專利名稱：發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，特別涉及一種發(fā)光二極管的電路整合于散熱基板的結構。
背景技術：
目前，發(fā)光二極管由于具有體積小、耗電低、壽命長、反應時間快及極佳指向性等 優(yōu)點，目前已廣泛使用于家電、電腦及通訊產(chǎn)品上。一般而言，欲達到高亮度的目的需要提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率，以及允許最大 電流注入量；然而最大電注入量的影響因素包含發(fā)光二極管本身的電阻及發(fā)光二極管晶粒 承載基板的散熱能力，不良的散熱能力將限制最大電流注入允許量，這是由于發(fā)光二極管 其封裝材料及透鏡材料的玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Glass Translation Temperature)并不高，且發(fā) 光二極管的效率會隨著溫度的上升而降低，因此發(fā)光二極管的工作溫度必須加以控制。TW專利證號243788，專利名稱發(fā)光元件的散熱構造，其所揭示的一種發(fā)光元件 的散熱構造，包括一金屬材質(zhì)的散熱基板；一印刷電路板，所述印刷電路板、散熱基板間 由導熱膠上、下粘著結合在一起，所述印刷電路板上設有至少一個與所述散熱基板相通的 開口，所述印刷電路板表面導電銅層上蝕刻有電路；至少一發(fā)光晶片，分別安裝于這些開口 中，各所述發(fā)光晶片底部通過導熱膠粘著于所述散熱基板的表面上，令發(fā)光晶片所產(chǎn)生的 熱量可傳導至所述散熱基板上，各所述發(fā)光晶片的接腳連接于所述印刷電路板的電路上， 這些開口中填充有絕緣環(huán)氧化物，以包覆所述發(fā)光晶片，避免電氣短路；通過所述散熱基板 可聚集及散發(fā)這些發(fā)光晶片所產(chǎn)生的熱量，令這些發(fā)光晶片于發(fā)光時，可維持于安全溫度 的范圍內(nèi)。所以若需要連接驅(qū)動晶片則需要再另接一外部電路板。如果直接將發(fā)光二極管晶片連接于印刷電路板之上，其導熱問題無法解決，如果 將發(fā)光二極管晶片連接于散熱基板之上，就需要再連接一印刷電路板，即會增加發(fā)光二極 管晶片的導線打線面積，且增加導線串聯(lián)電阻，且發(fā)光二極管尚需要連接至少一電子元件， 以作為驅(qū)動或靜電保護等等，目前技術皆需要另外做電子元件的電性連接，則需要另外連 接一外部印刷電路板。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，使 其具有高散熱或?qū)щ娀蚱浣M合的功能，以提供發(fā)光二極管晶片散熱，且一并提供電性連接， 同時減少所述發(fā)光二極管晶片的導線打線面積，并減少導線串聯(lián)電阻。為解決上述技術問題，本發(fā)明的技術方案包括一發(fā)光二極管晶片；一散熱基板， 其與所述發(fā)光二極管晶片相互連接，所述散熱基板至少包含一電子元件；所述散熱基板之 上依序設有一絕緣層、一電路層，所述電路層與所述發(fā)光二極管晶片以及所述電子元件做 電性連接。本發(fā)明的有益效果在于可以改善發(fā)光二極管晶片散熱，且一并提供電性連接，有效減少發(fā)光二極管晶片的導線打線面積，并減小導線串連電阻。
下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細說明。圖1是本發(fā)明的一較佳實施例正面式發(fā)光二極管的結構示意圖；圖2是本發(fā)明的另一較佳實施例正面式發(fā)光二極管的結構示意圖；圖3是本發(fā)明的一較佳實施例覆晶式發(fā)光二極管的結構示意圖；圖4是本發(fā)明的另一較佳實施例覆晶式發(fā)光二極管的結構示意圖；圖5是本發(fā)明的一較佳實施例發(fā)光二極管晶片與電子元件的結構剖視圖；圖6是本發(fā)明的另一較佳實施例發(fā)光二極管晶片與電子元件的結構立體圖。圖中附圖標記說明10為發(fā)光二極管晶片，12為第一電極，14為第二電極，20為散熱基板， 22為第一絕緣層，24為第一電路層，26為第二絕緣層， 28為第二電路層，30為電子元件，32為第三電極， 34為第四電極。
具體實施例方式公知技術的發(fā)光二極管晶片于固晶時，多使用一高導熱基板，以作為高散熱之用， 其尚需要一印刷電路板以作為與發(fā)光二極管晶片作為電性連接，或直接固晶于所述印刷電 路板，其產(chǎn)生導線打線以及散熱的問題，故本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的結構，不但解決上 述問題，并提供整合至少一電子元件于所述散熱基板上。如圖1所示，其為本發(fā)明的一較佳實施例正面式發(fā)光二極管的結構示意圖；如圖 所示，本發(fā)明揭示一種發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其包含一發(fā)光二極管晶片 10與一散熱基板20。所述發(fā)光二極管晶片10的第一電極12通過第一導線30直接電性連接于所述散 熱基板20，所述散熱基板20之上依序設置有第一絕緣層22與第一電路層24，所述發(fā)光二 極管晶片10的第二電極14是通過第二導線40直接電性連接于所述電路層24之上。再者，本發(fā)明的另一實施例是揭示所述散熱基板20是可依序設置第二絕緣層26 與第二電路層28，所述發(fā)光二極管晶片10的第一電極12是通過第一導線30直接電性連接 于所述第二電路層28之上，如圖2所示，其為本發(fā)明的另一較佳實施例正面式發(fā)光二極管 的結構示意圖。另外，本發(fā)明可應用于覆晶式的發(fā)光二極管封裝，如圖3所示，其為本發(fā)明的另一 較佳實施例覆晶式發(fā)光二極管的結構示意圖；如圖所示，本發(fā)明揭示一種發(fā)光二極管電路 整合于散熱基板的結構，其包含一發(fā)光二極管晶片10與一散熱基板20。所述發(fā)光二極管晶片10的第一電極12通過第一導線30直接電性連接于所述散 熱基板20，所述散熱基板20之上依序設置第一絕緣層22與第一電路層24，所述發(fā)光二極 管晶片10的第二電極14是通過第二導線40直接電性連接于所述電路層24之上。再者，本發(fā)明的另一實施例揭示所述散熱基板20是可依序設置第二絕緣層26與 第二電路層28，所述發(fā)光二極管晶片10的第一電極12是通過第一導線30直接電性連接于所述第二電路層28之上，如圖4所示，其為本發(fā)明的另一較佳實施例覆晶式發(fā)光二極管的 結構示意圖。請同時參閱圖5以及圖6，如圖所示，本發(fā)明所揭示的發(fā)光二極管電路整合于散熱 基板的結構，其包含一發(fā)光二極管晶片10、至少一電子元件30以及一散熱基板20。所述發(fā)光二極管晶片10的電性連接可為上述的二種方式連接，而所述電子元件 的電性連接可相同于所述發(fā)光二極管晶片的相同方式，本實施例是以所述發(fā)光二極管晶片 (正面式發(fā)光型)與所述電子元件的電性連接于所述散熱基板作一說明，所述發(fā)光二極管 晶片10的第一電極12與所述電子元件30的第三電極32是電性連接于所述散熱基板20， 所述散熱基板20之上依序設置有絕緣層22與電路層24，所述發(fā)光二極管晶片10的第二電 極14與所述電子元件30的第四電極34是電性連接于所述電路層24。通過本發(fā)明的架構其提供散熱基板20予所述發(fā)光二極管晶片10進行散熱，而不 直接固晶于印刷電路板，因為印刷電路板散熱差，且由于同時整合至少一電子元件30于所 述散熱基板20之上，可通過制程方式直接設計電路于所述散熱基板之上，直接將至少一電 子元件30直接電性連接至所述散熱基板20上，以減少導線打線面積與減小導線串聯(lián)電阻， 以解決公知技術需要再另外電性連接一外部印刷電路板。以上通過實施例，對本發(fā)明進行了詳細的說明，但這些并非構成對本發(fā)明的限制。 在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視 為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
一種發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，包括一發(fā)光二極管晶片；一散熱基板，其與所述發(fā)光二極管晶片相互連接，所述散熱基板至少包含一電子元件；特征在于，所述散熱基板之上依序設有一絕緣層、一電路層，所述電路層與所述發(fā)光二極管晶片以及所述電子元件做電性連接。
2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述發(fā) 光二極管晶片可為覆晶式或表面粘著型的封裝結構。
3.如權利要求1所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述散 熱基板為導體或半導體材質(zhì)。
4.如權利要求1所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述散 熱基板的材質(zhì)為金屬。
5.如權利要求1所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述電 子元件是為一被動元件。
6.如權利要求1所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述電 子元件是為一驅(qū)動晶片。
7.如權利要求1所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述電 子元件是為一靜電保護元件。
8.如權利要求1所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述電 子元件是為一感測設計元件。
9.如權利要求1所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述發(fā) 光二極管晶片可為橫式或垂直式電極的發(fā)光二極管晶片。
10.如權利要求1所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述發(fā) 光二極管晶片的第一電極與第二電極分別與所述散熱基板和所述電路層做一電性連接。
11.如權利要求1所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述發(fā) 光二極管晶片的第一電極與第二電極與所述電路層做電性連接。
12.如權利要求1所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述電 子元件的第一電極與第二電極分別與所述散熱基板與所述電路層做電性連接。
13.如權利要求1所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述電 子元件的第一電極與第二電極分別與所述電路層做一電性連接。
14.一種發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，包括一發(fā)光二極管晶片；一散熱基板，其是與所述發(fā)光二極管晶片相互連接，所述散熱基板之上設置至少一電 子元件。
15.如權利要求14所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述 發(fā)光二極管晶片可為覆晶式或表面粘著型的封裝結構。
16.如權利要求14所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述 散熱基板是為導體或半導體材質(zhì)。
17.如權利要求14所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述散熱基板的材質(zhì)為一金屬。
18.如權利要求14所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述 電子元件是為一被動元件。
19.如權利要求14所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述 電子元件是為一驅(qū)動晶片。
20.如權利要求14所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述 電子元件是為一靜電保護元件。
21.如權利要求14所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述 電子元件是為一感測設計元件。
22.如權利要求14所述的發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，其特征在于，所述 發(fā)光二極管晶片可為橫式或垂直式電極的發(fā)光二極管晶片。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管電路整合于散熱基板的結構，包括一發(fā)光二極管晶片；一散熱基板，其與所述發(fā)光二極管晶片相互連接，所述散熱基板至少包含一電子元件；所述散熱基板之上依序設有一絕緣層、一電路層，所述電路層與所述發(fā)光二極管晶片以及所述電子元件做電性連接。本發(fā)明可以減少二極管晶片的導線打線面積，并減小導線串連電阻，增加其散熱性。
文檔編號F21V29/00GK101858586SQ200910131530
公開日2010年10月13日 申請日期2009年4月7日 優(yōu)先權日2009年4月7日
發(fā)明者曾煥哲, 朱胤丞, 林藝峰, 溫偉值, 潘錫明, 簡奉任, 蔣智偉 申請人:璨圓光電股份有限公司