專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明是有關于一種半導體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，且特別是有關于一種發(fā)光二 極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產(chǎn)生及低功率消耗等優(yōu)點， 因此已被廣泛應用于家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發(fā)光二極管已朝多色彩 及高亮度發(fā)展，因此其應用領域已擴展至大型戶外廣告牌、交通號志燈及相關領域。在未 來，發(fā)光二極管甚至可能成為兼具省電及環(huán)保功能的主要照明光源。圖1為公知的一種表面黏著型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參考 圖1，表面黏著型(surface mount device, SMD)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1包括一承載器 (carrier) 10、一發(fā)光二極管芯片(LED chip) 20、一殼體(casing)30以及一封裝膠體 (molding compound) 400發(fā)光二極管芯片20配置于承載器10上，且位于承載器10與殼體 30所構(gòu)成的一凹穴C內(nèi)，其中發(fā)光二極管芯片20通過一焊線50與承載器10電性連接。封 裝膠體40摻有一熒光材料42，且封裝膠體40填入于凹穴C內(nèi)，以包覆發(fā)光二極管芯片20 以及焊線50，其中暴露于封裝膠體40外的承載器10為外部電極E1，用以作為發(fā)光二極管 封裝結(jié)構(gòu)1與外界電性連接的媒介。公知由于發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1’是采用大量生產(chǎn)的方式來制作，因此會先將封裝 膠體40填入于每一凹穴C內(nèi)，之后再同時進行一烘烤過程來使封裝膠體40固化，以完成發(fā) 光二極管封裝結(jié)構(gòu)1’。然而，由于封裝膠體40內(nèi)具有熒光材料42，于等待烘烤的過程(約 一天左右)中，熒光材料42會因封裝膠體40所填入于凹穴C內(nèi)的時間太長而沉降或填膠 時間先后的不同，而使得熒光材料42產(chǎn)生分布不均的現(xiàn)象(即大部份熒光材料42沉降于 凹穴C的底面或芯片表面)，僅有一小部份熒光材料42零星地分布于封裝膠體40內(nèi)，進而 影響所生產(chǎn)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1’的出光均勻度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，用以改善封裝膠體 中熒光材料分布不均的問題，以提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光均勻度。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，首先，提供一承 載器及一發(fā)光二極管芯片。發(fā)光二極管芯片配置于承載器上，且發(fā)光二極管芯片位于一凹 穴內(nèi)。接著，填入一第一封裝膠體于凹穴內(nèi)。第一封裝膠體覆蓋發(fā)光二極管芯片，且第一封 裝膠體內(nèi)摻有一熒光材料。進行一第一烘烤步驟，以使第一封裝膠體呈半固化態(tài)。之后，填 入一第二封裝膠體于芯片容置空間內(nèi)，且第二封裝膠體覆蓋于第一封裝膠體上。在本發(fā)明的一實施例中，上述承載器包括一電路板或一導線架。在本發(fā)明的一實施例中，上述進行第一烘烤步驟以使第一封裝膠體呈半固化態(tài)的 溫度介于80°C至90°C之間，且時間介于5分鐘至10分鐘。
在本發(fā)明的一實施例中，上述進行第一烘烤步驟以使第一封裝膠體呈半固化態(tài)的 溫度介于80°C至100°C之間，且時間介于20分鐘至30分鐘。在本發(fā)明的一實施例中，上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括進行一第 二烘烤步驟，以固化第一封裝膠體及第二封裝膠體。在本發(fā)明的一實施例中，上述于填入第一封裝膠體于凹穴內(nèi)之前，還包括形成至 少一焊線。發(fā)光二極管芯片通過焊線與承載器電性連接。本發(fā)明提出的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一承載器、一發(fā)光二極管芯片、一第一 封裝膠體以及一第二封裝膠體。承載器具有一凹穴。發(fā)光二極管芯片配置于承載器上，且 容置于凹穴內(nèi)。第一封裝膠體配置于凹穴內(nèi)，且覆蓋發(fā)光二極管芯片，其中第一封裝膠體內(nèi) 摻有一熒光材料。第二封裝膠體配置于凹穴內(nèi)，且覆蓋于第一封裝膠體上。在本發(fā)明的一實施例中，上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)還包括一殼體。殼體配置于承 載器上，且覆蓋部份承載器，其中殼體與承載器構(gòu)成凹穴。在本發(fā)明的一實施例中，上述發(fā)光二極管芯片包括藍光發(fā)光二極管芯片、紅光發(fā) 光二極管芯片、綠光發(fā)光二極管芯片或紫外光發(fā)光二極管芯片，熒光材料包括黃色熒光粉、 紅色熒光粉、綠色熒光粉、藍色熒光粉或釔鋁石榴 石熒光粉。在本發(fā)明的一實施例中，上述第一封裝膠體的材質(zhì)包括甲基系硅膠、乙基系硅膠 或環(huán)苯系硅膠，第二封裝膠體的材質(zhì)包括甲基系硅膠、乙基系硅膠或環(huán)苯系硅膠。在本發(fā)明的一實施例中，上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還包括至少一焊線，發(fā)光二極 管芯片通過焊線與承載器電性連接。本發(fā)明提出的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一承載器、一發(fā)光二極管芯片、一第一 封裝膠體、一第二封裝膠體以及一封裝殼體。承載器具有一凹穴、一第一引腳及一第二引 腳。發(fā)光二極管芯片配置于承載器上，且位于凹穴內(nèi)。第一封裝膠體配置于凹穴內(nèi)，且覆蓋 發(fā)光二極管芯片，其中第一封裝膠體內(nèi)摻有一熒光材料。第二封裝膠體配置于凹穴內(nèi)，且覆 蓋于第一封裝膠體上。封裝殼體包覆承載器，并顯露出第一引腳與第二引腳。在本發(fā)明的一實施例中，上述承載器包括一導線腳架。在本發(fā)明的一實施例中，上述第一封裝膠體的材質(zhì)包括甲基系硅膠、乙基系硅膠 或環(huán)苯系硅膠，第二封裝膠體的材質(zhì)包括甲基系硅膠、乙基系硅膠或環(huán)苯系硅膠。在本發(fā)明的一實施例中，上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，還包括至少一焊線，發(fā)光二極 管芯片通過焊線與承載器電性連接?；谏鲜?，本發(fā)明因采用兩次填膠工藝，且于兩次填膠工藝中加入烘烤步驟，來使 所填入之第一封裝膠體內(nèi)的熒光材料不易沉淀于凹穴的底面及芯片的表面，并均勻分布于 第一封裝膠體中。因此，當發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的光經(jīng)過第一封裝膠體、第二封裝膠體而 傳遞至外界時，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)能具有較佳的出光均勻度。


圖1為公知一種表面黏著型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2為本發(fā)明一實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖3為本發(fā)明另一實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖4A至圖4C為本發(fā)明一實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖。附圖中主要組件符號說明1 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)10 承載器20 發(fā)光二極管芯片30 殼體40:封裝膠體42 熒光材料100、200 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)110、210:承載器120,220 發(fā)光二極管芯片130,230 第一封裝膠體132,232 熒光材料140,240 第二封裝膠體150 殼體160,262,264 焊線212:第一引腳214:第二引腳250 封裝殼體C、C1、C2:凹穴E1、E2:外部電極
具體實施例方式為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，以下特舉實施例，并配 合附圖作詳細說明。圖2為本發(fā)明一實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參考圖2，在 本實施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100包括一承載器110、一發(fā)光二極管芯片120、一第一封 裝膠體130、一第二封裝膠體140以及一殼體150。特別是，本實施例之發(fā)光二極管封裝結(jié) 構(gòu)100為一表面黏著型(SMD)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100。詳細而言，殼體150配置于承載器110上并覆蓋部份承載器110，其中殼體150與 承載器110構(gòu)成一凹穴Cl。發(fā)光二極管芯片120配置于承載器110上且容置于凹穴Cl內(nèi)， 以發(fā)射出一光線，其中發(fā)光二極管芯片120通過至少一焊線160(圖2中僅示意地顯示一 條)與承載器110電性連接。在本實施例中，承載器110例如是一電路板，且發(fā)光二極管芯 片120包括藍光發(fā)光二極管芯片、紅光發(fā)光二極管芯片、綠光發(fā)光二極管芯片或紫外光發(fā) 光二極管芯片。第一封裝膠體130配置于凹穴Cl內(nèi)，且覆蓋發(fā)光二極管芯片120與部份焊線160， 其中第一封裝膠體130內(nèi)摻有一熒光材料132，且熒光材料132均勻分布于第一封裝膠體 130內(nèi)。在本實施例中，第一封裝膠體130的材質(zhì)包括甲基系硅膠、乙基系硅膠或環(huán)苯系硅 膠，而熒光材料132包括黃色熒光粉、紅色熒光粉、綠色熒光粉、藍色熒光粉或釔鋁石榴石熒光粉(YAG)。第二封裝膠體140配置于凹穴Cl內(nèi)，且覆蓋于第一封裝膠體130上，其中第一封 裝膠體130與第二封裝膠體140的功用為保護發(fā)光二極管芯片120與焊線160，以避免受到 外界溫度、濕氣與噪聲的影響。在本實施例中，第二封裝膠體140的材質(zhì)包括甲基系硅膠、 乙基系硅膠或環(huán)苯系硅膠。舉例來說，由于白光是一種多顏色的混合光，人眼所見的白光至少是由兩種以上 波長的色光所形成，例如藍色光與黃色光所混合而獲得的二波長白光，或是由紅色光、綠色 光及藍色光所混合而獲得的三波長白光，因此當本實施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100為一 白光型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)時，發(fā)光二極管芯片120為一藍色發(fā)光二極管芯片，且其所搭 配的第一封裝膠體130內(nèi)的熒光材 料132為黃色熒光粉，其中藍光發(fā)光二極管芯片所發(fā)出 的藍光波長介于440納米(nm)及490納米(nm)之間，而黃色熒光粉受到藍光照射之后，可 發(fā)出黃色的熒光，當黃色熒光粉與原有的藍光混光后，即得到所謂的二波長白光。當然，發(fā)光二極管芯片120亦可以是紫外光發(fā)光二極管芯片，且其所搭配的熒光 材料132為紅色熒光粉、綠色熒光粉以及藍色熒光粉，其中紫外光的波長介于380納米(nm) 及450納米(nm)之間，當紅色熒光粉、綠色熒光粉及藍色熒光粉分別受到紫外光照射后，會 分別發(fā)出紅光、綠光及藍光，而紅光、綠光及藍光經(jīng)相互混合后即形成所謂的三波長白光。值得一提的是，在本實施例中，殼體150與承載器110為一體成型的結(jié)構(gòu)，當然，于 其它實施例中，殼體150與承載器110亦可以個別成型。此外，暴露于第一封裝膠體130與 第二封裝膠體140外的承載器110為外部電極E2，用以作為發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100與外 界電性連接的媒介。簡言之，發(fā)光二極管芯片120所發(fā)出的色光會依序經(jīng)由第一封裝膠體130、第二封 裝膠體140而傳遞至外界，在此過程中，發(fā)光二極管芯片120所發(fā)出的色光會照射到熒光材 料132，以激發(fā)熒光材料132發(fā)出色光并與發(fā)光二極管芯片120所發(fā)出的色光相混合。由于 本實施例的熒光材料132是均勻分散于第一封裝膠體130中，因此熒光材料132所發(fā)出的 色光與發(fā)光二極管芯片120所發(fā)出的色光相混合后的色光均勻度較佳，也就是說，混合后 的色光通過第二封裝膠體140而傳遞外界時，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100所呈現(xiàn)的色光均勻 度較佳。換言之，本實施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100具有較佳的出光均勻度。圖3為本發(fā)明另一實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請參考圖3， 在本實施例中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200包括一承載器210、一發(fā)光二極管芯片220、一第一 封裝膠體230、一第二封裝膠體240以及一封裝殼體250。特別是，本實施例的發(fā)光二極管 封裝結(jié)構(gòu)200為一引腳貫穿型(Pin Through Hole, PTH)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200。詳細而言，承載器210具有一凹穴C2、一第一引腳212及一第二引腳214。發(fā)光二 極管芯片220配置于承載器210上且位于凹穴C2內(nèi)，其中發(fā)光二極管芯片220通過二焊線 262、264與承載器210電性連接。在本實施例中，承載器210包括一導線腳架。發(fā)光二極管 芯片220包括藍光發(fā)光二極管芯片、紅光發(fā)光二極管芯片、綠光發(fā)光二極管芯片或紫外光 發(fā)光二極管芯片。第一封裝膠體230配置于凹穴C2內(nèi)，且覆蓋發(fā)光二極管芯片220與部份這些焊線 262、264，其中第一封裝膠體230內(nèi)摻有一熒光材料232，且熒光材料232均勻分布于第一封 裝膠體230內(nèi)。在本實施例中，第一封裝膠體230的材質(zhì)包括甲基系硅膠、乙基系硅膠或環(huán)苯系硅膠，而熒光材料232包括黃色熒光粉、紅色熒光粉、綠色熒光粉、藍色熒光粉或釔鋁 石榴石熒光粉(YAG)。第二封裝膠體240配置于凹穴C2內(nèi)，且覆蓋于第一封裝膠體230上，其中第一封 裝膠體230與第二封裝膠體240的功用為保護發(fā)光二極管芯片220，以避免受到外界溫度、 濕氣與噪聲的影響。在本實施例中，第二封裝膠體240的材質(zhì)包括甲基系硅膠、乙基系硅膠 或環(huán)苯系硅膠。封裝殼體250包覆承載器210，并顯露出第一引腳212與第二引腳214，其中封裝 殼體250的功用為保護承載器210以及承載器上210的發(fā)光二極管芯片220與這些焊線 262,264,以避免受到外界溫度、濕氣與噪聲的影響。在本實施例中，封裝殼體250材質(zhì)例如 是一透光材質(zhì)。舉例來說，由于白光是一種多顏色的混合光，人眼所見的白光至少是由兩種以上 波長的色光所形成，例如藍色光與黃色光所混合而獲得的二波長白光，或是由紅色光、綠色 光及藍色光所混合而獲得的三波長白光，因此當本實施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200為一 白光型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)時，發(fā)光二極管芯片220為一藍色發(fā)光二極管芯片，且其所搭 配的第一封裝膠體230內(nèi)的熒光材料232為黃色熒光粉，其中藍光發(fā)光二極管芯片所發(fā)出 的藍光波長介于440納米(nm)及490納米(nm)之間，而黃色熒光粉受到藍光照射之后，可 發(fā)出黃色的熒光，當黃色熒光粉與原有的藍光混光后，即得到所謂的二波長白光。當然，發(fā)光二極管芯片220亦可以是紫外光發(fā)光二極管芯片，且其所搭配的熒光 材料232為紅色熒光粉、綠色熒光粉以及藍色熒光粉，其中紫外光的波長介于380納米(nm) 及450納米(nm)之間，當紅色熒光粉、綠色熒光粉及藍色熒光粉分別受到紫外光照射后，會 分別發(fā)出紅光、綠光及藍光，而紅光、綠光及藍光經(jīng)相互混合后即形成所謂的三波長白光。簡言之，發(fā)光二極管芯片220所發(fā)出的色光會依序經(jīng)由第一封裝膠體230、第二封 裝膠體240、封裝殼體250而傳遞至外界，在此過程中，發(fā)光二極管芯片220所發(fā)出的色光會 照射到熒光材料232，以激發(fā)熒光材料232發(fā)出色光并與發(fā)光二極管芯片220所發(fā)出的色 光相混合。由于本實施例的熒光材料232是均勻分散于第一封裝膠體230中，因此熒光材 料232所發(fā)出的色光與發(fā)光二極管芯片220所發(fā)出的色光相混合后的色光均勻度較佳，也 就是說，混合后的色光通過第二封裝膠體240、封裝殼體250而傳遞外界時，發(fā)光二極管封 裝結(jié)構(gòu)200所呈現(xiàn)的色光均勻度較佳。換言之，本實施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200具有 較佳的出光均勻度。以上僅介紹本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100、200，并未介紹本發(fā)明的發(fā)光二極 管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法。對此，以下將以圖2中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100作為舉例說明， 并配合圖4A至圖4C對本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法進行詳細的說明。圖4A至圖4C為本發(fā)明一實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示 意圖。依照本實施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，首先，提供一承載器110及一發(fā)光 二極管芯片120。詳細而言，發(fā)光二極管芯片120配置于承載器110上，且位于一凹穴Cl內(nèi)，其中發(fā) 光二極管芯片120通過至少一焊線160 (圖4A中僅示意地顯示一條)與承載器110電性連 接。在本實施例中，承載器110包括一電路板或一導線架(未繪示)。發(fā)光二極管芯片120 包括藍光發(fā)光二極管芯片、紅光發(fā)光二極管芯片、綠光發(fā)光二極管芯片或紫外光發(fā)光二極管芯片。請參考圖4B，接著，填入一第一封裝膠體130于凹穴Cl內(nèi)，其中，第一封裝膠體 130覆蓋發(fā)光二極管芯片120，且第一封裝膠體130內(nèi)摻有一熒光材料132。在本實施例中， 第一封裝膠體130的材質(zhì)包括甲基系硅膠、乙基系硅膠或環(huán)苯系硅膠，而熒光材料132包括 黃色熒光粉、紅色熒光粉、綠色熒光粉、藍色熒光粉或釔鋁石榴石熒光粉(YAG)。接著，進行一第一烘烤步驟，以使第一封裝膠體130呈半固化態(tài)。詳細而言，本實施例所進行的第一烘烤步驟為一低溫短烤工藝，其中烘烤時間與烘烤溫度皆由第一封裝膠 體130所選用的材質(zhì)有關。舉例來說，當?shù)谝环庋b膠體130的材質(zhì)為甲基系硅膠或乙基系 硅膠時，進行烘烤步驟以使第一封裝膠體130呈半固化態(tài)的溫度介于80°C至90°C之間，且 時間介于5分鐘至10分鐘。當?shù)谝环庋b膠體130的材質(zhì)為環(huán)苯系硅膠時，進行烘烤步驟以 使第一封裝膠體130呈半固化態(tài)的溫度介于80°C至100°C之間，且時間介于20分鐘至30 分鐘。請參考圖4C，之后，填入一第二封裝膠體140于芯片容置空間Cl內(nèi)，且第二封裝膠 體140覆蓋于第一封裝膠體130上，其中第一封裝膠體130與第二封裝膠體140的功用為 保護發(fā)光二極管芯片120與焊線160，以避免受到外界溫度、濕氣與噪聲的影響。在本實例 中，第二封裝膠體140為高透光性的膠體，其材質(zhì)包括甲基系硅膠、乙基系硅膠或環(huán)苯系硅 膠。此外，在另一個未繪示的實施例中，第二封裝膠體140亦可摻入熒光材料，并可于填入 凹穴Cl之后，進行烘烤(低溫短烤)工藝，使得熒光材料不至于沉降，以提高出光均勻度。詳細而言，在本實施例中，由于在填入第一封裝膠體130于凹穴Cl之后，隨即進行 第一烘烤步驟以使第一封裝膠體130呈現(xiàn)半固化態(tài)，因此當填入第二封裝膠體140于凹穴 Cl內(nèi)，并覆蓋第一封裝膠體130時，半固化態(tài)的第一封裝膠體130與第二封裝膠體140之間 具有良好的接著性。此外，在此過程中，第一封裝膠體130折射率例如為1. 5，可提高發(fā)光二 極管封裝結(jié)構(gòu)100于發(fā)光二極管芯片120與熒光材料132混光后的出光效率，而第二封裝 膠體140的折射率例如是1. 4，可增加發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100的耐磨性。至此，發(fā)光二極 管封裝結(jié)構(gòu)100已由發(fā)光二極管封裝方法來完成。值得一提的是，在本實施例中，殼體150與承載器110為一體成型的結(jié)構(gòu)，當然，于 其它實施例中，殼體150與承載器110亦可以個別單獨的結(jié)構(gòu)。另外，暴露于第一封裝膠體 130與第二封裝膠體140外的承載器110為外部電極E2，用以作為發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100 與外界電性連接的媒介。此外，當完成第一烘烤步驟之后，第一封裝膠體130與第二封裝膠 體140還可同時進行一第二烘烤步驟，意即為一光固化步驟，例如以紫外光照射半固化態(tài) 的第一封裝膠體130與第二封裝膠體140 (其材質(zhì)可為光固化膠)，使其產(chǎn)生光化學反應而 完全固化。簡言之，由于本實施例的發(fā)光二極管封裝方法是采用兩次填膠工藝，并于兩次填 膠工藝中加入第一烘烤步驟，以使得所填入凹穴Cl內(nèi)的第一封裝膠體130呈半固化態(tài)，因 此第一封裝膠體130內(nèi)的熒光材料132不易沉淀于凹穴Cl的底面，可均勻分布于第一封裝 膠體130中，以增加工藝穩(wěn)定性。當發(fā)光二極管芯片120所發(fā)出的光照射到熒光材料132， 以激發(fā)熒光材料132發(fā)出色光并與發(fā)光二極管芯片120所發(fā)出的色光混合后，經(jīng)由第二封 裝膠體140而傳遞至外界時，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100所呈現(xiàn)的色光均勻度較佳。換言之， 本實施例的發(fā)光二極管封裝方法所制作的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100具有較佳的出光均勻度。綜上所述，由于本發(fā)明因采用兩次填膠工藝，并于兩次填膠工藝中加入烘烤步驟， 來使所填入的第一封裝膠體呈現(xiàn)半固化態(tài)，因此第一封裝膠體內(nèi)的熒光材料不易沉淀于凹 穴的底面，可均勻分布于第一封裝膠體中，以增加工藝穩(wěn)定性。此外，半固化態(tài)的第一封裝 膠體與第二封裝膠體之間也就具有良好的接著性。故當發(fā)光二極管芯片所發(fā)出的色光經(jīng)過 第一封裝膠體、第二封裝膠體而傳遞至外界時，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)能具有較佳 的出光均勻度。雖然本發(fā)明已以實施例描述如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領 域技術(shù)人員在 不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許之更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍應當以申 請的權(quán)利要求范圍所界定的內(nèi)容為準。
權(quán)利要求
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供一承載器及一發(fā)光二極管芯片，該發(fā)光二極管芯片配置于該承載器上，且該發(fā)光二極管芯片位于一凹穴內(nèi)；填入一第一封裝膠體于該凹穴內(nèi)，該第一封裝膠體覆蓋該發(fā)光二極管芯片，且該第一封裝膠體內(nèi)摻有一熒光材料；進行一第一烘烤步驟，以使該第一封裝膠體呈半固化態(tài)；以及填入一第二封裝膠體于該芯片容置空間內(nèi)，且該第二封裝膠體覆蓋于該第一封裝膠體上。
2.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，該承載器包括一電路板 或一導線架。
3.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，進行該第一烘烤步驟以 使該第一封裝膠體呈半固化態(tài)的溫度介于80°C至90°C之間，且時間介于5分鐘至10分鐘。
4.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，進行該第一烘烤步驟以 使該第一封裝膠體呈半固化態(tài)的溫度介于80°C至100°C之間，且時間介于20分鐘至30分鐘。
5.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，包括進行一第二烘烤步 驟，以固化該第一封裝膠體及該第二封裝膠體。
6.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，于填入該第一封裝膠體 于該凹穴內(nèi)之前，包括形成至少一焊線，該發(fā)光二極管芯片通過該焊線與該承載器電性連接。
7.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括 一承載器，具有一凹穴；一發(fā)光二極管芯片，配置于該承載器上，且容置于該凹穴內(nèi)；一第一封裝膠體，配置于該凹穴內(nèi)，且覆蓋該發(fā)光二極管芯片，其中該第一封裝膠體內(nèi) 摻有一熒光材料；以及一第二封裝膠體，配置于該凹穴內(nèi)，且覆蓋于該第一封裝膠體上。
8.如權(quán)利要求7所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中，包括一殼體，配置于該承載器上，且 覆蓋部份該承載器，其中該殼體與該承載器構(gòu)成該凹穴。
9.如權(quán)利要求7所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中，該發(fā)光二極管芯片包括藍光發(fā)光二 極管芯片、紅光發(fā)光二極管芯片、綠光發(fā)光二極管芯片或紫外光發(fā)光二極管芯片，該熒光材 料包括黃色熒光粉、紅色熒光粉、綠色熒光粉、藍色熒光粉或釔鋁石榴石熒光粉。
10.如權(quán)利要求7所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中，該第一封裝膠體的材質(zhì)包括甲基系 硅膠、乙基系硅膠或環(huán)苯系硅膠，該第二封裝膠體的材質(zhì)包括甲基系硅膠、乙基系硅膠或環(huán) 苯系硅膠。
11.如權(quán)利要求7所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中，包括至少一焊線，該發(fā)光二極管芯 片通過該焊線與該承載器電性連接。
12.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括一承載器，具有一凹穴、一第一引腳及一第二引腳； 一發(fā)光二極管芯片，配置于該承載器上，且位于該凹穴內(nèi)；一第一封裝膠體，配置于該凹穴內(nèi)，且覆蓋該發(fā)光二極管芯片，其中該第一封裝膠體內(nèi) 摻有一熒光材料；一第二封裝膠體，配置于該凹穴內(nèi)，且覆蓋于該第一封裝膠體上；以及 一封裝殼體，包覆該承載器，并顯露出該第一引腳與該第二引腳。
13.如權(quán)利要求12所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中，該承載器包括一導線腳架。
14.如權(quán)利要求12所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中，該第一封裝膠體的材質(zhì)包括甲基 系硅膠、乙基系硅膠或環(huán)苯系硅膠，該第二封裝膠體的材質(zhì)包括甲基系硅膠、乙基系硅膠或 環(huán)苯系硅膠。
15.如權(quán)利要求12所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中，包括至少一焊線，該發(fā)光二極管芯 片通過該焊線與該承載器電性連接。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法。首先，提供一承載器及一發(fā)光二極管芯片。發(fā)光二極管芯片配置于承載器上，且發(fā)光二極管芯片位于一凹穴內(nèi)。接著，填入一第一封裝膠體于凹穴內(nèi)。第一封裝膠體覆蓋發(fā)光二極管芯片，且第一封裝膠體內(nèi)摻有一熒光材料。進行一第一烘烤步驟，以使第一封裝膠體呈半固化態(tài)。之后，填入一第二封裝膠體于凹穴內(nèi)，且第二封裝膠體覆蓋于第一封裝膠體上。
文檔編號F21Y101/02GK101834235SQ200910126510
公開日2010年9月15日 申請日期2009年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月10日
發(fā)明者辛嘉芬 申請人:億光電子工業(yè)股份有限公司