專利名稱:發(fā)光二極管光源模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管光源模組。
背景技術(shù):
現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝體一般是通過激發(fā)包覆在發(fā)光二極管芯片表面的熒光粉來發(fā)出各種顏色的光線。但是,在此種發(fā)光二極管封裝體中,因所述熒光粉與發(fā)光二極管芯片直接接觸,所述發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的熱量會造成該熒光粉過熱而使最終發(fā)出的光線產(chǎn)生色衰,從而影響發(fā)光二極管封裝體的發(fā)光品質(zhì)。而且,所述發(fā)光二極芯片被熒光粉所包覆會導(dǎo)致發(fā)光二極管封裝體散熱不良,從而縮短了發(fā)光二極管封裝體的使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于此,有必要提供一種可避免色衰且能提高發(fā)光二極體使用壽命的發(fā)光二極管光源模組。一種發(fā)光二極管光源模組,其包括基板、發(fā)光二極管封裝體、透鏡及熒光粉。所述發(fā)光二極管封裝體固設(shè)在所述基板上,并通過該基板與外界實現(xiàn)電連接。所述透鏡形成有一內(nèi)凹的容置空間,所述透鏡固設(shè)在所述基板上以將所述發(fā)光二極管封裝體密封在所述容置空間內(nèi)。所述熒光粉涂布在所述透鏡的表面上。所述發(fā)光二極管封裝體所發(fā)出的光線在穿過所述透鏡的過程中被涂布在透鏡上的熒光粉轉(zhuǎn)換為具有特定波長的光線而向外輻射。相對于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明所提供的發(fā)光二極管光源模組是通過涂布在透鏡上的熒光粉來轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管封裝體所發(fā)出的光線的波長。所以,該發(fā)光二極管封裝體內(nèi)的發(fā)光二極管芯片上不再需要直接覆蓋熒光粉,從而使得所述發(fā)光二極管芯片在發(fā)光過程中所產(chǎn)生的熱量可以得到及時的疏散,也避免了所述熒光粉因過熱而產(chǎn)生的色衰,大大地延長了所述發(fā)光二極管光源模組的使用壽命,且提高了所述發(fā)光二極管光源模組的發(fā)光品質(zhì)。
圖1為本發(fā)明實施方式所提供的發(fā)光二極管光源模組的第一種熒光粉涂布方式示意圖。圖2為圖1中的發(fā)光二極管光源模組的第二種熒光粉涂布方式示意圖。圖3為圖1中的發(fā)光二極管光源模組的第三種熒光粉涂布方式示意圖。圖4為圖1中的發(fā)光二極管光源模組的第四種熒光粉涂布方式示意圖。主要元件符號說明發(fā)光二極管光源模組1基板10發(fā)光二極管封裝體12透鏡14熒光粉16
入光面出光面連接部膠體容置空間
140
142
143 15 17 16a 16b第一熒光粉第二熒光粉
具體實施例方式如圖1所示,本發(fā)明實施方式所提供的發(fā)光二極管光源模組1包括基板10、發(fā)光二極管封裝體12、透鏡14及熒光粉16。所述發(fā)光二極管封裝體12固設(shè)在所述基板10上。 所述透鏡14粘設(shè)在所述基板10上以遮蓋所述發(fā)光二極管封裝體12。所述熒光粉16涂敷在所述透鏡14的表面上。所述發(fā)光二極管封裝體12所發(fā)出的光線在穿過透鏡14時被熒光粉16轉(zhuǎn)變?yōu)樘囟úㄩL的光線而向外輻射。所述基板10上布設(shè)有傳輸電路(圖未示)。所述發(fā)光二極管封裝體12通過覆晶或連接導(dǎo)線的方式貼設(shè)于所述基板10上,并通過所述基板10與外界實現(xiàn)電連接。所述透鏡14為一內(nèi)凹的中空半球體,可以理解地,透鏡14還可以根據(jù)配光需要實施成其他形狀。所述透鏡包括內(nèi)凹的入光面140、外凸的出光面142及連接所述入光面140 和出光面142的連接部143。所述熒光粉16涂布在所述透鏡14的入光面140或出光面142 上,以轉(zhuǎn)換由所述發(fā)光二極管封裝體12所發(fā)出光線的波長。所述熒光粉16可為硫化物、 鋁酸鹽、氧化物、硅酸鹽或氮化物。具體地,所述熒光粉16的化學(xué)成可以為Ca2Al1209:Mn、 (Ca, Sr, Ba)Al2O4:Eu、Y3Al5O12 Ce3+ (YAG)、Tb3Al5O12 Ce3+(TAG)、BaMgAl10O17Eu2+ (Mn2+)、 Ca2Si5N8:Eu2+、(Ca, Sr, Ba) S:Eu2+、(Mg, Ca, Sr, Ba)2Si04:Eu2+、(Mg, Ca, Sr, Ba) 3Si207:Eu2+、 Ca8Mg (SiO4) 4C12: Eu2\ Y2O2S: Eu3\ CdS, CdTe 或 CdSe。在進行組裝時,所述透鏡14遮蓋住所述基板10上的發(fā)光二極管封裝體12,所述連接部143通過一膠體15固定連接在所述基板10上。所述透鏡14與基板10共同形成一密閉的容置空間17,所述發(fā)光二極管封裝體12被密封在所述容置空間17內(nèi)。所述容置空間 17可抽成真空,也可以充入氮氣或其他惰性氣體。在所述發(fā)光二極管封裝體12正常工作時,所述發(fā)光二極管封裝體12所發(fā)出的光線在穿過所述透鏡14的過程中被涂布在透鏡14上的熒光粉16轉(zhuǎn)換為具有特定波長的光線。通過選擇具有不同化學(xué)成份的熒光粉16可以使得所述發(fā)光二極管光源模組1發(fā)出不同顏色的光線。請一并參閱圖1、圖2、圖3及圖4,可以理解的是,所述熒光粉16既可以如圖1所示涂布在所述透鏡14的整個出光面142,也可以如圖2所示涂布在所述透鏡14的整個出光面142,以將所述發(fā)光二極管封裝體12所發(fā)出的光轉(zhuǎn)換為一種特定波長的光。進一步地, 所述熒光粉16也可以如圖3所示只涂布在所述透鏡14的一部分入光面140或一部分出光面142,以使得所述發(fā)光二極管封裝體12所發(fā)出的光線一部分保留原有的波長,另一部分被所述熒光粉16轉(zhuǎn)換為另一種特定的波長。另外,如圖4所示,還可以采用具有不同化學(xué)成份的第一熒光粉16a和第二熒光粉16b分別涂布在所述出光面142的不同部分或分別涂布在所述入光面140的不同部分,以將所述發(fā)光二極管封裝體12所發(fā)出的光線分別轉(zhuǎn)換為具有不同特定波長的光線,從而使得所述發(fā)光二極管光源模組1實現(xiàn)多色光同時輸出的效果。因為所述發(fā)光二極管光源模組1是通過涂布在透鏡14上的熒光粉16來轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管封裝體12所發(fā)出的光線的波長。所以,該發(fā)光二極管封裝體12內(nèi)的發(fā)光二極管芯片上不再需要直接覆蓋熒光粉16,從而使得所述發(fā)光二極管芯片在發(fā)光過程中所產(chǎn)生的熱量可以得到及時的疏散,也避免了所述熒光粉16因過熱而產(chǎn)生的色衰,大大地延長了所述發(fā)光二極管光源模組1的使用壽命,且提高了所述發(fā)光二極管光源模組1的發(fā)光品質(zhì)。本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到,以上的實施方式僅是用來說明本發(fā)明, 而并非用作為對本發(fā)明的限定,只要在本發(fā)明的實質(zhì)精神范圍之內(nèi),對以上實施例所作的適當(dāng)改變和變化都落在本發(fā)明要求保護的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管光源模組,其包括基板、發(fā)光二極管封裝體、透鏡及熒光粉,所述發(fā)光二極管封裝體固設(shè)在所述基板上,并通過該基板與外界實現(xiàn)電連接,所述透鏡形成有一內(nèi)凹的容置空間,所述透鏡固設(shè)在所述基板上以將所述發(fā)光二極管封裝體密封在所述容置空間內(nèi),所述熒光粉涂布在所述透鏡的表面上,所述發(fā)光二極管封裝體所發(fā)出的光線在穿過所述透鏡的過程中被涂布在透鏡上的熒光粉轉(zhuǎn)換為具有特定波長的光線而向外輻射。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管光源模組,其特征在于所述透鏡包括內(nèi)凹的入光面、外凸的出光面及連接所述入光面和出光面的連接部,所述連接部通過膠體固定連接在所述基板上以將所述發(fā)光二極管封裝體密封在所述容置空間內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管光源模組,其特征在于所述熒光粉涂布在所述透鏡的整個入光面上。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管光源模組,其特征在于所述熒光粉涂布在所述透鏡的整個出光面上。
5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管光源模組,其特征在于所述熒光粉只涂布在所述透鏡的一部分入光面上。
6.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管光源模組,其特征在于所述熒光粉只涂布在所述透鏡的一部分出光面上。
7.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管光源模組,其特征在于所述具有不同化學(xué)成份的熒光粉分別涂布在所述入光面的不同部分。
8.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管光源模組,其特征在于所述具有不同化學(xué)成份的熒光粉分別涂布在所述出光面的不同部分。
9.如權(quán)利要求3-8任意一項所述的發(fā)光二極管光源模組,其特征在于所述熒光粉的化學(xué)成份選自 Ca2Al12O9:Mn、(Ca, Sr, Ba) Al2O4:Eu、Y3Al5O12: Ce3+(YAG)、Tb3Al5O12: Ce3+(TAG)、 BaMgAl10O17Eu2+(Mn2+)、Cii2Si5N8:Eu2+、(Ca, Sr, Ba)S:Eu2+、(Mg, Ca, Sr, Ba)2Si04:Eu2+、(Mg, Ca, Sr, Ba) 3Si207 Eu2+、Ca8Mg (SiO4) 4C12 Eu2+、Y2O2S Eu3+、CdS、CdTe 及 CdSe 的組合物。
10.如權(quán)利要求1-8任意一項所述的發(fā)光二極管光源模組,其特征在于所述容置空間內(nèi)充入氣體,所述氣體選自氮氣及惰性氣體的組合物。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管光源模組,其包括基板、發(fā)光二極管封裝體、透鏡及熒光粉。所述發(fā)光二極管封裝體固設(shè)在所述基板上,并通過該基板與外界實現(xiàn)電連接。所述透鏡形成有一內(nèi)凹的容置空間,所述透鏡固設(shè)在所述基板上以將所述發(fā)光二極管封裝體密封在所述容置空間內(nèi)。所述熒光粉涂布在所述透鏡的表面上。所述發(fā)光二極管封裝體所發(fā)出的光線在穿過所述透鏡的過程中被涂布在透鏡上的熒光粉轉(zhuǎn)換為具有特定波長的光線而向外輻射。
文檔編號F21Y101/02GK102330892SQ20101022508
公開日2012年1月25日 申請日期2010年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月13日
發(fā)明者陳志隆 申請人:富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)(上海)有限公司, 沛鑫能源科技股份有限公司