專利名稱：真空處理裝置及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及真空處理裝置及基板處理方法。
背景技術(shù)：
目前，作為在等離子顯示器用等大型基板上成膜的真空處理裝置，有所謂的縱型 輸送式真空處理裝置(例如參照專利文獻(xiàn)1)。該裝置是具備三個成膜室、基板載體、負(fù)荷鎖 定室的縱型真空處理裝置，其構(gòu)成為，在負(fù)荷鎖定室內(nèi)及三個成膜室內(nèi)設(shè)置去路、回路這兩 個輸送路徑，并且，在最后部的成膜室具備使基板載體相對于這些輸送路徑橫移動，從作為 去路的第一輸送路徑向作為回路的第二輸送路徑移載的移載機(jī)構(gòu)。即，該裝置中，對每個成 膜處理設(shè)置真空處理室，在基板上層疊三層膜。專利文獻(xiàn)1 (日本)特開2005-340425號公報(bào)(參照其權(quán)利要求1及圖1)在上述成膜構(gòu)件中，若在兩個輸送路徑之間安裝加熱裝置，在最后部的真空處理 室具備移載機(jī)構(gòu)，則可實(shí)現(xiàn)省空間化、低成本化。但是，伴隨基板的進(jìn)一步大型化，期望更省空間且緊湊的裝置。另外，上述成膜裝 置中，由于處理路線為一個路線，因此不能在中間處理室進(jìn)行路線變更。因此，存在如下問 題在各成膜室的成膜時(shí)間不同的情況下，在成膜時(shí)間長的成膜室的工作中，其它成膜室發(fā) 生等待時(shí)間，作為裝置整體存在工作率降低的情況。另外，由于在最后部的成膜室具備移載 機(jī)構(gòu)，所以基板未輸送至該最后部的成膜室時(shí)，基板載體不能變更輸送路徑。由此，不能使 基板載體從去路向回路移動，即使其它成膜室沒有異常，在對最后部的成膜室進(jìn)行維護(hù)時(shí)， 也會存在不能使裝置工作的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的課題鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問題點(diǎn)，提供一種更緊湊的真空處理裝 置。另外，提供一種工作性高且功能性優(yōu)異的真空處理裝置。另外，本發(fā)明的其它課題是提 供使用該真空處理裝置，不延長生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間而可以處理基板的基板處理方法。本發(fā)明的真空處理裝置，其串聯(lián)連接多個對基板進(jìn)行規(guī)定處理的處理室，其特征 在于，在所述真空處理裝置中設(shè)有遍及真空處理裝置的多個處理室間設(shè)置的第一基板輸送 路、相對于第一基板輸送路并排設(shè)置且輸送基板的同時(shí)對基板進(jìn)行各處理室內(nèi)的規(guī)定處理 的第二基板輸送路，并且，在所述多個處理室中的至少兩個處理室設(shè)置有用于在第一基板 輸送路及第二基板輸送路之間使基板移動的輸送路變更構(gòu)件。本發(fā)明的真空處理裝置中，通過在至少兩個處理室設(shè)置輸送路變更構(gòu)件，在設(shè)有 該輸送路變更構(gòu)件的處理室中，即使在輸送基板時(shí)基板處于第一基板輸送路上，也可以使 其在進(jìn)行規(guī)定處理的第二基板輸送路移動，因此，可進(jìn)行多次相同的處理。因此，由于不需 要設(shè)置多個進(jìn)行相同處理的處理室，所以本發(fā)明的裝置緊湊。另外，例如在按A膜、B膜、A 膜的順序形成3層的情況下，在現(xiàn)有的縱型輸送式真空處理裝置中，需要按A膜用處理室、B 膜用處理室及A膜用處理室的順序連接的三個成膜室，但本申請中只要有A膜用處理室和B膜用處理室這兩個成膜處理室即可。優(yōu)選在所述處理室中串聯(lián)連接的最后部的處理室和最后部的處理室以外的至少 一個成膜處理室設(shè)置有所述輸送路變更構(gòu)件。不僅最后部的處理室，而且在不是最后部的成膜處理室也設(shè)置所述輸送路變更構(gòu) 件，由此，對于相同膜可在一個成膜處理室形成，因此，在實(shí)施形成多個相同膜的成膜方法 的情況下，不需要對一個真空處理裝置設(shè)置多個成膜處理室。該情況下，由于構(gòu)成成膜處理 室需要大型的電源或成膜構(gòu)件等，因此，只要能夠省略成膜處理室，則就可以更緊湊且實(shí)用 程序少，進(jìn)而低成本化。優(yōu)選的是，所述真空處理裝置具備負(fù)荷鎖定室、加熱室、第一成膜處理室、第二成 膜處理室，在第一成膜處理室和第二成膜處理室設(shè)有所述輸送路變更構(gòu)件，并且，第一成膜 處理室和第二成膜處理室形成彼此不同的膜。根據(jù)這樣的構(gòu)成，可通過兩個成膜處理室形 成三層的膜。本發(fā)明的基板處理方法，其使用真空處理裝置、在各處理室對基板進(jìn)行規(guī)定處理， 所述真空處理裝置串聯(lián)連接多個對基板進(jìn)行規(guī)定處理的處理室，且設(shè)有遍及該多個處理室 間設(shè)置的第一基板輸送路、和相對于第一基板輸送路并排設(shè)置且輸送所述基板的同時(shí)對各 處理室內(nèi)的基板進(jìn)行規(guī)定處理的第二基板輸送路，并且，在所述多個處理室中至少兩個處 理室設(shè)置有用于使基板在第一基板輸送路及第二基板輸送路之間移動的輸送路變更構(gòu)件， 其特征在于，該基板處理方法具有在一處理室對第一基板進(jìn)行規(guī)定處理的第一基板處理 工序；在一處理室對第二基板進(jìn)行規(guī)定處理的第二基板處理工序；在其它處理室對在所述 第一基板處理工序中進(jìn)行了規(guī)定處理的第一基板及第三基板分別進(jìn)行規(guī)定處理的其它基 板處理工序；在一處理室對在所述其它基板處理工序中進(jìn)行了規(guī)定處理的第三基板進(jìn)行規(guī) 定處理的第三基板處理工序，所述其它基板處理工序在所述第二基板處理工序中進(jìn)行，并 且，在所述其它基板處理工序中，通過設(shè)于所述其它處理室的輸送路變更構(gòu)件使被搬入到 所述其它處理室內(nèi)的第一基板及第三基板的至少之一在所述第一基板輸送路及所述第二 基板輸送路之間移動。根據(jù)本發(fā)明的基板處理方法，在一個處理室內(nèi)對一個基板進(jìn)行規(guī)定處理期間，可 在其它的處理室對剩余的兩個基板進(jìn)行成膜，因此，生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間無浪費(fèi)，可高工作率地進(jìn) 行多層成膜。該情況下，具體而言，所述其它基板處理工序具備所述第一基板經(jīng)由第一基板輸 送路被搬入所述其它處理室，之后利用所述輸送路變更構(gòu)件從所述第一基板輸送路向所述 第二基板輸送路移動后，進(jìn)行規(guī)定處理，在規(guī)定處理結(jié)束后，經(jīng)由所述第二基板輸送路從所 述其它處理室搬出的工序；所述第三基板經(jīng)由所述第一基板輸送路被搬入所述其它處理室 內(nèi)，之后利用所述輸送路變更構(gòu)件從所述第一基板輸送路向所述第二基板輸送路移動后， 進(jìn)行規(guī)定處理，在規(guī)定處理結(jié)束后，經(jīng)由所述第二基板輸送路搬入所述一處理裝置的工序。 或者，所述其它基板處理工序具備所述第一基板經(jīng)由第一基板輸送路被搬入所述其它處 理室內(nèi)，利用所述輸送路變更構(gòu)件從所述第一基板輸送路向所述第二基板輸送路移動后， 進(jìn)行規(guī)定處理，在規(guī)定處理結(jié)束后，利用所述輸送路變更構(gòu)件從所述二基板輸送路向所述 第一具備輸送路移動的工序；所述第三基板經(jīng)由所述第二基板輸送路被搬入所述其它處理 室內(nèi)，進(jìn)行規(guī)定處理，在規(guī)定處理結(jié)束后，經(jīng)由所述第二基板輸送路搬入所述一處理裝置的工序。根據(jù)這樣的方法，可不延長生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間而進(jìn)行成膜。另外，本發(fā)明的其它的基板處理方法，其使用真空處理裝置、在各處理室對基板進(jìn) 行規(guī)定處理，所述真空處理裝置串聯(lián)連接多個對基板進(jìn)行規(guī)定處理的處理室，且設(shè)有遍及 該多個處理室間設(shè)置的第一基板輸送路、和相對于第一基板輸送路并排設(shè)置且輸送所述基 板的同時(shí)對各處理室內(nèi)的基板進(jìn)行規(guī)定處理的第二基板輸送路，并且，在所述多個處理室 中的至少兩個處理室設(shè)置有用于使基板在第一基板輸送路及第二基板輸送路之間移動的 輸送路變更構(gòu)件，將基板搬入最前部的處理室，經(jīng)由第一基板輸送路及第二基板輸送路將 基板搬入各處理室，其特征在于，在規(guī)定的處理室，利用輸送路變更構(gòu)件在第一基板輸送路 及第二基板輸送路之間移動兩次以上，同時(shí)，在該規(guī)定的處理室進(jìn)行兩次以上的規(guī)定處理。 根據(jù)本發(fā)明的基板處理方法，使用上述真空處理裝置，利用輸送路變更構(gòu)件在第一基板輸 送路及第二基板輸送路之間移動兩次以上，由此，可在同一處理室進(jìn)行兩次規(guī)定處理。本發(fā)明的真空處理裝置，由于處理室少，所以更緊湊。而且由于在兩個以上的處理 室設(shè)有輸送路變更構(gòu)件，所以可以實(shí)施各種成膜方法，因此，實(shí)現(xiàn)機(jī)械性優(yōu)異且工作性優(yōu)異 這樣優(yōu)異的效果。另外，根據(jù)使用了本發(fā)明的真空處理裝置的基板處理方法，使用更緊湊的 裝置，實(shí)現(xiàn)不延長生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間而能夠成膜這樣優(yōu)異的效果。


圖1是表示本發(fā)明的真空處理裝置1的構(gòu)成的示意圖；圖2是使用本發(fā)明的成膜方法成膜的基板的剖面示意圖；圖3是表示用于說明本發(fā)明的成膜方法的(a)時(shí)序圖和(b)基板輸送路徑的示意 圖；圖4是用于說明本發(fā)明的成膜方法的基板的輸送路徑的示意圖；圖5是用于說明本發(fā)明的成膜方法的時(shí)序圖，(a)表示第一成膜方法的情況，(b) 表示第二成膜方法的情況，(c)表示第三成膜方法的情況；圖6是表示用于說明第二成膜方法的(a)時(shí)序圖和(b)基板輸送路徑的示意圖；圖7是用于說明本發(fā)明第二成膜方法的基板的輸送路徑的示意圖；圖8是表示用于說明第三成膜方法的(a)時(shí)序圖和(b)基板輸送路徑的示意圖。符號說明1真空處理裝置2基板載體11負(fù)荷鎖定室12加熱室13第一成膜室14第二成膜室15第一輸送路16第二輸送路17路徑變更構(gòu)件S 基板
具體實(shí)施例方式圖1是表示本發(fā)明的縱型真空處理裝置的構(gòu)成的示意剖面圖。縱型真空處理裝置 1是通過框狀的基板載體2大致垂直地保持基板S,同時(shí)對基板S進(jìn)行處理的縱型輸送式的 真空處理裝置，按順序具備負(fù)荷鎖定室11、加熱室12、第一成膜室13、第二成膜室14。在各 室間設(shè)有門閥10，各室可分別獨(dú)立地在真空中進(jìn)行處理。在縱型真空處理裝置1中，從負(fù)荷鎖定室11直至第二成膜室14設(shè)置有輸送基板 的彼此平行的第一輸送路15及第二輸送路16。第二輸送路16設(shè)置于在第一成膜室13及 第二成膜室14設(shè)置的成膜構(gòu)件131及141側(cè)。第一輸送路15及第二輸送路16上分別鋪設(shè) 有兩個軌道，基板載體2通過在基板載體底部設(shè)置的車輪在該軌道上移動。該情況下，在基 板載體2的下面設(shè)有齒條，并且，在負(fù)荷鎖定室11、加熱室12、第一成膜室13、及第二成膜室 14設(shè)有通過電動機(jī)的旋轉(zhuǎn)力旋轉(zhuǎn)的小齒輪，因此，使該齒條和小齒輪嚙合，將電動機(jī)的驅(qū)動 力傳遞給基板載體2，輸送基板載體2。負(fù)荷鎖定室11的構(gòu)成為，設(shè)有未圖示的真空泵，可將負(fù)荷鎖定室11內(nèi)真空排氣至 規(guī)定的真空度，且可保持該真空度。加熱室12的構(gòu)成為，設(shè)有未圖示的真空泵，可將加熱室12內(nèi)真空排氣至規(guī)定的真 空度，且可保持該真空度，并且，可通過加熱裝置121將第二輸送路16或第一輸送路15上 的基板升溫至規(guī)定的溫度。在第一成膜室13及第二成膜室14設(shè)有未圖示的真空泵，可將第一成膜室13及第 二成膜室14內(nèi)真空排氣至規(guī)定的真空度，且可保持該真空度。另外，在第一成膜室13設(shè)有 成膜構(gòu)件131，在第二成膜室14設(shè)有成膜構(gòu)件141。作為成膜構(gòu)件，可使用公知的成膜構(gòu) 件，例如在通過濺射法成膜的情況下，可設(shè)置靶材及濺射氣體導(dǎo)入構(gòu)件進(jìn)行成膜。另外，在 通過CVD法成膜的情況下，可設(shè)置成膜氣體導(dǎo)入構(gòu)件來進(jìn)行成膜。由這些成膜構(gòu)件131及 141成膜的是處于第二輸送路16上的成膜位置132及142的基板S，第一輸送路15上的基 板未成膜。另外，在第一成膜室13及第二成膜室14設(shè)有可使基板載體2在第一輸送路15及 第二輸送路16間移動的路徑變更構(gòu)件17。路徑變更構(gòu)件17未詳細(xì)圖示，但例如構(gòu)成為，可 由設(shè)于基板載體2的外框的保持部支承基板載體2，使基板載體2在第一輸送路15及第二 輸送路16間平行移動，變更輸送路。本發(fā)明的縱型真空處理裝置中，利用上述構(gòu)成的基板載體2在各第一輸送路15及 第二輸送路16上輸送基板S，可在各室內(nèi)對基板S進(jìn)行規(guī)定的處理。另外，在第一成膜室， 即使基板S處于第一輸送路15上的情況下，通過路徑變更構(gòu)件17也可以使基板S在第二 輸送路16上移動，可進(jìn)行規(guī)定的處理，因此，在進(jìn)行多次同一成膜的成膜方法中，可省略進(jìn) 行同一成膜的成膜室。即，現(xiàn)有的真空處理裝置中，由于僅在最后部的處理室設(shè)置了路徑變 更構(gòu)件，因此，從最前部的負(fù)荷鎖定室至最后部的第二成膜室使得基板在第二輸送路上通 過，結(jié)束一連串的處理工序后，通過路徑變更構(gòu)件變更為第一輸送路，會在第一輸送路上移 動?；逶谝苿拥降谝惠斔吐泛蟛环祷氐诙斔吐罚虼?，例如不能在中途再一次返回第二 輸送路，重復(fù)同一成膜工序。因此，需要成膜方法的處理工序的數(shù)量的處理室。但是，本申 請中，由于在中途的處理室也設(shè)置有路徑變更構(gòu)件17，所以即使第一輸送路15上有基板S， 在要進(jìn)行規(guī)定的處理時(shí)，也可以通過路徑變更構(gòu)件17使基板在第二輸送路16移動，可進(jìn)行規(guī)定的處理。因此，可以以比成膜工序數(shù)少的處理室數(shù)形成同一膜，因此，本發(fā)明的真空處 理裝置1與目前相比，為更緊湊的裝置結(jié)構(gòu)。下面，對使用了本發(fā)明的縱型真空處理裝置的成膜方法進(jìn)行說明。如果使用本發(fā)明的縱型真空處理裝置1，則在第二輸送路16上輸送，從負(fù)荷鎖定 室11搬入，在第一成膜室13及第二成膜室14成膜后，在第二成膜室14通過路徑變更構(gòu)件 17向第一輸送路15移動，使得第二成膜室14、第一成膜室13、加熱室12及負(fù)荷鎖定室11 通過并取出基板，由此，可以在基板S上形成兩層膜。另外，如果使用本發(fā)明的縱型真空處理裝置1，則也可以形成圖2所示的3層膜。 圖2是成膜后的基板S的剖面示意圖，在基板S上按順序成膜第一膜31、第二膜32、第三膜 33。第一膜31和第三膜33為同一膜，僅第二膜32是不同的膜。另外，第二膜32與第一膜 31及第三膜33相比，需要的成膜時(shí)間長。例如圖中，第二膜32與第一膜31及第三膜33相 比，膜厚較厚，因此，成膜時(shí)間長。使用圖3對使用真空處理裝置1形成這樣的3層膜構(gòu)造 的方法進(jìn)行詳細(xì)說明。圖3 (a)是使用本發(fā)明的真空處理裝置1形成3層膜時(shí)的時(shí)序圖，圖3 (b)是表示在 真空處理裝置1內(nèi)的基板S的輸送路徑的示意圖。在時(shí)序圖中，縱軸表示基板S1的位置， 橫軸表示時(shí)間。另外，在此，對于負(fù)荷鎖定室11省略。在t = 0，基板S1從第一輸送路15被搬入加熱室12，在t = tl加熱至規(guī)定的溫 度時(shí)，經(jīng)由第一輸送路15搬入第一成膜室13。其次，在t = t2 t3間，基板S1在第一成 膜室13通過路徑變更構(gòu)件17從第一輸送路15向第二輸送路16移動，在t = t3 t4間 成膜第一膜31。之后，基板S1在t = t4 t5被搬入第二成膜室14，從t = t5開始第二 膜32的成膜。在t = t6成膜結(jié)束后，基板S1在t = t6 t7通過路徑變更構(gòu)件17從第 二輸送路16移動到第一輸送路15后，經(jīng)由第一輸送路15從第二成膜室14搬運(yùn)到第一成 膜室13。在第一成膜室13，基板S1在t = t8 t9通過路徑變更構(gòu)件17從第一輸送路15 向第二輸送路16移動，從t = t9開始第三膜33的成膜。當(dāng)在t = tlO結(jié)束成膜時(shí)，基板 S1在t = tlO til向加熱室12被搬出。通過這樣的成膜方法，在基板上，在t = t3 t4間形成第一膜31，在t = t5 t6形成比第一膜31及第三膜33厚的第二膜32，在t = t9 tlO形成與第一膜相同的第三膜。這樣，如果使用本發(fā)明的縱型真空處理裝置1，則在成膜與第一模31相同的第三 膜33的情況下，可以不設(shè)置用于成膜第三膜的成膜室而在同一第一成膜室13中在基板S 上成膜3層膜。因此，本真空處理裝置1中，即使在成膜3層的情況下，成膜室不需要具備 三個三個，只要具備兩個即可，因此，可以緊湊，并且可以低成本地制作。在上述中，僅關(guān)注一片基板S1進(jìn)行了說明，但使用圖4及圖5 (a)也包含其它基板 的動作，對本發(fā)明的第一成膜方法進(jìn)行詳細(xì)說明。圖4是在每時(shí)間(1) (11)顯示用于說明使用了本發(fā)明的縱型真空處理裝置的 成膜方法的加熱室12、第一成膜室13、第二成膜室14的基板S1 S5的輸送路徑的示意圖。 另外，圖4(1)之后，省略表示基板的參照符號和表示處理室的參照符號以外的部分。另外， 圖5(a)是與圖4相對應(yīng)，表示基板S1 S5的輸送狀態(tài)的時(shí)序圖，與圖4(1) (11)相對 應(yīng)的部位標(biāo)注(1) (11)。下面，以圖4為中心進(jìn)行說明。圖4(1)中，具體而言，基板S3為下述狀態(tài)，全部在第一成膜室13成膜第一膜31，設(shè)于第二輸送路16的第二成膜室14的成膜位置142并成膜第二膜32。基板S2為下述狀 態(tài)，全部在第一成膜室13成膜第一膜13，且在第二成膜室14成膜第二膜32，之后，設(shè)于第 二輸送路16的第一成膜室13的成膜位置132，成膜第三膜33?；錝1經(jīng)由第一輸送路從 負(fù)荷鎖定室11被輸送到加熱室12，在加熱室12加熱至規(guī)定的溫度并保持。若基板S1的加熱和對基板S2的第三膜33的成膜結(jié)束，則使加熱室12和第一成 膜室13之間的門閥開放，基板S2被搬入加熱室12，且基板S1被搬入第一成膜室13(參照 圖4⑵)。其次，由于基板S2成膜第一膜31 第三膜33，因此，從加熱室12直接向負(fù)荷鎖定 室11搬出?；錝1通過路徑變更構(gòu)件17從第一輸送路15向第二輸送路16移動，設(shè)置在 成膜位置132。設(shè)于成膜位置132的基板S1開始第一膜31的成膜(參照圖4(3))。在基板S1的成膜中，從圖4(1)的時(shí)刻起對于第二膜32的成膜中的基板S3的成 膜結(jié)束時(shí)，基板S3通過路徑變更構(gòu)件17從第二輸送路16的成膜位置142向第一輸送路15 移動(參照圖4(4))?；錝1的成膜結(jié)束時(shí)，使第二成膜室14和第一成膜室13之間的門閥開放，基板 S3經(jīng)由第一輸送路15被搬入第一成膜室13，且基板S1經(jīng)由第二輸送路16被搬入第二成 膜室14(參照圖4(5))。之后，將基板S1設(shè)于第二成膜室14的成膜位置142，開始成膜?；錝3通過路 徑變更構(gòu)件17從第一輸送路15向第二輸送路16移動，設(shè)置在成膜位置132，在第一成膜 室13中，在基板S3上開始第三膜33的成膜。在對于該基板S3的第三膜33的成膜中，基 板S4從負(fù)荷鎖定室11經(jīng)由第一輸送路15被輸送到加熱室12(參照圖4(6))?；錝4的加熱和對于基板S3的第三膜33的成膜結(jié)束時(shí)，使加熱室12和第一成 膜室13之間的門閥開放，基板S3經(jīng)由第二輸送路16向加熱室12被搬出，且基板S4經(jīng)由 第一輸送路被搬入第一成膜室13 (參照圖4(7))?；錝3成膜至第一膜31 第三膜33，因此，從加熱室12被直接向負(fù)荷鎖定室13 搬出?；錝4通過路徑變更構(gòu)件17從第一輸送路15向第二輸送路16移動，設(shè)于成膜位置 132，開始對于基板S4的第一膜31的成膜。在對于基板S1的第二膜32的成膜結(jié)束時(shí)，通 過路徑變更構(gòu)件17將基板S1從第二輸送路16的成膜位置142向第一輸送路15移動(參 照圖4(8))。之后，結(jié)束對于基板S4的成膜時(shí)，使第二成膜室14和第一成膜室13之間的門閥 開放，基板S4經(jīng)由第二輸送路16被搬入第二成膜室14，且基板S1經(jīng)由第一輸送路15被搬 入第一成膜室13 (參照圖4(9))?；錝1通過路徑變更構(gòu)件17在第一成膜室13從第一輸送路15向第二輸送路16 移動，設(shè)置在成膜位置132，開始第三膜33的成膜?；錝4設(shè)置在第二成膜室14的成膜位 置142，開始成膜。在對于該基板S1的第三膜33的成膜中，從負(fù)荷鎖定室11經(jīng)由第一輸送 路15將基板S5輸送到加熱室12 (參照圖4 (10))。最后，當(dāng)基板S5的加熱和對于基板S1的第三膜33的成膜結(jié)束時(shí)，使加熱室12和 第一成膜室13之間的門閥開放，基板S1經(jīng)由第二輸送路16向加熱室12被搬出，且基板S5 經(jīng)由第一輸送路15被搬入第一成膜室13?；錝5通過路徑變更構(gòu)件17從第一輸送路15 向第二輸送路16移動(參照圖4(11))。之后，基板S1成膜第一膜31 第三膜33，因此，從加熱室12被直接向負(fù)荷鎖定室11搬出。另外，不僅基板S1 S3，而且對于基板S4及 S5，也與基板S1 S3相同，可以成膜3層。這樣，本發(fā)明的縱型真空處理裝置由于可通過路徑變更構(gòu)件17變更基板輸送路， 所以是縱型輸送方式的裝置，并且在對于基板S1 S5由第二成膜室14在基板上對成膜時(shí) 間長的第二膜32進(jìn)行成膜期間，可以在第一成膜室內(nèi)在其它基板上成膜第一膜31及第三 膜33。因此，可以不延長生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間而使用由兩個成膜室構(gòu)成的處理裝置成膜3層構(gòu)造 的膜。下面，使用圖6對使用了本發(fā)明的縱型真空處理裝置的第二成膜方法進(jìn)行說明。第二成膜方法與上述第一成膜方法的基板S的輸送路徑不同，但可同樣形成圖2 所示的膜。圖6(a)是表示使用本發(fā)明的裝置形成3層膜時(shí)的時(shí)序圖及圖6(b)是表示基板 輸送路徑的示意圖。在時(shí)序圖中，縱軸表示基板S的位置，橫軸表示時(shí)間。另外，在此，對于 負(fù)荷鎖定室11省略。在t = 0，基板S1從第二輸送路16被搬入加熱室12，當(dāng)加熱至規(guī)定的溫度時(shí)，在 t = tl t2，基板SI經(jīng)由第二輸送路16被搬入第一成膜室13。其次，從t = t2起，基板 S1在第一成膜室13成膜第一膜31。在t = t3成膜結(jié)束后，基板S1在t = t3 t4從第 一成膜室13向第二成膜室14輸送，從t = t4開始第二膜32的成膜。在t = t5結(jié)束成膜 后，基板S1在t = t5 t6通過路徑變更構(gòu)件17從第二輸送路16移動到第一輸送路15 后，從第二成膜室14輸送到第一成膜室13。其次，基板S1在t = t7 t8，在第一成膜室 13通過路徑變更構(gòu)件17從第一輸送路15向第二輸送路16移動，從t = t8開始第三膜33 的成膜。在t = t9結(jié)束成膜時(shí)，在t = t9 tlO通過路徑變更構(gòu)件17從第二輸送路16 向第一輸送路15移動后，在t = tlO til基板SI向加熱室12被搬出。通過這樣的成膜方法，在基板上在t = t2 t3形成第一膜31，在t = t4 t5形 成比第一膜及第三膜厚的第二膜32，在t = t8 t9形成與第一膜相同的第三膜33。使用圖7及圖5(b)，也包含其它基板的動作對該膜的形成方法進(jìn)行詳細(xì)說明。圖7是在每時(shí)間(1) (11)顯示用于說明使用了本發(fā)明的縱型真空處理裝置的 成膜方法的加熱室12、第一成膜室13、第二成膜室14的基板S1 S5的基板的輸送路徑的 示意圖。另外，圖7(1)之后，省略表示基板的參照符號和表示處理室的參照符號以外的部 分。另外，圖5(b)是與圖7相對應(yīng)，是表示基板S1 S5的輸送及成膜狀態(tài)的時(shí)序圖，與圖 7(1) (11)相對應(yīng)的部位標(biāo)注(1) (11)。下面，以圖7為中心進(jìn)行說明。圖7(1)中，基板S3為下述狀態(tài)，全部在第一成膜室13成膜第一膜31后，設(shè)于第 二輸送路16的第二成膜室14的成膜位置142并成膜第二膜32?；錝2為下述狀態(tài)，全部 在第一成膜室13成膜第一膜31，且在第二成膜室14成膜第二膜32，之后，在第一成膜室13 成膜第三膜33，通過路徑變更構(gòu)件17從第二輸送路16向第一輸送路移動?；錝1經(jīng)由第 二輸送路16從負(fù)荷鎖定室11被輸送到加熱室12，在加熱室12加熱至規(guī)定的溫度并保持。基板S1的加熱和基板S2的移動結(jié)束時(shí)，使加熱室12和第一成膜室13之間的門 閥開放，基板S2經(jīng)由第一輸送路15向加熱室12被搬出，且基板S1經(jīng)由第二輸送路16向 第一成膜室13被搬入(參照圖7(2))。其次，將基板S1設(shè)置于成膜位置132，開始第一膜31的成膜。基板S2成膜第一膜 31 第三膜33，因此，從加熱室12被直接向負(fù)荷鎖定室11搬出。在基板S1的成膜中，從
10圖7(1)的時(shí)刻起對于第二膜32的成膜中的基板S3的成膜結(jié)束時(shí)，基板S3通過路徑變更 構(gòu)件17從第二輸送路16的成膜位置142向第一輸送路15移動(參照圖7(3))?；錝1的成膜結(jié)束時(shí)，使第二成膜室14和第一成膜室13之間的門閥開放，基板 S3經(jīng)由第一輸送路15被搬入第一成膜室13，且基板S1經(jīng)由第二輸送路16被搬入第二成 膜室14(參照圖7(4))。之后，將基板S1設(shè)于第二成膜室14的成膜位置142，開始成膜?；錝3通過路徑 變更構(gòu)件17從第一輸送路15向第二輸送路16移動，設(shè)置在成膜位置132，開始第三膜33 的成膜。在對于該基板S1的第二膜32的成膜中，基板S4從負(fù)荷鎖定室11經(jīng)由第一輸送 路16被輸送到加熱室12 (參照圖7 (5))。對于基板S3的第三膜33的成膜結(jié)束時(shí)，基板S3通過路徑變更構(gòu)件17從第二輸 送路16向第一輸送路15移動(參照圖7(6))?；錝3的路徑變更和基板S4的加熱結(jié)束時(shí)，使加熱室12和第一成膜室13之間 的門閥開放，基板S3經(jīng)由第一輸送路15被向加熱室12搬出，且基板S4經(jīng)由第二輸送路被 搬入第一成膜室13，開始成膜。另外，對于基板S1的第二膜32的成膜結(jié)束時(shí)，基板S1通過 路徑變更構(gòu)件17從第二輸送路16向第一輸送路15移動(參照圖7(7))?；錝3成膜第一膜31 第三膜33，因此，從加熱室12經(jīng)由第一輸送路15被直接 向負(fù)荷鎖定室11搬出。對于基板S4的第一膜31的成膜結(jié)束時(shí)，使第二成膜室14和第一 成膜室13之間的門閥開放，基板S4經(jīng)由第二輸送路16被搬入第二成膜室14，在成膜位置 142開始成膜。且基板S1經(jīng)由第一輸送路15被搬入第一成膜室13 (參照圖7(8))?；錝1通過路徑變更構(gòu)件17在第一成膜室13從第一輸送路15向第二輸送路16 移動，設(shè)于成膜位置132，開始第三膜33的成膜。在對于基板S4的第二膜32的成膜中，基 板S5從負(fù)荷鎖定室11經(jīng)由第二輸送路16被輸送至加熱室12，開始加熱(參照圖7(9))。對于基板S1的第三膜33的成膜結(jié)束時(shí)，通過路徑變更構(gòu)件17，基板S1在第一成 膜室13從第二輸送路16向第一輸送路15移動(參照圖7(10))。最后，結(jié)束基板S5的加熱和基板S1的移動時(shí)，使加熱室12和第一成膜室13之間 的門閥開放，基板S1經(jīng)由第一輸送路15向加熱室12被搬出，且基板S5經(jīng)由第二輸送路16 被搬入第一成膜室13?；錝4通過路徑變更構(gòu)件17從第二輸送路16向第一輸送路15移 動(參照圖7(11))。之后，基板S1成膜了第一膜31 第三膜33，因此，從加熱室12向負(fù) 荷鎖定室11被搬出。另外，不僅基板S1 S3，而且對于基板S4及S5，也與基板S1 S3 相同，可以成膜3層。這樣，本發(fā)明的縱型真空處理裝置由于可通過路徑變更構(gòu)件17變更基板輸送路， 所以是縱型輸送方式的裝置，并且在第二成膜室14于基板上對成膜時(shí)間長的第二膜32進(jìn) 行成膜期間，可以在第一成膜室，在其它基板上成膜第一膜31及第三膜33。因此，可以不延 長生產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間而使用由兩個成膜室構(gòu)成的處理裝置成膜3層構(gòu)造的膜。另外，作為第三成膜方法，在第二成膜方法中，從第二輸送路16搬入基板并進(jìn)行 成膜，但即使從第一輸送路15搬入基板，同樣也可以使用圖1所示的處理裝置進(jìn)行3層成 膜。使用圖8對這一點(diǎn)進(jìn)行說明。圖8(a)是表示使用本發(fā)明的裝置形成3層膜時(shí)的時(shí)序圖及圖8(b)是表示基板的 輸送路徑的示意圖。在時(shí)序圖中，縱軸表示基板S的位置，橫軸表示時(shí)間。另外，在此也省略負(fù)荷鎖定室11。在t = 0，基板S1從第一輸送路15被搬入加熱室12，當(dāng)加熱至規(guī)定的溫度時(shí)，在 t = tl t2，經(jīng)由第一輸送路15被搬入第一成膜室13。其次，在t = t2 t3，在第一成 膜室13通過路徑變更構(gòu)件17將基板S1從第一輸送路15向第二輸送路16移動，從t = t3 起開始第一膜31的成膜。在t = t4成膜結(jié)束時(shí)，基板S1通過路徑變更構(gòu)件17從第二輸 送路16向第一輸送路15移動。移動結(jié)束后，在t = t5 t6，基板SI從第一成膜室13向 第二成膜室14輸送，在t = t6 t7通過路徑變更構(gòu)件17從第一輸送路15向第二輸送路 16移動，從t = t7開始第二膜32的成膜。在t = t8結(jié)束成膜后，基板S1在t = t8 t9 從第二成膜室14被輸送向第一成膜室13。接著，在t = 9，在第一成膜室13對基板S1開 始第三膜33的成膜。在t = 10結(jié)束成膜時(shí)，基板S1在t = tlO til經(jīng)由第二輸送路16 向加熱室12被搬出。通過這樣的成膜方法，在基板上，在t = t3 t4形成第一膜31，在t = t7 t8 形成比第一膜及第三膜厚的第二膜32，在t = t9 tlO形成與第一膜相同的第三膜33。另外，圖8中，表示其它基板輸送路徑的圖省略，但如圖5(c)所示，即使在該情況 下，也可以以與圖5(a)所示的第一成膜方法及圖5(b)所示的第二成膜方法相同的生產(chǎn)節(jié) 拍時(shí)間進(jìn)行成膜。S卩，本發(fā)明的各成膜方法中，通過在第一成膜室13也設(shè)置路徑變更構(gòu)件17，第一 輸送路15上的基板S也在第二輸送路16移動，因此，可以在第一成膜室13進(jìn)行兩次成膜。 該情況下，第二膜32的成膜時(shí)間長，因此，在第二膜32成膜中，可成膜第一膜31及第三膜 33，因此，成膜工序中浪費(fèi)的時(shí)間少。另外，本發(fā)明的真空處理裝置1中，加熱構(gòu)件設(shè)置于加熱室12，但也可以在未設(shè)置 路徑變更構(gòu)件17的室的第一輸送路15及第二輸送路16之間設(shè)置加熱構(gòu)件。另外，上述實(shí)施方式中，在真空處理裝置1的第一成膜室13及第二成膜室14設(shè)置 有路徑變更構(gòu)件17，但只要在最后部的處理室和在成膜工序中進(jìn)行兩次相同處理的處理室 分別設(shè)置路徑變更構(gòu)件17即可。例如即使不進(jìn)行成膜處理，在實(shí)施兩次等離子曝光工序這 樣的成膜方法的情況下，只要在真空處理裝置1設(shè)置等離子發(fā)生室，在該等離子發(fā)生室設(shè) 置路徑變更構(gòu)件17即可。在上述的本發(fā)明的各成膜方法中，基板的搬入 搬出的時(shí)機(jī)可以根據(jù)成膜方法、膜 的種類等、裝置構(gòu)成來變更。另外，在基板上有選擇地僅要成膜1層的情況下，將基板S從負(fù)荷鎖定室11在第 二輸送路16上輸送，僅在第一成膜室13進(jìn)行成膜，通過路徑變更構(gòu)件17使基板S從第二 輸送路向第一輸送路15移動，通過第一成膜室13、加熱室12及負(fù)荷鎖定室11取出基板S， 由此，也可以在基板S上形成一層膜。因此，根據(jù)本發(fā)明的縱型真空處理裝置1，可以根據(jù)成 膜工序使裝置的動作變化。另外，在設(shè)置兩室第二成膜室的情況下，即使一第二成膜室在維 護(hù)中，也可以由第一成膜室13側(cè)的第二成膜室進(jìn)行成膜，可以通過該成膜室的路徑變更構(gòu) 件17使基板S從第二輸送路向第一輸送路15移動，由此繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)。實(shí)施例1本實(shí)施例中，在圖1所示的縱型真空處理裝置1中，利用與圖5相同的成膜方法在 基板上進(jìn)行了成膜。作為成膜構(gòu)件131，將Mo靶材以與設(shè)于成膜位置132的基板對向的方式進(jìn)行設(shè)置，同時(shí)，作為濺射氣體，向第一成膜室內(nèi)導(dǎo)入Ar氣體。作為成膜構(gòu)件141，將A1 靶材以與設(shè)于成膜位置142的基板對向的方式設(shè)置，同時(shí)，作為濺射氣體，向第二成膜室內(nèi) 導(dǎo)入Ar氣體。作為基板，使用2200mmX 2400mmX t0. 7mm的玻璃基板。首先，將基板SI從第一輸送路15搬入加熱室12，在加熱至規(guī)定的溫度(約100°C ) 后，將基板SI經(jīng)由第一輸送路15搬入了第一成膜室13。其次，將基板S1在第一成膜室13 通過路徑變更構(gòu)件17從第一輸送路15向第二輸送路16移動后，導(dǎo)入濺射氣體，開始Mo膜 的成膜。經(jīng)過了約10秒后，結(jié)束成膜，進(jìn)行第一成膜室的排氣。其次，將基板S1向第二成 膜室14搬入，導(dǎo)入濺射氣體，開始A1膜的成膜。在經(jīng)過約50秒并結(jié)束了 A1膜的成膜后， 將基板S1通過路徑變更構(gòu)件17從第二輸送路16向第一輸送路15移動后，進(jìn)行第二成膜 室14內(nèi)部的排氣。其次，將基板S1從第二成膜室14向第一成膜室13輸送。在第一成膜 室13，將基板S1通過路徑變更構(gòu)件17從第一輸送路15向第二輸送路16移動，導(dǎo)入濺射 氣體，再次開始Mo膜的成膜。經(jīng)過了約10秒后，結(jié)束成膜，進(jìn)行排氣后，將基板S1向加熱 室12搬出。通過這樣的成膜方法，在基板上形成作為第一膜31的Mo膜、作為第二膜32的 A1膜、作為第三膜33的Mo膜。各膜的厚度分別為約50nm、約300nm、約50nm。另外，對于 其它基板，也可以在基板上分別成膜3層構(gòu)造的膜。實(shí)施例2本實(shí)施例中，除在第一成膜室中在作為濺射氣體的Ar氣體中適量混入了 N2氣體 這一點(diǎn)以外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行成膜。在基板上形成作為第一膜31的氮化Mo膜、作 為第二膜32的A1膜、作為第三膜的氮化Mo膜。各膜的厚度分別為約50nm、約300nm、約 50nm。該情況下，由于在成膜前進(jìn)行的濺射壓力調(diào)節(jié)的時(shí)間可以使基板移動，所以成膜中生 產(chǎn)節(jié)拍時(shí)間相同。產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明的縱型真空處理裝置，即使對于大型的基板也可以進(jìn)行處理，因此，在 顯示器制造領(lǐng)域可加以利用。
1權(quán)利要求
一種真空處理裝置，其串聯(lián)連接多個對基板進(jìn)行規(guī)定處理的處理室，其特征在于，在所述真空處理裝置中設(shè)有遍及真空處理裝置的多個處理室間設(shè)置的第一基板輸送路、相對于第一基板輸送路并排設(shè)置且輸送基板的同時(shí)對基板進(jìn)行各處理室內(nèi)的規(guī)定處理的第二基板輸送路，并且，在所述多個處理室中的至少兩個處理室設(shè)置有用于在第一基板輸送路及第二基板輸送路之間使基板移動的輸送路變更構(gòu)件。
2.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，在所述處理室中串聯(lián)連接的最后 部的處理室和最后部的處理室以外的至少一個處理室設(shè)置有所述輸送路變更構(gòu)件。
3.如權(quán)利要求1或2所述的真空處理裝置，其特征在于，所述真空處理裝置具備負(fù)荷鎖 定室、加熱室、第一成膜處理室、第二成膜處理室，在第一成膜處理室和第二成膜處理室設(shè) 有所述輸送路變更構(gòu)件，并且，第一成膜處理室和第二成膜處理室形成彼此不同的膜。
4.一種基板處理方法，其使用真空處理裝置、在各處理室對基板進(jìn)行規(guī)定處理，所述真 空處理裝置串聯(lián)連接多個對基板進(jìn)行規(guī)定處理的處理室，且設(shè)有遍及該多個處理室間設(shè)置 的第一基板輸送路、和相對于第一基板輸送路并排設(shè)置且輸送所述基板的同時(shí)對各處理室 內(nèi)的基板進(jìn)行規(guī)定處理的第二基板輸送路，并且，在所述多個處理室中至少兩個處理室設(shè) 置有用于使基板在第一基板輸送路及第二基板輸送路之間移動的輸送路變更構(gòu)件，其特征 在于，該基板處理方法具有在一處理室對第一基板進(jìn)行規(guī)定處理的第一基板處理工序； 在一處理室對第二基板進(jìn)行規(guī)定處理的第二基板處理工序；在其它處理室對在所述第一基板處理工序中進(jìn)行了規(guī)定處理的第一基板及第三基板 分別進(jìn)行規(guī)定處理的其它基板處理工序；在一處理室對在所述其它基板處理工序中進(jìn)行了規(guī)定處理的第三基板進(jìn)行規(guī)定處理 的第三基板處理工序，所述其它基板處理工序在所述第二基板處理工序中進(jìn)行，并且，在所述其它基板處理工序中，通過設(shè)于所述其它處理室的輸送路變更構(gòu)件使被 搬入到所述其它處理室內(nèi)的第一基板及第三基板的至少之一在所述第一基板輸送路及所 述第二基板輸送路之間移動。
5.如權(quán)利要求4所述的基板處理方法，其特征在于， 所述其它基板處理工序具備所述第一基板經(jīng)由第一基板輸送路被搬入所述其它處理室，之后利用所述輸送路變更 構(gòu)件從所述第一基板輸送路向所述第二基板輸送路移動后，進(jìn)行規(guī)定處理，在規(guī)定處理結(jié) 束后，經(jīng)由所述第二基板輸送路從所述其它處理室搬出的工序；所述第三基板經(jīng)由所述第一基板輸送路被搬入所述其它處理室內(nèi)，之后利用所述輸送 路變更構(gòu)件從所述第一基板輸送路向所述第二基板輸送路移動后，進(jìn)行規(guī)定處理，在規(guī)定 處理結(jié)束后，經(jīng)由所述第二基板輸送路搬入所述一處理裝置的工序。
6.如權(quán)利要求4所述的基板處理方法，其特征在于， 所述其它基板處理工序具備所述第一基板經(jīng)由第一基板輸送路被搬入所述其它處理室內(nèi)，利用所述輸送路變更構(gòu) 件從所述第一基板輸送路向所述第二基板輸送路移動后，進(jìn)行規(guī)定處理，在規(guī)定處理結(jié)束 后，利用所述輸送路變更構(gòu)件從所述二基板輸送路向所述第一基板輸送路移動的工序；所述第三基板經(jīng)由所述第二基板輸送路向所述其它處理室內(nèi)被搬入，進(jìn)行規(guī)定處理， 在規(guī)定處理結(jié)束后，經(jīng)由所述第二基板輸送路搬入所述一處理裝置的工序。
7. 一種基板處理方法，其使用真空處理裝置、在各處理室對基板進(jìn)行規(guī)定處理，所述真 空處理裝置串聯(lián)連接多個對基板進(jìn)行規(guī)定處理的處理室，且設(shè)有遍及該多個處理室間設(shè)置 的第一基板輸送路、和相對于第一基板輸送路并排設(shè)置且輸送所述基板的同時(shí)對各處理室 內(nèi)的基板進(jìn)行規(guī)定處理的第二基板輸送路，并且，在所述多個處理室中的至少兩個處理室 設(shè)置有用于使基板在第一基板輸送路及第二基板輸送路之間移動的輸送路變更構(gòu)件，其特 征在于，在規(guī)定的處理室，利用輸送路變更構(gòu)件在第一基板輸送路及第二基板輸送路之間移動 兩次以上，同時(shí)，在該規(guī)定的處理室進(jìn)行兩次以上的規(guī)定處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種真空處理裝置(1)，其串聯(lián)連接多個對于被處理基板(S)進(jìn)行規(guī)定處理的處理室，其中，在所述真空處理裝置中設(shè)有遍及真空處理裝置的多個處理室間設(shè)置的第一基板輸送路(15)、和相對于第一基板輸送路(15)并排設(shè)置且輸送基板并同時(shí)進(jìn)行各處理室內(nèi)的規(guī)定處理的第二基板輸送路(16)，并且，在多個處理室中至少兩個處理室設(shè)置有用于在第一基板輸送路及第二基板輸送路間使基板移動的輸送路變更構(gòu)件(17)。
文檔編號H01J9/02GK101855384SQ200880115649
公開日2010年10月6日 申請日期2008年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月6日
發(fā)明者佐藤重光, 大空弘樹, 高木善勝 申請人:株式會社愛發(fā)科