專利名稱：：發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，且特別涉及一種出光均勻度較佳的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)今社會多媒體技術(shù)相當(dāng)發(fā)達，其多半受惠于半導(dǎo)體元件或顯示裝置的進步。就顯示器而言，具有高畫質(zhì)、良好的空間利用效率、低功耗、無輻射等優(yōu)越特性的液晶顯示器已逐漸成為市場的主流。由于液晶顯示面板并不具有發(fā)光的功能，故在液晶顯示面板下方必須配置一背光模塊來提供一面光源，以使液晶顯示面板能達到顯示的目的?！銇碚f，背光模塊可分為側(cè)邊式背光模塊與直下式背光模塊。另外，依照光源的種類又可以分為冷陰極熒光燈管(CCFL)光源背光模塊與發(fā)光二極管(LED)光源背光模塊。對于直下式背光模塊而言，由于光線是直接進入使用者的眼睛，需要較長的混光距離將光線混合均勻，使得背光模塊的厚度變厚。側(cè)邊式背光模塊則是通過導(dǎo)光板將光線混合均勻后再進入使用者眼睛，因此側(cè)邊式背光模塊具有厚度較薄的優(yōu)勢。近年來液晶顯示器逐漸朝向大尺寸的趨勢發(fā)展，直下式背光模塊可將整個液晶顯示面板切割成MXN個區(qū)塊，并且依據(jù)每一區(qū)塊的影像內(nèi)容而對每一區(qū)塊所對應(yīng)的背光源亮度進行調(diào)整(即區(qū)域點亮(localdimming)技術(shù))，以突顯畫面的對比度(CR)。因此，使用直下式背光模塊的液晶顯示器所呈現(xiàn)的對比度大于使用側(cè)邊式背光模塊的液晶顯示器所呈現(xiàn)的對比度。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置具有較佳的出光均勻度。本發(fā)明提出一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括多個光源、一光學(xué)板、多個凹陷結(jié)構(gòu)以及至少一個出光結(jié)構(gòu)，其中光學(xué)板設(shè)置于光源的上方，該光學(xué)板具有一上表面以及一下表面。凹陷結(jié)構(gòu)由光學(xué)板的上表面向光學(xué)板的內(nèi)部延伸，每一凹陷結(jié)構(gòu)對應(yīng)地設(shè)置于一個光源的上方，其中每一凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)表面具有至少兩個傾斜角度。出光結(jié)構(gòu)設(shè)置于光學(xué)板的上表面與下表面的至少其中之一，其中，位于每一凹陷結(jié)構(gòu)下方的光源所產(chǎn)生的光線在凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)表面產(chǎn)生全反射并持續(xù)地在光學(xué)板內(nèi)進行至少一次全反射，直到所述光線遇到出光結(jié)構(gòu)才射出光學(xué)板。本發(fā)明提出一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括多個光源、一光學(xué)板、多個凹陷結(jié)構(gòu)以及至少一出光結(jié)構(gòu)。光學(xué)板設(shè)置于光源的上方，其中光學(xué)板具有一上表面以及一下表面。凹陷結(jié)構(gòu)由光學(xué)板的上表面向光學(xué)板的內(nèi)部延伸，每一凹陷結(jié)構(gòu)對應(yīng)設(shè)置于一個光源的上方，其中每一凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)表面具有具有一第一段表面與一第二段表面，且第一段表面與第二段表面不位于同一平面上或不位于同一曲面上。出光結(jié)構(gòu)設(shè)置于光學(xué)板的上表面與下表面至少其中之一，其中，位于每一凹陷結(jié)構(gòu)下方的光源所產(chǎn)生的光線于凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)表面產(chǎn)生全反射并持續(xù)于光學(xué)板內(nèi)進行至少一次全反射，直到遇到出光結(jié)構(gòu)才射出光學(xué)板。本發(fā)明提出一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括多個光源、一光學(xué)板、多個凹陷結(jié)構(gòu)以及至少一出光結(jié)構(gòu)。光學(xué)板設(shè)置于光源的上方，其中光學(xué)板具有一上表面以及一下表面。凹陷結(jié)構(gòu)由光學(xué)板的上表面向光學(xué)板的內(nèi)部延伸，每一凹陷結(jié)構(gòu)對應(yīng)地設(shè)置于一個光源的上方，其中每一凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)表面具有一第一段表面與一第二段表面，且第一段表面與凹陷結(jié)構(gòu)的軸心線具有一第一夾角，第二段表面與凹陷結(jié)構(gòu)的軸心線具有一第二夾角。出光結(jié)構(gòu)設(shè)置于光學(xué)板的上表面與下表面的至少其中之一，其中，位于每一凹陷結(jié)構(gòu)下方的光源所產(chǎn)生的光線在凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)表面產(chǎn)生全反射并持續(xù)地在光學(xué)板內(nèi)進行至少一次全反射，直到遇到出光結(jié)構(gòu)才射出光學(xué)板?；谏衔乃觯景l(fā)明的光學(xué)板內(nèi)的凹陷結(jié)構(gòu)可使光源發(fā)出的光線在光學(xué)板內(nèi)進行至少一次全反射，直到遇到出光結(jié)構(gòu)才射出光學(xué)板。由于光源的光線是經(jīng)過至少一次全反射或者多次全反射之后才射出光學(xué)板，因此從光學(xué)板射出的光線可呈現(xiàn)出均勻的面光源。為使本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特別例舉實施例，并配合所附的附圖作詳細說明如下。146:微結(jié)構(gòu)148a、148b、148c、148d、148e150:基板152a:內(nèi)壁170:光學(xué)膜片610:黏著層A:水平面G:軸心線L:光線T:光學(xué)板的厚度e:夾角e2:第二夾角94:頂角810:聚光結(jié)構(gòu)D、D1、D2:轉(zhuǎn)折高度H:高度S:空氣間隙W:發(fā)光二極管芯片的寬度91:第一夾角93:第三夾角9F:全反射角:開縫152:凹槽160:透光膠體410:反射層具體實施例方式在以下的多個實施例中，發(fā)光裝置具有多個光源，然而，為簡化說明，僅在圖l繪示了多個光源，而在圖4至圖11中僅繪示一個光源作為代表，但其并非用以限定本發(fā)明。圖1為本發(fā)明一實施例的發(fā)光裝置的剖面圖。圖2A為圖1的發(fā)光裝置的凹陷結(jié)構(gòu)的放大圖。圖2B繪示了圖2A的凹陷結(jié)構(gòu)的一種變型結(jié)構(gòu)。圖3A為圖1的發(fā)光裝置的凹陷結(jié)構(gòu)的示意圖。圖3B繪示了圖3A的凹陷結(jié)構(gòu)的一種變型結(jié)構(gòu)。請同時參照圖1與圖2A，本實施例的發(fā)光裝置100包括多個光源110、一光學(xué)板120、多個凹陷結(jié)構(gòu)130以及多個出光結(jié)構(gòu)140。光源IIO例如為發(fā)光二極管，且光學(xué)板120設(shè)置于光源110的上方。在本實施例中，光源IIO可與光學(xué)板120直接貼合或者是與光學(xué)板120之間隔有一間距以作為散熱空間。光學(xué)板120內(nèi)可選擇性地分布有多個擴散粒子(未圖示)，以提升發(fā)光裝置100的出光均勻度。光學(xué)板120具有一上表面122以及一下表面124。凹陷結(jié)構(gòu)130位于光學(xué)板120內(nèi)，且每一凹陷結(jié)構(gòu)130對應(yīng)地設(shè)置于一個光源110的上方。值得注意的是，當(dāng)光源110向上發(fā)出的光線L照射到凹陷結(jié)構(gòu)130時會產(chǎn)生全反射而轉(zhuǎn)為朝向光學(xué)板120的側(cè)邊傳遞。如此一來，凹陷結(jié)構(gòu)130可使光線L轉(zhuǎn)向凹陷結(jié)構(gòu)130的四周發(fā)散，而不會聚集在光源110的正上方，進而可提升發(fā)光裝置100的出光均勻度。換言之，通過光學(xué)板120及凹陷結(jié)構(gòu)130的設(shè)計以使光源110的光線向四周發(fā)散，便可進一步縮小光源IIO所需的混光距離。承上所述，每一凹陷結(jié)構(gòu)130的側(cè)表面132具有至少兩個傾斜角度，且凹陷結(jié)構(gòu)130可為錐形凹槽(如圖3A所示)或V形凹槽(如圖3B所示)。詳細而言，請參照圖2A，每一凹陷結(jié)構(gòu)130的側(cè)表面132具有一第一段表面132a與一第二段表面132b，且第一段表面132a與第二段表面132b不位于同一平面上或者不位于同一曲面上。換言之，第一段表面132a與凹陷結(jié)構(gòu)130的軸心線G具有一第一夾角9l(又可稱為第一傾斜角度)，第二段表面132b與凹陷結(jié)構(gòu)130的軸心線G具有一第二夾角92(又可稱為第二傾斜角度)。在本實施例中，在凹陷結(jié)構(gòu)130中，越靠近凹陷結(jié)構(gòu)130的底部B的側(cè)表面132的傾斜角度越小。換言之，較靠近凹陷結(jié)構(gòu)130的底部B的第一段表面132a與軸心線G的第一夾角91小于較遠離凹陷結(jié)構(gòu)130的底部B與軸心線G的第二段表面132b的第二夾角92。在本實施例中，第二夾角92的角度范圍例如為30°60°之間，且第一夾角91小于第二夾角92。此外，當(dāng)光學(xué)板120的厚度為T，且光源110(例如發(fā)光二極管芯片)的寬度為W時，T與W符合下式T=BXWX[Tan(91)+Tan(92)]其中，B介于0.250.5之間。表1列出在不同的轉(zhuǎn)折高度D、第一夾角ei與第二夾角92下，光學(xué)板120內(nèi)的凹陷結(jié)構(gòu)130的漏光率，這種對漏光率的調(diào)配可控制凹陷結(jié)構(gòu)130正上方的光源強度以適應(yīng)于發(fā)光裝置100對于光源均勻度的需求，其中當(dāng)光源110之間的間距越小時，所需的漏光率越大。表1D(毫米)4.8ei(°)22.522.522.5e2(o)3032.535漏光率2.85%2,12%6.37%D(毫米)5ei(o)22.522.522.502(°)3032.535漏光率3.94%2.12%5.09%D(毫米)5.2ei(°)22.522.522.502(°)3032.535漏光率5.28%2.88%4.06%請參照表i，由表l可知，可通過調(diào)整第一夾角el與第二夾角e2的角度大小來調(diào)整漏光率。在其他實施例中，如圖2B所示，凹陷結(jié)構(gòu)130的側(cè)表面132可具有一第一段表面132a、一第二段表面132b與一第三段表面132c，且第一段表面132a與凹陷結(jié)構(gòu)130的軸心線G具有一第一夾角91，第二段表面132b與軸心線G具有一第二夾角92，第三段表面132c與軸心線G具有一第三夾角93。第二夾角92小于第三夾角e3且大于第一夾角91。表2列出在不同的轉(zhuǎn)折高度D1、D2以及第一夾角e1、第二夾角e2與第三夾角93下，光學(xué)板120內(nèi)的凹陷結(jié)構(gòu)130的漏光率。7<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>由表2可知，可通過調(diào)整第一夾角ei、第二夾角e2與第三夾角93的角度大小來調(diào)整漏光率。在本實施例中，出光結(jié)構(gòu)140設(shè)置于光學(xué)板120的下表面124上，且出光結(jié)構(gòu)140例如為一圖案化反射層，圖案化反射層可以以網(wǎng)點的方式配置或是以其他具有光學(xué)均勻化效果的方式配置，且圖案化反射層的材質(zhì)可為油墨等高反射性材料。位于凹陷結(jié)構(gòu)130下方的光源110所產(chǎn)生的光線L可在凹陷結(jié)構(gòu)130的側(cè)表面132產(chǎn)生全反射并持續(xù)地在光學(xué)板120內(nèi)進行至少一次全反射，直到遇到出光結(jié)構(gòu)140才射出光學(xué)板120。換言之，當(dāng)光線L在光學(xué)板120內(nèi)進行全反射的過程中，當(dāng)遇到出光結(jié)構(gòu)140時，全反射作用便會被破壞，如此便可使得光線L射出光學(xué)板120而出光。在本實施例中，光線L可在光學(xué)板120內(nèi)進行一或多次全反射直到遇到出光結(jié)構(gòu)140才射出光學(xué)板120，此時，出光結(jié)構(gòu)140可分散光線L的出光位置，從而有助于提升發(fā)光裝置100的出光均勻度。詳細而言，在遇到出光結(jié)構(gòu)140之前，光源110所產(chǎn)生的光線L在光學(xué)板120內(nèi)的入射角(或反射角)會保持為一全反射角9F，而在遇到出光結(jié)構(gòu)140之后，光線L在光學(xué)板120內(nèi)的反射角(或入射角)會改變，進而破壞全反射作用并使光線從光學(xué)板120的上表面122射出而出光。此外，在隨后的圖4圖9的實施例中，光線在光學(xué)板120中的反射路徑與圖1中的光線L在光學(xué)板120中的反射路徑相似。在本實施例中，光源110可配置于一基板150上。詳細而言，基板150可為電路板，而在基板150上具有多個凹槽152，每一凹槽152可對應(yīng)地位于一凹陷結(jié)構(gòu)130的下方，且光源110可配置于凹槽152中并與基板150電性連接。另外，為提高光源110的光線利用率，可在凹槽152的內(nèi)壁152a上形成一反射層(未圖示)，以反射照射到內(nèi)壁152a的光線。此外，可在凹槽152中填入一透光膠體160，以覆蓋并保護光源110。此外，透光膠體160中可摻雜有熒光粉體或擴散粒子，以調(diào)整發(fā)光裝置100所發(fā)出的光的顏色或者是提升發(fā)光裝置100的出光均勻度。透光膠體160與光學(xué)板120可以是一體成型也可以是單獨成型，且透光膠體160的材質(zhì)與光學(xué)板120的材質(zhì)可以相同也可以不同。在本實施例中，可在光學(xué)板120的上方配置一光學(xué)膜片170，光學(xué)膜片170例如為增亮片、抗反射片、擴散片等可提升發(fā)光裝置100的亮度或出光均勻度的透光膜片。圖4為本發(fā)明一實施例的發(fā)光裝置的剖面圖。請參照圖4，本實施例的發(fā)光裝置8400的結(jié)構(gòu)與圖1的發(fā)光裝置100的結(jié)構(gòu)相似，兩者的差異之處在于發(fā)光裝置400的出光結(jié)構(gòu)140設(shè)置于光學(xué)板120的上表面122。出光結(jié)構(gòu)140例如為一圖案化反射層。類似地，在光源110的光線在光學(xué)板120內(nèi)進行全反射的過程中，當(dāng)遇到出光結(jié)構(gòu)140時，全反射作用便會被破壞，如此便可使得光線L射出光學(xué)板120而出光。在本實施例中，為增強光學(xué)板120的下表面124的反射率，可在光學(xué)板120的下表面124上配置一反射層410。圖5為本發(fā)明另一實施例的發(fā)光裝置的剖面圖。請參照圖5，本實施例的發(fā)光裝置500的結(jié)構(gòu)與圖1的發(fā)光裝置100的結(jié)構(gòu)相似，兩者的差異之處在于發(fā)光裝置500的出光結(jié)構(gòu)140包括一第一圖案化反射層142以及一第二圖案化反射層144，且第一圖案化反射層142與第二圖案化反射層144分別設(shè)置于光學(xué)板120的上表面122與下表面124。第一圖案化反射層142為多個微結(jié)構(gòu)(例如為半圓形凸起)，且第一圖案化反射層142可破壞全反射以使得光線L射出光學(xué)板120而出光，并可使射出光學(xué)板120的光源集中增亮。第二圖案化反射層144可為網(wǎng)點結(jié)構(gòu)，以利于光線L射出光學(xué)板120的上表面122。圖6A為本發(fā)明又一實施例的發(fā)光裝置的剖面圖，圖6B繪示了圖6A的發(fā)光裝置的一種變型。請參照圖6A，本實施例的發(fā)光裝置600的結(jié)構(gòu)與圖1的發(fā)光裝置100的結(jié)構(gòu)相似，兩者的差異之處在于發(fā)光裝置600還包括位于光學(xué)板120與基板150之間的一黏著層610，且光學(xué)板120與透光膠體160之間存在一空氣間隙S。在本實施例中，當(dāng)光由光源110表面射出時，由于空氣間隙S中的空氣折射率小于透光膠體160的折射率，因此，在透光膠體160與空氣間隙S的交界面上，只有小于全反射角的光線L才能射出透光膠體160，故空氣間隙S可限縮光線L入射至光學(xué)板120的角度，進而產(chǎn)生聚光的效果。因此，射入光學(xué)板120的光線L較容易照射到凹陷結(jié)構(gòu)130而產(chǎn)生全反射。反之，請參照圖6B，若是透光膠體160直接連接光學(xué)板120(亦即不存在空氣間隙S)，由于透光膠體160的折射率接近光學(xué)板120的折射率，因此，光源IIO表面發(fā)出的光線L可以以前述的全反射角的角度入射到光學(xué)板120，并直接射出光學(xué)板120，而不會照射到凹陷結(jié)構(gòu)130。圖7為本發(fā)明再一實施例的發(fā)光裝置的剖面圖。請參照圖7，本實施例的發(fā)光裝置700的結(jié)構(gòu)與圖1的發(fā)光裝置100的結(jié)構(gòu)相似，兩者的差異之處在于發(fā)光裝置700的光學(xué)板120的上表面122為一非平面，以作為出光結(jié)構(gòu)140。詳細而言，在本實施例中，靠近凹陷結(jié)構(gòu)130處的光學(xué)板120的厚度大于遠離凹陷結(jié)構(gòu)130處的光學(xué)板120的厚度。由于光學(xué)板120的上表面122為一非平面(例如是斜面)，因此光源110的光線L在光學(xué)板120內(nèi)進行全反射的過程中，當(dāng)遇到光學(xué)板120的上表面122因斜面角度的原因而導(dǎo)致全反射作用被破壞時，可使得光線L射出光學(xué)板120而出光。圖8為本發(fā)明一實施例的發(fā)光裝置的剖面圖。圖9繪示了圖8的發(fā)光裝置的一種變型結(jié)構(gòu)。請參照圖8，本實施例的發(fā)光裝置800的結(jié)構(gòu)與圖6的發(fā)光裝置600的結(jié)構(gòu)相似，兩者的差異之處在于發(fā)光裝置800的光學(xué)板120內(nèi)設(shè)置有一聚光結(jié)構(gòu)810(例如為一透鏡)，且聚光結(jié)構(gòu)810位于凹陷結(jié)構(gòu)130的下方。聚光結(jié)構(gòu)810可對光源110所發(fā)出的光線產(chǎn)生聚光作用，而使光源110的發(fā)散角度縮小，如此可使得更多光線能夠順利地在凹陷結(jié)構(gòu)130處產(chǎn)生全反射，進而使光源110的光線在光學(xué)板120內(nèi)持續(xù)地進行至少一次全反射。在本實施例中，聚光結(jié)構(gòu)810呈半球狀。在其他實施例中，聚光結(jié)構(gòu)810還可呈圓柱狀(如圖9所示)。圖IOA為本發(fā)明一實施例的發(fā)光裝置的剖面圖。圖IOB為圖IOA的光學(xué)板的局部放大圖。請同時參照圖10A與圖IOB，本實施例的發(fā)光裝置1000的結(jié)構(gòu)與圖1的發(fā)光裝置100的結(jié)構(gòu)相似，兩者的差異之處在于發(fā)光裝置1000的出光結(jié)構(gòu)140為多個微結(jié)構(gòu)146，且發(fā)光裝置1000的光學(xué)板120的側(cè)表面126與一水平面A之間具有一銳角夾角e。在本實施例中，出光結(jié)構(gòu)140為多個鋸齒狀的微結(jié)構(gòu)146。微結(jié)構(gòu)146的頂角e4可介于30°60°之間，且微結(jié)構(gòu)146的高度H可介于50微米200微米之間。微結(jié)構(gòu)146可選擇為設(shè)置于光學(xué)板120的下表面124、上表面122，或者是同時設(shè)置在光學(xué)板120的下表面124與上表面122。當(dāng)微結(jié)構(gòu)146同時設(shè)置在光學(xué)板120的下表面124與上表面122時，位于上表面122的微結(jié)構(gòu)146與位于下表面124的微結(jié)構(gòu)146為交錯設(shè)置。換言之，位于上表面122的微結(jié)構(gòu)146在基板150上的投影與位于下表面124的微結(jié)構(gòu)146在基板150上的投影可以彼此不重疊或者彼此部分重疊。請參照圖IOB，類似地，在本實施例中，當(dāng)光源110的光線L在光學(xué)板120內(nèi)進行全反射而向光學(xué)板120的側(cè)邊傳遞時，當(dāng)光線L遇到出光結(jié)構(gòu)140或者是側(cè)表面126時，將破壞全反射作用而使光線L射出光學(xué)板120而出光。詳細而言，在遇到出光結(jié)構(gòu)140之前，光源110所產(chǎn)生的光線L在光學(xué)板120內(nèi)的入射角(或反射角)會保持為一全反射角，而在遇到出光結(jié)構(gòu)140之后，光線L于光學(xué)板120內(nèi)的反射角(或入射角)會減小，從而破壞全反射作用并從光學(xué)板120的上表面122出光。另外，在本實施例中，光學(xué)板120的下表面124還可具有兩個開縫124a、124b，且開縫124a、124b分別位于凹陷結(jié)構(gòu)130的相對兩側(cè)。開縫124a、124b也可作為出光結(jié)構(gòu)之用。詳細而言，當(dāng)光源110的光線L在光學(xué)板120內(nèi)遇到凹陷結(jié)構(gòu)130而產(chǎn)生全反射之后，可遇到開縫124a、124b而破壞全反射作用從而射出光學(xué)板120的上表面122而出光。圖11為本發(fā)明一實施例的發(fā)光裝置的示意圖。請參照圖ll，本實施例的發(fā)光裝置1100的結(jié)構(gòu)與圖1的發(fā)光裝置100的結(jié)構(gòu)相似，兩者的差異之處在于發(fā)光裝置1100的出光結(jié)構(gòu)140為多個位于下表面124的開縫148a、148b、148c、148d、148e，且在這些開縫148a、148b、148c、148d、148e中，離光源110愈遠的開縫愈深(例如開縫148e)，反之，離光源110愈近的開縫愈淺(例如開縫148a)。類似地，當(dāng)光源110的光線在光學(xué)板120內(nèi)進行全反射而向光學(xué)板120的側(cè)邊傳遞時，當(dāng)光線120遇到開縫148a、148b、148c、148d、148e時，將破壞全反射作用而使光線L射出光學(xué)板120的上表面122而出光。綜上所述，由于本發(fā)明的光學(xué)板內(nèi)設(shè)置有凹陷結(jié)構(gòu)，而凹陷結(jié)構(gòu)可使光源所發(fā)出的光線在所述凹陷結(jié)構(gòu)處產(chǎn)生全反射并持續(xù)地在光學(xué)板內(nèi)進行至少一次全反射，直到遇到出光結(jié)構(gòu)才射出光學(xué)板，故所述凹陷結(jié)構(gòu)可提升發(fā)光裝置的出光均勻度。另外，由于光學(xué)板的凹陷結(jié)構(gòu)的設(shè)計可使光源的光線向凹陷結(jié)構(gòu)的四周發(fā)散，因此可進一步縮小光源所需的混光距離。因而，本發(fā)明的光學(xué)板與光源之間的距離可以縮小的最低，甚至是直接貼合在一起。如此，將有助于發(fā)光裝置的薄型化的發(fā)展趨勢。雖然本發(fā)明已通過實施例披露如上，但這些實施例并非旨在限定本發(fā)明，本領(lǐng)域一般技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下應(yīng)能對這些實施例做出某些更改和修飾，故本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以隨附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。權(quán)利要求一種發(fā)光裝置，包括多個光源；一光學(xué)板，設(shè)置于所述多個光源的上方，其中該光學(xué)板具有一上表面以及一下表面；多個凹陷結(jié)構(gòu)，由該光學(xué)板的上表面向該光學(xué)板的內(nèi)部延伸，每一所述凹陷結(jié)構(gòu)對應(yīng)地設(shè)置于一個所述光源的上方，其中每一所述凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)表面具有至少兩個傾斜角度；以及至少一個出光結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該光學(xué)板的上表面與下表面的至少其中之一上，其中，位于每一所述凹陷結(jié)構(gòu)下方的光源所產(chǎn)生的光線在該凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)表面產(chǎn)生全反射并持續(xù)地在該光學(xué)板內(nèi)進行至少一次全反射，直到遇到所述出光結(jié)構(gòu)才射出該光學(xué)板。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中在每一所述凹陷結(jié)構(gòu)中，越靠近該凹陷結(jié)構(gòu)底部的該側(cè)表面的傾斜角度越小。3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述至少一個出光結(jié)構(gòu)包括一圖案化反射層，該圖案化反射層設(shè)置于該光學(xué)板的上表面。4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述至少一個出光結(jié)構(gòu)包括一圖案化反射層，該圖案化反射層設(shè)置于該光學(xué)板的下表面。5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述至少一個出光結(jié)構(gòu)包括分別設(shè)置于該光學(xué)板的上表面與下表面的一第一圖案化反射層以及一第二圖案化反射層。6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該光學(xué)板的該上表面為一非平面，用以作為所述出光結(jié)構(gòu)。7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中靠近所述多個凹陷結(jié)構(gòu)處的該光學(xué)板的厚度大于遠離所述多個凹陷結(jié)構(gòu)處的該光學(xué)板的厚度。8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，還包括一基板，所述多個光源設(shè)置于該基板上，其中該光學(xué)板與該基板之間還設(shè)置有一黏著層。9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中該光學(xué)板與所述光源之間具有一空氣間隙。10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，還包括多個聚光結(jié)構(gòu)，所述聚光結(jié)構(gòu)設(shè)置于該光學(xué)板內(nèi)，且每一所述聚光結(jié)構(gòu)對應(yīng)地設(shè)置于一個所述凹陷結(jié)構(gòu)的下方。11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該光學(xué)板的下表面還包括多個用于作為所述出光結(jié)構(gòu)的微結(jié)構(gòu)。12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該光學(xué)板的上表面還包括多個用于作為所述出光結(jié)構(gòu)的微結(jié)構(gòu)。13.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該光學(xué)板的上表面與下表面還包括多個用于作為所述出光結(jié)構(gòu)的微結(jié)構(gòu)，且位于該上表面的所述多個微結(jié)構(gòu)與位于該下表面的所述多個微結(jié)構(gòu)交錯設(shè)置。14.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中該光學(xué)板的側(cè)表面與水平面之間具有一銳角夾角。15.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，還包括分布于該光學(xué)板內(nèi)的多個擴散粒子。16.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述多個凹陷結(jié)構(gòu)為V形凹槽或錐形凹槽。17.如權(quán)利要求16所述的發(fā)光裝置，還包括位于該光學(xué)板的上方的至少一光學(xué)膜片。18.—種發(fā)光裝置，包括多個光源；一光學(xué)板，設(shè)置于所述多個光源的上方，其中該光學(xué)板具有一上表面以及一下表面；多個凹陷結(jié)構(gòu)，由該光學(xué)板的該上表面向該光學(xué)板的內(nèi)部延伸，每一所述凹陷結(jié)構(gòu)對應(yīng)地設(shè)置于一個所述光源的上方，其中每一所述凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)表面具有一第一段表面與一第二段表面，且該第一段表面與該第二段表面不位于同一平面上或者不位于同一曲面上；以及至少一出光結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該光學(xué)板的上表面與下表面的至少其中之一上，其中，位于每一所述凹陷結(jié)構(gòu)下方的光源所產(chǎn)生的光線在該凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)表面產(chǎn)生全反射并持續(xù)地在該光學(xué)板內(nèi)進行至少一次全反射，直到遇到所述出光結(jié)構(gòu)才射出該光學(xué)板。19.一種發(fā)光裝置，包括多個光源；一光學(xué)板，設(shè)置于所述多個光源的上方，其中該光學(xué)板具有一上表面以及一下表面；多個凹陷結(jié)構(gòu)，由該光學(xué)板的上表面向該光學(xué)板的內(nèi)部延伸，每一所述凹陷結(jié)構(gòu)對應(yīng)地設(shè)置于一個所述光源的上方，其中每一所述凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)表面具有一第一段表面與一第二段表面，且該第一段表面與該凹陷結(jié)構(gòu)的軸心線具有一第一夾角，該第二段表面與該凹陷結(jié)構(gòu)的軸心線具有一第二夾角；以及至少一出光結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該光學(xué)板的上表面與下表面的至少其中之一上，其中，位于每一所述凹陷結(jié)構(gòu)下方的光源所產(chǎn)生的光線在該凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)表面產(chǎn)生全反射并持續(xù)地在該光學(xué)板內(nèi)進行至少一次全反射，直到遇到所述出光結(jié)構(gòu)才射出該光學(xué)板。全文摘要一種發(fā)光裝置，包括多個光源、一光學(xué)板、多個凹陷結(jié)構(gòu)以及至少一出光結(jié)構(gòu)，其中光學(xué)板設(shè)置于光源的上方，該光學(xué)板具有一上表面以及一下表面。凹陷結(jié)構(gòu)由光學(xué)板的上表面向光學(xué)板的內(nèi)部延伸，每一凹陷結(jié)構(gòu)對應(yīng)地設(shè)置于一個光源的上方，其中每一凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)表面具有至少兩個傾斜角度。出光結(jié)構(gòu)設(shè)置于光學(xué)板的上表面與下表面的至少其中之一，其中，位于每一凹陷結(jié)構(gòu)下方的光源所產(chǎn)生的光線在凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)表面產(chǎn)生全反射并持續(xù)地在光學(xué)板內(nèi)進行至少一次全反射，直到遇到出光結(jié)構(gòu)才射出光學(xué)板。文檔編號F21V13/00GK101701693SQ20091024677公開日2010年5月5日申請日期2009年11月25日優(yōu)先權(quán)日2009年11月25日發(fā)明者林信吾,林淑鈴,林蘇逸,賴政全,郗任遠申請人:友達光電股份有限公司