專利名稱：發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可抑制制造成本的發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，作為第一現(xiàn)有發(fā)光裝置，有將多個(gè)發(fā)光二極管使極性一致地并聯(lián)連接并用 直流驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置(參照專利文獻(xiàn)1(特開2007-134430號(hào)公報(bào)))。圖17表示簡(jiǎn)化了該 發(fā)光裝置的電路的發(fā)光裝置。在圖17所示的第一現(xiàn)有發(fā)光裝置中，將多個(gè)發(fā)光二極管101 使極性一致地并聯(lián)連接并用直流驅(qū)動(dòng)。但是，在上述第一現(xiàn)有發(fā)光裝置中，需要使多個(gè)發(fā)光二極管101的極性一致而并 聯(lián)連接，因此，特別是在發(fā)光二極管的尺寸小的情況或發(fā)光二極管的連接個(gè)數(shù)多的情況下， 制造成本變高，制造本身也變得很困難。另外，作為第二現(xiàn)有發(fā)光裝置，如圖18所示，提出了一種利用半導(dǎo)體納米金屬線 114的發(fā)光二極管裝置100 (參照專利文獻(xiàn)2 (特開2008-283191號(hào)公報(bào)))。該第二現(xiàn)有發(fā) 光二極管裝置100具備半導(dǎo)體基板111、在該半導(dǎo)體基板111的上表面彼此相向配置的第一 及第二半導(dǎo)體突出部112、113、以及懸掛于上述第一半導(dǎo)體突出部112和第二半導(dǎo)體突出 部113之間的半導(dǎo)體納米金屬線114。另外，該第二現(xiàn)有發(fā)光二極管裝置100具備形成于 上述第一、第二半導(dǎo)體突出部112、113的上表面的第一、第二電極115、116。另外，上述第 一半導(dǎo)體突出部112和從該第一半導(dǎo)體突出部112延伸的半導(dǎo)體納米金屬線114的一部分 114a被摻雜成P型，第二半導(dǎo)體突出部113和從該第二半導(dǎo)體突出部113延伸的半導(dǎo)體納 米金屬線114的剩余的一部分114b被摻雜成N型。但是，在上述第二現(xiàn)有發(fā)光二極管裝置100中，當(dāng)半導(dǎo)體納米金屬線114的摻雜 成P型的一部分IHa和摻雜成N型的一部分114b相對(duì)于第一電極115和第二電極116的 連接被調(diào)換時(shí)，就變得不會(huì)正常發(fā)光。因而，對(duì)上述發(fā)光二極管裝置100而言，在制造工序 中，需要以摻雜成P型、N型的一部分114a、114b相對(duì)于上述第一、第二電極115、116的連 接不相反的方式使極性一致，因此，特別是在發(fā)光二極管的尺寸小的情況下，難以簡(jiǎn)化制造 工序，招致制造成本上升。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的課題在于，提供一種容易制造且可抑制制造成本的具備多個(gè)發(fā)光 二極管的發(fā)光裝置及其制造方法。為了解決上述課題，本發(fā)明的發(fā)光裝置具備第一電極；第二電極；以及發(fā)光二極管電路，其具有至少一個(gè)由在所述第一電極和第二電極之間并聯(lián)連接的 多個(gè)發(fā)光二極管構(gòu)成的并聯(lián)構(gòu)成單位，并且連接于所述第一電極和第二電極之間，構(gòu)成所述并聯(lián)構(gòu)成單位的所述多個(gè)發(fā)光二極管包括
第一發(fā)光二極管，以在將所述第一電極設(shè)為比所述第二電極高電位時(shí)成為正向配 置的方式配置；以及第二發(fā)光二極管，以在將所述第二電極設(shè)為比所述第一電極高電位時(shí)成為正向配 置的方式配置，在所述并聯(lián)構(gòu)成單位中，所述第一發(fā)光二極管和所述第二發(fā)光二極管混合存在而被配置，通過(guò)交流電源對(duì)所述第一電極和所述第二電極之間施加交流電壓，來(lái)驅(qū)動(dòng)所述多 個(gè)發(fā)光二極管。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置，由于不需要使連接于所述第一、第二電極間的多個(gè)發(fā)光 二極管的極性一致地進(jìn)行排列，因此，在制造時(shí)，不需要使多個(gè)發(fā)光二極管的極性(朝向) 一致的工序，能夠簡(jiǎn)化工序。另外，不需要為識(shí)別發(fā)光二極管的極性(朝向)而在發(fā)光二極 管上設(shè)置標(biāo)記，也不需要為識(shí)別極性而將發(fā)光二極管制成特殊的形狀。因而，能夠簡(jiǎn)化發(fā)光 二極管的制造工序，進(jìn)而能夠抑制制造成本。另外，在發(fā)光二極管的尺寸小的情況及發(fā)光二 極管的個(gè)數(shù)多的情況下，與使極性一致地排列發(fā)光二極管的情況相比，能夠格外地簡(jiǎn)化所 述制造工序。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，所述發(fā)光二極管電路是，將所述并聯(lián)構(gòu)成單位串聯(lián)連接多個(gè)而成。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置，不需要使連接于所述第一電極和第二電極之間的發(fā)光二 極管的極性(朝向)一致的工序，能夠簡(jiǎn)化工序。另外，不需要為識(shí)別發(fā)光二極管的極性 (朝向)而在發(fā)光二極管上設(shè)置標(biāo)記，也不需要為識(shí)別極性而將發(fā)光二極管制成特殊的形 狀。因而，根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置，能夠簡(jiǎn)化發(fā)光二極管的制造工序，能夠抑制制造成 本。特別是，在發(fā)光二極管的尺寸為100 μ m以下的小尺寸的情況下，成為微細(xì)尺寸的器件， 難以實(shí)施使極性(朝向)一致的作業(yè)，因此與使極性一致地排列發(fā)光二極管的情況相比，能 夠格外地簡(jiǎn)化制造工序。另外，在該實(shí)施方式中，所述并聯(lián)構(gòu)成單位串聯(lián)地連接有多個(gè)，因此，即使在因某 一個(gè)并聯(lián)構(gòu)成單位的一個(gè)發(fā)光二極管的短路不良造成所述某一個(gè)并聯(lián)構(gòu)成單位的發(fā)光二 極管作為唯一的一個(gè)不發(fā)光的情況下，其它并聯(lián)構(gòu)成單位的發(fā)光二極管也可以繼續(xù)發(fā)光。 因此，該實(shí)施方式的發(fā)光裝置成品率高，可靠性也高。另外，根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光裝置，容 易得到面狀的發(fā)光區(qū)域。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，所述發(fā)光二極管電路具有一個(gè)所述并聯(lián)構(gòu)成單位，所述第一發(fā)光二極管，其陽(yáng)極連接于所述第一電極，并且陰極連接于所述第二電 極，所述第二發(fā)光二極管，其陰極連接于所述第一電極，并且陽(yáng)極連接于所述第二電 極。根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光裝置，由于不需要使連接于所述第一、第二電極間的多個(gè) 發(fā)光二極管的極性一致地進(jìn)行排列，因此，在制造時(shí)，不需要使多個(gè)發(fā)光二極管的極性(朝 向)一致的工序，能夠簡(jiǎn)化工序。另外，不需要為識(shí)別發(fā)光二極管的極性(朝向)而在發(fā)光二極管上設(shè)置標(biāo)記，也不需要為識(shí)別極性而將發(fā)光二極管制成特殊的形狀。因而，能夠簡(jiǎn)化 發(fā)光二極管的制造工序，進(jìn)而能夠抑制制造成本。另外，在發(fā)光二極管的尺寸小的情況及發(fā) 光二極管的個(gè)數(shù)多的情況下，與使極性一致地排列發(fā)光二極管的情況相比，能夠格外地簡(jiǎn) 化所述制造工序。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，所述多個(gè)并聯(lián)構(gòu)成單位的各并聯(lián)構(gòu)成單位由彼此相等的個(gè)數(shù)的發(fā)光二極管構(gòu)成。根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光裝置，由于能夠使流過(guò)各發(fā)光二極管的電流量相等，因此 使電流均等地流到各發(fā)光二極管，作為整體，可以高效地發(fā)光，可以提高可靠性。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，所述并聯(lián)構(gòu)成單位由m個(gè)發(fā)光二極管構(gòu)成，其中，m為2以上的自然數(shù)，將所述并聯(lián)構(gòu)成單位串聯(lián)連接η個(gè)，來(lái)構(gòu)建所述發(fā)光二極管電路，其中，η為2以 上的自然數(shù)，所述m和所述η滿足1-(1-(1/2)°"1)11彡0. 05的關(guān)系。根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光裝置，能夠?qū)⒆鳛樗霭l(fā)光二極管電路整體的不良率控制 成5%以下。下面，對(duì)此進(jìn)行說(shuō)明。首先，構(gòu)成一個(gè)并聯(lián)構(gòu)成單位的m個(gè)發(fā)光二極管全都成為同 一朝向的概率為(ΙΛ)1"—1。該結(jié)果根據(jù)二項(xiàng)分布的性質(zhì)、和發(fā)光二極管全都成為同一朝向的 情況具有兩種情況(全都為一方向的情況及全都為另一方向的情況)來(lái)導(dǎo)出。由此，一個(gè)并 聯(lián)構(gòu)成單位不發(fā)生所述不良的概率為I-(IA)mA將該并聯(lián)構(gòu)成單位串聯(lián)連接η個(gè)時(shí)，作為 發(fā)光二極管電路整體，不發(fā)生所述不良的概率為(1-(1/ °"1)11，因此作為發(fā)光二極管電路 整體的不良率P用P = 1-(1-(1/2)“1—1)n表示。因而，通過(guò)所述m和所述η滿足1-(1-(1/2) mIn ( 0. 05的關(guān)系，能夠?qū)⒆鳛樗霭l(fā)光二極管電路整體的不良率控制成5%以下。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，所述多個(gè)發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)為100個(gè)以上且1 億個(gè)以下。根據(jù)該實(shí)施方式，由于所述發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)為100個(gè)以上，因此能夠抑制由交 流驅(qū)動(dòng)弓I起的忽亮忽滅所形成的閃爍。即，所述多個(gè)發(fā)光二極管的朝向?yàn)殡S機(jī)，關(guān)于各發(fā)光二極管，一方向和另一方向分 別以2分之一的概率發(fā)生，因此，考慮ρ = 0. 5的二項(xiàng)分布。在此，有η個(gè)發(fā)光二極管，將某 方向的發(fā)光二極管設(shè)為X個(gè)(同時(shí)發(fā)光的二極管的個(gè)數(shù))。于是，根據(jù)二項(xiàng)分布的性質(zhì)，X 的期望值E (X)為E (X) =ηρ，成為方差V(X) =ηρ(1-ρ)。而且，X偏離其期望值即E (X)= ηρ多少的目標(biāo)值為方差的平方根{V(X)}"2，在正態(tài)分布的情況下，稱為標(biāo)準(zhǔn)偏差。在該目 標(biāo)值(方差的平方根)為期望值的10%的情況下，下式(1)成立。{ηρ (1-p)}1/2 = 0. Inp (1)在該式(1)中將ρ = 0.5代入求解η時(shí)，η = 100。這表示當(dāng)求解亮度偏差為期望 值的10%的條件時(shí)，發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)為100個(gè)。另外，所述發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)的上限值(1億個(gè))是當(dāng)前實(shí)質(zhì)上的制造極限。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，所述交流電源的交流頻率為60Hz以上且IMHz 以下。根據(jù)該實(shí)施方式，通過(guò)將所述交流電壓的頻率設(shè)為60Hz以上，能夠抑制由交流驅(qū)動(dòng)引起的忽亮忽滅所形成的閃爍。另外，由于將所述交流電壓的頻率設(shè)為IMHz以下，因此 能夠抑制高頻引起的布線內(nèi)的損失。當(dāng)交流電源的交流頻率超過(guò)IMHz時(shí)，不能忽略高頻引 起的布線內(nèi)的損失。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，從所述交流電源接受的交流為矩形波。根據(jù)該實(shí)施方式，由于用矩形波的交流來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管，因此能夠使發(fā)光二極 管最高效地發(fā)光。例如，在用正弦波的交流驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管的情況下，正弦波具有上升和下 降的斜度，因此平均發(fā)光強(qiáng)度變?nèi)酢Ａ硗?，在一?shí)施方式的發(fā)光裝置中，在一個(gè)基板上形成有所述第一電極和第二電 極。根據(jù)該實(shí)施方式，能夠在一個(gè)基板上安裝第一、第二電極及多個(gè)發(fā)光二極管。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，所述第一電極和第二電極沿所述基板表面延伸且彼此相向，所述第一電極具有以向所述第二電極突出且沿所述延伸方向排列的方式形成的 多個(gè)突出部，所述第二電極具有以向所述第一電極突出且沿所述延伸方向排列的方式形成的 多個(gè)突出部，所述第一電極的突出部和所述第二電極的突出部相向，所述第一發(fā)光二極管，其陽(yáng)極連接于所述第一電極的突出部且陰極連接于所述第 二電極的突出部，所述第二發(fā)光二極管，其陰極連接于所述第一電極的突出部且陽(yáng)極連接于所述第 二電極的突出部。根據(jù)該實(shí)施方式，在基板上，由于在沿所述第一、第二電極延伸的方向形成的第 一、第二電極的突出部之間連接有第一、第二發(fā)光二極管，因此，能夠?qū)⒍鄠€(gè)發(fā)光二極管沿 所述電極的延伸方向以所述突出部間的間隔配置。即，通過(guò)形成于所述基板上的第一、第二 電極及其突出部，能夠設(shè)定所述多個(gè)發(fā)光二極管的配置。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，所述發(fā)光二極管的最大尺寸為ΙΟΟμπι以下。根據(jù)該實(shí)施方式，所述發(fā)光二極管的最大尺寸為ΙΟΟμπι以下。為了也考慮朝向來(lái) 配置這種微細(xì)尺寸的物體(發(fā)光二極管)，需要事先使朝向一致地準(zhǔn)備該微細(xì)尺寸的物體。 或者，需要抓住微細(xì)尺寸的物體之后使朝向一致的作業(yè)。因而，如該實(shí)施方式所述，發(fā)光二 極管的最大尺寸為ΙΟΟμπι以下的微細(xì)的情況適合發(fā)光二極管的朝向可以隨機(jī)的本發(fā)明。 另外，由于發(fā)光二極管的尺寸小，因此熱量不會(huì)封閉于發(fā)光區(qū)域，能夠防止熱量引起的輸出 降低及壽命縮短。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，所述發(fā)光二極管為棒狀。根據(jù)該實(shí)施方式，由于發(fā)光二極管為棒狀，因此，容易控制配置方向。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，構(gòu)成所述發(fā)光二極管的半導(dǎo)體層直接連接于 所述第一、第二電極。根據(jù)該實(shí)施方式，由于不存在用于識(shí)別使所述發(fā)光二極管一致于一方向的方向性 的結(jié)構(gòu)(例如，一邊具有長(zhǎng)引線等)，因此所述發(fā)光二極管的制造工序得以簡(jiǎn)化。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，
所述發(fā)光二極管具有第一導(dǎo)電型的芯部；以及第二導(dǎo)電型的外殼部，其被覆所述第一導(dǎo)電型的芯部的外周面，所述第一導(dǎo)電型的芯部的外周面的一部分從所述第二導(dǎo)電型的外殼部露出。根據(jù)該實(shí)施方式，通過(guò)沿芯部的外周面形成所述第一導(dǎo)電型的芯部和第二導(dǎo)電型 的外殼部的接合面，可實(shí)現(xiàn)發(fā)光面增大。另外，由于所述芯部的外周面的一部分從第二導(dǎo)電 型的外殼部露出，因此容易進(jìn)行電極向所述芯部的外周面的一部分的連接。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，所述發(fā)光二極管的芯部為圓柱狀，所述發(fā)光二極管的外殼部被覆所述圓柱狀的芯部的外周面，所述圓柱狀的芯部的外周面的一部分從所述外殼部露出，所述圓柱狀的芯部和所述外殼部的接合面在所述芯部的周圍形成為同心圓狀。根據(jù)該實(shí)施方式，能夠使所述第一導(dǎo)電型的圓柱狀的芯部和第二導(dǎo)電型的外殼部 的接合面，沿芯部的外周面形成為圓筒狀，可實(shí)現(xiàn)發(fā)光面增大。另外，由于所述芯部的外周 面的一部分從第二導(dǎo)電型的外殼部露出，因此容易進(jìn)行電極向所述芯部的外周面的一部分 的連接。另外，一實(shí)施方式的顯示器用背光燈由于具有所述發(fā)光裝置，因此容易制造，并能 抑制制造成本。另外，一實(shí)施方式的照明裝置由于具有所述發(fā)光裝置，因此容易制造，并能抑制制 造成本。另外，一實(shí)施方式的LED顯示器由于具有所述發(fā)光裝置，因此容易制造，并能抑制 制造成本。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法中，具備準(zhǔn)備具有第一電極和第二電極的基板的工序；向所述基板涂敷包含最大尺寸為100 μ m以下的多個(gè)發(fā)光二極管的溶液的工序；對(duì)所述第一電極和第二電極施加電壓，將所述發(fā)光二極管排列在由所述第一、第 二電極規(guī)定的位置的工序。根據(jù)該實(shí)施方式的制造方法，利用所謂的電介質(zhì)泳動(dòng)，能夠?qū)⑽⒓?xì)的發(fā)光二極管 配置在由所述第一、第二電極規(guī)定的位置。在該制造方法中，由于難以將發(fā)光二極管的朝向 決定為一方，因此適合制造發(fā)光二極管的朝向(極性)混合存在的本發(fā)明的發(fā)光裝置。另外根據(jù)本發(fā)明的另一方式，本發(fā)明的發(fā)光裝置具備形成于基板上的第一電極；形成于所述基板上的第二電極；形成于所述基板上的第三電極；以及棒狀發(fā)光元件，其具有第一導(dǎo)電型的第一區(qū)域和第二導(dǎo)電型的第二區(qū)域以及第一 導(dǎo)電型的第三區(qū)域，并且所述第一、第二、第三區(qū)域按照所述第一、第二、第三區(qū)域的順序排 列，所述第一區(qū)域連接于所述第一電極或第三電極的一方，所述第二區(qū)域連接于所述 第二電極，所述第三區(qū)域連接于所述第一電極或第三電極的另一方。
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置，在所述棒狀發(fā)光元件的第二導(dǎo)電型的第二區(qū)域的兩側(cè)配 置有第一導(dǎo)電型第一區(qū)域和第一導(dǎo)電型第三區(qū)域。因而，即使棒狀發(fā)光元件的第一、第三區(qū) 域相對(duì)于所述第一、第三電極的連接互換，相對(duì)于第一、第三電極的二極管極性也不互換， 可以正常發(fā)光。因此，在制造工序中，第一、第三區(qū)域相對(duì)于第一、第三電極的連接也可以相 反，不需要用于識(shí)別棒狀發(fā)光元件的方向性的標(biāo)記或形狀，能夠簡(jiǎn)化制造工序，進(jìn)而能夠抑 制制造成本。在一實(shí)施方式中，沿第一通電方向和第二通電方向中的任一個(gè)通電方向通電，或者，沿第三通電方 向和第四通電方向中的任一個(gè)通電方向通電，所述第一通電方向是指電流從所述第一電極或第三電極的一方依次經(jīng)由所述第 一區(qū)域和第二區(qū)域流到所述第二電極的通電方向，所述第二通電方向是指電流從所述第二電極依次經(jīng)由所述第二區(qū)域和第一區(qū)域 流到所述第一電極或第三電極的一方的通電方向，所述第三通電方向是指電流從所述第一電極或第三電極的另一方依次經(jīng)由所述 第三區(qū)域和第二區(qū)域流到所述第二電極的通電方向，所述第四通電方向是指電流從所述第二電極依次經(jīng)由所述第二區(qū)域和第三區(qū)域 流到所述第一電極或第三電極的另一方的通電方向。另外，在一實(shí)施方式中，沿第一通電方向和第二通電方向中的任一個(gè)通電方向通電，所述第一通電方向是指電流從所述第一電極或第三電極的一方依次經(jīng)由所述第 一區(qū)域和第二區(qū)域流到所述第二電極且從所述第一電極或第三電極的另一方依次經(jīng)由所 述第三區(qū)域和第二區(qū)域流到所述第二電極的通電方向，所述第二通電方向是指電流從所述第二電極依次經(jīng)由所述第二區(qū)域和第一區(qū)域 流到所述第一電極或第三電極的一方且從所述第二電極依次經(jīng)由所述第二區(qū)域和第三區(qū) 域流到所述第一電極或第三電極的另一方的通電方向。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，所述第一區(qū)域的一端部和所述第二區(qū)域的另 一端部接合，并且所述第二區(qū)域的一端部和所述第三區(qū)域的另一端部接合，所述第一區(qū)域的另一端部連接于所述第一電極或第三電極的一方，并且所述第三 區(qū)域的一端部連接于所述第一電極或第三電極的另一方。根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光裝置，將所述棒狀發(fā)光元件作為依次接合有第一、第二、第 三區(qū)域的棒狀，就能夠簡(jiǎn)化棒狀發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，所述棒狀發(fā)光元件具備芯部，其由所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域連成棒狀而構(gòu)成，并且貫通所述第二區(qū) 域；以及外殼部，其由所述第二區(qū)域構(gòu)成，并且被覆所述芯部的外周面，所述芯部的所述第一區(qū)域和第三區(qū)域從所述外殼部的兩端露出。根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光裝置，所述棒狀發(fā)光元件由于第一導(dǎo)電型的第一、第三區(qū) 域形成的芯部的外周面和第二導(dǎo)電型的第二區(qū)域形成的外殼部的內(nèi)周面的接合面(PN接 合面)為發(fā)光面，因此能夠較大的獲取發(fā)光面積，進(jìn)而能夠得到較強(qiáng)的發(fā)光強(qiáng)度。
另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，所述棒狀發(fā)光元件的最大尺寸為IOOymW 下。根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光裝置，所述棒狀發(fā)光元件的最大尺寸為ΙΟΟμπι以下。為了 也考慮朝向來(lái)配置這種微細(xì)尺寸的物體即棒狀發(fā)光元件，需要事先使朝向一致地準(zhǔn)備該微 細(xì)尺寸的物體?；蛘撸枰プ∥⒓?xì)尺寸的棒狀發(fā)光元件之后使朝向一致的作業(yè)。因而，如 該實(shí)施方式所述，棒狀發(fā)光元件的最大尺寸為ΙΟΟμπι以下的微細(xì)的情況適合無(wú)需使棒狀 發(fā)光元件的朝向一致的本發(fā)明。另外，通過(guò)棒狀發(fā)光元件的尺寸為ΙΟΟμπι以下的小尺寸， 熱量不會(huì)封閉于發(fā)光區(qū)域，能夠防止熱量引起的輸出降低及壽命縮短。另外，一實(shí)施方式的顯示器用背光燈由于具有所述發(fā)光裝置，因此容易制造，并能 抑制制造成本。另外，一實(shí)施方式的照明裝置由于具有所述發(fā)光裝置，因此容易制造，并能抑制制 造成本。另外，一實(shí)施方式的LED顯示器由于具有所述發(fā)光裝置，因此容易制造，并能抑制 制造成本。另外，在一實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法中，具備準(zhǔn)備具有第一電極和第二電極以及第三電極的基板的工序；向所述基板涂敷包含最大尺寸為ΙΟΟμπι以下的多個(gè)棒狀發(fā)光元件的溶液的工 序，所述多個(gè)棒狀發(fā)光元件具有第一導(dǎo)電型的第一區(qū)域和第二導(dǎo)電型的第二區(qū)域以及第一 導(dǎo)電型的第三區(qū)域，并且所述第一、第二、第三區(qū)域按照所述第一、第二、第三區(qū)域的順序排 列；以及對(duì)所述第一電極和第三電極施加電壓，使所述多個(gè)棒狀發(fā)光元件排列在由所述第一、第二、第三電極規(guī)定的位置的工序。根據(jù)該實(shí)施方式的制造方法，利用所謂的電介質(zhì)泳動(dòng)，能夠?qū)⒆畲蟪叽鐬棣│苔笑?以下的微細(xì)的所述棒狀發(fā)光元件配置在由所述第一、第二、第三電極規(guī)定的位置。在該制造 方法中，由于難以將棒狀發(fā)光元件的朝向決定為一方，因此，作為無(wú)需將所述棒狀發(fā)光元件 的朝向決定為一方的本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法是最優(yōu)選的。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置，不需要使并聯(lián)連接的多個(gè)發(fā)光二極管的極性一致地進(jìn)行 排列，因此在制造時(shí)，不需要使多個(gè)發(fā)光二極管的極性(朝向)一致的工序，能夠簡(jiǎn)化工序。 另外，不需要為識(shí)別發(fā)光二極管的極性(朝向)而在發(fā)光二極管上設(shè)置標(biāo)記，也不需要為識(shí) 別極性而將發(fā)光二極管制成特殊的形狀。因而，能夠簡(jiǎn)化發(fā)光二極管的制造工序，進(jìn)而能夠 抑制制造成本。另外，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置，在棒狀發(fā)光元件的第二導(dǎo)電型的第二區(qū)域的兩側(cè) 配置有第一導(dǎo)電型第一區(qū)域和第一導(dǎo)電型第三區(qū)域。因而，即使棒狀發(fā)光元件的第一、第三 區(qū)域相對(duì)于第一、第三電極的朝向互換，極性也不互換，因此可正常發(fā)光。因此，在制造工序 中，第一、第三區(qū)域相對(duì)于第一、第三電極的連接也可以相反，能夠簡(jiǎn)化制造工序，進(jìn)而能夠 抑制制造成本。根據(jù)下面的詳細(xì)說(shuō)明和附圖，就能夠更充分地理解本發(fā)明。附圖僅為說(shuō)明而已，不 限制本發(fā)明。


圖1是概要地表示本發(fā)明發(fā)光裝置的第一實(shí)施方式的電氣電路構(gòu)成圖；圖2是表示驅(qū)動(dòng)上述實(shí)施方式的交流電源的交流波形之一例的波形圖；圖3是表示本發(fā)明發(fā)光裝置的第二實(shí)施方式的電氣電路構(gòu)成的電路圖；圖4是表示上述實(shí)施方式的變形例的電路圖；圖5是表示上述實(shí)施方式的另一變形例的電路圖；圖6是表示在上述實(shí)施方式的各并聯(lián)構(gòu)成單位中相對(duì)于并聯(lián)地連接發(fā)光二極管 的個(gè)數(shù)m和串聯(lián)地連接上述并聯(lián)構(gòu)成單位的個(gè)數(shù)η的不良率P的圖。圖7是表示本發(fā)明發(fā)光裝置的第三實(shí)施方式的概要平面圖；圖8Α是表示上述實(shí)施方式的發(fā)光二極管的構(gòu)成之一例的立體圖；圖8Β是上述發(fā)光二極管的端面圖；圖9Α是棒狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制造方法的工序圖；圖9Β是接著圖9Α的棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元件的制造方法的工序圖；圖9C是接著圖9Β的棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元件的制造方法的工序圖；圖9D是接著圖9C的棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元件的制造方法的工序圖；圖9Ε是接著圖9D的棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元件的制造方法的工序圖；圖10是作為本發(fā)明第五實(shí)施方式的LED顯示器的一個(gè)像素的電路圖；圖11是表示本發(fā)明發(fā)光裝置的第六實(shí)施方式的平面圖；圖12是表示本發(fā)明發(fā)光裝置的第七實(shí)施方式的平面圖；圖13A是上述第七實(shí)施方式具備的棒狀發(fā)光元件的側(cè)面圖；圖13B是上述棒狀發(fā)光元件的剖面圖；圖14是表示本發(fā)明發(fā)光裝置的第八實(shí)施方式的平面圖；圖15A是接著圖9C的棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元件的制造方法的工序圖；圖15B是接著圖15A的棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元件的制造方法的工序圖；圖16是作為本發(fā)明第十實(shí)施方式的LED顯示器的一個(gè)像素的電路圖；圖17是表示第一現(xiàn)有發(fā)光裝置的圖。圖18是表示第二現(xiàn)有發(fā)光裝置的圖。
具體實(shí)施例方式下面，利用圖示的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。(第一實(shí)施方式)圖1概要地表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的第一實(shí)施方式的電氣電路構(gòu)成。該第一實(shí)施 方式的發(fā)光裝置具備第一電極1及第二電極2、和并聯(lián)連接于上述第一電極1和第二電極2 之間的5個(gè)發(fā)光二極管3 7。上述發(fā)光二極管3、4、6為第二發(fā)光二極管，陰極連接于第一 電極1，并且陽(yáng)極連接于第二電極2。另一方面，上述發(fā)光二極管5、7為第一發(fā)光二極管，陽(yáng) 極連接于上述第一電極1，并且陰極連接于第二電極2。上述第一電極1和第二電極2連接 有交流電源10，該交流電源10對(duì)上述第一電極1和第二電極2施加交流電壓。在本實(shí)施方 式中，上述基于交流電源10的交流電壓的頻率為60Hz。如圖1所示，上述5個(gè)發(fā)光二極管 3 7中的陰極連接于第一電極1的發(fā)光二極管3、4、6和陰極連接于第二電極2的發(fā)光二極管5、7在上述第一電極1和第二電極2之間混合配置。在本實(shí)施方式中，5個(gè)發(fā)光二極管 3 7中三個(gè)連接為一方向(陰極連接于第一電極1)，其余兩個(gè)連接為另一方向(陰極連接 于第二電極幻。但是，該連接為一方向的發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)和連接為另一方向的發(fā)光二極 管的個(gè)數(shù)的比例不局限于此，也可以為另外的比例。即，連接為一方向的發(fā)光二極管和連接 為另一方向的發(fā)光二極管的數(shù)量也可以不是同一數(shù)量左右，其比例也可以不固定。這表示 在制造本發(fā)明的發(fā)光裝置時(shí)，無(wú)需控制發(fā)光二極管的朝向，也可以隨機(jī)地排列。另外，在連 接為一方向的發(fā)光二極管和連接為另一方向的發(fā)光二極管的數(shù)量之比顯著變大的情況下， 有時(shí)成為發(fā)光的閃爍的原因，用于抑制該閃爍的方法后面進(jìn)行敘述。根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置，由于不需要使并聯(lián)連接于上述第一電極1和第二電 極2之間的5個(gè)發(fā)光二極管3 7的極性一致而排列，因此，在制造時(shí)，使5個(gè)發(fā)光二極管 3 7的極性(朝向)一致的工序就變得不需要，進(jìn)而能夠簡(jiǎn)化工序。另外，不需要為識(shí)別 上述發(fā)光二極管3 7的極性(朝向)而在發(fā)光二極管3 7上設(shè)標(biāo)記，也不需要為識(shí)別 極性而將發(fā)光二極管3 7制成特殊的形狀。因而，根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置，能夠簡(jiǎn)化發(fā)光二極管3 7的制造工序，也能 抑制制造成本。特別是，發(fā)光二極管3 7的最大尺寸為100 μ m以下小尺寸的情況下，由 于成為微細(xì)尺寸的部件，使極性(朝向)一致的作業(yè)就變得很難，因此，與使極性一致地排 列發(fā)光二極管的情況相比，能夠格外地簡(jiǎn)化制造工序。另外，在上述實(shí)施方式中，雖然連接于上述第一電極1和第二電極2之間的發(fā)光二 極管的個(gè)數(shù)為5個(gè)，但也可以為不足5個(gè)或6個(gè)以上。例如，通過(guò)連接于上述第一電極1和 第二電極2之間的發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)為100個(gè)以上，能夠抑制由交流驅(qū)動(dòng)引起的忽亮忽滅 所形成的閃爍，進(jìn)而可將亮度偏差抑制在期望值的10%以下。下面，對(duì)此進(jìn)行說(shuō)明。S卩，上述多個(gè)發(fā)光二極管的朝向?yàn)殡S機(jī)，關(guān)于各發(fā)光二極管，一個(gè)朝向和另一個(gè)朝 向分別以2分之一的概率發(fā)生，因此考慮ρ = 0. 5的二項(xiàng)分布。在此，有η個(gè)發(fā)光二極管，將 某朝向的發(fā)光二極管設(shè)為X個(gè)(同時(shí)發(fā)光的二極管的個(gè)數(shù))。于是，根據(jù)二項(xiàng)分布的性質(zhì)， X的期望值E(X)為E(X)=即，成為方差￥(幻=ηρ (1-ρ)。而且，X偏離其期望值即E(X) =ηρ多少的目標(biāo)值為方差的平方根{V(X)}"2，在正態(tài)分布的情況下，稱為標(biāo)準(zhǔn)偏差。在該 目標(biāo)值(方差的平方根)為期望值的10%的情況下，下式(1)成立。{np (1-ρ)}1/2 = 0. Inp (1)在該式(1)中，當(dāng)將ρ = 0. 5代入進(jìn)行求解η時(shí)，η = 100。這表示當(dāng)求解亮度偏 差為期望值的10%的條件時(shí)，發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)為100個(gè)。另外，根據(jù)當(dāng)前實(shí)質(zhì)上的制造極限，可連接于第一電極1和第二電極2之間的發(fā)光 二極管的個(gè)數(shù)的上限值為約1億個(gè)。這樣，在連接于第一電極1和第二電極2之間的發(fā)光 二極管的個(gè)數(shù)較多的情況下，與使極性一致地排列發(fā)光二極管的情況相比，能夠格外地簡(jiǎn) 化制造工序。另外，在上述實(shí)施方式中，雖然基于上述交流電源10的交流電壓的頻率為60Hz， 但是上述交流電壓的頻率也可以為不足60Hz。不過(guò)，通過(guò)將上述交流電壓的頻率設(shè)成60Hz 以上，能夠抑制由交流驅(qū)動(dòng)引起的發(fā)光二極管忽亮忽滅所形成的閃爍。另一方面，通過(guò)將上 述交流電壓的頻率設(shè)成IMHz以下，能夠抑制由高頻引起的布線內(nèi)的損失。當(dāng)交流電源的交 流頻率超過(guò)IMHz時(shí)，不能忽略由高頻引起的布線內(nèi)的損失。另外，上述交流電壓的波形也可以為正弦波、三角波、矩形波、或其它周期性變化的交流波形，但優(yōu)選采用矩形波。作為一 個(gè)例子，通過(guò)用圖2所示的矩形波的交流來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管，能夠使發(fā)光二極管最高效地 發(fā)光。與此相對(duì)，在用正弦波的交流來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管的情況下，由于存在正弦波的上升和 下降的斜度，因此，平均發(fā)光強(qiáng)度就變?nèi)?。另外，在圖1中，雖然連接于上述第一電極1和第二電極2之間的發(fā)光二極管3 7與交流電源10直接連接，但是在發(fā)光二極管3 7與交流電源10之間也可以存在其它 元件或電路。例如，只要對(duì)發(fā)光二極管3 7施加交流電壓，則在發(fā)光二極管3 7與交 流電源10之間，也可以有電阻、電容、二極管、晶體管、其它元件、或?qū)⑺鼈兘M合在一起的電 路。另外，只要對(duì)發(fā)光二極管3 7施加交流電壓，則也可以有與發(fā)光二極管3 7并聯(lián)的 電阻、電容、二極管、晶體管、其它元件、或?qū)⑺鼈兘M合在一起的電路。另外，在本實(shí)施方式中，如圖1所示，發(fā)光二極管3、4、6連接為一方向(陰極連接 于第一電極1)，發(fā)光二極管5、7連接為另一方向(陰極連接于第二電極幻。因而，如果從 上述連接為一方向的發(fā)光二極管3、4、6來(lái)看，則上述連接為另一方向的發(fā)光二極管5、7起 保護(hù)二極管的作用。即，在對(duì)上述連接為一方向的發(fā)光二極管3、4、6施加基于電涌等大的 反向電壓的情況下，在上述連接為另一方向的發(fā)光二極管5、7中也直接流過(guò)正向電流，由 未圖示的電源10中的電阻或設(shè)置于發(fā)光二極管與電源10之間的電阻引起電壓下降，能夠 防止對(duì)上述連接為一方向的發(fā)光二極管3、4、6施加大的反向電壓。同樣，如果從上述連接 為另一方向的發(fā)光二極管5、7來(lái)看，則上述連接為一方向的發(fā)光二極管3、4、6起保護(hù)二極 管的作用。即，發(fā)光二極管3 7不僅發(fā)揮作為發(fā)光二極管的功能，而且也發(fā)揮作為保護(hù)二 極管的功能。由此，用少量器件就能夠得到高可靠性的發(fā)光裝置。(第二實(shí)施方式)接著，參照?qǐng)D3對(duì)本發(fā)明發(fā)光裝置的第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖3是概要地表示 該第二實(shí)施方式的電氣電路構(gòu)成的電路圖。圖3概要地表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的第二實(shí)施方式的電氣電路構(gòu)成。該第二實(shí)施 方式的發(fā)光裝置具備由第一電極201及第二電極202、和串并聯(lián)地連接于上述第一電極201 和第二電極202之間的M個(gè)發(fā)光二極管311 316、321 3洸、331 336、341 346構(gòu) 成的發(fā)光二極管電.路203。6個(gè)發(fā)光二極管311 316并聯(lián)地連接，形成并聯(lián)構(gòu)成單位401。同樣，6個(gè)發(fā)光二 極管321 326、6個(gè)發(fā)光二極管331 336及6個(gè)發(fā)光二極管341 346也分別形成并聯(lián) 構(gòu)成單位402、403、404。這4個(gè)并聯(lián)構(gòu)成單位401 404串聯(lián)地連接，形成發(fā)光二極管電路 203，其兩端連接于第一電極201及第二電極202。在各并聯(lián)構(gòu)成單位401 404中，以彼此反向即兩個(gè)朝向連接的發(fā)光二極管混合 存在。具體而言，在構(gòu)成發(fā)光二極管311 316的并聯(lián)構(gòu)成單位401中，作為第二發(fā)光 二極管的發(fā)光二極管311、313、315、316的陰極直接連接于第一電極201，發(fā)光二極管311、 313、315、316的陽(yáng)極經(jīng)由其它并聯(lián)構(gòu)成單位402 404連接于第二電板202。另外，作為第 一發(fā)光二極管的發(fā)光二極管312、314的陽(yáng)極直接連接于第一電極201，發(fā)光二極管312、314 的陰極經(jīng)由其它并聯(lián)構(gòu)成單位402 404連接于第二電板202。另外，在構(gòu)成發(fā)光二極管 321 3 的并聯(lián)構(gòu)成單位402中，作為第二發(fā)光二極管的發(fā)光二極管321、324、325的陰極經(jīng)由其它并聯(lián)構(gòu)成單位401連接于第一電極201，發(fā)光二極管321、324、325的陽(yáng)極經(jīng)由其它 并聯(lián)構(gòu)成單位403、404連接于第二電極202。另外，作為并聯(lián)構(gòu)成單位402的第一發(fā)光二極 管的發(fā)光二極管322、323、3沈的陽(yáng)極經(jīng)由其它并聯(lián)構(gòu)成單位401連接于第一電極201，發(fā)光 二極管322、323、326的陰極經(jīng)由其它并聯(lián)構(gòu)成單位403、404連接于第二電極202。S卩，在上述并聯(lián)構(gòu)成單位401中，作為第二發(fā)光二極管的發(fā)光二極管311、313、 315,316從第二電極202向第一電極201為正向，作為第一發(fā)光二極管的發(fā)光二極管312、 314從第一電極201向第二電極202為正向。另外，在上述并聯(lián)構(gòu)成單位402中，作為第二 發(fā)光二極管的發(fā)光二極管321、324、325從第二電極202向第一電極201為正向，作為第一 發(fā)光二極管的發(fā)光二極管322、323、3沈從第一電極201向第二電極202為正向。另外，在上述并聯(lián)構(gòu)成單位403中，作為第二發(fā)光二極管的發(fā)光二極管333、335、 336從第二電極202向第一電極201為正向，作為第一發(fā)光二極管的發(fā)光二極管331、332、 334從第一電極201向第二電極202為正向。另外，在上述并聯(lián)構(gòu)成單位404中，作為第二 發(fā)光二極管的發(fā)光二極管341、343、345、346從第二電極202向第一電極201為正向，作為 第一發(fā)光二極管的發(fā)光二極管342、344從第一電極201向第二電極202為正向。上述第一電極201和第二電極202連接有交流電源210，該交流電源210對(duì)上述第 一電極201和第二電極202施加交流電壓。在本實(shí)施方式中，基于上述交流電源210的交 流電壓的頻率為60Hz。如上所述，構(gòu)成各并聯(lián)構(gòu)成單位401 404的發(fā)光二極管中以彼此反向即兩個(gè)朝 向連接的發(fā)光二極管混合存在。如圖3所示，連接為上述兩個(gè)方向中的一方向的發(fā)光二極 管的數(shù)量和連接為另一方向的發(fā)光二極管的數(shù)量也可以按每一個(gè)并聯(lián)構(gòu)成單位不同。這表 示在制造本發(fā)明的發(fā)光裝置時(shí)，無(wú)需控制發(fā)光二極管的朝向，隨機(jī)排列也可以。另外，在圖3中，雖然串聯(lián)地連接于上述第一電極201和第二電極202之間的并聯(lián) 構(gòu)成單位401 404直接連接于交流電源210，但是在串聯(lián)連接的并聯(lián)構(gòu)成單位401 404 和交流電源210之間也可以存在其它元件或電路。例如，只要對(duì)串聯(lián)連接的并聯(lián)構(gòu)成單位 401 404施加交流電壓，則在上述串聯(lián)連接的并聯(lián)構(gòu)成單位401 404和交流電源210 之間也可以有電阻、電容、二極管、晶體管、其它元件、或?qū)⑺鼈兘M合在一起的電路。另外，只 要對(duì)串聯(lián)連接的并聯(lián)構(gòu)成單位401 404施加交流電壓，則也可以有與上述串聯(lián)連接的并 聯(lián)構(gòu)成單位401 404并聯(lián)的電阻、電容、二極管、晶體管、其它元件、或?qū)⑺鼈兘M合在一起 的電路。另外，只要對(duì)各并聯(lián)構(gòu)成單位401 404施加交流電壓，則各并聯(lián)構(gòu)成單位401 404之間也可以有電阻、電容、二極管、晶體管、其它元件、或?qū)⑺鼈兘M合在一起的電路。例 如，在圖4所示的一個(gè)例子中，并聯(lián)構(gòu)成單位402和并聯(lián)構(gòu)成單位403之間連接有電流調(diào)節(jié) 用的電阻Rl。進(jìn)一步，只要對(duì)構(gòu)成上述并聯(lián)構(gòu)成單位401 404的各發(fā)光二極管施加交流 電壓，則在上述并聯(lián)構(gòu)成單位401 404內(nèi)也可以有電阻、電容、二極管、晶體管、其它元件、 或?qū)⑺鼈兘M合在一起的電路。例如，在圖5所示的一個(gè)例子中，與構(gòu)成并聯(lián)構(gòu)成單位402、并 聯(lián)構(gòu)成單位403的各發(fā)光二極管321 3沈、331 336串聯(lián)地分別設(shè)有電流調(diào)節(jié)用的電阻 R2。根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置，不需要使連接于上述第一電極201和第二電極202 之間的發(fā)光二極管的極性(朝向)一致的工序，能夠簡(jiǎn)化工序。另外，不需要為識(shí)別上述發(fā) 光二極管的極性(朝向)而在發(fā)光二極管上設(shè)標(biāo)記，也不需要為識(shí)別極性而將發(fā)光二極管16制成特殊的形狀。因而，根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置，能夠簡(jiǎn)化發(fā)光二極管的制造工序，能夠抑制制 造成本。特別是，在發(fā)光二極管的最大尺寸為100 μ m以下小尺寸的情況下，成為微細(xì)尺寸 的器件，難以進(jìn)行使極性(朝向)一致的作業(yè)，因此與使極性一致地排列發(fā)光二極管的情況 相比，能夠格外地簡(jiǎn)化制造工序。在本實(shí)施方式中，如圖3所示，在各并聯(lián)構(gòu)成單位401 404內(nèi)，連接為一方向的 發(fā)光二極管和連接為另一方向的發(fā)光二極管混合存在。在這一點(diǎn)上，構(gòu)成一個(gè)并聯(lián)構(gòu)成單 位401、402、403、404的多個(gè)發(fā)光二極管與上述第一實(shí)施方式的發(fā)光二極管3 7(參照?qǐng)D 1)同樣。因而，該第二實(shí)施方式可以說(shuō)是將上述第一實(shí)施方式的發(fā)光二極管3 7制成了 多級(jí)。因此，上述第一實(shí)施方式說(shuō)明了如下特征如果從連接為一方向的發(fā)光二極管來(lái) 看，則連接為另一方向的發(fā)光二極管起保護(hù)二極管的作用，如果從連接為另一方向的發(fā)光 二極管來(lái)看，則連接為一方向的發(fā)光二極管起保護(hù)二極管的作用，該特征在該第二實(shí)施方 式中也成立。因此，在該第二實(shí)施方式中也如此，各發(fā)光二極管不僅發(fā)揮作為發(fā)光二極管的 功能，而且還發(fā)揮作為保護(hù)二極管的功能。由此，用少量器件就能夠得到高可靠性的發(fā)光裝 置。另外，與上述第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置相比，該第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置具有較 強(qiáng)地應(yīng)對(duì)短路不良的這種優(yōu)點(diǎn)。例如，如果上述第一實(shí)施方式的發(fā)光二極管3 7(參照?qǐng)D 1)中任一個(gè)發(fā)生短路不良，則發(fā)光二極管作為唯一的一個(gè)不發(fā)光。另一方面，在該第二實(shí) 施方式中，例如，當(dāng)圖3的發(fā)光二極管311發(fā)生短路不良時(shí)，雖然并聯(lián)構(gòu)成單位401的發(fā)光 二極管311 316不發(fā)光，但是其它并聯(lián)構(gòu)成單位402 404的發(fā)光二極管可以繼續(xù)發(fā)光。 因此，該第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置具有高成品率，且可靠性也變高。另外，在上述第二實(shí)施方式中，雖然構(gòu)成各并聯(lián)構(gòu)成單位401 404的發(fā)光二極管 的數(shù)量全都相同(6個(gè))，但不局限于此。即，構(gòu)成各并聯(lián)構(gòu)成單位的發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)既 可以為6個(gè)以下，也可以為6個(gè)以上例如100個(gè)以上。另外，可以按每一個(gè)并聯(lián)構(gòu)成單位改 變構(gòu)成各并聯(lián)構(gòu)成單位的發(fā)光二極管的數(shù)量。例如，也可以用6個(gè)發(fā)光二極管構(gòu)成并聯(lián)構(gòu) 成單位401，用5個(gè)發(fā)光二極管構(gòu)成并聯(lián)構(gòu)成單位402，用7個(gè)發(fā)光二極管構(gòu)成并聯(lián)構(gòu)成單 位403及404。但是，如圖3所示，優(yōu)選構(gòu)成各并聯(lián)構(gòu)成單位401 404的發(fā)光二極管的個(gè) 數(shù)都相等。其原因是，由于各并聯(lián)構(gòu)成單位401 404串聯(lián)連接，因此流過(guò)各并聯(lián)構(gòu)成單 位401 404的總電流量在各并聯(lián)構(gòu)成單位都相等，因而，通過(guò)構(gòu)成各并聯(lián)構(gòu)成單位401 404的發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)相等，可以使流過(guò)各發(fā)光二極管的電流量相等。由此，可以使電流 均等地流過(guò)各發(fā)光二極管，作為整體，可以高效地發(fā)光，提高可靠性。但是，當(dāng)實(shí)施該第二實(shí)施方式時(shí)，省略使連接于第一電極201及第二電極202之間 的發(fā)光二極管的極性(朝向)一致的工序。因此，在偶然決定發(fā)光二極管的朝向的情況下， 發(fā)生如下不良導(dǎo)致構(gòu)成一個(gè)并聯(lián)構(gòu)成單位401 404的發(fā)光二極管(偶然)全都為同一 朝向。在以這種狀態(tài)對(duì)第一、第二電極201、202施加交流的情況下，該不良的并聯(lián)構(gòu)成單位 在半個(gè)周期內(nèi)完全不通過(guò)電流，因此導(dǎo)致在該半個(gè)周期內(nèi)所有發(fā)光二極管熄滅。在此，對(duì)各 并聯(lián)構(gòu)成單位由完全相同的m個(gè)發(fā)光二極管構(gòu)成、且該并聯(lián)構(gòu)成單位串聯(lián)地連接有η個(gè)時(shí) 的不良發(fā)生率進(jìn)行考察。
首先，構(gòu)成一個(gè)并聯(lián)構(gòu)成單位的m個(gè)發(fā)光二極管全都成為同一朝向(極性)的概 率為(ΙΛ)"1—1。該結(jié)果根據(jù)二項(xiàng)分布的性質(zhì)、和發(fā)光二極管全都成為同一朝向的情況具有兩 種情況(全都為一方向的情況及全都為另一方向的情況)來(lái)導(dǎo)出。由此，一個(gè)并聯(lián)構(gòu)成單 位不發(fā)生上述不良的概率為Ι-αΛ)"1—1。在該并聯(lián)構(gòu)成單位串聯(lián)地連接有η個(gè)時(shí)，作為發(fā)光 二極管電路整體，不發(fā)生上述不良的概率為(1-(1/ °1-1)11，因此，作為發(fā)光二極管電路整體 的不良率P用P = 1-(1-(1/2)1^1)!!表示。圖6所示的表，記述有在各并聯(lián)構(gòu)成單位中相對(duì)于并聯(lián)地連接發(fā)光二極管的個(gè)數(shù) m和串聯(lián)地連接上述并聯(lián)構(gòu)成單位的個(gè)數(shù)η的不良率P。由該表可知，例如，在上述并聯(lián)連 接個(gè)數(shù)m = 9的情況下，判斷在上述串聯(lián)連接個(gè)數(shù)η為2以下時(shí)，不良率為1 %以下；在η 為13以下時(shí)，不良率為5%以下。從批量生產(chǎn)的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選P為0.05(5%)以下，即， 滿足1-(1-(1/2)1"-1)11 ( 0. 05的關(guān)系(在圖6的表中，粗線Ll更右側(cè)的區(qū)域)，進(jìn)一步優(yōu)選 P為0.01以下(1%以下)(在圖6的表中，粗線L2更右側(cè)的區(qū)域)。另外，由當(dāng)前實(shí)質(zhì)性的制造極限可知，可連接于第一電極201和第二電極202之間 的發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)的上限值為約1億個(gè)。這樣，在連接于第一電極201和第二電極202 之間的發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)較多的情況下，與使極性一致地排列發(fā)光二極管的情況相比，能 夠格外地簡(jiǎn)化制造工序。另外，在上述實(shí)施方式中，雖然基于上述交流電源210的交流電壓的頻率為60Hz， 但是上述交流電壓的頻率也可以為不足60Hz。不過(guò)，通過(guò)將上述交流電壓的頻率設(shè)成60Hz 以上，能夠抑制由交流驅(qū)動(dòng)引起的發(fā)光二極管忽亮忽滅所形成的閃爍。另一方面，通過(guò)將上 述交流電壓的頻率設(shè)成IMHz以下，能夠抑制高頻引起的布線內(nèi)的損失。當(dāng)交流電源的交流 頻率超過(guò)IMHz時(shí)，不能忽略高頻引起的布線內(nèi)的損失。另外，上述交流電壓的波形也可以 為正弦波、三角波、矩形波、或其它周期性變化的交流波形，但優(yōu)選采用矩形波。作為一個(gè)例 子，通過(guò)用圖2所示的矩形波的交流來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管，能夠使發(fā)光二極管最高效地發(fā)光。 與此相對(duì)，在用正弦波的交流來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管的情況下，由于存在正弦波的上升和下降 的斜度，因此平均發(fā)光強(qiáng)度就變?nèi)酢?第三實(shí)施方式)接著，參照?qǐng)D7，對(duì)本發(fā)明的發(fā)光裝置的第三實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖7是表示該第 三實(shí)施方式的概要平面圖。該第三實(shí)施方式的發(fā)光裝置具備基板21、形成于基板21上的第一電極22、形成于 基板21上的第二電極23、以及4個(gè)發(fā)光二極管對(duì)、25、沈、27。該第一電極22和第二電極 23沿上述基板21的表面21A彼此大致平行地延伸并彼此相向。上述第一電極22具有沿該 第一電極22延伸的方向隔開一定間隔排列，并朝第二電極23突出的4個(gè)突出部22A、22B、 22C、22D。另外，上述第二電極23具有沿該第二電極23延伸的方向隔開一定間隔排列，并 向第一電極22突出的4個(gè)突出部23A、23B、23C、23D。上述第一電極22的4個(gè)突出部22A、 22B、22C、22D分別與上述第二電極23的4個(gè)突出部23A、23B、23C、23D相向。在圖7所示的一個(gè)例子中，作為第一發(fā)光二極管的上述發(fā)光二極管對(duì)、26，陽(yáng)極A 連接于第一電極22的突出部22A、22C，陰極K連接于第二電極23的突出部23A、23C。另外， 作為第二發(fā)光二極管的上述發(fā)光二極管25、27，陰極K連接于第一電極22的突出部22B、 22D，陽(yáng)極A連接于第二電極23的突出部23B、23D。在該實(shí)施方式中，作為一例，將上述發(fā)光二極管M 27設(shè)為棒狀，設(shè)長(zhǎng)度L為10 μ m。另外，上述第一電極22及第二電極23連接有交流電源28。在該實(shí)施方式中，設(shè)交 流電源觀的交流頻率為60Hz。如圖7所示，上述4個(gè)發(fā)光二極管M 27中，陽(yáng)極A連接 于第一電極22的發(fā)光二極管MJ6和陽(yáng)極A連接于第二電極23的發(fā)光二極管25、27在上 述第一電極22和第二電極23之間混合配置。另外，在圖7所示的一個(gè)例子中，雖然將陽(yáng)極 A連接于第一電極22的發(fā)光二極管MJ6和陽(yáng)極A連接于第二電極23的發(fā)光二極管25、 27交替地排列，但是，發(fā)光二極管沈和27也可以互換。即，也可以在陽(yáng)極A連接于第一電 極22的突出部22A的發(fā)光二極管M和陽(yáng)極A連接于突出部22D的發(fā)光二極管沈之間，排 列陰極K連接于第一電極22的突出部22B的發(fā)光二極管25和陰極K連接于第一電極22 的突出部22C的發(fā)光二極管27。另外，連接為一方向(陰極連接于第一電極22)的發(fā)光二 極管的數(shù)量和連接為另一方向(陰極連接于第二電極2 的發(fā)光二極管的數(shù)量的比例不局 限于此，也可以為其它比例。即，連接為一方向的發(fā)光二極管和連接為另一方向的發(fā)光二極 管的數(shù)量也可以不相同，其比例也可以不固定。這表示在制造本發(fā)明的發(fā)光裝置時(shí)，不需要 控制發(fā)光二極管的朝向，也可以隨機(jī)地排列。另外，在連接為一方向的發(fā)光二極管和連接為 另一方向的發(fā)光二極管的數(shù)量之比顯著增大的情況下，有時(shí)成為發(fā)光閃爍的原因，用于抑 制該閃爍的方法后面進(jìn)行敘述。根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光裝置，由于不需要使極性一致地排列并聯(lián)連接于上述第一 電極22和第二電極23之間的4個(gè)發(fā)光二極管M 27的工序，因此在制造時(shí)，不需要使4 個(gè)發(fā)光二極管M 27的極性(朝向)一致的工序，能夠簡(jiǎn)化工序。另外，不需要為識(shí)別上 述發(fā)光二極管M 27的極性(朝向)而在發(fā)光二極管M 27上設(shè)標(biāo)記，也不需要為識(shí) 別極性而將發(fā)光二極管M 27制成特殊的形狀。因此，根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置，能夠 簡(jiǎn)化發(fā)光二極管M 27的制造工序，也能夠抑制制造成本。特別是，如本實(shí)施方式所述， 在發(fā)光二極管M 27的最大尺寸為10 μ m、且100 μ m以下的小尺寸的情況下，成為微細(xì) 尺寸的器件，難以進(jìn)行使極性(朝向)一致的作業(yè)，因此與使極性一致地排列發(fā)光二極管的 情況相比，能夠格外地簡(jiǎn)化制造工序。另外，上述發(fā)光二極管M 27的最大尺寸可以不足 10 μ m，也可以超過(guò)10 μ m。另外，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠?qū)⒌谝?、第二電極22、23及4個(gè)發(fā)光二極管M 27 安裝于基板21，在基板21上，在沿上述第一、第二電極22、23延伸的方向隔開一定間隔配置 的第一、第二電極22、23的突出部22A 22D、23A 23D之間連接有發(fā)光二極管M 27， 因此能夠?qū)⑸鲜?個(gè)發(fā)光二極管M 27沿上述電極22、23的延伸方向排列為一列。艮口， 利用形成于上述基板21上的第一、第二電極22、23及其突出部22A 22D、23A 23D，能 夠設(shè)定上述4個(gè)發(fā)光二極管的配置。另外，在本實(shí)施方式中，由于發(fā)光二極管M 27為棒 狀，因此，在第一電極22的各突出部22A 22D和第二電極的各突出部23A 23D之間，將 配置方向控制為朝向各突出部的突出方向就變得很容易。另外，在上述實(shí)施方式中，雖然將連接于第一電極22和第二電極23之間的發(fā)光二 極管的個(gè)數(shù)設(shè)為4個(gè)，但也可以設(shè)為不足4個(gè)、或5個(gè)以上。例如，通過(guò)將連接于第一電極 22和第二電極23之間的發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)設(shè)為100個(gè)以上，能夠抑制由交流驅(qū)動(dòng)引起的忽 亮忽滅所形成的閃爍，可以將亮度偏差抑制在期望值的10%以下。下面，對(duì)此進(jìn)行說(shuō)明。即，上述多個(gè)發(fā)光二極管的朝向?yàn)殡S機(jī)，關(guān)于各發(fā)光二極管，一方向和另一方向分別以2分之一的概率發(fā)生，因此考慮ρ = 0. 5的二項(xiàng)分布。在此，有η個(gè)發(fā)光二極管，將某 方向的發(fā)光二極管設(shè)為X個(gè)(同時(shí)發(fā)光的二極管的個(gè)數(shù))。于是，根據(jù)二項(xiàng)分布的性質(zhì)，X 的期望值E (X)為E (X) =ηρ，成為方差V(X) =ηρ(1-ρ)。而且，X偏離其期望值即E (X)= ηρ多少的目標(biāo)值為方差的平方根{V(X)}"2，在正態(tài)分布的情況下，稱為標(biāo)準(zhǔn)偏差。在該目 標(biāo)值(方差的平方根)為期望值的10%的情況下，下式(1)成立。{ηρ (1-p)}1/2 = 0. Inp (1)在該式(1)中，當(dāng)將ρ = 0.5代入求解η時(shí)，η = 100。這表示當(dāng)求解亮度偏差為 期望值的10%的條件時(shí)，發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)為100個(gè)。可是，根據(jù)當(dāng)前實(shí)質(zhì)上的制造極限，能夠連接于第一電極22和第二電極23之間的 發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)的上限值為約1億個(gè)。這樣，在連接于第一電極22和第二電極23之間 的發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)較多的情況下，與使極性一致地排列發(fā)光二極管的情況相比，能夠格 外地簡(jiǎn)化制造工序。另外，在上述實(shí)施方式中，雖然基于上述交流電源觀的交流電壓的頻 率為60Hz，但是，上述交流電壓的頻率也可以為不足60Hz。不過(guò)，通過(guò)將上述交流電壓的頻 率設(shè)成60Hz以上，能夠抑制由交流驅(qū)動(dòng)引起的發(fā)光二極管忽亮忽滅所形成的閃爍。另一方 面，通過(guò)將上述交流電壓的頻率設(shè)成IMHz以下，能夠抑制高頻引起的布線內(nèi)的損失。另外， 上述交流電壓的波形也可以為正弦波、三角波、矩形波、或其它波形，但優(yōu)選采用矩形波。作 為一個(gè)例子，通過(guò)用圖2所示的矩形波的交流來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管，能夠使發(fā)光二極管最高 效地發(fā)光。另外，優(yōu)選將構(gòu)成上述各發(fā)光二極管M 27的半導(dǎo)體層即P型半導(dǎo)體層和N 型半導(dǎo)體層直接連接于第一、第二電極22、23的各突出部22A 22D、23A 23D。由此，變 成用于將各發(fā)光二極管M 27使極性一致地連接于電極22、23的引線等不存在的結(jié)構(gòu)， 適合不需要使各發(fā)光二極管的極性一致的本實(shí)施方式。例如，如圖8A所示，上述各發(fā)光二極管M 27也可以由以N型半導(dǎo)體制作的圓 柱狀的芯部31、和以被覆該圓柱狀的芯部31的外周面32的P型半導(dǎo)體制作的圓筒狀外殼 部33構(gòu)成。另外，圖8B是表示從圓柱狀的芯部31的端面31D側(cè)沿軸方向看到的情形的端 面圖。上述圓柱狀的芯部31的外周面32的一部分32A從上述外殼部33露出。另外，上述 圓柱狀的芯部31和上述外殼部33的接合面35，在上述圓柱狀的芯部31的周圍形成為同 心圓狀。從上述外殼部33露出的芯部31的一部分31A形成陰極K，上述外殼部33的端部 33A形成陽(yáng)極A。而且，上述陰極K、陽(yáng)極A直接連接于第一、第二電極22、23的突出部22A 22D、突出部23A 23D中的任一突出部。圖8所示的構(gòu)成的發(fā)光二極管，能夠?qū)⑸鲜鯪型 圓柱狀的芯部31和P型外殼部33的接合面35，沿芯部31的外周面32形成為圓筒狀，實(shí)現(xiàn) 發(fā)光面的增大。另外，由于上述芯部31的外周面32的一部分32A從P型外殼部33露出， 因此，電極22、23朝向上述芯部31的外周面32的一部分32A的連接變得容易。另外，雖然芯部31的一端31B的端面31C也可以從上述外殼部33的端部33A露 出，但是通過(guò)制成上述外殼部33的端部33A被覆芯部31的一端31B的端面31C的結(jié)構(gòu)，利 用第一、第二電極22、23的突出部連接外殼部33的端部33A變?nèi)菀住Ａ硗?，形成上述外?部33的半導(dǎo)體也可以為N型，形成上述芯部31的半導(dǎo)體可以為P型。另外，在圖8所示的 構(gòu)成中，雖然芯部31為圓柱狀，外殼部33為圓筒狀，但是也可以為多角柱狀的芯部和多角 筒狀的外殼部。例如，也可以為六角柱狀的芯部和六角筒狀的外殼部，也可以為四角柱狀的 芯部和四角筒狀的外殼部，也可以為三角柱狀的芯部和三角筒狀的外殼部。另外，也可以為橢圓柱狀的芯部和橢圓筒狀的外殼部。(第四實(shí)施方式)接著，作為本發(fā)明的第四實(shí)施方式，對(duì)發(fā)光裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。在該第四實(shí) 施方式中，參照?qǐng)D7，對(duì)制造如上述第三實(shí)施方式所述的發(fā)光裝置的方法進(jìn)行說(shuō)明。在該第四實(shí)施方式中，首先，準(zhǔn)備在表面2IA形成有第一電極22和第二電極23的 基板21。該基板21為絕緣基板，第一、第二電極22、23為金屬電極。作為一個(gè)例子，可以利 用印刷技術(shù)，在絕緣基板21的表面21A形成所希望的電極形狀的金屬電極22、23。另外，可 以將金屬膜及感光體膜均勻?qū)盈B于絕緣基板21的表面21A，將該感光體膜曝光、顯影為所 希望的電極圖案，以圖案化后的感光體膜為掩模，對(duì)金屬膜進(jìn)行蝕刻，形成第一電極22和 第二電極23。另外，作為制作上述金屬電極22、23的金屬材料，可以使用金、銀、銅、鐵、鎢、滲氮 鎢、鋁、鉭及它們的合金等。另外，絕緣基板21為在玻璃、陶瓷、氧化鋁、樹脂類的絕緣體或 硅類的半導(dǎo)體表面形成氧化硅膜而表面具有絕緣性那樣的基板。在使用玻璃基板的情況 下，優(yōu)選在表面形成氧化硅膜、氮化硅膜那樣的基底絕緣膜。另外，上述第一電極22的突出部22A和第二電極23的突出部23A之間的距離優(yōu)選 比發(fā)光二極管M 27的長(zhǎng)度稍短。作為一個(gè)例子，在發(fā)光二極管M 27的長(zhǎng)度為10 μ m 的情況下，上述距離優(yōu)選為6 9 μ m。BP,上述距離優(yōu)選為發(fā)光二極管M 27的長(zhǎng)度的 60 90%左右，更優(yōu)選為上述長(zhǎng)度的80 90%。關(guān)于上述第一電極22的突出部22B、22C、 22D和上述第二電極23的突出部23B、23C、23D之間的距離，也與上述突出部22A和突出部 23A之間的距離同樣。接著，對(duì)在上述絕緣基板21上排列發(fā)光二極管M 27的步驟進(jìn)行說(shuō)明。首先， 在上述絕緣基板21上較薄地涂敷作為含有發(fā)光二極管M 27的溶液的異丙醇(IPA)。另 外，作為上述溶液，除IPA以外，也可以為乙二醇、丙二醇、甲醇、乙醇、丙酮、或它們的混合 物，可以使用由其它有機(jī)物構(gòu)成的液體、水等。但是，當(dāng)通過(guò)液體導(dǎo)致在金屬電極22、23之 間流過(guò)較大的電流時(shí)，導(dǎo)致不能對(duì)金屬電極22、23間施加所希望的電壓差。在這種情況下， 只要以覆蓋金屬電極22、23的方式在絕緣基板21的整個(gè)表面被覆IOnm 30nm左右的絕 緣膜即可。涂敷包含上述發(fā)光二極管M 27的IPA的厚度是發(fā)光二極管M 27能夠在 液體中移動(dòng)的厚度，以使其在下述排列發(fā)光二極管M 27的工序中，能夠排列發(fā)光二極 管對(duì) 27。因此，厚度為發(fā)光二極管M 27的粗度以上，例如，為數(shù)μπι 數(shù)mm。當(dāng)涂 敷的厚度過(guò)薄時(shí)，發(fā)光二極管M 27難以移動(dòng)，過(guò)厚時(shí)，使液體干燥的時(shí)間延長(zhǎng)。優(yōu)選為 100 μ m 500 μ m。另外，相對(duì)于IPA的量，發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)優(yōu)選1 X IO4個(gè)/cm3 1 X IO7 個(gè)/cm3。為了將包含上述發(fā)光二極管M 27的IPA涂敷于絕緣基板21，可以在排列發(fā)光 二極管M 27的金屬電極22、23的外周圍形成框(未圖示)，將包含上述發(fā)光二極管M 27的IPA以達(dá)到所希望的厚度的方式充填于該框內(nèi)。但是，在包含上述發(fā)光二極管M 27的IPA具有粘性的情況下，不需要框就可以涂敷到所希望的厚度。為了上述發(fā)光二極管 M 27的排列工序，上述IPA及乙二醇、丙二醇、甲醇、乙醇、丙酮、或它們的混合物、或者由 其它有機(jī)物構(gòu)成的液體或水等液體粘性越低越好，另外，優(yōu)選通過(guò)加熱易蒸發(fā)的液體。
接著，對(duì)金屬電極22、23之間施加電位差。該電位差為例如0. 5V或IV的電位差。 另外，雖然該金屬電極22和23的電位差能施加0. 1 10V，但在0. IV以下時(shí)，發(fā)光二極管 24 27的排列姿勢(shì)開始紊亂，在IOV以上時(shí)，金屬電極間的絕緣開始出現(xiàn)問(wèn)題。因此，上 述電位差優(yōu)選為0. 5V 5V，進(jìn)一步優(yōu)選為0. 5V左右。當(dāng)對(duì)金屬電極22施加電位VL，且對(duì) 金屬電極23施加比上述電位VL高的電位VH (VL < VH)時(shí)，在金屬電極22上感應(yīng)負(fù)電荷， 在金屬電極23上感應(yīng)正電荷。當(dāng)上述發(fā)光二極管M 27接近該金屬電極22、23時(shí)，在發(fā) 光二極管M 27中靠近金屬電極22的一側(cè)感應(yīng)正電荷，在靠近金屬電極23的一側(cè)感應(yīng) 負(fù)電荷。在上述發(fā)光二極管M 27上感應(yīng)電荷的是通過(guò)靜電感應(yīng)而感應(yīng)的。因而，上述 發(fā)光二極管M 27成為沿著在金屬電極22、23間產(chǎn)生的電力線的姿勢(shì)，并且在各發(fā)光二 極管M 27上感應(yīng)的電荷大致相等，因此通過(guò)電荷的斥力，上述發(fā)光二極管M 27大致 等間隔地沿一定方向正規(guī)排列。此時(shí)，當(dāng)在金屬電極22、23的表面被覆有絕緣膜，且施加給 金屬電極22、23間的電位差為恒定(DC)時(shí)，在被覆于金屬電極22、23上的絕緣膜表面會(huì)感 應(yīng)與金屬電極22、23的電位相反的極性的離子，導(dǎo)致溶液中的電場(chǎng)非常弱。在這種情況下， 優(yōu)選對(duì)金屬電極22、23間施加交流電壓。由此，能夠防止感應(yīng)與金屬電極22、23的電位相 反的極性的離子，能夠使發(fā)光二極管M 27正常地排列。另外，施加于金屬電極22、23間 的交流電壓的頻率雖然優(yōu)選為IOHz 1MHz，但在交流電壓的頻率不足IOHz時(shí)，發(fā)光二極 管M 27會(huì)激烈地振動(dòng)，有可能排列被擾亂。另一方面，在施加于金屬電極22、23間的交 流電壓的頻率超過(guò)IMHz的情況下，發(fā)光二極管M 27吸附于金屬電極22、23的力變?nèi)酰?因外部的干擾而擾亂排列。因此，為了發(fā)光二極管M 27的排列穩(wěn)定，更優(yōu)選上述交流電 壓的頻率為50Hz 1kHz。另外，上述交流電壓的波形不局限于正弦波，矩形波、三角波、鋸 齒波等只要是周期性變動(dòng)的波形即可。另外，上述交流電壓的振幅作為一例優(yōu)選為0. 5V左 右ο這樣，在本實(shí)施方式中，通過(guò)在金屬電極22、23之間產(chǎn)生的外部電場(chǎng)，在各發(fā)光二 極管M 27上產(chǎn)生電荷，通過(guò)電荷的吸引力，使發(fā)光二極管M 27吸附于金屬電極22、 23，因此發(fā)光二極管M 27的大小必須是可在液體中移動(dòng)的大小。因此，各發(fā)光二極管 M 27的大小(最大尺寸)的容許值，根據(jù)液體的涂敷量(涂敷厚度)而變化。在上述液 體的涂敷量少的情況下，各發(fā)光二極管M 27的大小(最大尺寸)必須是納米級(jí)，但在液 體的涂敷量多時(shí)，各發(fā)光二極管M 27的大小為微米級(jí)也可以。當(dāng)上述發(fā)光二極管M 27開始排列不久時(shí)，如圖7的概要圖所示，發(fā)光二極管 24 27就在電極22的突出部22A 22D和電極23的突出部23A 23D之間進(jìn)行排列。 各發(fā)光二極管M 27整齊地排列為與金屬電極22、23延伸的方向垂直的姿勢(shì)，并沿上述 延伸的方向大致等間隔地排列。電場(chǎng)集中于突出部22A 22D和突出部23A 23D之間， 并且通過(guò)感應(yīng)于發(fā)光二極管M 27的電荷，斥力作用于發(fā)光二極管M 27之間，從而發(fā) 光二極管M 27大致等間隔地排列。另外，如圖7的假想線所示，上述溶液所含但為上述發(fā)光二極管M 27以外的發(fā) 光二極管Z，有時(shí)也吸附于電極22或電極23。在這種情況下，通過(guò)對(duì)上述電極22、23之間 不斷施加交流電壓，且使IPA等溶液流到上述電極22、23的周圍，能夠除去吸附于上述電極 22或電極23的發(fā)光二極管Z。由此，實(shí)現(xiàn)成品率的提高。這樣，在發(fā)光二極管M 27排列于金屬電極22的突出部22A 22D和突出部2223A 23D之間后，通過(guò)對(duì)基板21加熱或放置一定時(shí)間，使上述溶液的液體蒸發(fā)并被干燥， 使發(fā)光二極管M 27沿著金屬電極22和23之間的電力線等間隔地排列并固定。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法，可以使發(fā)光二極管M 27控 制性良好且高精度地排列于金屬電極22、23的突出部22A 22D和突出部23A 23D之間。 另外，用本實(shí)施方式的方法難以將各發(fā)光二極管M 27的朝向(極性)決定為一個(gè)方向， 各發(fā)光二極管M 27的朝向不限于圖7所示的狀態(tài)，如上所述，在上述實(shí)施方式的發(fā)光裝 置中，不局限于圖7的排列狀態(tài)，各發(fā)光二極管M 27的朝向也可以隨機(jī)地混合存在。因 而，本實(shí)施方式的制造方法適合制造發(fā)光二極管的朝向(極性)混合存在的如本發(fā)明的上 述實(shí)施方式所述的發(fā)光裝置。另外，在本實(shí)施方式的制造方法中，作為一例，對(duì)排列4個(gè)發(fā) 光二極管的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法可以將多個(gè)微細(xì)發(fā)光二極管 同時(shí)排列、連接于電極間，因此在發(fā)光二極管的尺寸小(作為一例，10 μ m以下)、且連接于 第一電極22和第二電極23之間的發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)為許多個(gè)(例如，100個(gè)以上)的情況 下，特別有利。另外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)第一電極22和第二電極23具有突出部22A 22D和 突出部23A 23D的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但在第一、第二電極是不具有如上所述的突出部的電 極的情況下，也可以適用本實(shí)施方式。在這種情況下，將第一電極和第二電極之間的尺寸設(shè) 定為比配置的發(fā)光二極管的長(zhǎng)度稍短。另外，該實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法也可以適用于制作上述第二實(shí)施方式的 發(fā)光裝置的具有多個(gè)并聯(lián)構(gòu)成單位的發(fā)光二極管電路203的情況。在這種情況下，將上述 第一、第二電極22、23配置于各并聯(lián)構(gòu)成單位401 404的兩端，與上述同樣，在絕緣基板 21上涂敷包含發(fā)光二極管311 316、321 3洸、331 336、341 ；346的液體，并對(duì)第 一、第二電極22、23之間施加電壓，使上述發(fā)光二極管排列固定于上述第一、第二電極間。 其后，利用與上述第一、第二電極22、23不同的布線、例如上部布線等，將各并聯(lián)構(gòu)成單位 401 404串聯(lián)地連接。接著，參照?qǐng)D9A 圖9E，對(duì)上述第三實(shí)施方式所述的各種棒狀結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管 的制造方法之一例進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖9A所示，在由η型GaN構(gòu)成的基板71上形成具 有生長(zhǎng)孔72a的掩模72。接著，如圖9B所示，在半導(dǎo)體芯形成工序中，利用MOCVD (Metal OrganicChemical Vapor D印osition 有機(jī)金屬氣相生長(zhǎng))裝置，在因掩模72的生長(zhǎng)孔72a 而露出的基板71上，使η型GaN進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，形成棒狀的半導(dǎo)體芯73。在此，η型GaN為 六方晶系的晶體生長(zhǎng)，通過(guò)相對(duì)于基板71的表面將垂直方向作為c軸方向使其生長(zhǎng)，能夠 得到六角柱形狀的半導(dǎo)體芯。接著，如圖9C所示，在半導(dǎo)體層形成工序中，以覆蓋棒狀的半導(dǎo)體芯73的方式，在 基板71的整個(gè)面上形成由ρ型GaN構(gòu)成的半導(dǎo)體層74。接著，如圖9D所示，在露出工序 中，通過(guò)提離(liftoff)，除去覆蓋半導(dǎo)體芯73的半導(dǎo)體層74a的部分以外的區(qū)域和掩模 72，在棒狀的半導(dǎo)體芯73的基板71 一側(cè)，使基板側(cè)的外周面露出，形成露出部分73a。在該 狀態(tài)下，與上述半導(dǎo)體芯73的基板71相反的一側(cè)的端面由半導(dǎo)體層7 覆蓋。在該實(shí)施 方式的露出工序中，雖然利用了提離(liftoff)，但也可以通過(guò)蝕刻使半導(dǎo)體芯的一部分露 出ο接著，在切離工序中，如圖9E所示，通過(guò)利用超聲波(例如，數(shù)IOKHz)使基板71沿基板平面振動(dòng)，應(yīng)力作用于被半導(dǎo)體層7 覆蓋的半導(dǎo)體芯73，以使豎立設(shè)置于基板71 的半導(dǎo)體芯73的靠近基板71側(cè)的根部彎曲，被半導(dǎo)體層7 覆蓋的半導(dǎo)體芯73從基板71 切離。這樣就能夠制造從基板71切離的微細(xì)的棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元件70。在該棒狀結(jié)構(gòu)的發(fā) 光二極管的制造方法中，將棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元件70的直徑制成1 μ m，將長(zhǎng)度制成10 μ m。在上述發(fā)光二極管的制造方法中，基板71、半導(dǎo)體芯73以及半導(dǎo)體層7 雖然 使用了以GaN為母材的半導(dǎo)體，但也可以使用以GaAs、AlGaAs, GaAsP, InGaN, AlGaN, GaP、 ZnSe.AlGalnP等為母材的半導(dǎo)體。另外，雖然基板和半導(dǎo)體芯為η型，半導(dǎo)體層為ρ型，但 也可以為導(dǎo)電型相反的棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管。另外，對(duì)具有截面為六角柱的半導(dǎo)體芯的棒 狀結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的制造方法進(jìn)行了說(shuō)明，但不局限于此，也可以為截面呈圓形或橢圓形 的棒狀，具有截面為三角形等其它多角形狀的棒狀半導(dǎo)體芯的棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管也可以 用與上述同樣的制造方法制作。另外，在上述發(fā)光二極管的制造方法中，雖然采用了棒狀結(jié) 構(gòu)發(fā)光二極管的直徑為1 μ m且長(zhǎng)度為10 μ m的微米級(jí)尺寸，但也可以采用直徑或長(zhǎng)度中至 少直徑不足1 μ m的納米級(jí)尺寸的元件。上述棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的半導(dǎo)體芯的直徑優(yōu)選 為500nm以上且IOOym以下，與數(shù)IOnm 數(shù)IOOnm的棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管相比，能夠抑制 半導(dǎo)體芯的直徑的偏差，能夠降低發(fā)光面積即發(fā)光特性的偏差，能夠提高成品率。另外，在上述發(fā)光二極管的制造方法中，利用MOCVD裝置使半導(dǎo)體芯73進(jìn)行晶體 生長(zhǎng)，但也可以利用MBE (分子束外延)裝置等其它晶體生長(zhǎng)裝置形成半導(dǎo)體芯。另外，利 用具有生長(zhǎng)孔的掩模，使半導(dǎo)體芯在基板上進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，但也可以在基板上配置金屬種， 從金屬種使半導(dǎo)體芯進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。另外，在上述發(fā)光二極管的制造方法中，利用超聲波將 被半導(dǎo)體層7 覆蓋的半導(dǎo)體芯73從基板71切離，但不局限于此，也可以利用切割工具機(jī) 械地將半導(dǎo)體芯從基板切離。在這種情況下，能夠用簡(jiǎn)單的方法在短時(shí)間內(nèi)將設(shè)置于基板 上的微細(xì)的多個(gè)棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元件切離。另外，用上述發(fā)光二極管的制造方法制造的棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管不僅上述第三實(shí) 施方式的發(fā)光二極管可以使用，而且作為上述第一、第二實(shí)施方式的發(fā)光二極管也可以使用。(第五實(shí)施方式)接著，圖10表示作為本發(fā)明第五實(shí)施方式的LED顯示器的一個(gè)像素的電路。該 第五實(shí)施方式具備上述第一、第二、第三實(shí)施方式說(shuō)明的發(fā)光裝置或用上述第四實(shí)施方式 的制造方法制造的發(fā)光裝置中的一個(gè)，如圖10所示，將上述發(fā)光裝置具有的多個(gè)發(fā)光二極 管中的一個(gè)作為一個(gè)像素的像素LED51而具有。另外，上述像素LED51也可以是與該像素 LED51極性相反的像素LED52。該第五實(shí)施方式的LED顯示器為有源矩陣尋址方式，選擇電壓脈沖供給到行地址 線XI，數(shù)據(jù)信號(hào)送到列地址線Y1。當(dāng)上述選擇電壓脈沖輸入到晶體管T 1的柵極而晶體 管Tl導(dǎo)通時(shí)，上述數(shù)據(jù)信號(hào)從晶體管T 1的源極傳遞到漏極，數(shù)據(jù)信號(hào)被作為電壓存儲(chǔ)于 電容器C。晶體管T2用于驅(qū)動(dòng)像素LED51，像素LED51經(jīng)由上述晶體管T2連接于交流電源 Vs。因而，通過(guò)來(lái)自晶體管Tl的信號(hào)使晶體管T2導(dǎo)通，像素LED51由上述交流電源Vs以 交流電壓驅(qū)動(dòng)。該實(shí)施方式的LED顯示器中，圖10所示的一個(gè)像素排列成矩陣狀。該排列成矩陣 狀的各像素的像素LED51或像素LED52、以及晶體管T1、T2形成于基板上。在該基板上，各24像素的像素LED51或像素LED52用上述第四實(shí)施方式說(shuō)明的制造方法能夠排列于第一電極 和第二電極之間，并且能夠制造作為上述多個(gè)像素LED51、52隨機(jī)排列的發(fā)光裝置。因此， 能夠容易地制造本實(shí)施方式的LED顯示器，且能夠抑制制造成本。另外，通過(guò)將顯示器用背光燈或照明裝置所使用的發(fā)光裝置作為上述第一、第二、 第三實(shí)施方式說(shuō)明的發(fā)光裝置或用上述第四實(shí)施方式的制造方法制造的發(fā)光裝置，能夠容 易地制造，且能夠抑制制造成本。另外，作為制作上述各實(shí)施方式說(shuō)明的各發(fā)光二極管的半 導(dǎo)體，可以采用例如GaN、GaAs, GaP、AlGaAs, GaAsP, InGaN, AlGaN, ZnSe, AlGaInP 等半導(dǎo) 體。另外，也可以將上述各發(fā)光二極管作為具有量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，來(lái)提高發(fā)光效 率。(第六實(shí)施方式)參照?qǐng)D11對(duì)本發(fā)明的發(fā)光裝置的第六實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖11是表示該第六實(shí) 施方式的概要平面圖。該第六實(shí)施方式的發(fā)光裝置具備第一電極501和第二電極502和第三電極503及 棒狀發(fā)光元件505，上述第一 第三電極501 503形成于基板504上。上述第一 第三電 極501 503依次排列于上述基板504上，第一電極501具有沿與上述排列方向正交的方 向延伸的基部501A、和從該基部501A的大致中央向上述第二電極502突出的突出部501B。 另外，上述第三電極503具有沿與上述排列方向正交的方向延伸的基部503A、和從該基部 503A的大致中央向上述第二電極502突出的突出部5(X3B。而且，上述第二電極502在上述 第一電極501和第三電極503之間，沿與上述排列方向正交的方向延伸。另外，上述棒狀發(fā)光元件505具有作為第一導(dǎo)電型的第一區(qū)域的P型第一區(qū)域 506、作為第二導(dǎo)電型的第二區(qū)域的N型第二區(qū)域507、以及作為第一導(dǎo)電型的第三區(qū)域的P 型第三區(qū)域508。上述P型第一區(qū)域506和N型第二區(qū)域507和P型第三區(qū)域508，從第一 電極501向第三電極503依次排列。上述P型第一區(qū)域506連接于上述第一電極501的突 出部501B，上述N型第二區(qū)域507連接于上述第二電極502，上述P型第三區(qū)域508連接于 第三電極503的突出部50;3B。另外，在上述第一電極501和接地之間連接有直流電源510，在上述第三電極503 和接地之間連接有直流電源511。另外，第二電極502接地。上述直流電源510的正極連接 于第一電極501，上述直流電源510的負(fù)極接地。另外，上述直流電源511的正極連接于第 三電極503，上述直流電源511的負(fù)極接地。因此，電流從上述P型第一區(qū)域506流向N型第二區(qū)域507，在上述P型第一區(qū)域 506和N型第二區(qū)域507的PN接合面Sl發(fā)光。另外，電流從上述P型第三區(qū)域508流向N 型第二區(qū)域507，在上述P型第三區(qū)域508和N型第二區(qū)域507的PN接合面S2發(fā)光。根據(jù)該第六實(shí)施方式的發(fā)光裝置，在上述棒狀發(fā)光元件505的N型第二區(qū)域507 的兩側(cè)配置有P型第一區(qū)域506和P型第三區(qū)域508。因而，棒狀發(fā)光元件505的朝向與 圖1所示的朝向相反，即使棒狀發(fā)光元件505的第一、第三區(qū)域506、508相對(duì)于第一、第三 電極501、503的連接相反，P型第三區(qū)域508與第一電極501連接且P型第一區(qū)域506與 第三電極503連接，由于二極管的極性不互換，可以正常發(fā)光。因此，根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā) 光裝置，在制造工序中，第一、第三區(qū)域506、508相對(duì)于第一、第三電極501、503的連接也可 以相反，不需要用于識(shí)別棒狀發(fā)光元件505的朝向性的標(biāo)記或形狀，能夠簡(jiǎn)化制造工序，能夠抑制制造成本。特別是，在棒狀發(fā)光元件505的最大尺寸為100 μ m以下的小尺寸的情況 下，成為微細(xì)尺寸的器件，難以實(shí)施事先使棒狀發(fā)光元件505的朝向一致的作業(yè)，因此通過(guò) 無(wú)需使棒狀發(fā)光元件505的朝向一致的本實(shí)施方式，能夠格外地簡(jiǎn)化制造工序。另外，通過(guò) 棒狀發(fā)光元件505的尺寸為100 μ m以下的小尺寸，熱量不會(huì)封閉于發(fā)光區(qū)域，能夠防止熱 量引起的輸出降低及壽命縮短。另外，在上述實(shí)施方式中，雖然棒狀發(fā)光元件505的第一、第三區(qū)域506、508為P 型，第二區(qū)域507為N型，但第一、第三區(qū)域506、508也可以為N型，第二區(qū)域507可以為P 型。在這種情況下，直流電源510的正極接地，直流電源510的負(fù)極連接于第一電極501，并 且直流電源511的正極接地，直流電源511的負(fù)極連接于第三電極503。另外，直流電源510、511未必需要設(shè)置兩個(gè)，也可以設(shè)置其中之一。在這種情況 下，僅在兩個(gè)接合面Si、S2中的一個(gè)接合面發(fā)光，即使棒狀發(fā)光元件505的朝向相反，二極 管的極性也不互換，因此仍然可以正常發(fā)光。例如，在僅具備直流電源510的情況下，電流 從上述P型第一區(qū)域506流向N型第二區(qū)域507，在上述P型第一區(qū)域506和N型第二區(qū)域 507的PN接合面Sl發(fā)光。(第七實(shí)施方式)接著，參照?qǐng)D12及圖13A、圖13B，對(duì)本發(fā)明發(fā)光裝置的第七實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。 圖12是表示該第七實(shí)施方式的概要平面圖，圖13A是該第七實(shí)施方式具備的棒狀發(fā)光元件 521的側(cè)面圖，圖1 是上述棒狀發(fā)光元件521的剖面圖。該第七實(shí)施方式代替上述第六實(shí) 施方式的棒狀發(fā)光元件505而具備圖13A、圖1 所示的棒狀發(fā)光元件521這點(diǎn)與上述第六 實(shí)施方式不同。因而，在該第七實(shí)施方式中，在與上述第六實(shí)施方式同樣的部分附以同樣的 符號(hào)，以與上述第六實(shí)施方式不同之點(diǎn)為主進(jìn)行說(shuō)明。上述棒狀發(fā)光元件521具有P型圓柱狀的芯部522、和N型圓筒狀的外殼部523。 上述圓筒狀的外殼部523被覆上述圓柱狀的芯部522的外周面522A。上述圓柱狀的芯部 522的兩端部522B、522C從上述圓筒狀的外殼部523的兩端突出且露出。上述N型圓筒狀 的外殼部523形成第二區(qū)域，上述P型圓柱狀的芯部522形成第一及第三區(qū)域。該棒狀發(fā) 光元件521的P型圓柱狀的芯部522的端部522B連接于基板504上的第一電極501的突 出部501B，上述芯部522的端部522C連接于第三電極503的突出部50!3B。另外，上述圓筒 狀的外殼部523連接于第二電極502。該第七實(shí)施方式的發(fā)光裝置通過(guò)連接于第一電極501和接地之間的直流電源 510，電流從P型芯部522的端部522B流向N型外殼部523，在P型芯部522和N型外殼部 523的PN接合面S21發(fā)光。另外，通過(guò)連接于第三電極503和接地之間的直流電源511，電 流從P型芯部522的端部522C流向N型外殼部523，在P型芯部522和N型外殼部523的 PN接合面S21發(fā)光。根據(jù)該第七實(shí)施方式的棒狀發(fā)光元件521，與上述第六實(shí)施方式的棒 狀發(fā)光元件505的PN接合面Sl相比，可以加大上述圓柱狀芯部522和圓筒狀外殼部523 的PN接合面S21，因此能夠得到大的發(fā)光強(qiáng)度。另外，在該第七實(shí)施方式中，也在N型圓筒狀的外殼部523的兩側(cè)配置有P型芯部 522的端部522B和端部522C。因而，棒狀發(fā)光元件521的朝向與圖12所示的朝向相反，即 使棒狀發(fā)光元件521的芯部522的端部522B、522C相對(duì)于第一、第三電極501、503的連接 相反，由于二極管的極性也不互換，因此可以正常發(fā)光。因此，根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光裝置，在制造工序中，芯部的端部522B、522C相對(duì)于第一、第三電極501、503的連接也可以相反， 不需要用于識(shí)別棒狀發(fā)光元件521的朝向性的標(biāo)記或形狀，能夠簡(jiǎn)化制造工序，能夠抑制 制造成本。特別是，在棒狀發(fā)光元件521的最大尺寸為IOOym以下的小尺寸的情況下，成 為微細(xì)尺寸的器件，難以實(shí)施事先使棒狀發(fā)光元件521的朝向一致的作業(yè)，因此通過(guò)本實(shí) 施方式，能夠格外地簡(jiǎn)化制造工序。另外，通過(guò)棒狀發(fā)光元件505的尺寸為100 μ m以下的 小尺寸，熱量不會(huì)封閉于發(fā)光區(qū)域，能夠防止熱量引起的輸出降低及壽命縮短。另外，在上述實(shí)施方式中，棒狀發(fā)光元件521的圓柱狀的芯部522為P型，圓筒狀 的外殼部523為N型，但芯部522也可以為N型，外殼部523也可以為P型。在這種情況下， 將直流電源510的正極接地，將直流電源510的負(fù)極連接于第一電極501，并且將直流電源 511的正極接地，將直流電源511的負(fù)極連接于第三電極503。另外，在上述實(shí)施方式中，芯 部522為圓柱狀，外殼部523為圓筒狀，但芯部522也可以為多角柱狀，外殼部523也可以 為多角筒狀。例如，可以是芯部522為三角柱狀、四角柱狀、五角柱狀、或六角柱狀，外殼部 523為三角筒狀、四角筒狀、五角筒狀、或六角筒狀。另外，也可以是芯部522為橢圓柱狀，外 殼部523為橢圓筒狀。另外，直流電源510、511未必需要設(shè)置兩個(gè)，也可以設(shè)置其中之一。在這種情況 下，即使棒狀發(fā)光元件521的朝向相反，二極管的極性也不互換，因此仍然可以正常發(fā)光。 例如，在僅具備直流電源510的情況下，電流從上述P型芯部522的端部522B流向N型外 殼部523，在上述P型芯部522和N型外殼部523的PN接合面S21發(fā)光。接著，參照?qǐng)D9A 9C、圖15A、圖15B，對(duì)如上述第七實(shí)施方式所述的棒狀結(jié)構(gòu) 的發(fā)光元件的制造方法之一例進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖9A所示，在由η型GaN構(gòu)成的基板 71上形成具有生長(zhǎng)孔72a的掩模72。接著，如圖9B所示，在半導(dǎo)體芯形成工序中，利用 MOCVD(MetalOrganic Chemical Vapor D印osition 有機(jī)金屬氣相生長(zhǎng))裝置，在因掩模72 的生長(zhǎng)孔7 而露出的基板71上，使η型GaN進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，形成棒狀的半導(dǎo)體芯73。在 此，η型GaN為六方晶系的晶體生長(zhǎng)，通過(guò)相對(duì)于基板71的表面將垂直方向作為c軸方向 使其生長(zhǎng)，能夠得到六角柱形狀的半導(dǎo)體芯。接著，如圖9C所示，在半導(dǎo)體層形成工序中，以覆蓋棒狀的半導(dǎo)體芯73的方式，在 基板71的整個(gè)面上形成由ρ型GaN構(gòu)成的半導(dǎo)體層74。接著，如圖15A所示，在露出工序 中，通過(guò)提離，除去覆蓋半導(dǎo)體芯73的半導(dǎo)體層7 部分以外的區(qū)域和掩模72，在棒狀的半 導(dǎo)體芯73的基板71側(cè)，使基板側(cè)的外周面露出，形成露出部分73a。在該狀態(tài)下，上述半導(dǎo) 體芯73的與基板71相反一側(cè)的端面由半導(dǎo)體層7 覆蓋。在該實(shí)施方式的露出工序中， 利用提離，但也可以通過(guò)蝕刻，使半導(dǎo)體芯的一部分露出。接著，將由半導(dǎo)體層74覆蓋的半 導(dǎo)體芯73除其上端部以外用掩模掩埋，通過(guò)各向同性強(qiáng)的干式蝕刻，使半導(dǎo)體芯73的與基 板71相反的一側(cè)的外周面露出，形成另一露出部分7 之后，除去掩模。接著，在切離工序中，如圖15B所示，通過(guò)利用超聲波(例如，數(shù)IOKHz)使基板71 沿基板平面振動(dòng)，應(yīng)力作用于被半導(dǎo)體層7 覆蓋的半導(dǎo)體芯73，以使豎立設(shè)置于基板71 的半導(dǎo)體芯73的靠近基板71側(cè)的根部彎曲，被半導(dǎo)體層7 覆蓋的半導(dǎo)體芯73從基板71 切離。這樣就能夠制造從基板71切離的微細(xì)的棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元件70。在該棒狀結(jié)構(gòu)的發(fā) 光二極管的制造方法中，棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元件70的直徑為1 μ m，長(zhǎng)度為10 μ m。在上述發(fā)光元件的制造方法中，基板71和半導(dǎo)體芯73以及半導(dǎo)體層7 雖然27使用了以GaN為母材的半導(dǎo)體，但也可以使用以GaAs、AlGaAs, GaAsP, InGaN, AlGaN, GaP、 ZnSe.AlGalnP等為母材的半導(dǎo)體。另外，基板和半導(dǎo)體芯為η型，半導(dǎo)體層為ρ型，但也可 以為導(dǎo)電型相反的棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管。另外，對(duì)具有截面為六角柱的半導(dǎo)體芯的棒狀結(jié) 構(gòu)發(fā)光二極管的制造方法進(jìn)行了說(shuō)明，但不局限于此，也可以為截面呈圓形或橢圓形的棒 狀，具有截面為三角形等其它多角形狀的棒狀半導(dǎo)體芯的棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元件也可以用與上 述同樣的制造方法制作。另外，在上述發(fā)光元件的制造方法中，雖然采用將棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元 件的直徑制成1 μ m且將長(zhǎng)度制成10 μ m的微米級(jí)尺寸，但也可以采用直徑或長(zhǎng)度中至少直 徑不足1 μ m的納米級(jí)尺寸的元件。上述棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元件的半導(dǎo)體芯的直徑優(yōu)選為500nm 以上且100 μ m以下，與數(shù)IOnm 數(shù)IOOnm的棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元件相比，能夠抑制半導(dǎo)體芯的 直徑偏差，能夠降低發(fā)光面積即發(fā)光特性的偏差，能夠提高成品率。另外，在上述發(fā)光元件的制造方法中，利用MOCVD裝置使半導(dǎo)體芯73進(jìn)行晶體生 長(zhǎng)，但也可以利用MBE(分子束外延)裝置等其它晶體生長(zhǎng)裝置形成半導(dǎo)體芯。另外，利用 具有生長(zhǎng)孔的掩模，使半導(dǎo)體芯在基板上進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，但也可以在基板上配置金屬種，從 金屬種使半導(dǎo)體芯進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。另外，在上述發(fā)光元件的制造方法中，利用超聲波將被半 導(dǎo)體層7 覆蓋的半導(dǎo)體芯73從基板71切離，但不局限于此，也可以利用切割工具機(jī)械地 將半導(dǎo)體芯從基板切離。在這種情況下，能夠用簡(jiǎn)單的方法在短時(shí)間內(nèi)將設(shè)置于基板上的 微細(xì)的多個(gè)棒狀結(jié)構(gòu)發(fā)光元件切離。(第八實(shí)施方式)接著，參照?qǐng)D14對(duì)本發(fā)明第八實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖14是表示該第八實(shí)施方式 的概要平面圖。該第八實(shí)施方式具備第一電極531、第二電極532、第三電極533及與上述第六實(shí) 施方式的棒狀發(fā)光元件505同樣構(gòu)成的兩根棒狀發(fā)光元件535、536，上述第一 第三電極 531 533形成于與上述第六實(shí)施方式的基板504同樣的基板534上。上述第一 第三電 極531 533依次排列于上述基板534上，第一電極531具有沿與上述排列方向正交的方 向延伸的基部531A、和從該基部531A向上述第二電極532突出的兩個(gè)突出部531B、531C。 另外，上述第三電極533具有沿與上述排列方向正交的方向延伸的基部533A、和從該基部 533A向上述第二電極532突出的兩個(gè)突出部53!3B、533C。而且，上述第二電極532在上述 第一電極531和第三電極533之間，沿與上述排列方向正交的方向延伸。上述棒狀發(fā)光元件535具有P型第一區(qū)域535A和N型第二區(qū)域535B以及P型第 三區(qū)域535C。上述P型第一區(qū)域535A連接于第一電極531的突出部531B，上述N型第二區(qū) 域535B連接于第二電極532，上述P型第三區(qū)域535C連接于第三電極533的突出部53!3B。 另外，上述棒狀發(fā)光元件536具有P型第一區(qū)域536A和N型第二區(qū)域536B以及P型第三區(qū) 域536C。上述P型第一區(qū)域536A連接于第一電極531的突出部531C，N型第二區(qū)域536B 連接于第二電極532，P型第三區(qū)域536C連接于第三電極533的突出部533C。另外，在上述第一電極531和接地之間連接有直流電源M0，在上述第三電極533 和接地之間連接有直流電源Ml。另外，第二電極532接地。上述直流電源540的正極連接 于第一電極531，上述直流電源MO的負(fù)極接地。另外，上述直流電源Ml的正極連接于第 三電極533，上述直流電源Ml的負(fù)極接地。因此，電流從上述棒狀發(fā)光元件535的P型第一區(qū)域535A流向N型第二區(qū)域535B，28在上述P型第一區(qū)域535A和N型第二區(qū)域535B的PN接合面S31發(fā)光。另外，電流從上 述P型第三區(qū)域535C流向N型第二區(qū)域535B，在上述P型第三區(qū)域535C和N型第二區(qū)域 535B的PN接合面S32發(fā)光。另外，電流從上述棒狀發(fā)光元件536的P型第一區(qū)域536A流 向N型第二區(qū)域536B，在上述P型第一區(qū)域536A和N型第二區(qū)域536B的PN接合面S33 發(fā)光。另外，電流從上述P型第三區(qū)域536C流向N型第二區(qū)域536B，在上述P型第三區(qū)域 536C和N型第二區(qū)域536B的PN接合面S34發(fā)光。根據(jù)該第八實(shí)施方式的發(fā)光裝置，在上述棒狀發(fā)光元件535的N型第二區(qū)域535B 的兩側(cè)配置有P型第一區(qū)域535A和P型第三區(qū)域535C。在上述棒狀發(fā)光元件536的N型 第二區(qū)域536B的兩側(cè)配置有P型第一區(qū)域536A和P型第三區(qū)域536C。因此，上述棒狀發(fā) 光元件535的朝向與圖14所示的朝向相反，即使棒狀發(fā)光元件535的第一、第三區(qū)域535A、 535C相對(duì)于第一、第三電極531、533的連接相反，二極管的極性也不互換，可以正常發(fā)光。 這對(duì)于另一個(gè)棒狀發(fā)光元件536也同樣。因此，根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光裝置，在制造工序中，第一、第三區(qū)域535A、535C相 對(duì)于第一、第三電極531、533的連接也可以相反，第一、第三區(qū)域536A、536C相對(duì)于第一、第 三電極531、533的連接也可以相反。因而，不需要使棒狀發(fā)光元件535、536的朝向一致，因 此能夠簡(jiǎn)化制造工序，不需要用于識(shí)別棒狀發(fā)光元件535、536的朝向性的標(biāo)記或形狀，能 夠抑制制造成本。特別是，在棒狀發(fā)光元件535、536的最大尺寸為100 μ m以下的小尺寸的 情況下，成為微細(xì)尺寸的器件，難以實(shí)施事先使棒狀發(fā)光元件535、536的朝向一致的作業(yè)， 因此通過(guò)無(wú)需使棒狀發(fā)光元件535、536的朝向一致的本實(shí)施方式，能夠格外地簡(jiǎn)化制造工 序。另外，通過(guò)棒狀發(fā)光元件535、536的尺寸為100 μ m以下的小尺寸，熱量不會(huì)封閉于發(fā) 光區(qū)域，能夠防止熱量引起的輸出降低及壽命縮短。另外，在上述實(shí)施方式中，棒狀發(fā)光元件535、536的第一、第三區(qū)域535A、535C、 536A、536C為P型，第二區(qū)域535B、536B為N型，但也可以是第一、第三區(qū)域535A、5;35C、 536A、536C為N型，第二區(qū)域535B、536B為P型。在這種情況下，將直流電源MO的正極接 地，將直流電源540的負(fù)極連接于第一電極531，并且將直流電源Ml的正極接地，將直流電 源Ml的負(fù)極連接于第三電極533。另外，直流電源M0、541未必需要設(shè)置兩個(gè)，也可以設(shè)置其中之一。在這種情況 下，僅在四個(gè)接合面S31 S34中的兩個(gè)接合面發(fā)光，即使棒狀發(fā)光元件535、536的一方或 雙方的朝向相反，二極管的極性也不互換，因此仍然可以正常發(fā)光。例如，在僅具備直流電 源510的情況下，電流分別從上述P型第一區(qū)域535A流向N型第二區(qū)域535B、從上述P型 第一區(qū)域536A流向N型第二區(qū)域536B，在PN接合面S31及S33發(fā)光。另外，在上述實(shí)施方式中，第一、第三電極531、533分別具有兩個(gè)突出部531B、 531C、533B、533C，但第一、第三電極531、533也可以分別具有三個(gè)以上的突出部，將與上述 棒狀發(fā)光元件535、536同樣構(gòu)成的三個(gè)以上的棒狀發(fā)光元件連接于第一電極的三個(gè)以上 的突出部和第三突出部的三個(gè)以上的突出部之間。作為一例，也可以將與上述棒狀發(fā)光元 件535、536同樣構(gòu)成的100個(gè)以上的棒狀發(fā)光元件連接于上述第一電極的100個(gè)以上的突 出部和第三突出部的100個(gè)以上的突出部之間。(第九實(shí)施方式)接著，對(duì)作為本發(fā)明的第九實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。在該第九實(shí)施方式中，參照?qǐng)D14，對(duì)制造如上述第八實(shí)施方式所述的發(fā)光裝置的方法進(jìn)行說(shuō)明。在該第九實(shí)施方式中，首先，準(zhǔn)備在表面534A形成有第一電極531和第二電極532 以及第三電極533的基板534。該基板534為絕緣基板，第一、第二、第三電極531、532、533 為金屬電極。作為一個(gè)例子，可以利用印刷技術(shù)，在絕緣基板534的表面534A形成所希望 的電極形狀的金屬電極531、532、533。另外，可以將金屬膜及感光體膜均勻?qū)盈B于絕緣基 板534的表面534A，將該感光體膜曝光、顯影為所希望的電極圖案，以圖案化后的感光體膜 為掩模，對(duì)金屬膜進(jìn)行蝕刻，形成第一 第三電極531 533。另外，作為制作上述金屬電極 531 533的金屬材料，可以使用金、銀、銅、鐵、鎢、滲氮鎢、鋁、鉭或它們的合金等。另外，絕 緣基板534為在玻璃、陶瓷、氧化鋁、樹脂類的絕緣體或硅類半導(dǎo)體表面形成氧化硅膜而表 面具有絕緣性那樣的基板。在使用玻璃基板的情況下，優(yōu)選在表面形成氧化硅膜、氮化硅膜 那樣的基底絕緣膜。另外，上述第一電極531的突出部531B、531C和第三電極533的突出部53!3B、533C 之間的距離優(yōu)選比棒狀發(fā)光元件535、536長(zhǎng)度稍短。作為一個(gè)例子，在棒狀發(fā)光元件535、 536的長(zhǎng)度為10 μ m的情況下，上述距離優(yōu)選為6 9 μ m。S卩，上述距離優(yōu)選為棒狀發(fā)光元 件535、536的長(zhǎng)度的60 90%左右，更優(yōu)選為上述長(zhǎng)度的80 90%。接著，對(duì)在上述絕緣基板534上排列棒狀發(fā)光元件535、536的步驟進(jìn)行說(shuō)明。首 先，在上述絕緣基板534上較薄地涂敷含有棒狀發(fā)光元件535、536的溶液的異丙醇(IPA)。 另外，作為上述溶液，除IPA以外，也可以為乙二醇、丙二醇、甲醇、乙醇、丙酮、或它們的混 合物，可以使用由其它有機(jī)物構(gòu)成的液體、水等。但是，當(dāng)通過(guò)液體導(dǎo)致在金屬電極531、 532、533之間流過(guò)較大的電流時(shí)，導(dǎo)致不能對(duì)金屬電極531、532、533間施加所希望的電壓 差。在這種情況下，只要以覆蓋金屬電極531、532、533的方式在絕緣基板534的整個(gè)表面 被覆IOnm 30nm左右的絕緣膜即可。涂敷包含上述棒狀發(fā)光元件535、536的IPA的厚度是棒狀發(fā)光元件535、536能 夠在液體中移動(dòng)的厚度，以使其在下述排列棒狀發(fā)光元件535、536的工序中，能夠排列棒 狀發(fā)光元件535、536。因此，厚度為棒狀發(fā)光元件535、536的粗度以上，例如，為數(shù)ym 數(shù)mm。當(dāng)涂敷的厚度過(guò)薄時(shí)，棒狀發(fā)光元件535、536難以移動(dòng)，過(guò)厚時(shí)，干燥液體的時(shí)間延 長(zhǎng)。優(yōu)選為IOOym 500μπι。另外，相對(duì)于IPA的量，棒狀發(fā)光元件的個(gè)數(shù)優(yōu)選IX IO4個(gè) /cm3 IX IO7 個(gè)/cm3。為了將包含上述棒狀發(fā)光元件535、536的IPA涂敷于絕緣基板534，可以在排列棒 狀發(fā)光元件535、536的金屬電極531 533的外周圍形成框(未圖示)，將包含上述棒狀發(fā) 光元件535、536的IPA以達(dá)到所希望的厚度的方式充填于其框內(nèi)。但是，在包含上述棒狀 發(fā)光元件535、536的IPA具有粘性的情況下，不需要框就可以涂敷到所希望的厚度。為了 上述棒狀發(fā)光元件535、536的排列工序，上述IPA及乙二醇、丙二醇、甲醇、乙醇、丙酮、或它 們的混合物、或者由其它有機(jī)物構(gòu)成的液體或水等液體粘性越低越好，另外，優(yōu)選通過(guò)加熱 易蒸發(fā)的液體。接著，對(duì)金屬電極531、533之間施加電位差。另外，作為一例，對(duì)金屬電極532施 加上述金屬電極531的電位和上述金屬電極533的電位的中間的電位。另外，上述金屬電 極531和533之間的電位差為例如0. 5V或IV的電位差。另外，該金屬電極531和533的 電位差可以施加0. 1 10V，但在0. IV以下時(shí)，棒狀發(fā)光元件535、536的排列姿勢(shì)開始紊亂，在IOV以上時(shí)，金屬電極間的絕緣開始出現(xiàn)問(wèn)題。因此，上述電位差優(yōu)選為0. 5V 5V， 進(jìn)一步優(yōu)選為0. 5V左右。當(dāng)對(duì)金屬電極531施加電位VL，且對(duì)金屬電極533施加比上述 電位VL高的電位VH (VL < VH)時(shí)，在金屬電極531上感應(yīng)負(fù)電荷，在金屬電極533上感應(yīng) 正電荷。當(dāng)上述棒狀發(fā)光元件535、536接近該金屬電極531、533時(shí)，在棒狀發(fā)光元件535、 536中靠近金屬電極531的一側(cè)感應(yīng)正電荷，在靠近金屬電極533的一側(cè)感應(yīng)負(fù)電荷。在上 述棒狀發(fā)光元件535、536上感應(yīng)電荷的是通過(guò)靜電感應(yīng)而感應(yīng)的。因而，上述棒狀發(fā)光元 件535、536成為沿著在金屬電極531、533間產(chǎn)生的電力線的姿勢(shì)，并且在各棒狀發(fā)光元件 535,536上感應(yīng)的電荷大致相等，因此通過(guò)電荷的斥力，上述棒狀發(fā)光元件535、536大致等 間隔地沿一定方向正規(guī)排列。此時(shí)，當(dāng)在金屬電極531、532、533的表面被覆有絕緣膜，且施 加給金屬電極531、533間的電位差為恒定(DC)時(shí)，在被覆于金屬電極531、533上的絕緣膜 表面會(huì)感應(yīng)與金屬電極531、533的電位相反的極性的離子，導(dǎo)致溶液中的電場(chǎng)非常弱。在 這種情況下，優(yōu)選對(duì)金屬電極531、533間施加交流電壓。作為一例，對(duì)電極532施加基準(zhǔn)電 位(接地電位)，對(duì)電極531、533施加相位彼此相差180度的交流電源。由此，防止感應(yīng)與 金屬電極531、533的電位相反極性的離子，能夠?qū)魻畎l(fā)光元件535、536正常排列。另外， 施加于金屬電極531、533間的交流電壓的頻率優(yōu)選為IOHz 1MHz，但在交流電壓的頻率不 足IOHz時(shí)，棒狀發(fā)光元件535、536會(huì)激烈地振動(dòng)，有可能排列被擾亂。另一方面，在施加于 金屬電極531、533間的交流電壓的頻率超過(guò)IMHz的情況下，棒狀發(fā)光元件535、536吸附于 金屬電極531、533的力變?nèi)?，因外部干擾而排列被擾亂。因此，為了棒狀發(fā)光元件535、536 的排列穩(wěn)定，更優(yōu)選上述交流電壓的頻率為50Hz 1kHz。另外，上述交流電壓的波形不局 限于正弦波，矩形波、三角波、鋸齒波等只要是周期性變動(dòng)的波形即可。另外，上述交流電壓 的振幅作為一例優(yōu)選為0. 5V左右。這樣，在本實(shí)施方式中，通過(guò)在金屬電極531、532、533之間產(chǎn)生的外部電場(chǎng)，在各 棒狀發(fā)光元件535、536上產(chǎn)生電荷，通過(guò)電荷的吸引力，使棒狀發(fā)光元件535、536吸附于金 屬電極531、532、533，因此棒狀發(fā)光元件535、536的大小必須是可在液體中移動(dòng)的大小。因 此，各棒狀發(fā)光元件535、536的大小(最大尺寸)的容許值根據(jù)液體的涂敷量(涂敷厚度) 而變化。在上述液體的涂敷量少的情況下，各棒狀發(fā)光元件535、536的大小(最大尺寸) 必須是納米級(jí)，但在液體的涂敷量多時(shí)，各棒狀發(fā)光元件535、536的大小為微米級(jí)也可以。另外，在各棒狀發(fā)光元件535、536不是電中性而是實(shí)質(zhì)上帶正電或負(fù)電的情況 下，只對(duì)金屬電極531、533間施加靜電位差(DC)，不能穩(wěn)定地排列各棒狀發(fā)光元件535、 536。例如，在棒狀發(fā)光元件535實(shí)質(zhì)上帶正電的情況下，與感應(yīng)正電荷的電極533的吸引 力相對(duì)變?nèi)?，因此?dǎo)致棒狀發(fā)光元件535相對(duì)于金屬電極531、533的排列為非對(duì)稱。在這 種情況下，優(yōu)選對(duì)金屬電極531、533施加交流電壓。作為一個(gè)例子，對(duì)電極532施加基準(zhǔn)電 位(接地電位)，對(duì)電極531、533施加相位彼此相差180度的交流電源。由此，在棒狀發(fā)光 元件535實(shí)質(zhì)上帶電的情況下，也能夠?qū)⑴帕斜３衷趯?duì)象中。另外，施加于金屬電極531、 533間的交流電壓的頻率優(yōu)選為IOHz IMHz，但在交流電壓的頻率不足IOHz時(shí)，棒狀發(fā)光 元件535、536會(huì)激烈地振動(dòng)，有可能排列被擾亂。另一方面，在施加于金屬電極531、533間 的交流電壓的頻率超過(guò)IMHz的情況下，棒狀發(fā)光元件535、536吸附于金屬電極531、533的 力有時(shí)變?nèi)?，因外部干擾而排列被擾亂。因此，為了棒狀發(fā)光元件535、536的排列穩(wěn)定，更 優(yōu)選上述交流電壓的頻率為50Hz 1kHz。另外，上述交流電壓的波形不局限于正弦波，矩31形波、三角波、鋸齒波等只要是周期性變動(dòng)的波形即可。另外，上述交流電壓的振幅作為一 例優(yōu)選為0. 5V左右。當(dāng)上述棒狀發(fā)光元件535、536開始排列不久時(shí)，如圖14概要地所示，棒狀發(fā)光元 件535、536就排列于第一電極531的突出部531B、531C和第三電極533的突出部53!3B、533C 之間。各棒狀發(fā)光元件535、536整齊地排列為與第一、第二、第三電極531、532、533延伸的 方向垂直的姿勢(shì)，并沿上述延伸方向大致等間隔地排列。電場(chǎng)集中于上述突出部531B、531C 和突出部53!3B、533C之間，并且通過(guò)感應(yīng)于棒狀發(fā)光元件535、536的電荷，斥力作用于棒狀 發(fā)光元件535、536之間，從而棒狀發(fā)光元件535、536大致等間隔地排列。另外，如圖14的假想線所示，上述溶液所含但為上述棒狀發(fā)光元件535、536以外 的棒狀發(fā)光元件Z，有時(shí)也吸附于第一電極531的基部531A或第一電極533的基部533A。 在這種情況下，通過(guò)對(duì)上述第一、第三電極531、533不斷施加交流電壓，且使IPA等溶液流 到上述第一、第三電極531、533的基部531A、533A的周圍，能夠除去吸附于上述第一電極 531或第三電極533的棒狀發(fā)光元件Z。由此，實(shí)現(xiàn)成品率的提高。這樣，在棒狀發(fā)光元件535、536排列于第一電極531的突出部531B、531C和第三 電極533的突出部53!3B、533C之間后，通過(guò)對(duì)基板534加熱或放置一定時(shí)間，使上述溶液的 液體蒸發(fā)并被干燥，使棒狀發(fā)光元件535、536沿著金屬電極531和523之間的電力線等間 隔地排列并固定。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法，可以利用所謂的電介質(zhì)泳動(dòng)， 將最大尺寸為100 μ m以下的微細(xì)的棒狀發(fā)光元件535、536配置于由上述第一、第二、第三 電極531、532、533規(guī)定的位置。在該制造方法中，難以將棒狀發(fā)光元件535、536的朝向決 定為一方向，因此棒狀發(fā)光元件535、536的第一、第三區(qū)域535A、535C相對(duì)于第一、第三電 極531、533的連接有時(shí)互換，但在這種情況下，由于上述第八實(shí)施方式正常發(fā)光，因此作為 第八實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法，也是最佳的。另外，在本實(shí)施方式的制造方法中，作為一個(gè)例子，對(duì)排列兩個(gè)棒狀發(fā)光元件的情 況進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明發(fā)光裝置的制造方法可同時(shí)將多個(gè)微細(xì)的棒狀發(fā)光元件排列、連 接于第一、第二、第三電極間，因此在棒狀發(fā)光元件的尺寸小(作為一例，100 μ m以下)、且 連接于第一電極531和第三電極533之間的棒狀發(fā)光元件的個(gè)數(shù)為許多個(gè)(例如，100個(gè)以 上)的情況下，特別有利。(第十實(shí)施方式)接著，圖16表示作為本發(fā)明第十實(shí)施方式的LED(發(fā)光二極管)顯示器的一個(gè)像 素的電路。該第十實(shí)施方式具備上述第一 第八實(shí)施方式說(shuō)明的發(fā)光裝置中的一個(gè)，如圖 16所示，將上述發(fā)光裝置具有的棒狀發(fā)光元件的一個(gè)作為一個(gè)像素的像素LED551、552而 設(shè)置。在圖5中，符號(hào)W1、W3所示的部位對(duì)應(yīng)于第一、第三電極，符號(hào)W2所示的部位對(duì)應(yīng)于第二電極。該第十實(shí)施方式的LED顯示器為有源矩陣尋址方式，選擇電壓脈沖供給到行地址 線XI，數(shù)據(jù)信號(hào)送到列地址線Y1。當(dāng)上述選擇電壓脈沖輸入到晶體管Tl的柵極而晶體管 Tl導(dǎo)通時(shí)，上述數(shù)據(jù)信號(hào)從晶體管Tl的源極傳遞到漏極，數(shù)據(jù)信號(hào)作為電壓存儲(chǔ)于電容器 C。晶體管T2用于驅(qū)動(dòng)像素LED551、552。通過(guò)用來(lái)自晶體管Tl的信號(hào)使晶體管T2導(dǎo)通， 像素LED551、552由上述交流電源Vs驅(qū)動(dòng)。
該實(shí)施方式的LED顯示器，如圖16所示的一個(gè)像素排列成矩陣狀。該排列成矩陣 狀的各像素的像素LED551、552和晶體管T1、T2形成于基板上。在該基板上，各像素的像素 LED551、552用上述第九實(shí)施方式說(shuō)明的制造方法可以相對(duì)于第一 第三電極排列，可以制 造構(gòu)成上述像素LED551、552的多個(gè)棒狀發(fā)光元件在各像素多個(gè)排列的發(fā)光裝置。因而，能 夠容易地制造本實(shí)施方式的LED顯示器，能夠抑制制造成本。另外，通過(guò)將顯示器用背光燈或照明裝置中使用的發(fā)光裝置制成上述第六、第七、 第八實(shí)施方式說(shuō)明的發(fā)光裝置中的一個(gè)，能夠容易地制造，能夠抑制制造成本。另外，作 為制作上述各實(shí)施方式說(shuō)明的各棒狀發(fā)光元件的半導(dǎo)體，可以采用例如GaN、GaAs, GaP, AlGaAs, GaAsP, InGaN, AlGaN, ZnSe, AlGaInP等半導(dǎo)體。另外，也可以將上述各棒狀發(fā)光元 件作為具有量子阱結(jié)構(gòu)的棒狀發(fā)光元件，來(lái)提高發(fā)光效率。以上對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但該實(shí)施方式也可以進(jìn)行種種變更是顯然 的。其變更不應(yīng)脫離本發(fā)明的精神和范圍，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)自明的變更都包含在 后續(xù)的權(quán)利要求書中。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備 第一電極；第二電極；以及發(fā)光二極管電路，其具有至少一個(gè)由在所述第一電極和第二電極之間并聯(lián)連接的多個(gè) 發(fā)光二極管構(gòu)成的并聯(lián)構(gòu)成單位，并且連接于所述第一電極和第二電極之間， 構(gòu)成所述并聯(lián)構(gòu)成單位的所述多個(gè)發(fā)光二極管包括第一發(fā)光二極管，以在將所述第一電極設(shè)為比所述第二電極高電位時(shí)成為正向配置的 方式配置；以及第二發(fā)光二極管，以在將所述第二電極設(shè)為比所述第一電極高電位時(shí)成為正向配置的 方式配置，在所述并聯(lián)構(gòu)成單位中，所述第一發(fā)光二極管和所述第二發(fā)光二極管混合存在而被配置， 通過(guò)交流電源對(duì)所述第一電極和所述第二電極之間施加交流電壓，來(lái)驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)發(fā)光二極管。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光二極管電路是，將所述并聯(lián)構(gòu)成單位串聯(lián)連接多個(gè)而成。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光二極管電路具有一個(gè)所述并聯(lián)構(gòu)成單位，所述第一發(fā)光二極管，其陽(yáng)極連接于所述第一電極，并且陰極連接于所述第二電極， 所述第二發(fā)光二極管，其陰極連接于所述第一電極，并且陽(yáng)極連接于所述第二電極。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述多個(gè)并聯(lián)構(gòu)成單位由彼此相等的個(gè)數(shù)的發(fā)光二極管構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述并聯(lián)構(gòu)成單位由m個(gè)發(fā)光二極管構(gòu)成，其中，m為2以上的自然數(shù)， 將所述并聯(lián)構(gòu)成單位串聯(lián)連接η個(gè)，來(lái)構(gòu)建所述發(fā)光二極管電路，其中，η為2以上的 自然數(shù)，所述m和所述η滿足1-(1-(1/2)1^1)11 ^ 0. 05的關(guān)系。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述多個(gè)發(fā)光二極管的個(gè)數(shù)為100個(gè)以上且1億個(gè)以下。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述交流電源的交流頻率為60Hz以上且IMHz以下。
8.如權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 從所述交流電源接受的交流為矩形波。
9.如權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 在一個(gè)基板上形成有所述第一電極和第二電極。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一電極和第二電極沿所述基板表面延伸且彼此相向，所述第一電極具有以向所述第二電極突出且沿所述延伸方向排列的方式形成的多個(gè)突出部，所述第二電極具有以向所述第一電極突出且沿所述延伸方向排列的方式形成的多個(gè) 突出部，所述第一電極的突出部和所述第二電極的突出部相向，所述第一發(fā)光二極管，其陽(yáng)極連接于所述第一電極的突出部且陰極連接于所述第二電 極的突出部，所述第二發(fā)光二極管，其陰極連接于所述第一電極的突出部且陽(yáng)極連接于所述第二電 極的突出部。
11.如權(quán)利要求1 10中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光二極管的最大尺寸為100 μ m以下。
12.如權(quán)利要求1 11中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光二極管為棒狀。
13.如權(quán)利要求1 12中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 構(gòu)成所述發(fā)光二極管的半導(dǎo)體層直接連接于所述第一、第二電極。
14.如權(quán)利要求1 13中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光二極管具有第一導(dǎo)電型的芯部；以及第二導(dǎo)電型的外殼部，其被覆所述第一導(dǎo)電型的芯部的外周面，所述第一導(dǎo)電型的芯部的外周面的一部分從所述第二導(dǎo)電型的外殼部露出。
15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光二極管的芯部為圓柱狀，所述發(fā)光二極管的外殼部被覆所述圓柱狀的芯部的外周面，所述圓柱狀的芯部的外周面的一部分從所述外殼部露出，所述圓柱狀的芯部和所述外殼部的接合面在所述芯部的周圍形成為同心圓狀。
16.一種顯示器用背光燈，其特征在于， 具有權(quán)利要求1 15中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置。
17.一種照明裝置，其特征在于，具有權(quán)利要求1 15中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置。
18.一種LED顯示器，其特征在于，具有權(quán)利要求1 15中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置。
19.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，具備 準(zhǔn)備具有第一電極和第二電極的基板的工序；向所述基板涂敷包含最大尺寸為100 μ m以下的多個(gè)發(fā)光二極管的溶液的工序；以及 對(duì)所述第一電極和第二電極施加電壓，使所述發(fā)光二極管排列在由所述第一、第二電 極規(guī)定的位置的工序。
20.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備 形成于基板上的第一電極；形成于所述基板上的第二電極； 形成于所述基板上的第三電極；以及棒狀發(fā)光元件，其具有第一導(dǎo)電型的第一區(qū)域和第二導(dǎo)電型的第二區(qū)域以及第一導(dǎo)電 型的第三區(qū)域，并且所述第一、第二、第三區(qū)域按照所述第一、第二、第三區(qū)域的順序排列，所述第一區(qū)域連接于所述第一電極或第三電極的一方，所述第二區(qū)域連接于所述第二 電極，所述第三區(qū)域連接于所述第一電極或第三電極的另一方。
21.如權(quán)利要求20所述的發(fā)光裝置，其特征在于，沿第一通電方向和第二通電方向中的任一個(gè)通電方向通電，或者，沿第三通電方向和 第四通電方向中的任一個(gè)通電方向通電，所述第一通電方向是指電流從所述第一電極或第三電極的一方依次經(jīng)由所述第一區(qū) 域和第二區(qū)域流到所述第二電極的通電方向，所述第二通電方向是指電流從所述第二電極依次經(jīng)由所述第二區(qū)域和第一區(qū)域流到 所述第一電極或第三電極的一方的通電方向，所述第三通電方向是指電流從所述第一電極或第三電極的另一方依次經(jīng)由所述第三 區(qū)域和第二區(qū)域流到所述第二電極的通電方向，所述第四通電方向是指電流從所述第二電極依次經(jīng)由所述第二區(qū)域和第三區(qū)域流到 所述第一電極或第三電極的另一方的通電方向。
22.如權(quán)利要求20所述的發(fā)光裝置，其特征在于，沿第一通電方向和第二通電方向中的任一個(gè)通電方向通電，所述第一通電方向是指電流從所述第一電極或第三電極的一方依次經(jīng)由所述第一區(qū) 域和第二區(qū)域流到所述第二電極且從所述第一電極或第三電極的另一方依次經(jīng)由所述第 三區(qū)域和第二區(qū)域流到所述第二電極的通電方向，所述第二通電方向是指電流從所述第二電極依次經(jīng)由所述第二區(qū)域和第一區(qū)域流到 所述第一電極或第三電極的一方且從所述第二電極依次經(jīng)由所述第二區(qū)域和第三區(qū)域流 到所述第一電極或第三電極的另一方的通電方向。
23.如權(quán)利要求20 22中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一區(qū)域的一端部和所述第二區(qū)域的另一端部接合，并且所述第二區(qū)域的一端部 和所述第三區(qū)域的另一端部接合，所述第一區(qū)域的另一端部連接于所述第一電極或第三電極的一方，并且所述第三區(qū)域 的一端部連接于所述第一電極或第三電極的另一方。
24.如權(quán)利要求20 22中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述棒狀發(fā)光元件具備芯部，其由所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域連成棒狀而構(gòu)成，并且貫通所述第二區(qū)域；以及外殼部，其由所述第二區(qū)域構(gòu)成，并且被覆所述芯部的外周面， 所述芯部的所述第一區(qū)域和第三區(qū)域從所述外殼部的兩端露出。
25.如權(quán)利要求20 M中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述棒狀發(fā)光元件的最大尺寸為100 μ m以下。
26.—種顯示器用背光燈，其特征在于，具有權(quán)利要求20 25中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置。
27.一種照明裝置，其特征在于，具有權(quán)利要求20 25中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置。
28.—種LED顯示器，其特征在于，具有權(quán)利要求20 25中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置。
29.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，具備準(zhǔn)備具有第一電極和第二電極以及第三電極的基板的工序；向所述基板涂敷包含最大尺寸為100 μ m以下的多個(gè)棒狀發(fā)光元件的溶液的工序，所 述多個(gè)棒狀發(fā)光元件具有第一導(dǎo)電型的第一區(qū)域和第二導(dǎo)電型的第二區(qū)域以及第一導(dǎo)電 型的第三區(qū)域，并且所述第一、第二、第三區(qū)域按照所述第一、第二、第三區(qū)域的順序排列； 以及對(duì)所述第一電極和第三電極施加電壓，使所述多個(gè)棒狀發(fā)光元件排列在由所述第一、 第二、第三電極規(guī)定的位置的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置及其制造方法。根據(jù)該發(fā)光裝置，在棒狀發(fā)光元件(505)的N型第二區(qū)域(507)的兩側(cè)配置有P型第一區(qū)域(506)和P型第三區(qū)域(508)。因而，即使棒狀發(fā)光元件(505)的第一、第三區(qū)域(506、508)相對(duì)于第一、第三電極(501、503)的連接互換，相對(duì)于第一、第三電極(501、503)的二極管極性也不互換，所以可正常發(fā)光。因此，在制造工序中，第一、第三區(qū)域(506、508)相對(duì)于第一、第三電極(501、503)的連接也可以相反，不需要用于識(shí)別棒狀發(fā)光元件(505)的方向性的標(biāo)記或形狀，能夠簡(jiǎn)化制造工序，進(jìn)而能夠抑制制造成本。
文檔編號(hào)F21V19/00GK102042540SQ20101051100
公開日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2010年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月15日
發(fā)明者小宮健治, 巖田浩, 柴田晃秀, 根岸哲, 森下敏, 矢追善史, 高橋明 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社