度為25/^時，上部電介質(zhì)層的厚度過薄， 很難充分吸收通過外部入射的光，因此基板反射率較高，是30.4%。
而且，上部電介質(zhì)層的厚度為28/zm以上30，以下時，基板反射率較高，是 28. 2%以上29.1%以下。
相反,上部電介質(zhì)層的厚度為33戶時，基板反射率降低至27. 4%。
而且，上部電介質(zhì)層的厚度為35，以上時，上部電介質(zhì)層的厚度充分厚，基 板反射率為26. 9%以下。
以下,分析圖7b，觀察亮度，則上部電介質(zhì)層的厚度為25/zm時，所體現(xiàn)的影 像的亮度約為184[cd/m2]。
而且，上部電介質(zhì)層的厚度為28/^以上30嬋以下時，影像的亮度約為 179[cd/m2]以上181 [cd/m2]以下。
而且，上部電介質(zhì)層的厚度為33岸時，影像的亮度約為178[cd/m2]。
而且，上部電介質(zhì)層的厚度為35/^以上39聲以下時，影像亮度約為 172[cd/m2]以上176[cd/m2]以下。
相反，上部電介質(zhì)層的厚度為43岸以上時，影像的亮度約為156[cd/m2]以下。
考慮以上圖7a至圖7b內(nèi)容時，為了在減少反射率的同時，防止影像亮度由 于上部電介質(zhì)層的透過率過低而過度降低，最好上部電介質(zhì)層厚度為33/zni以上39/"m以下，最好為35/zm以上38拜以下。
同時，包含在上部電介質(zhì)層的顏料，除了鈷(Co)材質(zhì)之外，還可以再包括鎳 (Ni)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鈰(Ce)、錳(Mn)當(dāng)中的至少一個材質(zhì)。
鎳(Ni)材質(zhì)作為顏料，包含在上部電介質(zhì)上時，上部電介質(zhì)層可以具有暗 藍(lán)色(DarkBlue)。因此，在體現(xiàn)的影像的顏色當(dāng)中能夠強(qiáng)調(diào)暗藍(lán)色。這種鎳(Ni) 材質(zhì)的含量過多時，上部電介質(zhì)層的透過率會過低。因此，鎳(Ni)材質(zhì)的含量 最好為O. l重量份數(shù)以上O. 2重量份數(shù)以下。
鉻(Cr)材質(zhì)可以作為顏料包含在上部電介質(zhì)層上，可以在上部電介質(zhì)層顏 色上添加紅色(Red)。因此，可以在所顯現(xiàn)的影像顏色當(dāng)中強(qiáng)調(diào)藍(lán)色的同時也可 以強(qiáng)調(diào)紅色，因此能夠增加色顯現(xiàn)范圍。這種鉻(Cr)材質(zhì)的含量最好為O. l重量 份數(shù)以上O. 3重量份數(shù)以下。
銅(Cu)材質(zhì)作為顏料，包含在上部電介質(zhì)層上時，可以在上部電介質(zhì)層顏 色上再添加綠色(Green)。因此，可以在所顯現(xiàn)的影像當(dāng)中強(qiáng)調(diào)藍(lán)色的同時強(qiáng)調(diào) 綠色，從而增加色顯現(xiàn)范圍。這種銅(Cu)材質(zhì)的含量最好為0.03重量份數(shù)以上 0. 09重量份數(shù)以下。
鈰(Ce)材質(zhì)作為顏料包含在上部電介質(zhì)層上時,可以在上部電介質(zhì)層顏色 添加黃色(Yellow)。因此，可以在所顯現(xiàn)的影像顏色當(dāng)中強(qiáng)調(diào)藍(lán)色的同時也可 以強(qiáng)調(diào)黃色，因此能夠增加色顯現(xiàn)范圍。這種鈰(Ce)材質(zhì)的含量最好為O. l重量 份數(shù)以上O. 3重量份數(shù)以下。
錳(Mn)材質(zhì)作為第l顏料包含在上部電介質(zhì)層上時，能夠加深上部電介質(zhì)層 的藍(lán)色。因此，可以進(jìn)一步提高影像色溫。這種錳(Mn)材質(zhì)的含量最好為0.2 重量份數(shù)以上O. 6重量份數(shù)以下。
圖8a至圖8b為介紹上部電介質(zhì)層的鉛(Pb)含量的圖片。
首先，圖8a中顯示了障壁為無鉛和障壁為有鉛時的亮度，效率，反射率、 色溫的數(shù)據(jù)。在此，上部電介質(zhì)層為包括鈷(Co)材質(zhì)作為顏料的著色電介質(zhì)層。
測量亮度時，分別測量啟動(Turn-on)所有放電串的全白(Full-White， F/W) 時的亮度和，畫面上顯示25%窗口 (Window)圖形的影像的亮度。
而且，測量效率時，分別測量全白時的效率和，25%窗口圖形中的效率。
而且，有鉛障壁為使用PbO-B203-SiO2系玻璃材料形成障壁，障壁的鉛(Pb) 成分超過1000ppm的例子，無鉛障壁為障壁鉛(Pb)成分為1000ppm以下的例子。而且，亮度的單位為[cd/ra2]，效率的單位為[lm/W]，反射率的單位為[%]， 色溫的單位為[K]。
分析圖8a，如果為有鉛障壁，在掃描電極和維持電極之間施加192V的驅(qū)動 電壓，此時全白下發(fā)生的光的亮度約為126[cd/m2]，效率為0.98[lm/W]， 25% 窗口圖形下發(fā)生的光的亮度約為323[cd/m2]，效率為O. 65[lm/W]。而且，反射率 為26. 4%，所顯現(xiàn)的影像色溫為8270K。
相反，如果是無鉛障壁，則在掃描電極和維持電極之間施加192V的驅(qū)動電 壓，此時全白狀態(tài)下產(chǎn)生的光亮度約為141[cd/m2]，效率為1.02[lm/W],25M窗 口圖形產(chǎn)生的光的亮度約為364[cd/m2]，效率為O. 72[lm/W]。而且，反射率為 26.4%，所體現(xiàn)的影像色溫為8270K。
比較以上所述的無鉛障壁時和有鉛障壁的例子，則無鉛障壁中，亮度及效 率比有鉛障壁更高。無鉛障壁的鉛(Pb)成分比有鉛障壁更少，無鉛障壁電容 (Capacitance)比有鉛障壁電容更少，因此放電電流降低。
日此，將障壁鉛(Pb)含量設(shè)為1000ppm以下的理由為，上部電介質(zhì)層包括鈷 (Co)材質(zhì)等顏料時，與顏料相比可以降低上部電介質(zhì)層的透過率，由此可以降 低所體現(xiàn)的影像亮度。
因此，將障壁的鉛(Pb)含量設(shè)為1000ppm以下時，即使上部電介質(zhì)層包括作 為顏料的鈷(Co)材質(zhì)，也能夠補(bǔ)償上部電介質(zhì)層透過率降低而降低的亮度。
而且，鉛(Pb)成分是積累到人體上時，積累到人體上時為人體帶來嚴(yán)重惡 影響的毒性物質(zhì)。因此，本發(fā)明一實例的等離子顯示板的鉛(Pb)成分為1000卯m 以下時，可以降低對人體的惡影響。
以下，圖8b顯示了上部電介質(zhì)層為無鉛及上部電介質(zhì)層為有鉛時的亮度、 效率、反射率、色溫的數(shù)據(jù)。在此，障壁中鉛(Pb)含量為1000卯m以下的無鉛障 壁。
有鉛上部電介質(zhì)層中，上部電介質(zhì)層采用PbO-B203-SiO2系玻璃材料，上部 電介質(zhì)層的鉛(Pb)成分超過1000卯m時，無鉛上部電介質(zhì)層中上部電介質(zhì)層的鉛 (Pb)成分為1000ppm以下。
分析圖8b，如果是有鉛上部電介質(zhì)，則向掃描電極和維持電極之間施加192V 的驅(qū)動電壓時，此時全白狀態(tài)下發(fā)生的光的亮度約為141[cd/m2]，效率為 1.02[lm/W]， 25%窗口圖形中發(fā)生的光的亮度約為364[cd/m2]，效率為0.72[lm/W]。而且，反射率為26. 4%，體現(xiàn)的影像色溫為8270K。
相反，在無鉛上部電介質(zhì)中，向掃描電極和維持電極之間施加192V驅(qū)動電壓 時，此時全白狀態(tài)下發(fā)生的光的亮度約為144[cd/m2]，效率為1.03[lm/W],25呢 窗口圖形下產(chǎn)生的光的亮度約為370[cd/m2]，效率為O. 74[lm/W]。而且，反射率 為26. 4%，所顯現(xiàn)的影像色溫為8270K。
比較以上介紹的無鉛上部電介質(zhì)層和有鉛上部電介質(zhì)層時，無鉛上部電介 質(zhì)層中亮度及效率比有鉛上部電介質(zhì)更高。這是因為無鉛上部電介質(zhì)層的鉛(Pb) 成分比有鉛上部電介質(zhì)層更少，無鉛上部電介質(zhì)層的電容(Capacitance)比有鉛 上部電介質(zhì)層的電容更少，由此降低放電電流。
如此，上部電介質(zhì)層的鉛(Pb)含量為1000卯m以下時，即使上部電介質(zhì)層包 括鈷(Co)材質(zhì)作為顏料，也可以補(bǔ)償上部電介質(zhì)層的透過率降低而降低的亮度。
同時，如上所述，可以將障壁或上部電介質(zhì)層的鉛(Pb)含量設(shè)為1000ppm 以下，防止顏料引起的亮度降低，但是也可以通過調(diào)整放電氣體包含的氙(Xe) 含量，防止亮度由于上部電介質(zhì)層包含的顏料而降低。對其分析如下。
圖9a至圖9b為介紹氙含量和亮度及放電開始電壓之間關(guān)系的圖片。
圖9a至圖9b中，將放電氣體包含的氤(Xe)含量從5免變更到35M的同時，測量 了在畫面上顯示25%窗口圖形影像時的亮度及掃描電極和維持電極之間的放電 開始電壓(FiringVoltage)。
分析圖9a，則放電氣體中氙(Xe)的含量約為5M時，所顯現(xiàn)的影像亮度為 338[cd/m2]， 9%時較少，約為356[cd/m2]。
相反，氙(Xe)的含量為10W時，亮度約增加到364[cd/m2]。與此同時，亮度 隨著氙(Xe)的含量的增加而增加，是因為氙(Xe)具有放電時真空紫外線的發(fā)生 的特性，因此充入放電串內(nèi)的放電氣體的氙(Xe)含量增加時，會增加放電串發(fā) 生的光的量。
而且，氤(Xe)的含量為llM時，亮度約為370[cd/m2];氙(Xe)的含量約為12% 以上15%以下時，亮度具有384[cd/m2]以上399[cd/m2]以下的較高的值。
而且，氙(Xe)的含量為16y。以上3(m以下時，亮度具有約為406[cd/m2]到 423[cd/m2]之間的值。
而且，氙(Xe)的含量為35W以上時，鈍化了亮度增加率，具有425[cd/m2] 的值。如上所述,放電氣體當(dāng)中的氙(Xe)含量增加時，會增加所體現(xiàn)的影像亮度， 氙(Xe)含量增加到35免以上時，亮度的增加量微小。
以下，分析圖9b，則放電氣體中氙(Xe)的含量約為5M時，掃描電極和維持 電極之間的放電開始電壓約為134V; 9%時較少，約為135V。
相反，氤(Xe)的含量為l(W時，放電開始電壓約增加到137V。
而且，氤(Xe)的含量為11%時，放電開始電壓約為139V,氙(Xe)的含量約為 12%以上15%以下時，放電開始電壓約為141V以上143V以下。
而且，氤(Xe)的含量為16%以上30%以下時，放電開始電壓約為144V以上149V 以下；氙(Xe)的含量急劇上升至U35呢以上時，放電開始電壓可能會急劇上升至約 153V以上。
如上介紹，可以得知放電氣體中增加氙(Xe)含量，則掃描電極和維持電極之 間的放電開始電壓。
考慮以上的圖9a至圖9b的數(shù)據(jù)時，為了在提高所體現(xiàn)的影像亮度的同時， 防止掃描電極和維持電極之間的放電開始電壓過高，最好充入前面基板和后面 基板之間的放電氣體包括10《以上3(^以下的氙(Xe)，最好包括12%以上20%以下。
圖10a至圖10b為介紹掃描電極和維持電極的圖片。
分析圖10a至圖10b，掃描電極102和維持電極103互相并排配置，可以為單 層(OneLayer)結(jié)構(gòu)。
而且，可以在掃描電極102，維持電極103和前面基板101之間分別配置黑色 層(120' 130)。
掃描電極102和維持電極103可以由電導(dǎo)性良好，容易成型的金屬性材質(zhì)， 例如銀(Ag),金(Au)、銅(Cu)、鋁(A1)等材質(zhì)組成。
如此，單層的掃描電極102和維持電極103可以是省略透明電極的電極 (ITO-Less)，即可以是總線(Bus)電極。
圖ll為單層結(jié)構(gòu)優(yōu)點的圖片。
分析圖ll， (a)為掃描電極402和維持電極403具有多層(MultipleLayer)結(jié) 構(gòu)的一例，(b)與本發(fā)明一實例一樣，掃描電極102和維持電極103為單層的一例。
分析(a)，掃描電極402和維持電極403可以分別包括透明電極(402a，403a) 和總線電極(402b， 403b)。
其中，總線電極(402b， 403b)可以在實際不透明的材質(zhì)，例如銀(Ag)、金(Au)，鋁(A1)材質(zhì)當(dāng)中的至少一個，透明電極(402a， 403a)可以包括實際透明 的材質(zhì)，例如銦錫氧化物(ITO)材質(zhì)。
同時，掃描電極402和維持電極403包括總線電極(402b， 403b)和透明電極 (402a， 403a)時，為了防止總線電極(402b， 403b)引起的外光反射，可以在透 明電極(402a， 403a)和總線電極(402b， 403b)之間再包括黑色層(420， 430)。
分析這種(a)制造方法一例，則首先在前面基板401上形成透明電極膜。之 后，制作(Patterning)透明電極膜布線圖案，形成透明電極(402a， 403a)。
之后，在透明電極(402a, 403a)上部形成總線電極膜，制作總線電極膜布 線圖案后形成總線電極(402b， 403b)。
相反，如(b)所示，掃描電極102和維持電極103具有單層結(jié)構(gòu)時，在前面基 板101上部形成極膜之后，可以在制作電極膜布線圖案之后形成掃描電極102和 維持電極103。因此制造工序與(a)相比，更簡單。因此，可以減少制造工序消 耗的時間，降低制造單價。
而且，(a)中掃描電極402和維持電極403分別包括透明電極(402a， 403a)， 透明電極(402a， 403a)材料即透明的材質(zhì)，例如銦錫氧化物(ITO)材質(zhì)是價格較 高的高價材料，是提高制造單價的因素。
相反，如(b)所示，掃描電極102和維持電極103為單層時，不使用價格較高 的透明材質(zhì)，因此可以降低制造單價。
圖12a至圖12b為進(jìn)一步具體介紹掃描電極和維持電極結(jié)構(gòu)的圖片。
首先，分析圖12a，則掃描電極102和維持電極103可以包括與尋址電極113 交叉的多個線部(521a， 521b， 531a， 531b)和，從多個線部(521a， 521b， 531a， 531b)當(dāng)中的至少一個線部凸出的至少一個凸出部(522a， 522b， 522c， 532a， 532b, 532c)。
圖12a中只顯示了，掃描電極102包括三個凸出部(522a， 522b， 522c)，維 持電極103也包括三個凸出部(532a， 532b， 532c)的例子，但是凸出部個數(shù)并不 限于此。例如掃描電極102和維持電極103可以分別包括2個凸出部，或掃描電極 102包括4個凸出部，維持電極103包括3個凸出部。
或，也可以在掃描電極102和維持電極103上省略向放電串后側(cè)凸出的凸出 部，即編號522c， 532c的凸出部。
多個線部(521a， 521b， 531a， 531b)具有一定的寬度。例如，掃描電極102的第l線部521a具有Wl的寬度，第2線部521b具有W2的寬度，同時維持電極103 的第l線部531a具有W3的寬度，第2線部531b具有W4的寬度。
在此，Wl、 W2、 W3、 W4可以具有實際相同的值，其中的一個以上也可以具 有不同的值。例如，掃描電極102的第l線部521a和維持電極103的第l線部531a 的寬度(W1， W3)約為35/zm，第2線部(521b， 531b)的寬度(W2， W4)為45^，掃描 電極102的第l線部521a和維持電極103的第l線部531a的寬度(Wl， W3)要比第2 線部(521b， 531b)的寬度(W2， W4)更小。
同時，掃描電極102的第l線部521a和第2線部521b之間間距g3和維持電極 103的第l線部531a和第2線部531b之間間距g4過大時，在掃描電極102和維持電 極103之間開始的放電很難順利擴(kuò)散至掃描電極102的第2線部521b和維持電極 103的第2線部531b。相反，間距過小時，很難將放電擴(kuò)散至劃分障壁112的放電 串后側(cè)。因此，掃描電極102的第l線部521a和第2線部521b之間間距g3和，維持 電極103的第l線部531a和第2線部531b之間間距g4最好約為170/zni以上210拜以 下。
而且，為了保證在掃描電極102和維持電極103開始的放電充分?jǐn)U散至放電 串后側(cè)，在與尋址電極113并排的方向上，掃描電極102的線部(521a， 521b)和 障壁112之間的最短距離；即在與尋址電極113并排的方向上，掃描電極102的第 2線部521b和障壁112之間的最短距離g5或；在與尋址電極113并排的方向上，維 持電極103的線部(531a， 531b)和障壁112之間的最短距離；即在與尋址電極113 并排的方向上，維持電極103的第2線部531b和障壁112之間的最短距離g6約為 120，以上150/zm以下。
凸出部(522a， 522b， 522c， 532a， 532b， 532c)當(dāng)中至少一個從線部(521a， 521b， 531a， 531b)開始沿著通過障壁112劃分的放電串的中心方向凸出。例如， 掃描電極102的編號522a， 522b的凸出部，從掃描電極102的第l線部521a凸出到 放電串中心方向；維持電極103的編號532a， 532b的凸出部，從維持電極103的 第l線部531a凸出到放電串中心方向。
各個凸出部(522a。 522b， 522c， 532a， 532b， 532c)以一定距離隔離配置。 例如，掃描電極102的編號522a的凸出部和編號522b的凸出部以gl間距隔離，維 持電極103的編號532a的凸出部和編號532b的凸出部以g2間距隔離。
在此，為了充分確保放電效率，各個凸出部(522a。 522b， 522c， 532a， 532b，532c之間間距(gl， g2)最好為75，以上110，以下。
而且，凸出部(522a， 522b， 522c， 532a， 532b， 532c)當(dāng)中至少一個凸出 部長度可以與其他凸出部長度不同。最好，凸出方向不同的兩個凸出部的長度 不同。例如，掃描電極102的多個凸出部(522a, 522b， 522c)當(dāng)中，編號522a, 522b的凸出部的長度和編號522c的凸出部的長度互不相同，維持電極103的多個 凸出部(532a， 532b， 532c)當(dāng)中編號532a， 532b的凸出部的長度和編號532c的 凸出部長度互不相同。
而且，掃描電極102和維持電極103可以包括連接多個線部(521a， 521b， 531a， 531b)當(dāng)中的至少兩個線部的連接部(523， 533)。例如，可以再包括連接 掃描電極102的第l線部521a和第2線部521b的連接部523和，連接維持電極103 的第l線部531a和第2線部531b的連接部533。
可以在這種從掃描電極102的第l線部521a凸出的凸出部(522a， 522b)和， 從維持電極103的第l線部531a凸出的凸出部(532a， 532b)之間開始放電。
開始的放電擴(kuò)散到掃描電極102的第l線部521a和維持電極103的第l線部 531a，同時可以經(jīng)由連接部(523， 533)，擴(kuò)散到掃描電極102的第2線部521b和 維持電極103的第2線部531b。
而且，擴(kuò)散到第2線部(521b， 531b)的放電，可以經(jīng)由掃描電極102的編號 522c的凸出部和維持電極103的編號532c的凸出部，進(jìn)一步擴(kuò)散到放電串后側(cè)。
以下，分析圖12b，則掃描電極102和維持電極103的多個凸出部(521a， 521b， 521c， 531a， 531b， 531c)當(dāng)中至少一個可以具有至少一部分的曲率(Curvature)。 最好，多個凸出部(521a， 521b， 521c， 531a， 531b， 531c)當(dāng)中至少一個的末 端部具有曲率。
而且，也可以使凸出部(521a， 521b， 521c， 531a， 531b， 531c)和線部(521a， 521b， 531a， 531b)連接的部分具有曲率。
而且，也可以使線部(521a， 521b， 531a， 531b)和連接部(523， 533)連接 的部分具有曲率。
如此，如果使掃描電極102和維持電極103的一部分具有曲率，則掃描電極 102和維持電極103的制造工序會更簡單。同時，可以防止驅(qū)動時璧電荷過度集 中到特定位置上，可以穩(wěn)定進(jìn)行驅(qū)動。
圖13為介紹單層結(jié)構(gòu)中上部電介質(zhì)層包括顏料的理由的一例的圖片。分析圖13, (a)為如圖ll的(a)所示，掃描電極701和維持電極702具有多層結(jié) 構(gòu)的一例，(b)如圖ll的(b)所示，掃描電極703和維持電極704具有單層結(jié)構(gòu)的 一例。
比較(a)和(b)時，(b)具有單層結(jié)構(gòu),相反(a)中掃描電極701和維持電極702 包括透明電極(701a， 702a)和總線電極(701b， 702b)。
如此，(a)中掃描電極701和維持電極702分別包括透明電極(701a，702a)，因 此即使整體面積增加也無妨。相反，(b)中省略了透明電極，因此如果過度掃描 電極703和維持電極704面積，則會過度降低基板的開口率，因此影像亮度會過 低降低。
艮P， (a)中包括透明電極(701a，702a)，因此可以通過增加透明電極 (701a， 702a)面積的方法，增加掃描電極701和維持電極702面積，由此降低驅(qū)動 電壓從而提高驅(qū)動效率。此時，不會降低基板開口率。相反，(b)中增加掃描電 極703和維持電極704面積時，會降低驅(qū)動電壓，但是因為不包括透明電極，開 口率會過度降低，會過度降低所顯現(xiàn)的影像亮度。
因此，如(b)所示，掃描電極703和維持電極704具有單層結(jié)構(gòu)時，掃描電極 703和維持電極704的整體面積相對小，因此與(a)相比，放電擴(kuò)散的程度更弱。
艮口，掃描電極703和維持電極704為單層時，與多層結(jié)構(gòu)相比，在掃描電極703 和維持電極704之間開始的放電，不能充分?jǐn)U散至放電串外部。由此，放電串中 發(fā)生可見光的部分不能廣泛分布，偏重于特定區(qū)域。因此，體現(xiàn)的影像色感會 降低，同時降低色溫，從而惡化畫質(zhì)。
相反，上部電介質(zhì)層上作為顏料包括鈷(Co)材質(zhì)時，由于鈷(Co)，上部電介
質(zhì)層具有藍(lán)色系顏色。
因此，放電串發(fā)生的可見光釋放到基板外部時，可見光經(jīng)過上部電介質(zhì)層
的同時，可以通過鈷(Co)材質(zhì)更加強(qiáng)調(diào)藍(lán)色。由此，可以提高所體現(xiàn)的影像色
溫，進(jìn)一步提高色感。
圖14為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示板的色坐標(biāo)特性的圖片。 圖14中顯示了，上部電介質(zhì)層制作玻璃材料和，作為顏料包括O. 2重量份數(shù)
鈷(Co)材質(zhì)的第l類型基板(Typel)和，不包括顏料的同時掃描電極和維持電極
為單層的第2類型基板(Type2)，在向各個基板提供相同的驅(qū)動信號的狀態(tài)下，
采用MCPD-IOOO設(shè)備測量色坐標(biāo)的圖表。分析圖14，如果是沒有包含顏料的第2類型，則綠色(G)的色坐標(biāo)(P1)為X 軸約為0.270， Y軸約為0.670。紅色(R)的色坐標(biāo)(P2)X軸約為0. 628， Y軸約為 0.352.而且，藍(lán)色(B)的色坐標(biāo)(P3)為X軸約為0.195， Y軸約為O. 120。
如果是第l類型基板，則綠色(G)的色坐標(biāo)(P10)為X軸約為0.268,Y軸約為 0.673。而且，紅色(R)的色坐標(biāo)(P20)為，X軸約為0.630， Y軸約為0.359。而且， 藍(lán)色(B)的色坐標(biāo)(P30)為，X軸約為O. 160，Y軸約為0.070。
由此可以得知，連接第I類型基板的PIO, P20及P30的三角形的面積，比連接 第2類型基板的P1， P2及P3的三角形的面積更寬。這表示上部電介質(zhì)層包括顏料 的第l類型基板的是色體現(xiàn)范圍，比第2類型基板更寬，因此第l類型基板顯示的 影像色感，要比第2基板顯示的影像色感更優(yōu)秀。
而且，可以得知連接第1類型基板的P10,P20及P30的三角形，與連接第2類 型基板的P1，P2及P3的三角形相比，在色坐標(biāo)上更偏向于藍(lán)色(B)方向配置。這 表示第1類型基板的色溫比第2類型基板色溫更高，因此觀眾認(rèn)為第l類型基板的 影像比第2類型基板影像更清晰。
圖15為介紹上部電介質(zhì)層的其他結(jié)構(gòu)一例的圖片。圖15中將省略已經(jīng)具體 介紹的內(nèi)容。
分析圖15，上部電介質(zhì)層(104)可以包括厚度比周圍更厚的凸出部 (ConvexPortion， 700)和，厚度比周圍薄的凹部(ConcavePortion， 710)。 在此，凹部710最好配置在掃描電極102和維持電極103的之間。 而且，上部電介質(zhì)層104的最大厚度，即凸出部700中上部電介質(zhì)層104的厚 度為t2，凹部710中上部電介質(zhì)層104的厚度為tl，凹部710的深度為h，凹部710的 寬度為W。
向掃描電極102和維持電極103提供驅(qū)動信號而發(fā)生放電時，配置在掃描電 極102和維持電極103之間的凹部710上會積累大部分壁電荷(WallCharge)，因此 比上部電介質(zhì)層104為平坦(Flat)結(jié)構(gòu)時相比，放電路徑相對短。因此，掃描電 極102和維持電極103之間的放電開始電壓變低，可以提高驅(qū)動效率。
而且，上部電介質(zhì)層104作為顏料包括鈷(Co)材質(zhì)時，上部電介質(zhì)層104具有 藍(lán)色系顏色。因此，與上部電介質(zhì)層104不包括鈷(Co)材質(zhì)而具有透明顏色時相 比，降低了透過率，會降低所體現(xiàn)的影像的亮度。
相反，如圖15所示，上部電介質(zhì)層104包括凸出部700和凹部710時，會降低掃描電極102和維持電極103之間的放電開始電壓，由此可以補(bǔ)償由于鈷(Co)材 質(zhì)而降低的亮度。
圖16為介紹上部電介質(zhì)層的另一結(jié)構(gòu)一例的圖片。圖16中將省略以上具體 介紹的內(nèi)容。
分析圖16,則上部電介質(zhì)層104可以具有2層(2-Layer)結(jié)構(gòu)。例如，上部電 介質(zhì)層104可以具有一次層積的第1上部電介質(zhì)層900和第2上部電介質(zhì)層910。
可以在這種第1上部電介質(zhì)層900或第2上部電介質(zhì)層910當(dāng)中的至少一個上 包括顏料。
同時,上部電介質(zhì)層104中包括金屬材質(zhì)的顏料時，則會降低上部電介質(zhì)層 的介電率。
而且,第1上部電介質(zhì)層900充填掃描電極102和維持電極103，使掃描電極 102和維持電極103絕緣，介電率較高時會更有利。因此，第1上部電介質(zhì)層900 不包括顏料，配置在第1上部電介質(zhì)層900的上部的第2上部電介質(zhì)910上包括顏 料。
圖17a至圖17c為介紹本發(fā)明的一實例的等離子顯示板的又一例的圖片。圖 17a至圖17c中將省略上述介紹的內(nèi)容。
首先，分析圖17a，則前面基板101上可以再配置與障壁112重疊(Overlap) 的黑色矩陣(Blackmatrix, 1000)。這種黑色矩陣1000通過吸收入射的光，抑制 障壁112反射光。貝lj，基板反射率降低而會提高對比度特性。
圖17a只顯示了在前面基板101上部配置黑色矩陣1000的例子，雖然沒有顯 示，可以在上部電介質(zhì)層(圖中沒有顯示)上部配置黑色矩陣IOOO。
而且，可以在透明電極(102a， 103a)和總線電極(102b, 103b)之間再配置黑 色層(120，130)。則，通過防止黑色層(120， 130)由于總線電極(102b, 103b)而引 起的光反射，可以進(jìn)一步降低基板反射率。
以下，分析圖17b，在兩個維持電極103之間可以配置分別與兩個維持電極 103接觸的通用黑色矩陣1010。這種通用黑色矩陣1010最好由與黑色層(120, 130) 實際相同的材質(zhì)組成。此時，可以在制造黑色層(120， 130)的同時形成通用黑色 矩陣IOIO，能夠減少制造工序所需時間。
以下，分析圖17c，則可以在障壁112的上部配置頂部黑色矩陣1020。如此， 在障壁112的上部直接形成頂部黑色矩陣1020時，即使不在前面基板101上形成黑色矩陣，也可以降低基板反射率。
同時，如上所述，上部電介質(zhì)層104包括顏料，則可以提高基板反射率。 因此，圖17a至圖17c中可以省略黑色層(120，130)、黑色矩陣IOOO、通用黑 色矩陣1010及頂部黑色矩陣1020。其原因為，上部電介質(zhì)層104中混合鈷(Co) 材質(zhì)等顏料，而充分降低基板反射率，即使省略黑色層(120，130)、黑色矩陣 1000、通用黑色矩陣1010及頂部黑色矩陣1020，也可以防止基板反射率急劇增 加。
如此，省略黑色層(120，130)、黑色矩陣IOOO、通用黑色矩陣1010及頂部黑 色矩陣1020，則可以簡化制造工序，可以進(jìn)一步降低制造單價。
由此，可以理解，上述本發(fā)明的技術(shù)組成是本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的^1內(nèi)人 士不對本發(fā)明的技術(shù)思想或必要特點進(jìn)行變更，就可以以其他具體形式實施。
因此，應(yīng)理解以上所記述的實例是在各方面的例示，并不是為限制。比上 述詳細(xì)介紹，更能顯示本發(fā)明的范圍的是后述的專利申請范圍，應(yīng)解釋為從專 利申請范圍的意義及范圍且其等價觀念導(dǎo)出的所有變更或變更形式都包括在本 發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1、一種等離子顯示板，其特征在于包括前面基板；配置在上述前面基板上，同時互相并排的掃描電極和維持電極；配置上述掃描電極和維持電極上部的上部電介質(zhì)層；與上述前面基板對置配置的后面基板；及在上述前面基板和后面基板之間劃分放電串的障壁；上述上部電介質(zhì)層包括玻璃材質(zhì)和作為顏料的鈷材質(zhì)，上述障壁的鉛含量為1000ppm以下的等離子顯示板。
2、 如權(quán)利要求l所述的等離子顯示板，其特征在于上述鈷材質(zhì)的含量為O. 1 重量份數(shù)以上，0.6重量份數(shù)以下。
3、 如權(quán)利要求l所述的等離子顯示板，其特征在于上述上部電介質(zhì)層作為 顏料，再包括鎳、鎘、銅、鈰、猛當(dāng)中至少一個材質(zhì)。
4、 如權(quán)利要求l所述的等離子顯示板，其特征在于上述上部電介質(zhì)層的厚 度為33/^1以上39//111以下。
5、 如權(quán)利要求l所述的等離子顯示板，其特征在于上述上部電介質(zhì)層的鉛 含量為1000ppm以下。
6、 如權(quán)利要求l所述的等離子顯示板，其特征在于上述掃描電極或維持電 極當(dāng)中至少一個為總線電極。
7、 如權(quán)利要求6所述的等離子顯示板，其特征在于上述掃描電極或維持電 極當(dāng)中至少包括一個與上述尋址電極交叉的多數(shù)線部； 連接上述多數(shù)線部中的至少兩個線部的連接部；及 從上述多數(shù)線部凸出的一個凸出部。
8、 一種等離子顯示板，其特征在于包括 前面基板s配置在上述前面基板，同時并排的掃描電極和維持電極； 配置在上述掃描電極和維持電極上部的上部電介質(zhì)層； 與上述前面基板對置配置的后面基板；及 在上述前面基板和后面基板之間劃分放電串的障壁； 上述上部電介質(zhì)層包括玻璃材質(zhì)和作為顏料包括鈷材質(zhì)，上述上部電介質(zhì)層的厚度依照以下公式得到，1:40《T/C《420 式中T:上部電介質(zhì)層的厚度[，]，C:鈷材質(zhì)的含量[重量份數(shù)]。
9、 一種等離子顯示板，其特征在于包括 前面基板；配置在上述前面基板上，同時互相并排的掃描電極和維持電極； 配置在上述掃描電極和維持電極上部的上部電介質(zhì)層； 與上述前面基板對置配置的后面基板；及 在上述前面基板和后面基板之間劃分放電串的障壁； 上述上部電介質(zhì)層包括玻璃材質(zhì)和，作為顏料包括鈷材質(zhì)， 在上述前面基板和后面基板之間充入放電氣體，上述放電氣體包括10%以 上30%以下的氙。
10、 如權(quán)利要求9所述的等離子顯示板，其特征在于上述放電氣體包括12% 以上20%以下上述氤。
全文摘要
本發(fā)明為等離子顯示板相關(guān)發(fā)明，通過上部電介質(zhì)層包括鈷材質(zhì)作為顏料，具有降低基板反射率，提高對比度特性，從而提高色溫特性的效果。而且，本發(fā)明通過將障壁的鉛含量設(shè)為1000ppm以下，或?qū)⒎烹姎怏w中氙的含量設(shè)為10％以上30％以下，補(bǔ)償包含在上部電介質(zhì)層的顏料材質(zhì)引起的亮度降低。本發(fā)明的等離子顯示板包括前面基板和；配置在前面基板上互相并排的掃描電極和維持電極和；配置在掃描電極和維持電極上部的上部電介質(zhì)層和；與前面基板對置配置的后面基板；及在前面基板和后面基板之間劃分放電串的障壁，上部電介質(zhì)層包括玻璃材質(zhì)和顏料，顏料包括鈷材質(zhì)，障壁的鉛含量為1000ppm以下。
文檔編號H01J17/49GK101409198SQ20081021102
公開日2009年4月15日 申請日期2008年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月9日
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