專利名稱：：低軟化點(diǎn)玻璃組合物、使用該組合物的低溫封接材料及電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種低軟化點(diǎn)玻璃組合物、使用該組合物的低溫封接材料及電子部件，所述低軟化點(diǎn)玻璃組合物可以應(yīng)用于IC陶瓷封裝、石英振蕩器、圖像顯示裝置等電子部件的封接等。
背景技術(shù)：
：IC陶瓷封裝、石英振蕩器、圖像顯示裝置等電子部件利用軟化點(diǎn)為46(TC以下的玻璃組合物進(jìn)行氣密封接。該封接中一般為了調(diào)整熱膨脹而含有低熱膨脹填料的粉末。目前，作為這種玻璃組合物，使用以氧化鉛為主要成分的玻璃組合物。近年來，由于環(huán)境和安全的限制，現(xiàn)在已經(jīng)避免使用含有害的鉛的材料。在作為圖像顯示裝置之一的等離子體顯示面板(PDP)中，日本特開平10-139478號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)所記載的以氧化鉍為主要成分的無鉛玻璃組合物已經(jīng)應(yīng)用于封接。在如PDP那樣封接溫度較高為45050(TC的電子部件中，可以應(yīng)用以氧化鉍為主要成分的無鉛玻璃組合物。但是，在封接溫度較低為42(TC以下的IC陶瓷封裝或石英振蕩器等電子部件中，還在使用以氧化鉛為主要成分的玻璃組合物。另外，為了進(jìn)一步進(jìn)行低溫化至40(TC以下，在以氧化鉛為主要成分的玻璃組合物中含有氟。作為與以氧化鉍為主要成分的無鉛玻璃組合物相比可以低溫化的無鉛玻璃組合物，日本特開平7-69672號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)、日本特開2004-250276號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)3)、日本特開2006-342044號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)4)及日本特開2007-320822號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)5)均有提案。專利文獻(xiàn)2的提案是以氧化錫為主要成分的玻璃組合物，專利文獻(xiàn)35的提案是以氧化釩為主要成分的玻璃組合物。最近，除有害的鉛之外，鉍或銻都作為控制物質(zhì)被提出，將來可能會(huì)與鉛同樣地被限制。專利文獻(xiàn)1及4的玻璃組合物中含有鉍，專利文獻(xiàn)5的玻璃組合物中含有銻。專利文獻(xiàn)2及3的玻璃組合物不含有鉛、鉍、銻。[OOOS][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)1]日本特開平10-139478號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]日本特開平7-69672號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)3]日本特開2004-250276號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)4]日本特開2006-342044號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)5]日本特開2007-320822號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容最近，除有害的鉛之外，鉍或銻都作為控制物質(zhì)被提出，將來可能會(huì)與鉛同樣地被限制。專利文獻(xiàn)1及4的玻璃組合物中含有鉍，專利文獻(xiàn)5的玻璃組合物中含有銻。專利文獻(xiàn)2及3的玻璃組合物中不含有鉛、鉍、銻。但是，專利文獻(xiàn)2所述的以氧化錫為主要成分的玻璃組合物在大氣中進(jìn)行加熱時(shí)，錫的價(jià)數(shù)從2價(jià)變成4價(jià)，耐濕性、耐水性等化學(xué)穩(wěn)定性劣化。即，難以進(jìn)行可靠性高的氣密封接。而且難以在42(TC以下進(jìn)行氣密封接。專利文獻(xiàn)3所述的以氧化釩為主要成分的玻璃組合物也可以在400°C以下進(jìn)行低溫封接，但熱膨脹非常大，必須大量地含有高價(jià)的磷酸鋯鎢等低熱膨脹填料。而且，難以控制熱膨脹。另外，在封接部分殘留許多氣泡，氣密性不足。因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種低軟化點(diǎn)玻璃組合物以及使用該組合物的低溫封接材料，所述低軟化點(diǎn)玻璃組合物實(shí)質(zhì)上不含有鉛、鉍、銻，可以在400°C以下、優(yōu)選380°C以下封接，即軟化點(diǎn)為380°C以下。還提供一種從25t:至250°C的熱膨脹系數(shù)為120X10—7°C以下、優(yōu)選為100X10—7°C以下的軟化點(diǎn)為360°C以下的低軟化點(diǎn)玻璃組合物以及使用該低軟化點(diǎn)玻璃組合物、從25t:至250°C的熱膨脹系數(shù)為80X10—7°C以下或95120X10—7°C的封接材料。本發(fā)明的該它目的在于，提供一種應(yīng)用有上述本發(fā)明的玻璃組合物或該封接材料的電子部件。實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明的特征在于，一種低軟化點(diǎn)玻璃組合物，其是實(shí)質(zhì)上不含有鉛、鉍及銻，而含有釩、磷、碲及鐵的氧化物的玻璃，軟化點(diǎn)為380°C以下。作為玻璃組合物的成分，還含有錳、鋅、鎢、鉬、鋇的氧化物中的至少任1種以上。按各成分的氧化物換算計(jì)，該低軟化點(diǎn)玻璃組合物的組成范圍是，氧化釩(V205)4565重量％、氧化磷(P205)1020重量％、氧化碲(Te02)1025重量％、氧化鐵(Fe203)515重量％，氧化錳(Mn02)、氧化鋅(Zn0)、氧化鎢(W03)、氧化鉬(Mo03)、氧化鋇(Ba0)總計(jì)為010重量％。上述低軟化點(diǎn)玻璃組合物的優(yōu)選的特性是，從25t:至25(rC的熱膨脹系數(shù)為100X10—7t:以下。進(jìn)一步優(yōu)選軟化點(diǎn)為36(TC以下。另外，本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物的特征在于，實(shí)質(zhì)上不含有鉛、鉍及銻，而含有釩、磷、碲、鋇及鎢和/或鉬、還含有鐵和/或堿金屬的氧化物，軟化點(diǎn)為380°C以下。按各成分的氧化物換算計(jì)，該低軟化點(diǎn)玻璃組合物的優(yōu)選的組成范圍是，氧化釩(V205)4055重量％、氧化磷(P205)515重量％、氧化碲(Te02)2030重量％、氧化鋇(Ba0)210重量％、氧化鴇(W03)015重量％、氧化鉬(Mo03)015重量％、氧化鐵(Fe203)08重量％、堿金屬氧化物(R20:R為堿金屬)05重量％，而且，P205和Te02之和為3040重量％，W03和Mo03之和為515重量％，？6203和&0之和為28重量％。進(jìn)一步優(yōu)選上述低軟化點(diǎn)玻璃組合物的軟化點(diǎn)為36(TC以下，而且，從25t:至25(rC的熱膨脹系數(shù)為120X10—7。C以下為宜。另外，本發(fā)明為含有上述低軟化點(diǎn)玻璃組合物的封接材料。該封接材料含有粉末狀的上述低軟化點(diǎn)玻璃組合物和粉末狀的填料，由低軟化點(diǎn)玻璃組合物為70體積％以上、填料的含量為30體積％以下構(gòu)成。該填料的平均粒徑為30ym以下。作為填料，氧化鈮、氧化鉭或它們的化合物適合。另外，作為填料，磷酸鴇酸鋯適合。進(jìn)一步優(yōu)選從25t:至25(TC的熱膨脹系數(shù)為80X10—7r以下。或優(yōu)選從25t:至25(rC的熱膨脹系數(shù)為(95120)X10—7°C。另外，本發(fā)明為含有金屬粉末和上述低軟化點(diǎn)玻璃組合物的電極材料。金屬粉末的含量為8393體積％，包含銀、銅或鋁或它們的合金。進(jìn)一步，本發(fā)明為一種封接用玻璃糊，其含有上述低軟化點(diǎn)玻璃組合物的粉末、樹脂和溶劑。為了調(diào)節(jié)熱膨脹，有時(shí)也含有上述填料的粉末。其沸點(diǎn)高于溶劑的沸點(diǎn)的樹脂包括乙基纖維素、硝酸纖維素、聚乙二醇、丙烯酸系樹脂等。溶解在溶劑中的樹脂控制所述糊的粘度。該樹脂在相對(duì)低的溫度下能夠分解或蒸發(fā)。用于溶解樹脂的溶劑包括萜品醇、二甘醇一丁基醚、二甘醇、一丁基醚乙酸酯、丁基卡必醇等。在干燥步驟中除去所述溶劑。在干燥步驟后，樹脂保留在所述糊中，并且將玻璃粉末粘合。此后，在玻璃組合物不軟化和流動(dòng)的溫度下將所述糊加熱以使樹脂蒸發(fā)。然后，對(duì)玻璃糊進(jìn)行燒結(jié)以使玻璃組合物軟化和流動(dòng)。即，應(yīng)在燒結(jié)之前完成樹脂的蒸發(fā)。另外，本發(fā)明為一種電子部件，其具有玻璃封接部、玻璃粘接部、玻璃覆蓋部，其特征在于，在該玻璃封接部、玻璃粘接部、玻璃覆蓋部含有上述低軟化點(diǎn)玻璃組合物。上述低軟化點(diǎn)玻璃組合物可以作為封接材料廣泛應(yīng)用于IC陶瓷封裝、石英振蕩器、圖像顯示裝置的電子部件。除此之外，本發(fā)明為一種電子部件，其形成含有金屬和玻璃的電極，其特征在于，作為該玻璃，使用上述低軟化點(diǎn)玻璃組合物。作為該電子部件，可列舉圖像顯示裝置、太陽(yáng)能電池元件。根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種低軟化點(diǎn)玻璃組合物，其不使用鉛、鉍、銻，軟化點(diǎn)為38(TC以下、優(yōu)選36(TC以下。另外，通過使用該低軟化點(diǎn)玻璃組合物，可以提供一種封接溫度為40(TC以下、優(yōu)選38(TC以下的封接材料。進(jìn)一步，該低軟化點(diǎn)玻璃組合物可以廣泛應(yīng)用于各種電子部件的低溫玻璃封接、低溫玻璃粘接、低溫玻璃覆蓋、電極形成等，可以提供一種符合環(huán)境、安全限制的產(chǎn)品。作為代表性的電子部件，可列舉IC陶瓷封裝、石英振蕩器、圖像顯示裝置、太陽(yáng)能電池元件等。圖1是形成有低軟化點(diǎn)玻璃焙燒涂膜的樣品基板的俯視圖。圖2是使用圖1所示的樣品基板進(jìn)行了玻璃封接的樣品封接體的剖面圖。圖3是顯示代表性的等離子體顯示面板的構(gòu)成的剖面圖。圖4是顯示代表性的IC陶瓷封裝的構(gòu)成的剖面圖。圖5是顯示代表性的石英振蕩器的構(gòu)成的剖面圖。圖6是顯示代表性的太陽(yáng)能電池元件的構(gòu)成的剖面圖。圖7是顯示代表性的太陽(yáng)能電池元件的構(gòu)成的受光面圖。圖8是顯示代表性的太陽(yáng)能電池元件的構(gòu)成的背面圖。[符號(hào)說明]1氧化鋁基板2玻璃焙燒涂膜10前面板11背面板12間壁13封接材料14單元15、16、17紅色、綠色、藍(lán)色熒光體18顯示電極19地址電極20紫外線21黑矩陣22->23電介體層24保護(hù)層30噴涂金屬31端子32疊層陶瓷基板33陶瓷蓋40半導(dǎo)體基板41擴(kuò)散層42防反射層43受光面電極44集電電極45取出電力的電極46電極成分?jǐn)U散層具體實(shí)施例方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)地說明。目前，在電子部件的低溫玻璃封接、低溫玻璃粘接、低溫玻璃覆蓋等中，以氧化鉛為主要成分的在低溫下軟化的玻璃組合物被應(yīng)用于封接材料。近年來，根據(jù)環(huán)境和安全的限制，含有鉛的材料正在變得不能用于電子部件。在封接溫度比較高為45055(TC的PDP等中，已經(jīng)被替代為以氧化鉍為主要成分的無鉛玻璃組合物，但在要求在42(TC以下進(jìn)行玻璃封接、粘接、覆蓋的電子部件、例如IC陶瓷封裝或石英振蕩器等中，還在使用以氧化鉛為主要成分的玻璃組合物。而且，最近，鉛以外的鉍或銻都也作為控制物質(zhì)被提出，作為電子部件，將來可能會(huì)與鉛同樣或近似于鉛受到限制。因此，在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域中要求實(shí)質(zhì)上不含有鉛、鉍、銻、封接溫度為42(TC下、特別為40(TC以下的低軟化點(diǎn)玻璃組合物。通常，40(TC以下的封接需要玻璃的軟化點(diǎn)為380°C以下。而且，要求封接溫度為380°C以下的低溫化，期望出現(xiàn)具有360°C以下的軟化點(diǎn)的低軟化點(diǎn)玻璃組合物。作為不含有鉛、鉍、銻的低溫玻璃組合物，可列舉以氧化錫為主要成分的玻璃，但在420°C以下難以進(jìn)行低溫封接，而且，在大氣中進(jìn)行加熱時(shí)，因錫的價(jià)數(shù)變化而致使耐濕性、耐水性等不充分，缺乏實(shí)用性。另外，作為不含有鉛、鉍、銻的低溫玻璃組合物，可列舉在40(TC以下可以進(jìn)行低溫封接的以氧化釩和氧化碲為主要成分的玻璃，但其熱膨脹系數(shù)非常大、為130X10—7t:以上，因此，由于含有低熱膨脹填料而引起的熱膨脹的控制困難，另外，因殘留氣泡多而難以得到高的氣密性，實(shí)用性不高。其為120X10—7t:以下、優(yōu)選looxio—7r以下時(shí)，容易使用。因此，本申請(qǐng)發(fā)明人對(duì)不使用鉛、鉍、銻、且實(shí)用性高、在40(TC以下的低溫下可以進(jìn)行封接的低軟化點(diǎn)玻璃組合物進(jìn)行了研究。其結(jié)果，可以得到考慮了環(huán)境和安全、且改善了耐濕性和熱膨脹系數(shù)的軟化點(diǎn)為38(TC以下的低軟化點(diǎn)玻璃組合物。該低軟化點(diǎn)玻璃組合物至少包含釩、磷、碲、鐵的氧化物。作為其它成分，可以含有錳、鋅、鎢、鉬、鋇的氧化物中的1種以上。優(yōu)選的組成范圍是，按后述的氧化物換算計(jì)，V205為4565重量％、P205為1020重量X、Te02為1025重量％、？6203為515重量％、Mn02、ZnO、W03、Mo03、BaO總計(jì)為010重量％。、05小于45重量％時(shí)，軟化點(diǎn)超過3801:，難以在4001:以下進(jìn)行封接，另一方面，當(dāng)其超過65重量％時(shí)，耐濕性變差。P205小于10重量％時(shí)，容易發(fā)生結(jié)晶化，在40(TC以下不能得到良好的軟化流動(dòng)性，另一方面，當(dāng)其超過20重量％時(shí)，軟化點(diǎn)超過380°C，難以在400°C以下進(jìn)行封接。Te02小于10重量％時(shí)，容易發(fā)生結(jié)晶化，而且，難以使軟化點(diǎn)為380°C以下，另一方面，當(dāng)其超過25重量％時(shí)，熱膨脹系數(shù)超過100X10—7°C，變得過大，結(jié)果缺乏實(shí)用性。Fe203小于5重量％時(shí)，不能得到良好的耐濕性，另一方面，當(dāng)其超過15重量^時(shí)，容易發(fā)生結(jié)晶化，在40(TC以下不能得到良好的軟化流動(dòng)性。另外，Mn0yZn0、W03、Mo03、Ba0的總計(jì)超過10重量％時(shí)，容易發(fā)生結(jié)晶化，在400°C以下不能得到良好的軟化流動(dòng)性。更優(yōu)選的組成范圍是，、05為5060重量％、&05為1520重量％、1^02為1525重量％、？6203為510重量％、Mn02、Zn0、W03、Mo03、Ba0總計(jì)為05重量％。另外，本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物包含釩、磷、碲、鋇及鴇和/或鉬、還有鐵和/或堿金屬的氧化物。優(yōu)選的組成范圍是，按后述的氧化物換算計(jì)，含有4055重量％的V205、515重量％的P205、2030重量％的Te02、210重量％的Ba0、015重量％的W03、015重量％的]003、08重量％的Fe203、05重量％的R20(R為堿金屬)，而且，P205和Te02之和為3040重量％，W03和Mo03之和為515重量％，F(xiàn)e203和R20之和為28重量％。V205小于40重量％時(shí)，軟化點(diǎn)超過38(TC，難以在400°C以下進(jìn)行封接，另一方面，當(dāng)其超過55重量％時(shí)，不能得到良好的耐濕性。P205小于5重量％時(shí)，容易發(fā)生結(jié)晶化，在400°C以下不能得到良好的軟化流動(dòng)性，另一方面，當(dāng)其超過15重量％時(shí)，軟化點(diǎn)超過38(TC，難以在40(TC以下進(jìn)行封接。Te02小于20重量％時(shí)，容易發(fā)生結(jié)晶化，而且，難以使軟化點(diǎn)為380°C以下，另一方面，當(dāng)其超過30重量％時(shí)，熱膨脹系數(shù)變得非常大，而且，耐濕性降低。Ba0小于2重量％時(shí)，耐濕性降低，另一方面，當(dāng)其超過10重量％時(shí)，結(jié)晶化傾向變大，另外，軟化點(diǎn)和封接溫度高溫化。W03超過15重量％時(shí)，軟化點(diǎn)和封接溫度高溫化，Mo03超過15重量X時(shí)，耐濕性降低。？6203超過8重量％時(shí)，容易發(fā)生結(jié)晶化。R^(R為堿金屬)的含有可以提高耐濕性，但當(dāng)其超過5重量％時(shí)，耐濕性反而降低。而且，P205和Te02之和小于30重量％時(shí)，容易發(fā)生結(jié)晶化，另一方面，當(dāng)其超過40重量％時(shí)，耐濕性降低。另外，W03和Mo03之和小于5重量％時(shí)，容易發(fā)生結(jié)晶化，不能得到良好的耐濕性，另一方面，當(dāng)其超過15重量％時(shí)，軟化點(diǎn)和封接溫度高溫化。而且，F(xiàn)e^3和!^0之和小于2重量％時(shí)，不能得到良好的耐濕性，另一方面，當(dāng)其超過8重量％時(shí)，容易發(fā)生結(jié)晶化。本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物通過與填料粉末組合，可以控制熱膨脹系數(shù)和流動(dòng)性，可以廣泛地應(yīng)用于IC陶瓷封裝、石英振蕩器、圖像顯示裝置等電子部件的低溫氣密封接。另外，通過與金屬粒子組合，也可以廣泛地應(yīng)用于圖像顯示裝置或太陽(yáng)能電池元件等的電極。下面，用實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體說明。[實(shí)施例1]表1表3中顯示了制作、研究的低軟化點(diǎn)玻璃組合物的組成和特性。任一種成分都按表1所示的氧化物換算的重量比表示。這些低軟化點(diǎn)玻璃組合物考慮到環(huán)境、安全，實(shí)質(zhì)上不含有鉛、鉍及銻。作為玻璃原料，釩使用、05，磷使用&05，碲使用Te(^，鐵使用Fe203，錳使用Mn02，鋅使用Zn0，鎢使用W03，鉬使用Mo03，鋇使用Ba(P03)2。在使用Ba(P03)2作為原料時(shí)，減少P205原料量而進(jìn)行換算。表1玻璃組成和特性<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>表2玻璃組成和特性<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>表1表3的低軟化點(diǎn)玻璃組合物用以下敘述的方法制作。將配合、混合有成為原料的各氧化物的原料150200g放入鉑坩堝中，用電爐以5l(TC/分鐘的升溫速度加熱至90095(TC，保持1小時(shí)。保持中，為了制成均勻的玻璃而進(jìn)行攪拌。從電爐中取出坩堝，在預(yù)先加熱到15(TC左右的石墨鑄型和不銹鋼板上澆注。澆注在不銹鋼板上的玻璃粉碎至粒徑小于20iim，以5°C/分鐘的升溫速度進(jìn)行差示熱分析(DTA)，由此，測(cè)定轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)、變形點(diǎn)(Mg)、軟化點(diǎn)(Ts)、結(jié)晶化溫度(Tcry)的特性溫度。需要說明的是，作為標(biāo)準(zhǔn)樣品，使用氧化鋁粉末。在DTA曲線中，Tg設(shè)定為第一吸熱峰的起始溫度，Mg設(shè)定為第一吸熱峰溫度，軟化點(diǎn)設(shè)定為第二吸熱峰溫度，Tcry設(shè)定為因結(jié)晶化而開始放熱的溫度。熱膨脹系數(shù)(a)在2525(TC的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)定。熱膨脹測(cè)定樣品是將澆注到石墨鑄型中的玻璃在TgMg的溫度下實(shí)施退火處理后、加工成4X4X20mm的長(zhǎng)方體。利用熱膨脹計(jì)以5t:/分鐘的升溫速度測(cè)定a。需要說明的是，作為標(biāo)準(zhǔn)樣品，使用小5X20mm的石英玻璃圓柱體。另外，利用紐扣流動(dòng)(#夕>7a—)試驗(yàn)評(píng)價(jià)加熱時(shí)的軟化流動(dòng)性。該樣品使用粉碎至粒徑20iim以下的玻璃粉末，制成直徑10mm、厚度5mm的壓制成形體。將該成形體置于氧化鋁基板上，以5°C/分鐘的升溫速度分別加熱至38(TC和40(TC，保持10分鐘，將38(TC和40(TC下的軟化流動(dòng)性用O、A、X進(jìn)行評(píng)價(jià)。O為可得到良好的流動(dòng)性的情況，A為不能得到良好的流動(dòng)性、但軟化了的情況，X為沒有軟化的情況或結(jié)晶化的情況。耐濕性試驗(yàn)在溫度85t:、濕度85%的條件下實(shí)施1、3、5天。耐濕試驗(yàn)樣品使用與上述熱膨脹測(cè)定樣品同樣地加工成4X4X20mm的長(zhǎng)方體的玻璃。評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)為外觀上沒有變化的情況為O，可看出變化的情況為X。進(jìn)一步綜合地進(jìn)行評(píng)價(jià)，熱膨脹系數(shù)為100X10—7t:以下、并且在38(TC和40(TC下顯示良好的軟化流動(dòng)性、而且具有優(yōu)異的耐濕性的情況為0，熱膨脹系數(shù)為100X10—7t:以下、并且在40(TC下顯示良好的軟化流動(dòng)性、而且具有優(yōu)異的耐濕性的情況為O，熱膨脹系數(shù)為100X10—7t:以下、并且在38(TC和40(TC下顯示良好的軟化流動(dòng)性、而且具有大致良好的耐濕性的情況為A，熱膨脹系數(shù)超過looxio—7t:、另外在400°C以下的軟化流動(dòng)性或耐水性均不充分的情況為X。由表1表3的實(shí)施例G2、4、1214、1619、23、2731、33、3538、42、44、46可知，關(guān)于含有釩、磷、碲及鐵的氧化物、軟化點(diǎn)為38(TC以下的低軟化點(diǎn)玻璃組合物，熱膨脹系數(shù)為100X10—7"以下，在40(TC以下顯示良好的軟化流動(dòng)性，而且具有良好的耐濕性。作為其它成分，也可以含有錳、鋅、鎢、鉬、鋇的氧化物的任一種以上，優(yōu)選的組成范圍是，按后述的氧化物換算計(jì)，V205為4565重量％、&05為1020重量％、Te02為1025重量％、？6203為515重量X、Mn02、ZnO、W03、Mo03、BaO總計(jì)為010重量％。而且，在軟化點(diǎn)為360。C以下的G2、4、1214、1618、23、2731、33、36、42中，在380。C下的軟化流動(dòng)性優(yōu)異，可以在38(TC以下進(jìn)行低溫氣密封接。而且，考慮耐濕性時(shí)，G1214、1618、23、2731、33、36、42的玻璃優(yōu)異，更優(yōu)選的組成范圍是，按后述的氧化物換算計(jì)，V205為5060重量％、？205為1520重量％訂602為1525重量％、？6203為510重量X、Mn02、ZnO、W03、Mo03、BaO總計(jì)為05重量％。[實(shí)施例2]作為實(shí)施例2，對(duì)低軟化點(diǎn)玻璃組合物中混合的填料的種類和含量進(jìn)行了研究。作為填料，使用表4所示的平均粒徑30iim的堇青石、平均粒徑10iim的非晶態(tài)二氧化硅、平均粒徑25iim的硅酸鋯、平均粒徑40iim的莫來石、平均粒徑5ym的氧化鋁、平均粒徑1Pm的氧化鈮、平均粒徑3iim的氧化鉭的粉末。表4實(shí)施例中使用的填料<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>作為低軟化點(diǎn)玻璃組合物，使用表1表3的G17、29、36的低軟化點(diǎn)玻璃組合物的粉末。為了在更低溫下使其軟化，對(duì)這些玻璃粉末進(jìn)行微細(xì)化及分級(jí)，使平均粒徑為3ym。另外，將相對(duì)于各自的低軟化點(diǎn)玻璃組合物的各種填料的含量設(shè)定為0、10、20、30、40、50體積％。將上述低軟化點(diǎn)玻璃組合物和填料混合，進(jìn)一步加入樹脂和溶劑，制成玻璃糊。樹脂使用聚乙二醇，溶劑使用a-萜品醇。將分別制作好的玻璃糊如圖l所示涂敷于氧化鋁基板1上，進(jìn)行干燥后，以5°C/分鐘的升溫速度加熱至38(TC，保持10分鐘，形成玻璃焙燒涂膜2。需要說明的是，玻璃糊的涂敷寬度為0.5mm。進(jìn)而，如圖2所示，將形成有玻璃焙燒涂膜2的氧化鋁基板1與同形狀的氧化鋁基板3重疊，并施加載荷，同時(shí)，以5°C/分鐘的升溫速度加熱至36(TC并保持IO分鐘，進(jìn)行封接。對(duì)該封接體的附著性、粘接性、殘留氣泡進(jìn)行評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果示于表5。表5填料研究結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>附著性、粘接性、殘留氣泡均優(yōu)異的情況為，雖然殘留一些氣泡、但是可得到良好的附著性、粘接性的情況為o，附著性或殘留氣泡不充分、但可以沒問題地粘接的情況為A，粘接性不充分的情況為X。不管是哪種填料、哪種玻璃，只要填料含量為30體積％以下、即玻璃含量為70體積％以上，就可以沒問題地粘接。尤其是填料含量為20體積％以下、玻璃含量為80體積％以上時(shí)，附著性、粘接性、殘留氣泡良好。另一方面，可知，填料含量超過30體積％、玻璃含量小于70體積％時(shí)，殘留氣泡多，并且難以得到良好的附著性和粘接性。因此，本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物中可以混合至多30體積％、優(yōu)選至多20體積％的填料作為低溫封接材料有效地應(yīng)用。但是，如果沒有填料，則雖然殘留氣泡和附著性良好，但不能說玻璃和氧化鋁基板的熱膨脹系數(shù)的匹配好，有時(shí)在封接部分產(chǎn)生裂縫。因此，在表5中，評(píng)價(jià)為A。為了應(yīng)對(duì)該問題，通過含有填料，使25t:至250°C的熱膨脹系數(shù)為80X10—7r是有效的。另夕卜，由表5可知，填料的平均粒徑為30iim以下、優(yōu)選5iim以下可得到良好的粘接性。可以認(rèn)為這是由于可以減小封接厚度的緣故。而且，在以氧化鈮或氧化鉭為填料的情況下，殘留氣泡很少，作為低溫封接材料更有效?？梢哉J(rèn)為這是由于氧化鈮或氧化鉭和玻璃的濡濕性良好的緣故。另外，即使為它們的化合物，也可以認(rèn)為有效。對(duì)PDP玻璃基板及硅基板也進(jìn)行了同樣的研究。得到了與上述氧化鋁基板大致同樣的結(jié)果。另外，對(duì)聚丙二醇或丙烯酸系樹脂等低溫分解樹脂作為樹脂、丁基卡必醇乙酸酯或乙酸丁酯等疏水系溶劑作為溶劑也進(jìn)行了研究，對(duì)此也得到了同樣的結(jié)果。[實(shí)施例3]在實(shí)施例3中，對(duì)使用本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物應(yīng)用于金屬電極的實(shí)例進(jìn)行說明。通常，通過將包含低軟化點(diǎn)玻璃組合物粉末、金屬粉末、樹脂、溶劑的糊進(jìn)行涂敷、干燥、焙燒來得到電極。在本實(shí)施例中，作為低軟化點(diǎn)玻璃組合物，使用平均粒徑3ym的表1表3的G36。另外，金屬粒子使用平均粒徑2iim的鋁粉末，樹脂使用聚乙二醇，溶劑使用a-萜品醇。通過將低軟化點(diǎn)玻璃組合物G36的粉末和鋁粉末混合并加入聚乙二醇和a-萜品醇的溶液來制作電極用糊。以低軟化點(diǎn)玻璃組合物G36的粉末和鋁粉末的體積比例為5:95、7:93、10:90、17:83、25:75，制作5種電極用糊并進(jìn)行了研究。使用制作的電極用糊，利用印刷法涂敷于氧化鋁基板上并進(jìn)行干燥后，以升溫速度l(TC/分鐘加熱至40(TC，保持30分鐘，形成鋁電極。在氧化鋁基板上形成的鋁電極，隨著玻璃粉末G36的含量增加，另一方鋁粉末的含量減少，對(duì)基板的附著性提高。如果玻璃粉末G36的含量為5體積％、鋁粉末的含量為95體積％，則電極的附著性不充分，如果玻璃含量為7體積％以上、鋁含量為93體積％以下，則可得到良好的附著性。但是，隨著玻璃粉末G36的含量增加，另一方鋁粉末的含量減少，電極的電阻值增加。雖然可因電極的用途而異，但作為電極，鋁的含量需要至少為83體積％以上。即，作為電極，優(yōu)選的金屬粉末的含量為8393體積％。與上述同樣地，對(duì)銀電極和銅電極也進(jìn)行了研究。銀電極使用將平均粒徑1Pm的銀粉末扁平處理的粒子，銅電極使用將平均粒徑3ym的銅粉末扁平處理的粒子。在銅電極的形成中，為了防止銅的氧化，在氮?dú)庵袑?shí)施熱處理?？芍谘趸X基板上形成的銀電極、銅電極均可得到與上述鋁電極同樣的結(jié)果，本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物可以應(yīng)用于低溫封接以外的用途。[實(shí)施例4]作為實(shí)施例4，對(duì)將本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物應(yīng)用于PDP的實(shí)例進(jìn)行說明。圖3顯示PDP的剖面圖的概要。在PDP中，前面板10、背面板11具有100150iim的間隙并對(duì)置配置，各基板的間隙由間壁12維持。前面板10和背面板11的周邊部分用封接材料13氣密地封閉，在面板內(nèi)部填充有惰性氣體。在由間壁12隔開的微小空間(單元14)中分別填充紅色、綠色、藍(lán)色的熒光體15、16、17，由3色的單元構(gòu)成1像素。各像素根據(jù)信號(hào)發(fā)出各色的光。前面板10、背面板11設(shè)有規(guī)則地排列在玻璃基板上的電極。前面板10的顯示電極18和背面板11的地址電極19成為對(duì)電極，在它們之間根據(jù)顯示信號(hào)選擇性地施加100200V的電壓，利用電極間的放電產(chǎn)生紫外線20，使紅色、綠色、藍(lán)色的熒光體15、16、17發(fā)光，顯示圖像信息。為了保護(hù)這些電極和控制放電時(shí)的壁電荷等，顯示電極18、地址電極19用電介體層22、23覆蓋。為了形成單元14，背面板11在地址電極19的電介體層23上設(shè)有間壁12。該間壁12為條狀或盒狀的結(jié)構(gòu)體。另外，為了提高對(duì)比度，有時(shí)在相鄰單元的顯示電極間形成黑矩陣(黑帶)21。作為顯示電極18、地址電極19，目前一般使用銀厚膜配線。需要說明的是，為了應(yīng)對(duì)銀的遷移，正在研究從銀厚膜配線向銅厚膜配線的變更。因此，需要防止銅氧化的措施?？梢岳脼R射法形成顯示電極18、地址電極19及黑矩陣21，但為了降低價(jià)格，印刷法是有利的。電介體層22、23—般用印刷法形成。在前面板10中，以與背面板11的地址電極19垂直的方式形成顯示電極18和黑矩陣21后，在整個(gè)面上形成電介體層22。為了由放電保護(hù)顯示電極18等，在該電介體層22上形成保護(hù)層24。一般而言，該保護(hù)層24使用Mg0的蒸鍍膜。在背面板ll中，在地址電極19、電介體層23上設(shè)有間壁12。由玻璃結(jié)構(gòu)體構(gòu)成的間壁由至少含有玻璃組合物和填料的結(jié)構(gòu)材料構(gòu)成，由將該結(jié)構(gòu)材料燒結(jié)而成的燒結(jié)體構(gòu)成。在間壁部粘貼切割有槽的揮發(fā)性片材，在該槽澆注間壁用的糊，在50060(TC下焙燒，由此，可以使片材揮發(fā)，同時(shí)形成間壁12。另外，用印刷法在整個(gè)面上涂敷間壁用糊，干燥后進(jìn)行遮掩，通過噴砂或化學(xué)蝕刻除去不需要的部分，在50060(TC下焙燒，由此也可以形成間壁12。在由間壁12隔開的單元14內(nèi)，分別填充各色的紅色、綠色、藍(lán)色的熒光體15、16、17的糊，在400500°C下焙燒，由此，分別形成紅色、綠色、藍(lán)色的熒光體15、16、17。通常，使分別制作好的前面板10和背面板11對(duì)置，準(zhǔn)確地對(duì)準(zhǔn)位置，在42050(TC下對(duì)周邊部進(jìn)行玻璃封接，但要求更低溫度下的封接。利用分配法或印刷法將封接材料13預(yù)先形成在前面板10或背面板11的任一個(gè)的邊緣部。一般而言，封接材料13形成在背面板11一方。另外，有時(shí)封接材料13也在與紅色、綠色、藍(lán)色的熒光體15、16、17的焙燒同時(shí)，預(yù)先進(jìn)行預(yù)焙燒。通過采取該方法，可以顯著減少玻璃封接部的氣泡，可得到氣密性高、即可靠性高的玻璃封接部。對(duì)玻璃封接而言，一邊加熱，一邊對(duì)單元14內(nèi)部的氣體進(jìn)行抽氣，封入惰性氣體，完成面板。為了點(diǎn)亮完成的面板，在顯示電極18和地址電極19交叉的部位施加電壓，使單元14內(nèi)的惰性氣體放電，形成等離子體狀態(tài)。然后，利用單元14內(nèi)的惰性氣體從等離子體狀態(tài)回到原來的狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生的紫外線20，使紅色、綠色、藍(lán)色的熒光體15、16、17發(fā)光，點(diǎn)亮面板，顯示圖像信息。在使各色點(diǎn)亮?xí)r，在想要點(diǎn)亮的單元14的顯示電極18和地址電極19之間進(jìn)行地址放電，使單元內(nèi)積蓄壁電荷。接著，通過對(duì)顯示電極對(duì)施加一定的電壓，通過地址放電僅使積蓄有壁電荷的單元發(fā)生顯示放電，產(chǎn)生紫外線20，由此，用使熒光體發(fā)光的結(jié)構(gòu)來進(jìn)行圖像信息的顯示。在本實(shí)施例中，首先，作為低軟化點(diǎn)玻璃組合物使用表1表3的G36、作為填料使用表4的F5、作為樹脂使用聚乙二醇、作為溶劑使用a-萜品醇，制作低溫封接用低軟化點(diǎn)玻璃糊。需要說明的是，G36和F5的配合比例按體積比計(jì)為78:22，以使封接后的25°C25(TC的熱膨脹系數(shù)在7075X10—7t:的范圍內(nèi)的方式進(jìn)行控制。這是因?yàn)?，用于前面?0和背面板11的玻璃基板的熱膨脹系數(shù)為8085X10—7°C，因此，要制成熱膨脹系數(shù)比其小1015%左右的低軟化點(diǎn)玻璃糊，對(duì)封接材料13施加壓縮應(yīng)力。使用制作的低軟化點(diǎn)玻璃糊，將圖3的PDP進(jìn)行低溫封接。首先，用分配法在背面板11的邊緣部涂敷該低軟化點(diǎn)糊并使其干燥。其后，以5t:/分鐘的升溫速度加熱至40(rC，保持30分鐘。接著，使該背面板11和前面板10準(zhǔn)確地對(duì)置，用夾具固定，一邊抽氣，一邊以5°C/分鐘的升溫速度加熱至350°C，保持2小時(shí)，然后，填充惰性氣體并進(jìn)行冷卻。與目前相比，盡管將封接溫度顯著低溫化，但可以沒問題、氣密地進(jìn)行封接。另外，在面板點(diǎn)亮試驗(yàn)中也沒有發(fā)現(xiàn)問題。通過封接溫度的低溫化，可以提高PDP的批量生產(chǎn)性，有助于降低成本。[O109][實(shí)施例5]作為實(shí)施例5，對(duì)將本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物應(yīng)用于IC陶瓷封裝的實(shí)例進(jìn)行說明。圖4顯示IC陶瓷封裝的剖面圖的概要。在IC陶瓷封裝中，對(duì)形成有噴涂金屬30和端子31的疊層陶瓷基板32和陶瓷蓋33，用封接材料13氣密地封閉邊緣部。通常，IC陶瓷封裝的玻璃封接是用印刷法在陶瓷蓋33的邊緣部涂敷封接材料13。此時(shí)，封接材料13用作玻璃糊。將涂敷有封接材料13的陶瓷蓋33干燥后，在大氣中焙燒。使用專用的固定夾具使形成有封接材料13的陶瓷蓋33和疊層陶瓷基板32對(duì)置并施加載荷，同時(shí)，連固定夾具一起在惰性氣氛中進(jìn)行玻璃封接?，F(xiàn)有的封接材料使用以氧化鉛為主要成分的低軟化點(diǎn)玻璃組合物或在該玻璃組合物中含有氟的物質(zhì)，在400°C以下的低溫下進(jìn)行氣密封接。但是，考慮到環(huán)境和安全，應(yīng)該避免使用含有害的鉛的材料。在本實(shí)施例中，對(duì)使用氧化鋁類陶瓷的IC封裝進(jìn)行了研究。對(duì)封接材料13而言，首先，作為低軟化點(diǎn)玻璃組合物使用表1表3的G17、作為填料使用表4的F5、作為樹脂使用聚乙二醇、作為溶劑使用a-萜品醇，制作低溫封接用低軟化點(diǎn)玻璃糊。需要說明的是，G17和F5的配合比例按體積比計(jì)為84:16。其焙燒后的25°C250°C的熱膨脹系數(shù)為77X10—7°C。用印刷法將該低軟化點(diǎn)玻璃糊涂敷在氧化鋁類陶瓷蓋33上。其后，用兩階段曲線法(二段7口77"O)在大氣中焙燒該陶瓷蓋33。兩階段曲線法的第一階段是在33(TC下保持20分鐘，第二階段是在38(TC下保持10分鐘。升溫速度設(shè)定為l(TC/分鐘。接著，用固定夾具使形成有封接材料13的氧化鋁類陶瓷蓋33和氧化鋁類疊層陶瓷基板32對(duì)置并施加載荷，在氮?dú)庵幸陨郎厮俣?0°C/分鐘加熱至37(TC，保持IO分鐘，進(jìn)行低溫封接。如此操作制作了IO個(gè)IC陶瓷封裝。所有IC陶瓷封裝都可以沒有任何問題地、氣密地進(jìn)行玻璃封接。另外，進(jìn)行工作試驗(yàn)，確認(rèn)沒有問題。將工作試驗(yàn)后的IC陶瓷封裝拆開，觀察玻璃封接部，可知雖然看到一些殘留氣泡，但是，可得到氣密性高、可靠性高的封接部分。如上所述，本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物可以有效地應(yīng)用于IC陶瓷封裝的低溫氣密封接。[實(shí)施例6]作為實(shí)施例6，對(duì)將本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物應(yīng)用于石英振蕩器的封裝的實(shí)例進(jìn)行說明。圖5顯示石英振蕩器的剖面圖的概要。石英振蕩器具有如下結(jié)構(gòu)，S卩，利用導(dǎo)電性粘接劑36使形成有電極34的石英薄板35與端子37連接，進(jìn)而，對(duì)于該端子37連接電極襯墊38而成的陶瓷容器39和陶瓷蓋33，用封接材料13氣密地密封邊緣部。通常，石英振蕩器的玻璃封接是用印刷法在陶瓷蓋33的邊緣部涂敷封接材料13。此時(shí)，封接材料13用作玻璃糊。將涂敷有封接材料13的陶瓷蓋33干燥后，在大氣中焙燒。使用專用的固定夾具使形成有封接材料13的陶瓷蓋33和陶瓷容器39對(duì)置，施加載荷，同時(shí)，連固定夾具一起在惰性氣氛中進(jìn)行玻璃封接。目前的封接材料使用以氧化鉛為主要成分的低軟化點(diǎn)玻璃組合物，或在該玻璃組合物中含有氟的物質(zhì)，在400°C以下的低溫下進(jìn)行氣密封接。但是，考慮到環(huán)境和安全，應(yīng)該避免使用含有害的鉛的材料。在本實(shí)施例中，對(duì)使用有氧化鋁類陶瓷的石英振蕩器進(jìn)行了研究。對(duì)封接材料13而言，首先，作為低軟化點(diǎn)玻璃組合物使用表1表3的G29、作為填料使用表4的F5、作為樹脂使用聚乙二醇、作為溶劑使用a-萜品醇，制作低溫封接用低軟化點(diǎn)玻璃糊。需要說明的是，G29和F5的配合比例按體積比計(jì)為80:20。其焙燒后的25°C250°C的熱膨脹系數(shù)為78X10—7°C。用印刷法將該低軟化點(diǎn)玻璃糊涂敷在氧化鋁類陶瓷蓋33上。其后，用兩階段曲線法在大氣中焙燒該陶瓷蓋33。兩階段曲線法的第一階段是在33(TC下保持20分鐘，第二階段是在39(TC下保持10分鐘。升溫速度設(shè)定為l(TC/分鐘。接著，用固定夾具使形成有封接材料13的氧化鋁類陶瓷蓋33和陶瓷基板容器39對(duì)置并施加載荷，在氮?dú)庵幸陨郎厮俣萳(TC/分鐘加熱至37(TC，保持10分鐘，進(jìn)行低溫封接。如此操作制作了10個(gè)石英振蕩器。所有石英振蕩器都可以沒有任何問題地、氣密地進(jìn)行玻璃封接。另外，進(jìn)行工作試驗(yàn)，確認(rèn)具有良好的振動(dòng)特性。將工作試驗(yàn)后的石英振蕩器拆開，觀察玻璃封接部，可知雖然看到一些殘留氣泡，但是，可得到氣密性高、可靠性高的封接部分。以上，對(duì)PDP、IC陶瓷封裝、石英振蕩器的低溫氣密封接進(jìn)行了說明，當(dāng)然，本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物也可以應(yīng)用于其它電子部件的低溫氣密封接。[實(shí)施例7]在實(shí)施例7中，對(duì)將含有本發(fā)明的玻璃組合物的電極材料應(yīng)用于太陽(yáng)能電池元件的電極的實(shí)例進(jìn)行說明。圖6、圖7及圖8顯示代表性的太陽(yáng)能電池元件的剖面圖、受光面及背面的概要。通常，太陽(yáng)能電池元件的半導(dǎo)體基板40使用單晶硅或多晶硅等。該半導(dǎo)體基板40含有硼等，制成p型半導(dǎo)體。為了抑制太陽(yáng)光的反射，受光面?zhèn)韧ㄟ^蝕刻形成凹凸。在該受光面摻雜磷等，以亞微米級(jí)的厚度形成n型半導(dǎo)體的擴(kuò)散層41，同時(shí)，在與p形本體部分的邊界形成pn接合部。進(jìn)而在受光面利用蒸鍍法等以膜厚100nm左右形成氮化硅等防反射層42。接著，對(duì)形成于受光面的受光面電極43和形成于背面的集電電極44及取出電力的電極45的形成進(jìn)行說明。通常，受光面電極43和取出電力的電極45使用含有玻璃組合物的粉末的銀電極糊，集電電極44使用含有玻璃組合物的粉末的鋁電極糊，用網(wǎng)版印刷進(jìn)行涂敷。干燥后，利用快速加熱爐或激光加熱進(jìn)行焙燒，形成電極。此時(shí)，在受光面，受光面電極43中所含的玻璃組合物和防反射層42反應(yīng)，電連接受光面電極43和擴(kuò)散層41。另外，在背面，集電電極44中的鋁擴(kuò)散到半導(dǎo)體基板40的背面，形成電極成分?jǐn)U散層46，由此，可以在半導(dǎo)體基板40和集電電極44、取出電力的電極45之間得到歐姆接觸。使用表1表3的低軟化點(diǎn)玻璃組合物G36的粉末，制作受光面電極43和取出電力的電極45用的銀電極糊，及使用表1表3的低軟化點(diǎn)玻璃組合物G17的粉末，制作集電電極44用的鋁電極糊。以低軟化點(diǎn)玻璃組合物的粉末的含量為10體積％、銀及鋁的粉末分別為90體積％的方式配合并混合。低軟化點(diǎn)玻璃組合物的粉末的平均粒徑約為1Pm。另外，銀和鋁的粉末使用將13ym左右的球狀粉末機(jī)械性地壓碎并做成板狀粉末的粉末。樹脂粘合劑使用聚乙二醇，溶劑使用a-萜品醇，制成可以進(jìn)行網(wǎng)版印刷的電極糊。首先，如圖6及圖8所示，通過網(wǎng)版印刷在半導(dǎo)體基板40的背面涂敷上述集電電極44用鋁電極糊，干燥后，用快速紅外線加熱爐在大氣中加熱到400°C，進(jìn)行冷卻。在400°C的保持時(shí)間為IO分鐘。由此，首先在半導(dǎo)體基板的40的背面形成集電電極44。接著，在形成有擴(kuò)散層41和防反射層42的半導(dǎo)體基板40的受光面和已經(jīng)形成有集電電極44的半導(dǎo)體基板40的背面，如圖6、圖7及圖8所示，通過網(wǎng)版印刷涂敷銀電極糊，進(jìn)行干燥后，用激光燒上銀電極。制作的太陽(yáng)能電池元件在受光面電連接形成有受光面電極43和擴(kuò)散層41的半導(dǎo)體基板40。另外，在背面形成電極成分?jǐn)U散層46，可以在半導(dǎo)體基板40和集電電極44、取出電力的電極45之間得到歐姆接觸。并且，與目前相比，可以減少半導(dǎo)體基板40的翹曲。進(jìn)而，實(shí)施100小時(shí)的851\85%的高溫高濕試驗(yàn)，電極的配線電阻和接觸電阻基本上沒有變大。因此，本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物可以有效地應(yīng)用于太陽(yáng)能電池元件的電極。另外，也可以有效地充分利用于太陽(yáng)能電池元件以外的電子部件的電極形成。[實(shí)施例8]表6表8中顯示了制作、研究的低軟化點(diǎn)玻璃組合物的組成和特性。表6玻璃組成和特性(2)<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>表7玻璃組成和特性(2)<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>所有成分都用表6所示的氧化物換算的重量比表示?？紤]到環(huán)境、安全，這些低軟化點(diǎn)玻璃組合物實(shí)質(zhì)上不含有鉛、鉍及銻。作為玻璃原料，釩使用、05，磷使用&05，碲使用Te02，鋇使用BaC03或Ba(P03)2，鎢使用W03，鉬使用Mo03，鐵使用Fe203，堿金屬R使用R2C03。在使用Ba(P03)2作為原料時(shí)，減少P205原料量進(jìn)行換算。表6表8的低軟化點(diǎn)玻璃組合物用以下敘述的方法制作。將配合、混合有成為原料的各氧化物的原料200g放入鉑坩堝中，用電爐以l(TC/分鐘的升溫速度加熱至90(TC，保持1小時(shí)。保持中，為了制成均勻的玻璃而進(jìn)行攪拌。從電爐中取出坩堝，在預(yù)先加熱到15(TC左右的石墨鑄型和不銹鋼板上澆注。澆注在不銹鋼板上的玻璃粉碎至粒徑小于20ym，以5t:/分鐘的升溫速度進(jìn)行差示熱分析(DTA)，由此，測(cè)定轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)、變形點(diǎn)(Mg)、軟化點(diǎn)(Ts)、結(jié)晶化溫度(Tcry)的特性溫度。需要說明的是，作為標(biāo)準(zhǔn)樣品，使用氧化鋁粉末。在DTA曲線中，Tg設(shè)定為第一吸熱峰的起始溫度，Mg設(shè)定為第一吸熱峰溫度，軟化點(diǎn)設(shè)定為第二吸熱峰溫度，Tcry設(shè)定為因結(jié)晶化而開始放熱的溫度。熱膨脹系數(shù)(a)在2525(TC的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)定。熱膨脹測(cè)定樣品是將澆注到石墨鑄型的玻璃在TgMg的溫度下實(shí)施退火處理后，加工成4X4X20mm的長(zhǎng)方體。利用熱膨脹計(jì)以5°C/分鐘的升溫速度測(cè)定a。需要說明的是，作為標(biāo)準(zhǔn)樣品，使用小5X20mm的石英玻璃圓柱體。熱膨脹系數(shù)(a)過大、使用上需要注意的玻璃，在熱膨脹系數(shù)的欄中表示為A。另外，利用紐扣流動(dòng)試驗(yàn)評(píng)價(jià)加熱時(shí)的軟化流動(dòng)性。該樣品使用粉碎至粒徑20iim以下的玻璃粉末，制成直徑10mm、厚度5mm的壓制成形體。將該成形體置于氧化鋁基板上，以5°C/分鐘的升溫速度分別加熱至38(TC和40(TC，保持10分鐘，將38(TC和40(TC下的軟化流動(dòng)性用0、A、X進(jìn)行評(píng)價(jià)。0為可得到良好的流動(dòng)性的情況，A為不能得到良好的流勸性、但軟化的情況，X為沒有軟化的情況或結(jié)晶化的情況。耐濕性試驗(yàn)在溫度85t:、濕度85%的條件下實(shí)施5、10、15天。與實(shí)施例l相比，為更苛刻的條件。耐濕試驗(yàn)樣品使用與上述熱膨脹測(cè)定樣品同樣地加工成4X4X20mm的長(zhǎng)方體的玻璃。評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)為外觀上沒有變化的情況為O，可看出變化的情況為X。進(jìn)一步綜合地進(jìn)行評(píng)價(jià)，熱膨脹系數(shù)為120X10—7"以下、并且在38(TC和400°〇下顯示良好的軟化流動(dòng)性、而且具有優(yōu)異的耐濕性的情況為，大致具有良好的軟化流動(dòng)性和耐濕性的情況為o，不是這樣的情況、即軟化流動(dòng)性或耐濕性之一不充分的情況為X。由表6表8的實(shí)施例G52、53、5559、6171、7375、77、8082、8486可知，關(guān)于含有釩、磷、碲、鋇及鎢和/或鉬、還有鐵和/或堿金屬的氧化物、軟化點(diǎn)為380°C以下的低軟化點(diǎn)玻璃組合物，在40(TC以下顯示良好的軟化流動(dòng)性，而且具有良好的耐濕性。優(yōu)選的組成范圍是，按后述的氧化物換算計(jì)，含有4055重量％的V205、515重量％的？205、2030重量X的Te02、210重量X的Ba0、015重量％的￥03、015重量％的Mo03、08重量％的Fe203、05重量％的R20(R為堿金屬)，而且，P205和Te02之和為3040重量％，WOs和Mo03之和為515重量％，F(xiàn)e203和&0之和為28重量％。而且，軟化點(diǎn)為360。C以下的G55、6163、6567、69、70、74、8082、85、86，380。C下的軟化流動(dòng)性優(yōu)異，而且具有優(yōu)異的耐濕性，因此可以在380°C以下進(jìn)行可靠性高的低溫氣密封接。但是，G80、81及85的熱膨脹系數(shù)過大，因熱沖擊等而容易破損，因此，使用上需要注意。只要玻璃的熱膨脹系數(shù)為120X10—7t:以下，就基本上不需用加以這樣的注意，因此，考慮到熱膨脹系數(shù)時(shí)，可以說G55、6163、6567、69、70、74、82、86的玻璃非常適于低溫氣密封接。更優(yōu)選的組成范圍是，按后述的氧化物換算計(jì)，含有4050重量％的V205、712重量％的？205、2228重量％的Te02、210重量X的BaO、010重量％的W03、08重量％的Mo03、08重量％的Fe203、03重量％的R20(R為堿金屬)，而且，P205和Te02之和為3337重量X，W03和Mo03之和為513重量％6203和R20之和為28重量％。[實(shí)施例9]使用表6表8所示的G55、61、65、80、82的低軟化點(diǎn)玻璃組合物，與實(shí)施例2同樣地操作，進(jìn)行填料的研究。對(duì)這些低軟化點(diǎn)玻璃組合物而言，在實(shí)施例8中為在38(TC的軟化流動(dòng)性和耐濕性優(yōu)異的低軟化點(diǎn)玻璃組合物。作為填料，使用在實(shí)施例2中有效的平均粒徑1Pm的氧化鈮。進(jìn)而，還使用具有負(fù)的熱膨脹系數(shù)的、平均粒徑3iim的磷酸鴇酸鋯。為了在更低溫下使其軟化，對(duì)上述G55、61、65、80及82的低軟化點(diǎn)玻璃組合物進(jìn)行微細(xì)化及分級(jí)，使其平均粒徑為3iim。另外，將相對(duì)于各自的低軟化點(diǎn)玻璃組合物的各種填料的含量設(shè)定為0、10、20、30體積％。將低軟化點(diǎn)玻璃組合物和填料混合，進(jìn)一步加入樹脂和溶劑，制作玻璃糊。樹脂使用乙基纖維素，溶劑使用丁基卡必醇乙酸酯。將分別制作的玻璃糊如圖1所示涂敷在氧化鋁基板1上并進(jìn)行干燥后，以升溫速度5°C/分鐘加熱至380°C，保持10分鐘，形成玻璃焙燒涂膜2。需要說明的是，玻璃糊的涂敷寬度為0.5mm。進(jìn)而，如圖2所示，將形成有玻璃焙燒涂膜2的氧化鋁基板1和同形狀的氧化鋁基板3重疊并施加載荷，同時(shí)，以5°C/分鐘的升溫速度加熱至36(TC，保持10分鐘，進(jìn)行封接。對(duì)該封接體的附著性、粘接性、殘留氣泡進(jìn)行評(píng)價(jià)。附著性或粘接性優(yōu)異、并且殘留氣泡少、而且沒有產(chǎn)生裂縫的情況為，雖然殘留一些氣泡、但是可得到良好的附著性、粘接性、而且沒有產(chǎn)生裂縫的情況為o，可看到發(fā)生裂縫、但可以沒問題地附著、粘接的情況為A，因殘留氣泡或裂縫而造成附著性、粘接性不充分的情況為X。評(píng)價(jià)結(jié)果示于表9。表9填料研究結(jié)果(2)<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>在不含有填料的情況下，使用G55、65、80、82的玻璃時(shí)，因與氧化鋁基板的熱膨脹差大而發(fā)生剝離。G61由于其熱膨脹差稍稍減少，因此，只產(chǎn)生了裂縫。關(guān)于殘留氣泡，所有玻璃中都很少，只要能調(diào)節(jié)熱膨脹系數(shù)，就可以氣密地粘接。因此，填料含量增加時(shí)，熱膨脹系數(shù)變低，減少剝離或裂縫。雖然因玻璃的熱膨脹系數(shù)而異，但填料含量為2030體積％時(shí)不會(huì)發(fā)生剝離，可得到良好的附著性和粘接性。在這種情況下，尤其是含有具有負(fù)的熱膨脹系數(shù)的磷酸鎢酸鋯之類的填料是很有效的。在對(duì)氧化鋁基板的粘接、封接中，因含有填料而可有效地使從25t:至25(TC的熱膨脹系數(shù)為80X10—7°C。另外，對(duì)PDP玻璃基板也進(jìn)行了同樣的研究，結(jié)果可得到與上述氧化鋁基板大致同樣的結(jié)果。這是因?yàn)椋琍DP玻璃基板和氧化鋁基板的熱膨脹系數(shù)大致相同。接著，對(duì)熱膨脹系數(shù)非常大的石英基板也進(jìn)行了同樣的研究。其評(píng)價(jià)結(jié)果示于表10。表10填料研究結(jié)果(2)<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>與上述氧化鋁基板相反，在填料含量少的情況下，可得到良好的附著性、粘接性。另外，此時(shí)在G55、61、65、82中，也沒有看到裂縫的產(chǎn)生。G80由于熱膨脹系數(shù)過大，因此可看到產(chǎn)生了裂縫，通過少量含有填料，可以防止該裂縫的產(chǎn)生。另一方面，填料含量至30體積％時(shí)，熱膨脹系數(shù)變得過低，由于與石英的熱膨脹差過大，結(jié)果產(chǎn)生了剝離或裂縫。但是，殘留氣泡不那么多。在對(duì)石英的粘接、封接中，可有效地使從25。C至25(rC的熱膨脹系數(shù)為(95120)X10—7°C。由以上來看，本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物可以含有至多30體積％的填料，可由此調(diào)節(jié)熱膨脹系數(shù)，可以廣泛有效地應(yīng)用于各種基板等的低溫粘接或低溫封接。[實(shí)施例IO]在實(shí)施例10中，與實(shí)施例3同樣，對(duì)使用表6表8的低軟化點(diǎn)玻璃組合物G82應(yīng)用于金屬電極的實(shí)例進(jìn)行說明。在本實(shí)施例中，G82的平均粒徑為3ym。另外，金屬粒子使用平均粒徑2Um的鋁粉末，樹脂使用乙基纖維素，溶劑使用丁基卡必醇乙酸酯。通過將G82的玻璃粉末與鋁粉末混合，并加入乙基纖維素和丁基卡必醇乙酸酯的溶液，制作電極用糊。G82的玻璃粉末和鋁粉末的體積比例設(shè)定為5:95、7:93、10:90、17:83、25:75，制作5種電極用糊并進(jìn)行了研究。使用制作的電極用糊，利用印刷法在PDP玻璃基板上進(jìn)行涂敷、干燥后，以升溫速度l(TC/分鐘加熱至40(TC，保持30分鐘，形成鋁電極?？傻玫脚c實(shí)施例3同樣的結(jié)果。對(duì)形成于PDP玻璃基板上的鋁電極而言，隨著玻璃粉末G82的含量增加，另一方面鋁粉末的含量減少，對(duì)基板的附著性提高。玻璃粉末G82的含量為5體積％、鋁粉末的含量為95體積％，電極的附著性不充分，玻璃含量為7體積％以上、鋁含量為93體積％以下，則可得到良好的附著性。但是，隨著玻璃粉末G82的含量增加，另一方面鋁粉末的含量減少，電極的電阻值增加。雖然可因以后電極的應(yīng)用而異，但作為電極，鋁的含量需要至少為83體積％以上。S卩，作為電極，優(yōu)選的金屬粉末的含量為8393體積％。與上述同樣地，對(duì)銀電極和銅電極也進(jìn)行了研究。銀電極使用將平均粒徑1Pm的銀粉末扁平處理的粒子，銅電極使用將平均粒徑3ym的銅粉末扁平處理的粒子。為了防止銅的氧化，在銅電極的形成中，在氮?dú)庵袑?shí)施熱處理?？芍赑DP基板上形成的銀電極、銅電極均可得到與上述鋁電極同樣的結(jié)果，本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物也可以應(yīng)用于低溫封接以外的用途。[實(shí)施例ll]作為實(shí)施例11，與實(shí)施例4同樣，對(duì)將表6表8的低軟化點(diǎn)玻璃組合物G65應(yīng)用于PDP的低溫封接的實(shí)例進(jìn)行說明。在本實(shí)施例中，首先，將G65的平均粒徑設(shè)定為3ym。作為用于低熱膨脹化的填料，使用平均粒徑3i！m的磷酸鎢酸鋯，作為樹脂，使用乙基纖維素，作為溶劑，使用丁基卡必醇乙酸酯。通過將G65的玻璃粉末和磷酸鎢酸鋯的粉末混合，并加入乙基纖維素和丁基卡必醇乙酸酯的溶液，制作低溫封接用低軟化點(diǎn)玻璃糊。需要說明的是，G65和磷酸鎢酸鋯的配合比例按體積比例計(jì)為75:25，以使封接后的25t:25(rC的熱膨脹系數(shù)為75X10—7t:左右。如實(shí)施例4中說明的那樣，這是為了使與PDP玻璃基板的熱膨脹配合。使用制作的低軟化點(diǎn)玻璃糊，與實(shí)施例4同樣地操作，低溫封接圖3的PDP。首先，用分配法在背面板11的邊緣部涂敷該低軟化點(diǎn)糊并使其干燥。其后，以升溫速度5°C/分鐘加熱至400°C，保持30分鐘。接著，使該背面板11和前面板10準(zhǔn)確地對(duì)置，用夾具固定，一邊進(jìn)行抽氣，一邊以升溫速度5°C/分鐘加熱至35(TC，保持2小時(shí)，然后填充惰性氣體，并進(jìn)行冷卻。制作的PDP可得到與實(shí)施例4同樣的結(jié)果，與目前相比，盡管將封接溫度顯著低溫化，但可以沒問題、氣密地進(jìn)行封接。另外，在面板點(diǎn)亮試驗(yàn)中也沒有發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生問題。通過封接溫度的低溫化，可以提高PDP的批量生產(chǎn)性，有助于降低成本。[實(shí)施例12]作為實(shí)施例12，與實(shí)施例5同樣，對(duì)將表6表8的低軟化點(diǎn)玻璃組合物G61應(yīng)用于IC陶瓷封裝的低溫封接的實(shí)例進(jìn)行說明。在本實(shí)施例中，對(duì)容器使用氧化鋁類陶瓷的IC陶瓷封裝進(jìn)行了研究。首先，將G61的平均粒徑設(shè)定為3iim。作為用于低熱膨脹化的填料，使用平均粒徑3iim的磷酸鎢酸鋯，作為樹脂，使用乙基纖維素，作為溶劑，使用丁基卡必醇乙酸酯。通過將G61的玻璃粉末和磷酸鎢酸鋯的粉末混合，并加入乙基纖維素和丁基卡必醇乙酸酯的溶液，制作低溫封接用低軟化點(diǎn)玻璃糊。需要說明的是，G61和磷酸鎢酸鋯的配合比例按體積比例計(jì)為85:15，以使與封接后的25°C25(TC的熱膨脹系數(shù)為80X10—7t:左右。這是為了使與氧化鋁類陶瓷的熱膨脹配合。使用制作的低溫封接用低軟化點(diǎn)玻璃糊，與實(shí)施例5同樣地操作，低溫封接圖4的IC陶瓷封裝。首先，通過印刷法將該低軟化點(diǎn)玻璃糊涂敷于氧化鋁類陶瓷蓋33上。其后，用兩階段曲線法在大氣中焙燒該陶瓷蓋33。兩階段曲線法的第一階段是在33(TC下保持20分鐘，第二階段是在38(TC下保持10分鐘。升溫速度設(shè)定為1(TC/分鐘。接著，用固定夾具使形成有封接材料13的氧化鋁類陶瓷蓋33和氧化鋁類疊層陶瓷基板32對(duì)置并施加載荷，在氮?dú)庵幸陨郎厮俣萳(TC/分鐘加熱至37(TC，保持IO分鐘，進(jìn)行低溫封接。如此操作制作了IO個(gè)IC陶瓷封裝。所有IC陶瓷封裝都與實(shí)施例5同樣地沒有任何問題，可以氣密地進(jìn)行玻璃封接。另外，進(jìn)行工作試驗(yàn)，確認(rèn)沒有問題。將工作試驗(yàn)后的IC陶瓷封裝拆開，觀察玻璃封接部，可知雖然看到一些殘留氣泡，但是，可得到氣密性高、可靠性高的封接部分。如上所述，本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物可以有效地應(yīng)用于IC陶瓷封裝的低溫氣密封接。[實(shí)施例13]作為實(shí)施例13，與實(shí)施例6同樣，對(duì)將表6表8的低軟化點(diǎn)玻璃組合物G80應(yīng)用于石英振蕩器的低溫封接的實(shí)例進(jìn)行說明。在本實(shí)施例中，對(duì)在容器中使用石英的石英振蕩器的封裝進(jìn)行了研究。首先，將G80的平均粒徑設(shè)定為3i！m。作為用于低熱膨脹化的填料，使用平均粒徑1Pm的五氧化鈮，作為樹脂，使用乙基纖維素，作為溶劑，使用丁基卡必醇乙酸酯。通過將G80的玻璃粉末和五氧化鈮的粉末混合，并加入乙基纖維素和丁基卡必醇乙酸酯的溶液，制作低溫封接用低軟化點(diǎn)玻璃糊。需要說明的是，G80和五氧化鈮的配合比例按體積比例計(jì)為75:25，以使封接后的25"250"的熱膨脹系數(shù)為(115120)X10—7°C。這是為了使與石英的熱膨脹配合。使用制作的低溫封接用低軟化點(diǎn)玻璃糊，與實(shí)施例6同樣地操作，低溫封接圖5的石英振蕩器。首先，通過印刷法將該低軟化點(diǎn)玻璃糊涂敷于石英制的蓋上。其后，用兩階段曲線法在大氣中焙燒該石英蓋33。兩階段曲線法的第一階段是在33(TC下保持20分鐘，第二階段是在39(TC下保持10分鐘。升溫速度設(shè)定為l(TC/分鐘。接著，用固定夾具使形成有低軟化點(diǎn)玻璃的石英蓋和石英容器對(duì)置并施加載荷，在氮?dú)庵幸陨郎厮俣萳(TC/分鐘加熱至37(TC，保持10分鐘，進(jìn)行低溫封接。如此操作制作了IO個(gè)石英振蕩器。所有石英振蕩器都與實(shí)施例6同樣地可以沒有任何問題地、氣密地進(jìn)行玻璃封接。另外，進(jìn)行工作試驗(yàn)，確認(rèn)具有良好的振動(dòng)特性。將工作試驗(yàn)后的石英振蕩器拆開，觀察玻璃封接部，可知雖然看到一些殘留氣泡，但是，可得到氣密性高、可靠性高的封接部分。以上，對(duì)PDP、IC陶瓷封裝、石英振蕩器的低溫氣密封接進(jìn)行了說明，當(dāng)然，本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物也可以廣泛應(yīng)用于其它電子部件的低溫氣密封接。[實(shí)施例14]在實(shí)施例14中，與實(shí)施例7同樣，對(duì)使用表6表8的玻璃組合物G65和G82應(yīng)用于太陽(yáng)能電池元件的電極的實(shí)例進(jìn)行說明。在本實(shí)施例中，首先，將G65和G82粉碎至平均粒徑liim，將G65的玻璃粉末應(yīng)用于鋁電極，將G82的玻璃粉末應(yīng)用于銀電極。樹脂使用乙基纖維素，溶劑使用丁基卡必醇乙酸酯，通過將它們混合，制作各自的電極糊。G65粉末和鋁粉末的配合比例按體積比例計(jì)為5:95，G82粉末和銀粉末的配合比例按體積比例計(jì)為10:90。使用制作的鋁電極糊和銀電極糊，與實(shí)施例7同樣地制作圖6圖8的太陽(yáng)能電池元件。制作的太陽(yáng)能電池元件在受光面電連接形成有受光面電極43和擴(kuò)散層41的半導(dǎo)體基板40。另外，在背面形成電極成分?jǐn)U散層46，可以在半導(dǎo)體基板40和集電電極44、取出電力的電極45之間得到歐姆接觸，并且，與目前相比，可以減少半導(dǎo)體基板40的翹曲。進(jìn)而，實(shí)施100小時(shí)的851\85%的高溫高濕試驗(yàn)，電極的配線電阻和接觸電阻基本上沒有變大。因此，本發(fā)明的低軟化點(diǎn)玻璃組合物可以有效地應(yīng)用于太陽(yáng)能電池元件的電極。另外，也可以有效地充分利用于太陽(yáng)能電池元件以外的電子部件的電極形成。權(quán)利要求一種低軟化點(diǎn)玻璃組合物，其實(shí)質(zhì)上不合有鉛、鉍及銻，而含有釩、磷、碲及鐵的氧化物，該組合物的軟化點(diǎn)為380℃以下。2.權(quán)利要求1所述的低軟化點(diǎn)玻璃組合物，還含有錳、鋅、鎢、鉬、鋇的氧化物中的至少l種。3.權(quán)利要求l所述的低軟化點(diǎn)玻璃組合物，其中，含有釩、磷、碲、鐵、錳、鋅、鎢、鉬和鋇，按氧化物換算計(jì)，、05的含量為4065重量％、&05的含量為1020重量X、Te02的含量為2025重量％、？6203的含量為515重量％、且Mn02、ZnO、W03、Mo03和BaO的合計(jì)為010重量％。4.權(quán)利要求1所述的低軟化點(diǎn)玻璃組合物，其中，該玻璃組合物的25°C250°C的熱膨脹系數(shù)為100X10—7r以下。5.權(quán)利要求1所述的低軟化點(diǎn)玻璃組合物，其中，軟化點(diǎn)為36(TC以下。6.—種低軟化點(diǎn)玻璃組合物，其實(shí)質(zhì)上不含有鉛、鉍及銻，而含有釩、磷、碲、鋇、鎢和/或鉬、鐵和/或堿金屬的氧化物，該玻璃組合物的軟化點(diǎn)為38(TC以下。7.權(quán)利要求6所述的低軟化點(diǎn)玻璃組合物，其中，含有釩、磷、碲、鋇、鎢、鉬、鐵、堿金屬，按氧化物換算計(jì)，V205的含量為4055重量％、P205的含量為515重量％、Te02的含量為2030重量X、BaO的含量為210重量％、￥03的含量為015重量％、]003的含量為015重量％、Fe203的含量為08重量％、R20的含量為05重量％，其中，R為堿金屬，P205和Te02之和為3040重量％，W03和Mo03之和為515重量％，以及Fe203和R20之和為28重量％。8.權(quán)利要求6所述的低軟化點(diǎn)玻璃組合物，其中，該玻璃組合物的軟化點(diǎn)為36(TC以下，而且，該玻璃組合物的25°C25(TC的熱膨脹系數(shù)為120X10—7。C以下。9.一種低軟化點(diǎn)封接材料，其含有權(quán)利要求1所述的玻璃組合物。10.權(quán)利要求9所述的低軟化點(diǎn)封接材料，其還含有填料，其中，所述玻璃組合物的含量為70體積％以上，所述填料的含量為30體積％以下。11.權(quán)利要求10所述的低軟化點(diǎn)封接材料，其中，所述填料的平均粒徑為30ym以下。12.—種低軟化點(diǎn)玻璃糊，其包含權(quán)利要求l的玻璃組合物、填料顆粒、樹脂材料和溶劑。13.低軟化點(diǎn)玻璃糊，其包含根據(jù)權(quán)利要求12的低軟化點(diǎn)封接材料、樹脂材料和溶劑，其中，填料為選自氧化鈮、氧化鉭和它們的化合物的至少一種。14.一種低軟化點(diǎn)玻璃糊，其包含根據(jù)權(quán)利要求9的低軟化點(diǎn)封接材料、樹脂材料和溶劑，其中，填料為磷酸鎢酸鋯。15.—種低軟化點(diǎn)玻璃糊，其包含根據(jù)權(quán)利要求9的低軟化點(diǎn)封接材料、樹脂材料和溶劑，其中，該低軟化點(diǎn)封接材料的25°C25(TC的熱膨脹系數(shù)為80X10—7r以下。16.—種低軟化點(diǎn)玻璃糊，其包含根據(jù)權(quán)利要求9的低軟化點(diǎn)封接材料、樹脂材料和溶劑，其中，該低軟化點(diǎn)封接材料的25t:25(TC的熱膨脹系數(shù)為95X10—7°C120X10—7°C。17.—種電極材料，其特征在于，含有金屬粉末和權(quán)利要求1所述的低軟化點(diǎn)玻璃組合物。18.權(quán)利要求17所述的電極材料，其中，所述金屬粉末的含量為8393體積％，且金屬粉末選自銀、銅和鋁。19.一種電子部件，其具有玻璃封接部、玻璃粘接部、玻璃覆蓋部的至少之一，其中，所述玻璃封接部、玻璃粘接部、玻璃覆蓋部含有權(quán)利要求1所述的玻璃組合物。20.權(quán)利要求19所述的電子部件，其中，該電子部件是IC陶瓷封裝、石英振蕩器和圖像顯示裝置的至少一種。21.—種電子部件，其包含電子元件，其具有電極，與該電子元件接觸，所述電極包含金屬和玻璃，其中，該玻璃為權(quán)利要求1所述的低軟化點(diǎn)玻璃組合物。22.—種電子部件，其包含電子元件，其具有電極，與該電子元件接觸，所述電極包含金屬和玻璃，其中，該玻璃為權(quán)利要求7的低軟化點(diǎn)玻璃組合物。23.—種電子部件，其包含電子元件，其具有電極，與該電子元件接觸，所述電極包含金屬和玻璃，其中，該玻璃為權(quán)利要求9的低軟化點(diǎn)玻璃組合物。24.權(quán)利要求22所述的電子部件，其中，所述電子元件為圖像顯示裝置。25.權(quán)利要求22所述的電子部件，其中，所述電子元件為太陽(yáng)能電池。全文摘要本發(fā)明提供一種低軟化點(diǎn)玻璃組合物及使用其的低溫封接材料、電極材料，所述低軟化點(diǎn)玻璃組合物實(shí)質(zhì)上不含有鉛、鉍及銻，考慮到環(huán)境和安全，可以在400℃以下、優(yōu)選380℃以下進(jìn)行封接。另外，提供一種應(yīng)用這些材料的IC陶瓷封裝、石英振蕩器、圖像顯示裝置、太陽(yáng)能電池元件等電子部件。所述低軟化點(diǎn)玻璃組合物含有釩、磷、碲及鐵的氧化物，軟化點(diǎn)為380℃以下、優(yōu)選為360℃以下。還可列舉錳、鋅、鎢、鉬、鋇的氧化物為含有成分。另外，所述低軟化點(diǎn)玻璃組合物含有釩、磷、碲、鋇及鎢和/或鉬、還有鐵和/或堿金屬的氧化物，軟化點(diǎn)為380℃以下、優(yōu)選為360℃以下。文檔編號(hào)H01J11/12GK101781090SQ201010002960公開日2010年7月21日申請(qǐng)日期2010年1月15日優(yōu)先權(quán)日2009年1月16日發(fā)明者內(nèi)藤孝,吉村圭,天羽悟,山本浩貴,山田真治,橋場(chǎng)裕司,立薗信一,金澤啟一,青柳拓也申請(qǐng)人:日立粉末冶金株式會(huì)社