專利名稱：利用多孔硅彈道電子發(fā)射的平面光源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于光源制造領(lǐng)域，涉及一種平面光源，特別涉及一種利用多孔硅 彈道電子發(fā)射以激發(fā)氣體原子的平面光源。
背景技術(shù)：
隨著全球能源緊張和環(huán)境污染加劇，各國(guó)政府都十分重視節(jié)能和環(huán)境保護(hù)， 在照明領(lǐng)域，研發(fā)高效節(jié)能、無(wú)環(huán)境污染的綠色光源成為了光源技術(shù)發(fā)展的一
個(gè)重要方向。由于含汞熒光燈的技術(shù)成熟、光效較高(達(dá)到60—801m/w)、規(guī)格 型號(hào)齊全，目前仍被廣泛用作照明光源和LCD背光源。近十幾年來(lái)，盡管無(wú)汞 光源技術(shù)(如高壓鈉燈、金屬鹵化物燈、白光發(fā)光二極管、Xe放電型熒光燈等) 的研發(fā)和應(yīng)用也取得了較大的進(jìn)展，但由于它們各自存在的一些缺點(diǎn)，目前還 無(wú)法獲得大量應(yīng)用。高壓鈉燈的光效高達(dá)1201m/W，但顯色指數(shù)在20左右，只 能用于不需很好分辨物體顏色和細(xì)節(jié)的場(chǎng)所的照明；金屬鹵化物燈由于制造工 藝復(fù)雜、成本很高、售價(jià)昂貴，因而應(yīng)用受到限制；大功率白光LED的光效為 40—501m/W，由于存在溫升問(wèn)題，壽命問(wèn)題還未得到很好解決；Xe放電型熒光 燈壽命很長(zhǎng)，超過(guò)6萬(wàn)小時(shí)，但發(fā)光效率較低，約為301m/w。
Xe放電型平面熒光燈的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由玻璃材料制成的前基板1和 后基板2組成，前基板1的內(nèi)側(cè)面配置有熒光粉層6，后基板2的內(nèi)側(cè)面配置有 兩組電極，即X電極3和Y電極4， X電極3和Y電極4上覆蓋有介質(zhì)層5，介 質(zhì)層5表面覆蓋有熒光粉層7 ，前基板1和后基板2間由支撐柱(未顯示)來(lái) 保持一定的距離，內(nèi)部充入放電氣體，在X電極3和Y電極4間施加一定的電 壓波形，則會(huì)在電極間產(chǎn)生氣體放電，放電產(chǎn)生的真空紫外線(VUV)可激發(fā) 熒光粉發(fā)出可見(jiàn)光。導(dǎo)致Xe放電型平面熒光燈發(fā)光效率低的主要原因?yàn)椋?br> 4利用惰性氣體的放電來(lái)發(fā)光，而氣體放電中大部分電能被用于氣體原子的電離 及離子加速上，這部分能量最后基本上都轉(zhuǎn)化為熱能損失掉，而用于激發(fā)氣體
原子來(lái)產(chǎn)生vuv的電能很少。
如果能實(shí)現(xiàn)在不發(fā)生氣體放電的情況下，直接由電子激發(fā)氣體原子以產(chǎn)生
vuv來(lái)激發(fā)熒光粉發(fā)光，則可大大提高光源的發(fā)光效率。而要在不發(fā)生放電的
情況下在氣體空間中產(chǎn)生電子，則必須要有電子源，它能不斷地向氣體空間注 入能量較高的電子。而多孔多晶硅就是一種性能較佳的電子源，可產(chǎn)生一種準(zhǔn) 彈道電子發(fā)射(又稱為彈道電子發(fā)射)，其特點(diǎn)是具有表面電子發(fā)射能力、低電
壓工作、發(fā)射電子能量高、響應(yīng)快速和電子發(fā)散角小，電子發(fā)射率可達(dá)3%，更 為重要的是其發(fā)射性能對(duì)環(huán)境氣壓不敏感，可在一定的氣體環(huán)境中工作。多孔 多晶硅最初被日本松下公司用于場(chǎng)發(fā)射顯示，后于2008年又將它用于平面光源。 松下公司設(shè)計(jì)的利用多孔硅彈道電子發(fā)射的平面光源，它由玻璃材料制成 的前基板和后基板組成，前基板的內(nèi)側(cè)面配置有陽(yáng)極，在陽(yáng)極上覆蓋有熒光粉 層，后基板的內(nèi)側(cè)面配置有底電極8、多孔硅膜和頂電極，這三者一起構(gòu)成了多 孔硅陰極，前基板和后基板間由支撐柱(未顯示)來(lái)保持一定的距離，內(nèi)部充 入純Xe氣。在底電極與頂電極及陽(yáng)極間施加一定的直流電壓，則會(huì)由多孔硅陰 極向氣體空間發(fā)射電子，這些電子與氣體原子發(fā)生碰撞激發(fā)，從而產(chǎn)生VUV以 激發(fā)熒光粉發(fā)光。由于這種無(wú)放電的光源的氣體原子激發(fā)效率大大提高，有可 能獲得高的發(fā)光效率。由于多孔硅陰極要發(fā)射電子，因此在其表面不能涂敷熒 光粉和制作反射層，熒光粉只能涂敷在平面光源的前基板上，并且厚度不能太 厚，否者會(huì)降低可見(jiàn)光的透過(guò)率，這就導(dǎo)致了射向后基板的VUV和可見(jiàn)光不能 被有效利用，而射向前基板1的VUV由于熒光粉較薄的原因也無(wú)法完全轉(zhuǎn)變?yōu)?可見(jiàn)光，這些因素制約了光源發(fā)光效率的進(jìn)一步提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種利用多孔硅彈道電子發(fā)射的平面光源，實(shí)現(xiàn)由多孔硅電子源向氣體空間注入能量較高的電子以直接激發(fā)氣體原子，并充分利
用產(chǎn)生的vuv和可見(jiàn)光，從而提高平面光源的發(fā)光效率和亮度。
本發(fā)明的基本構(gòu)思是平面光源的前、后基板間以一定的間隔設(shè)置一些相 互平行的支撐條，支撐條的兩個(gè)側(cè)面及封接條的內(nèi)側(cè)面上制備底電極、多孔硅 膜和頂電極或陽(yáng)極，在前、后基板上均涂敷有熒光粉，在前、后基板圍成的內(nèi) 部空間充入惰性氣體，在電極上施加一定的直流電壓后，就會(huì)由多孔硅膜向氣
體空間發(fā)射電子，電子與惰性氣體原子發(fā)生碰撞激發(fā)，產(chǎn)生vuv以激發(fā)熒光粉發(fā)光。
為了實(shí)現(xiàn)上述任務(wù)，本發(fā)明采用如下的技術(shù)解決方案
包括由玻璃材料制成的相隔距離的前基板和后基板，在前、后基板的相對(duì) 的兩個(gè)表面上均涂敷有熒光粉，前、后基板的四周有封接框以密封前、后基板 之間的空間，前、后基板之間設(shè)置有相互平行的若干支撐條，在每個(gè)支撐條的 每個(gè)側(cè)面及與支撐條平行的兩條封接邊的內(nèi)側(cè)面上依次設(shè)置底電極、多孔硅膜 和頂電極，或設(shè)置有陽(yáng)極，底電極、多孔硅膜和頂電極三者構(gòu)成了產(chǎn)生彈道電 子發(fā)射的多孔硅陰極。
其中在所述支撐條的一個(gè)側(cè)面上制備多孔硅陰極，在另一個(gè)側(cè)面上設(shè)置陽(yáng) 極，相鄰支撐條的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上分別為多孔硅陰極和陽(yáng)極，在與支撐條平 行的兩條封接邊的內(nèi)側(cè)面上設(shè)置多孔硅陰極或陽(yáng)極，相鄰的支撐條和封接邊的 相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上分別為多孔硅陰極和陽(yáng)極，相鄰的支撐條之間及相鄰的支撐 條和封接邊之間按照3—25 mm的距離等間距設(shè)置。
其中所述支撐條中的一部分的兩個(gè)側(cè)面上均制備多孔硅陰極，另一部分支 撐條的兩個(gè)側(cè)面上均制備陽(yáng)極，這兩種支撐條交替放置，以使相鄰支撐條的相 對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上分別為多孔硅陰極和陽(yáng)極，在與支撐條平行的兩條封接邊的側(cè) 面上制備多孔硅陰極或陽(yáng)極，相鄰的支撐條和封接邊的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上分別 為多孔硅陰極和陽(yáng)極，相鄰的支撐條之間及相鄰的支撐條和封接邊之間按照3
6一25mm的距離等間距設(shè)置。
在其中所述后基板的熒光粉層下設(shè)有反射層。
多孔硅膜的制備方法為首先，在薄基片上采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉 積法制備厚度為l一2pm的多晶硅膜；然后，采用陽(yáng)極氧化法對(duì)多晶硅膜進(jìn)行腐 蝕，制備出多孔硅膜；最后，采用電化學(xué)氧化法對(duì)多孔硅膜進(jìn)行氧化。
其中所述底電極選用A1、 W、 Cr、 Ni或Mo材料，頂電極選用Au或Pt材 料，并采用磁控濺射或電子束真空蒸發(fā)鍍膜工藝制備，頂電極的膜厚為5—20nm。
其中所述陽(yáng)極采用氧化銦錫(ITO)、 Ag、 Al、 Cr或Ni材料，并采用磁控 濺射或電子束真空蒸發(fā)鍍膜工藝制備，或者采用絲網(wǎng)印刷Ag漿料結(jié)合燒結(jié)工藝 制作。
其中所述熒光粉層采用印刷法、旋涂法或噴涂法制作，其中前基板的熒光 粉層厚度為6—20(im，后基板上的熒光粉層厚度為50—200nm，平面光源內(nèi)部 的氣體采用純氙氣Xe或純氪氣Kr，或者是含Xe或含Kr的惰性混合氣體。
由于本發(fā)明將多孔硅陰極和陽(yáng)極設(shè)置在支撐條和封接邊的側(cè)面，因此，前、 后基板的表面均可涂敷熒光粉。電子由多孔硅陰極發(fā)射出來(lái)，向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)過(guò)程 中，與氣體原子發(fā)生碰撞，通過(guò)控制頂電極、陽(yáng)極與底電極間的電壓，使得發(fā) 射出的電子的能量高于氣體原子的激發(fā)能，但低于氣體原子的電離能，則這些 電子可直接激發(fā)氣體原子而不引起電離，從而產(chǎn)生VUV，射向前、后基板的VUV 均能有效地轉(zhuǎn)變?yōu)榘坠猓⑶疑湎蚝蠡宓陌坠庖材鼙粺晒夥巯碌姆瓷鋵臃瓷?到前基板方向。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的平面光源可提高光源的發(fā)光效率和 亮度。
因?yàn)楸景l(fā)明的平面光源的前基板上只有一層熒光粉，后基板上也只有反射 層和熒光粉，所以前、后基板的制作非常簡(jiǎn)單。根據(jù)本發(fā)明的平面光源的制造 方法，帶有多孔硅陰極和陽(yáng)極的支撐條和封接邊可在大面積的玻璃板或陶瓷片 上制備，然后按照一定的尺寸裁出大量的支撐條和封接邊，因此生產(chǎn)效率高，
7適合于平面光源的大批量生產(chǎn)。


圖1是本發(fā)明第一種實(shí)例的利用多孔硅彈道電子發(fā)射的平面光源的結(jié)構(gòu)示 意圖，其中，圖a是主視圖，圖b是俯視圖2是本發(fā)明第二種實(shí)例的利用多孔硅彈道電子發(fā)射的平面光源的結(jié)構(gòu)示 意圖，其中，圖a是主視圖，圖b是俯視圖3是本發(fā)明的一種實(shí)例的利用多孔硅彈道電子發(fā)射的平面光源中支撐條 上多孔硅陰極的制備方法示意圖。
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明內(nèi)容作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
具體實(shí)施例方式
按照?qǐng)D1所示，平面光源包括由玻璃材料制成的相隔一定距離的前基板1 和后基板2，在它們l、 2相對(duì)的兩個(gè)表面上均涂敷有熒光粉6、 7，在后基板2 的熒光粉層7下設(shè)有反射層14，前、后基板l、 2的四周有封接框以密封前、后 基板1、 2之間的空間，前、后基板1、 2間以一定的間隔設(shè)置一些相互平行的 支撐條13，在支撐條13的一個(gè)側(cè)面上制備底電極8、多孔硅膜9和頂電極10， 底電極8、多孔硅膜9和頂電極10三者構(gòu)成了可產(chǎn)生彈道電子發(fā)射的多孔硅陰 極，在另一個(gè)側(cè)面上制備陽(yáng)極ll，相鄰支撐條13的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上分別為多 孔硅陰極和陽(yáng)極11，在與支撐條13平行的兩條封接邊12的內(nèi)側(cè)面上制備多孔 硅陰極或陽(yáng)極11，相鄰的支撐條13及封接邊12的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上分別為多 孔硅陰極和陽(yáng)極11，相鄰的支撐條13之間或相鄰的支撐條13和封接邊12之間 按照3—25 mm的距離等間距設(shè)置，支撐條13從封接框的一側(cè)伸出，而與封接 框的另一側(cè)有l(wèi)一3mm的距離作為排氣和充氣通道。
按照?qǐng)D2所示，平面光源包括由玻璃材料制成的相隔一定距離的前基板1 和后基板2，在它們相對(duì)的兩個(gè)表面上均涂敷有熒光粉6、 7，在后基板2的熒 光粉層7下設(shè)有反射層14，前、后基板l、 2的四周有封接框以密封前、后基板1、 2之間的空間，前、后基板l、 2間以一定的間隔設(shè)置一些相互平行的支撐條 13，在一部分支撐條13的兩個(gè)側(cè)面上均制備底電極8、多孔硅膜9和頂電極10， 底電極8、多孔硅膜9和頂電極10三者構(gòu)成了可產(chǎn)生彈道電子發(fā)射的多孔硅陰 極，而在另一部分支撐條13的兩個(gè)側(cè)面上均制備陽(yáng)極11，這兩種支撐條13交 替放置，以使相鄰支撐條13的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上分別為多孔硅陰極和陽(yáng)極11， 在與支撐條13平行的兩條封接邊12的側(cè)面上制備多孔硅陰極或陽(yáng)極11，相鄰 的支撐條13和封接邊12的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上分別為多孔硅陰極和陽(yáng)極11，相 鄰的支撐條13之間或相鄰的支撐條13和封接邊12之間按照3—25 mm的距離 等間距設(shè)置，支撐條13從封接框的一側(cè)伸出，而與封接框的另一側(cè)有1—3mm 的距離作為排氣和充氣通道。
利用多孔硅彈道電子發(fā)射的平面光源的制作方法包括在前基板1上制作熒 光粉層6，在后基板2上制作反射層14，在反射層14上制作熒光粉層7，將用 作支撐條13的厚度為0.2—2 mm的薄基片的兩個(gè)側(cè)面上均制備多孔硅陰極或均 制備陽(yáng)極11，或者在一個(gè)側(cè)面上制備多孔硅陰極，而在另一個(gè)側(cè)面上制備陽(yáng)極 11，將用作封接框的薄基片的一個(gè)側(cè)面上制備多孔硅陰極或制備陽(yáng)極11，然后 將這些薄基片按照2—8mm的寬度裁成等寬的條，均勻放置在前、后基板1、 2 間的適當(dāng)位置，使得相互平行的相鄰的支撐條13或相鄰的支撐條13和封接邊 12的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上分別為多孔硅陰極和陽(yáng)極11。
按照?qǐng)D3所示，多孔硅陰極的制備方法為
(1) 在用作支撐條13或封接邊12的薄基片上制備底電極8:底電極8選 用A1、 W、 Cr、 Ni、 Mo等材料，并采用磁控濺射或電子束真空蒸發(fā)鍍膜工藝制 備；
(2) 在底電極8上制備多孔硅膜9:首先，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉 積法制備厚度為l一2pm的多晶硅膜；然后，采用陽(yáng)極氧化法對(duì)多晶硅膜進(jìn)行腐 蝕，制備出多孔硅膜，腐蝕液為由氫氟酸HF和乙醇配制的混合溶液；最后，將帶有多孔硅膜的薄基片放入H2S04溶液或H2S04溶液與其他酸溶液構(gòu)成的混合
液中，采用電化學(xué)氧化法對(duì)多孔硅膜進(jìn)行氧化。
(3)再在多孔硅膜9上制備頂電極10:頂電極10選用Au、 Pt等材料，并 采用磁控濺射或電子束真空蒸發(fā)鍍膜工藝制備，頂電極10的膜厚為5—20nm。
陽(yáng)極11采用氧化銦錫(ITO)、 Ag、 Al、 Cr、 Ni等材料，并采用磁控濺射 或電子束真空蒸發(fā)鍍膜工藝制備，或著采用絲網(wǎng)印刷Ag漿料結(jié)合燒結(jié)工藝制作。
熒光粉層6、 7采用印刷法、旋涂法或噴涂法制作，其中前基板l的熒光粉 層6較薄，厚度為6—20pm，后基板2上的熒光粉層7較厚，厚度為50—200|im， 平面光源內(nèi)部的氣體采用純氙氣Xe、純氪氣Kr，或者是含Xe或含Kr的惰性 混合氣體。
由于將多孔硅陰極和陽(yáng)極設(shè)置在支撐條和封接邊的側(cè)面，因此，前、后基 板的表面均可涂敷熒光粉。電子從多孔硅陰極發(fā)射出來(lái)，在向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)過(guò)程中 與氣體原子發(fā)生直接碰撞激發(fā)，從而產(chǎn)生VUV，射向前、后基板的VUV均能 轉(zhuǎn)變?yōu)榘坠?，并且射向后基板的白光也能被熒光粉下的反射層反射到前基板?向。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的平面光源可提高光源的發(fā)光效率和亮度。
根據(jù)本發(fā)明的平面光源的制造方法，帶有多孔硅陰極和陽(yáng)極的支撐條和封 接邊可在大面積的玻璃板或陶瓷片上制備，然后按照一定的尺寸裁出大量的支 撐條和封接邊，因此生產(chǎn)效率高，適合于平面光源的大批量生產(chǎn)。
雖然本發(fā)明以上述較佳的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作出了詳細(xì)的描述，但并非用上 述實(shí)施例來(lái)限定本發(fā)明。本發(fā)明的利用多孔硅彈道電子發(fā)射的平面光源及制造 方法不局限于上述幾種形式，只要是按照本發(fā)明的技術(shù)方案，采用在支撐條和 封接框的側(cè)面制備多孔硅陰極和陽(yáng)極，利用多孔硅膜的彈道電子發(fā)射以直接激 發(fā)氣體原子，從而達(dá)到提高平面光源的發(fā)光效率和亮度的目的，均屬于本發(fā)明 的保護(hù)范圍。
10
權(quán)利要求
1.一種利用多孔硅彈道電子發(fā)射的平面光源，包括由玻璃材料制成的相隔距離的前基板(1)和后基板(2)，在前、后基板(1、2)的相對(duì)的兩個(gè)表面上均涂敷有熒光粉(6、7)，前、后基板(1、2)的四周有封接框以密封前、后基板(1、2)之間的空間，其特征在于，前、后基板(1、2)之間設(shè)置有相互平行的若干支撐條(13)，在每個(gè)支撐條(13)的每個(gè)側(cè)面及與支撐條(13)平行的兩條封接邊(12)的內(nèi)側(cè)面上依次設(shè)置底電極(8)、多孔硅膜(9)和頂電極(10)，或設(shè)置有陽(yáng)極(11)，底電極(8)、多孔硅膜(9)和頂電極(10)三者構(gòu)成了產(chǎn)生彈道電子發(fā)射的多孔硅陰極。
2. 如權(quán)利要求1所述的平面光源，其特征在于，其中在所述支撐條(13)的一個(gè)側(cè)面上制備多孔硅陰極，在另一個(gè)側(cè)面上設(shè)置陽(yáng)極(ll)，相鄰支撐條(13)的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上分別為多孔硅陰極和陽(yáng)極(11)，在與支撐條(13)平行的兩條封接邊(12)的內(nèi)側(cè)面上設(shè)置多孔硅陰極或陽(yáng)極(11)，相鄰的支撐條(13)和封接邊(12)的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上分別為多孔硅陰極和陽(yáng)極(11)，相鄰的支撐條(13)之間及相鄰的支撐條(13)和封接邊(12)之間按照3—25mm的距離等間距設(shè)置。
3. 如權(quán)利要求1所述的平面光源，其特征在于，其中所述支撐條(13)中的一部分的兩個(gè)側(cè)面上均制備多孔硅陰極，另一部分支撐條(13)的兩個(gè)側(cè)面上均制備陽(yáng)極(11)，這兩種支撐條(13)交替放置，以使相鄰支撐條(13)的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上分別為多孔硅陰極和陽(yáng)極(11)，在與支撐條(13)平行的兩條封接邊(12)的側(cè)面上制備多孔硅陰極或陽(yáng)極(11)，相鄰的支撐條(13)和封接邊(12)的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上分別為多孔硅陰極和陽(yáng)極(11)，相鄰的支撐條(13)之間及相鄰的支撐條(13)和封接邊(12)之間按照3—25 mm的距離等間距設(shè)置。
4. 如權(quán)利要求1所述的平面光源，其特征在于，在其中所述后基板的熒光粉層(7)下設(shè)有反射層(14)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面光源，其特征在于，其中所述底電極(8)選用A1、 W、 Cr、 Ni或Mo材料，頂電極(10)選用Au或Pt材料，并采用磁控濺射或電子束真空蒸發(fā)鍍膜工藝制備，頂電極的膜厚為5—20nm。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面光源，其特征在于，其中所述陽(yáng)極(11)采用氧化銦錫(ITO)、 Ag、 Al、 Cr或Ni材料，并采用磁控濺射或電子束真空蒸發(fā)鍍膜工藝制備，或者采用絲網(wǎng)印刷Ag漿料結(jié)合燒結(jié)工藝制作。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面光源，其特征在于，其中所述熒光粉層(6、7)采用印刷法、旋涂法或噴涂法制作，其中前基板的熒光粉層(6)厚度為6一20)im，后基板上的熒光粉層(7)厚度為50—200pm，平面光源內(nèi)部的氣體采用純氙氣Xe或純氪氣Kr,或者是含Xe或含Kr的惰性混合氣體。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種利用多孔硅彈道電子發(fā)射的平面光源。所述平面光源在前基板和后基板上均制作熒光粉層，前、后基板間以一定的間隔設(shè)置一些相互平行的支撐條，在每個(gè)支撐條的兩個(gè)側(cè)面及封接框的兩條邊的內(nèi)側(cè)面上制備底電極、多孔硅膜和頂電極或陽(yáng)極，底電極、多孔硅膜和頂電極三者構(gòu)成了可產(chǎn)生彈道電子發(fā)射的多孔硅陰極，在前、后基板圍成的內(nèi)部空間充入惰性氣體。在所述平面光源的電極上施加適當(dāng)?shù)闹绷麟妷汉?，就?huì)由多孔硅膜向氣體空間發(fā)射電子，電子與惰性氣體原子發(fā)生碰撞激發(fā)，產(chǎn)生真空紫外線(VUV)以激發(fā)熒光粉發(fā)光。
文檔編號(hào)H01J63/06GK101661865SQ20091002396
公開(kāi)日2010年3月3日 申請(qǐng)日期2009年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月30日
發(fā)明者鵬 張, 胡文波, 宇 鄭 申請(qǐng)人:西安交通大學(xué)