專利名稱：一種高發(fā)光效率的led的封裝方法
一種高發(fā)光效率的LED的封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種照明設(shè)備的加工方法，尤其涉及一種高發(fā)光效率的LED的封裝方法。
背景技術(shù)：
目前應(yīng)用的將LED提高光效的方法有如下幾種1、改變芯片表面結(jié)構(gòu)，通過使芯 片表面粗糙化，利用光的折射效益來增加出光效率；2、利用熒光粉與芯片配波段來達(dá)到最 佳匹配，從而提高光效；3、通過芯片倒置安裝來提高光效。但上述幾種方法對光效雖有一定 的提高，但都不很明顯，因此需對現(xiàn)有工藝進(jìn)行改進(jìn)，以進(jìn)一步提高LED發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問題，在于提供一種高發(fā)光效率的LED的封裝方法，使LED發(fā) 光效率得到明顯提高。本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的一種高發(fā)光效率的LED的封裝方法，包括如下步驟步驟A、組裝底座；步驟B、固定芯片在底座的反光杯底部中央涂上一層絕緣膠，再粘上一回字形 LED芯片；步驟C、固化將絕緣膠烘干，以固定LED芯片；步驟D、置珠烘干將高折射玻璃珠通過硅樹脂混合形成膠體后置入回字形LED芯 片的內(nèi)、外兩側(cè)，并將含高折射玻璃珠的膠體烘干；步驟E、涂敷熒光粉涂上黃色光熒光粉，讓其與芯片所發(fā)藍(lán)光耦合，以形成白光；步驟F、再置珠將高折射玻璃珠通過硅樹脂混合形成膠體后置在熒光粉的上部， 并讓整個膠體就形成一個圓弧形狀，使LED芯片所發(fā)出的點光源變成面光源；步驟G、烘干成型將圓弧形狀的膠體烘干，封裝結(jié)束。其中所述回字形LED芯片的底部采用圖案襯底的方法制作出規(guī)則化圖案。步驟B中所涂的絕緣膠的厚度為10 lOOum。所述步驟D和步驟F中的高折射玻璃珠是折射率為1. 9 2. 1，細(xì)度為400 450 目的微珠，且該微珠與硅樹脂按1 2的質(zhì)量比混合。所述步驟D和步驟F中的置珠以及所述步驟50中的涂敷熒光粉均是通過自動自 動點膠機(jī)完成。所述步驟C中的固化是將固定好芯片的底座放入烤箱烘烤，烘烤時間為40 50 分鐘，溫度75 85°C。所述步驟D和步驟G中的烘烤溫度在120°C，時間為1. 5小時。所述步驟G中的烘干溫度為120°C，烘烤時間為1小時。所述底座包括一絕緣反光杯板、第一金屬散熱板以及第二金屬散熱板，所述絕緣反光杯板的底部設(shè)有兩上窄下寬的梯形凸棱，所述第一金屬散熱板與所述第二金屬散熱板 的頂面相對于所述梯形凸棱分別設(shè)有一上窄下寬的梯形凹槽，所述步驟A具體是將所述梯 形凸棱和梯形凹槽扣接以固定連接所述絕緣反光杯板、第一金屬散熱板與所述第二金屬散 熱板。本發(fā)明具有如下優(yōu)點采用回字形芯片，且其底部采用圖案襯底的方法制作出規(guī) 則化圖案，能將芯片內(nèi)部發(fā)出的光很好的利用出來，以提高光的取出效率，且LED芯片內(nèi)、 外側(cè)均置入高折射玻璃珠，使LED芯片內(nèi)部所產(chǎn)生的光通過高折射玻璃珠的折射取出，可 使芯片的光提取率增加15%以上。

下面參照附圖結(jié)合實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。圖1是本發(fā)明高發(fā)光效率的LED的封裝方法的工藝流程圖。圖2是本發(fā)明實施例一封裝成型時的整體結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是圖2的A-A剖視圖。圖4是本發(fā)明回字形芯片的底部結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本發(fā)明底座的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本發(fā)明實施例二、三封裝成型時的整體結(jié)構(gòu)示意圖。圖7是圖6的B-B剖視圖。
具體實施方式
實施例一、請參閱圖1至圖4所示，本實施例中高發(fā)光效率的LED的封裝方法，包括如下步 驟步驟Al、組裝底座本實施例的底座為普通的底座1，組裝底座1時具體是將附設(shè) 有反光杯110的絕緣反光杯板11與金屬電極注在一起，再將絕緣反光杯板11直接焊接在 背板12即鋁基板上。步驟Bi、固定芯片2 在底座的反光杯底部中央涂上一層厚度為IOum的絕緣膠，再 粘上一回字形LED芯片2，如圖4所示，為本發(fā)明回字形LED芯片2的結(jié)構(gòu)，其形狀類似一 個“回”字，中間21為空，其底部采用圖案襯底的方法制作出規(guī)則化圖案22。采用該回字形 LED芯片2，能將芯片內(nèi)部發(fā)出的光很好的利用出來，以提高光的取出效率。步驟Cl、固化是將固定好所述回字形LED芯片2的底座1放入烤箱烘烤，烘烤時 間為40分鐘，溫度85°C，以固定回字形LED芯片2。步驟Dl、置珠烘干將高折射玻璃珠通過硅樹脂混合形成膠體3后通過自動自動 點膠機(jī)置入回字形LED芯片2的內(nèi)、外兩側(cè)，并將含高折射玻璃珠的膠體3烘干；高折射玻 璃珠是折射率為1. 9 2. 1，細(xì)度為400 450目的微珠，這個范圍內(nèi)的微珠對于回型芯片 的光提取效果比較好，且該微珠與硅樹脂按1 2的質(zhì)量比混合，烘烤溫度為120°C，時間為 1. 5小時，置珠可使回字形LED芯片2內(nèi)部所產(chǎn)生的光通過高折射玻璃珠的折射取出，可使 回字形LED芯片2的光提取率增加。步驟E1、涂敷熒光粉4 通過自動自動點膠機(jī)或其它方式涂上黃色光的熒光粉4，讓其與回字形LED芯片2所發(fā)藍(lán)光耦合，以形成白光。步驟Fl、再置珠將高折射玻璃珠通過硅樹脂混合形成膠體5后置在熒光粉4的 上部，并讓整個膠體5就形成一個圓弧形狀，使回字形LED芯片2所發(fā)出的點光源變成面光 源；高折射玻璃珠是折射率為1. 9 21，細(xì)度為400 450目的微珠，且該微珠與硅樹脂按 1 2的質(zhì)量比混合，烘烤溫度在120°C，時間為1.5小時，再置珠的目的是進(jìn)一步使回字形 LED芯片2內(nèi)部所產(chǎn)生的光通過高折射玻璃珠的折射取出，進(jìn)一步增加回字形LED芯片2發(fā) 光的提取率。步驟G1、烘干成型將圓弧形狀的膠體5烘干，烘干溫度為120°C，烘烤時間為1小 時，最后如圖2所示，封裝結(jié)束。本實施例封裝而成的LED，其發(fā)光效率達(dá)到115LM/瓦以上。實施例二、本實施例為較佳實施例，請同時參閱圖1、圖3至圖5所示，本實施例中高發(fā)光效率 的LED的封裝方法，包括如下步驟步驟A2、組裝底座將附設(shè)有反光杯的絕緣反光杯板連接在金屬散熱板之上，本 實施例的底座為特殊的底座1’，如圖5所示，其包括一絕緣反光杯板11’、第一金屬散熱 板12’以及第二金屬散熱板13’，所述絕緣反光杯板11’的底部設(shè)有兩上窄下寬的梯形凸 棱110’，所述第一金屬散熱板12’與所述第二金屬散熱板13’的頂面相對于所述梯形凸 棱110’分別設(shè)有一上窄下寬的梯形凹槽120’(130’)，所述梯形凸棱110’和梯形凹槽 120’(130’)扣接以固定連接所述絕緣反光杯板11’、第一金屬散熱板12’與所述第二金屬 散熱板13’，這種采用扣接方式連接固定的底座1’不用焊接、不用背板，成本低，且反光效 果好，取光性能優(yōu)越。步驟B2、固定芯片在底座的反光杯底部中央涂上一層厚度為60um絕緣膠，再粘 上一如圖4所示的回字形LED芯片2，以提高光的取出效率。步驟C2、固化將絕緣膠烘干，以固定回字形LED芯片2 ；是將固定好回字形LED芯 片2的底座1，放入烤箱烘烤，烘烤時間為45分鐘，溫度80°C。步驟D2、置珠烘干將高折射玻璃珠通過硅樹脂混合形成膠體3后通過自動自動 點膠機(jī)置入回字形LED芯片2的內(nèi)、外兩側(cè)，并將含高折射玻璃珠的膠體3烘干；此處的高 折射玻璃珠是折射率為1. 9 21，細(xì)度為400 450目的微珠，且該微珠與硅樹脂按1 2 的質(zhì)量比混合，烘烤溫度在120°C，時間為1.5小時，置珠可使回字形LED芯片2內(nèi)部所產(chǎn)生 的光通過高折射玻璃珠的折射取出，并使回字形LED芯片2的光提取率增加。步驟E2、涂敷熒光粉4 通過自動自動點膠機(jī)涂上黃色光熒光粉4，讓其與回字形 LED芯片2所發(fā)藍(lán)光耦合，以形成白光。步驟F2、再置珠將高折射玻璃珠通過硅樹脂混合形成膠體5后置在熒光粉4的 上部，并讓整個膠體5就形成一個圓弧形狀，使回字形LED芯片2所發(fā)出的點光源變成面光 源；高折射玻璃珠是折射率為1. 9 21，細(xì)度為400 450目的微珠，且該微珠與硅樹脂按 1 2的質(zhì)量比混合，烘烤溫度在120°C，時間為1.5小時，使回字形LED芯片2內(nèi)部所產(chǎn)生 的光通過高折射玻璃珠的折射取出，可使回字形LED芯片2的光提取率增加15%以上。步驟G2、烘干成型將圓弧形狀的膠體5烘干，烘干溫度為120°C，烘烤時間為1小 時，最后如圖5所示，封裝結(jié)束。
本實施例封裝而成的LED，其發(fā)光效率達(dá)到135LM/瓦以上。實施例三、仍請同時參閱圖1、圖3至圖5所示，本實施例中高發(fā)光效率的LED的封裝方法，包 括如下步驟步驟A3、組裝底座1’ 同實施例二，不再贅述。步驟B3、固定芯片在底座1’的反光杯底部中央涂上一層厚度為IOOum絕緣膠， 再粘上一如圖4所示的回字形LED芯片2，以提高光的取出效率。步驟C3、固化將絕緣膠烘干，以固定LED芯片2 ；是將固定好芯片的底座1’放入 烤箱烘烤，烘烤時間為50分鐘，溫度75°C。接下來的步驟同實施例二，不再贅述。本實施例封裝而成的LED，其發(fā)光效率達(dá)到130LM/瓦以上。綜上所述，利用本發(fā)明方法封裝而成的LED，其發(fā)光效率得到了極大的提高。
權(quán)利要求
一種高發(fā)光效率的LED的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟步驟A、組裝底座；步驟B、固定芯片在底座的反光杯底部中央涂上一層絕緣膠，再粘上一回字形LED芯片；步驟C、固化將絕緣膠烘干，以固定回字形LED芯片；步驟D、置珠烘干將高折射玻璃珠通過硅樹脂混合形成膠體后置入回字形回字形LED芯片的內(nèi)、外兩側(cè)，并將含高折射玻璃珠的膠體烘干；步驟E、涂敷熒光粉涂上黃色光熒光粉，讓其與芯片所發(fā)藍(lán)光耦合，以形成白光；步驟F、再置珠將高折射玻璃珠通過硅樹脂混合形成膠體后置在熒光粉的上部，并讓整個膠體就形成一個圓弧形狀，使回字形LED芯片所發(fā)出的點光源變成面光源；步驟G、烘干成型將圓弧形狀的膠體烘干，封裝結(jié)束。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高發(fā)光效率的LED的封裝方法，其特征在于所述回字 形LED芯片的底部采用圖案襯底的方法制作出規(guī)則化圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高發(fā)光效率的LED的封裝方法，其特征在于所述步驟B 中所涂的絕緣膠的厚度為10 lOOum。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高發(fā)光效率的LED的封裝方法，其特征在于所述步驟D 和步驟F中的高折射玻璃珠是折射率為1. 9 2. 1，細(xì)度為400 450目的微珠，且該微珠 與硅樹脂是按12的質(zhì)量比混合。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高發(fā)光效率的LED的封裝方法，其特征在于所述步驟D 和步驟F中的置珠以及所述步驟50中的涂敷熒光粉均是通過自動自動點膠機(jī)完成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高發(fā)光效率的LED的封裝方法，其特征在于所述步驟C 中的固化是將固定好芯片的底座放入烤箱烘烤，烘烤時間為40 50分鐘，溫度75 85°C。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高發(fā)光效率的LED的封裝方法，其特征在于所述步驟D 和步驟F中的烘烤溫度在120°C，時間為1. 5小時。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高發(fā)光效率的LED的封裝方法，其特征在于所述步驟G 中的烘干溫度為120°C，烘烤時間為1小時。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高發(fā)光效率的LED的封裝方法，其特征在于所述底座 包括一絕緣反光杯板、第一金屬散熱板以及第二金屬散熱板，所述絕緣反光杯板的底部設(shè) 有兩上窄下寬的梯形凸棱，所述第一金屬散熱板與所述第二金屬散熱板的頂面相對于所述 梯形凸棱分別設(shè)有一上窄下寬的梯形凹槽，所述步驟A具體是將所述梯形凸棱和梯形凹槽 扣接以固定連接所述絕緣反光杯板、第一金屬散熱板與所述第二金屬散熱板。全文摘要
本發(fā)明提供了一種高發(fā)光效率的LED的封裝方法，屬于照明設(shè)備的加工領(lǐng)域，其包括如下步驟組裝底座、固定芯片、固化、置珠烘干、涂敷熒光粉、再置珠、烘干成型，至此封裝結(jié)束。其底座和芯片采用特殊結(jié)構(gòu)，再置入高折射玻璃珠，能將芯片內(nèi)部發(fā)出的光很好的利用出來，在很大程度上提高了LED的發(fā)光效率。
文檔編號F21Y101/02GK101907273SQ20091011192
公開日2010年12月8日 申請日期2009年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月8日
發(fā)明者何文銘 申請人:吳丹鳳