專利名稱：電弧的檢測與抑制電路和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用以檢測或抑制一負載電阻抗中電弧或其它異常變化的設(shè)備與方法， 其中有一電源供給電力給該負載。較佳地，該負載為一等離子體室，可用于制造例如半導(dǎo)體及平面顯示器的電子元件，及本發(fā)明所檢測或抑制的包含在等離子體室內(nèi)的電弧的異常變化。
背景技術(shù)：
等離子體室經(jīng)常被用以執(zhí)行各種制程，例如化學(xué)氣相沉積、濺鍍及等離子體加強蝕刻制程，以制造例如半導(dǎo)體或平面顯示器的電子工件。經(jīng)常地，在等離子體室內(nèi)的等離子體通過由耦合來自電源的RF(RadioFreqUenCy，高頻)或直流電力至等離子體加以維持。該耦合一般通過將等離子體連接至室內(nèi)的電極或該室內(nèi)或鄰近該室的天線或磁線圈加以完成。在等離子體室內(nèi)的狀況大致在制程被執(zhí)行于室內(nèi)時產(chǎn)生變化，并且，這些變化有時造成在室內(nèi)的電弧。若等離子體與被制造的工件間發(fā)生電弧，或在任一室組件間發(fā)生電弧，則將對工件或室內(nèi)組件產(chǎn)生損害。損害的程度隨著電弧時間而增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種設(shè)備，其可以快速地檢測在等離子體室內(nèi)的電弧或者改變等離子體室呈現(xiàn)給電源的電負載阻抗的其它異常，或者提供另一種設(shè)備，其可以抑制(即停止)電弧，同時允許等離子體制程以盡可能最少干擾的狀態(tài)下繼續(xù)進行。通過所述提供設(shè)備可以減少或防止上述對工件或室內(nèi)組件的損害。通常，在提供一種可以快速地檢測或抑制在電負載中的異常變化的設(shè)備時需要有一電源施加電力給該電負載。本發(fā)明的一個方案為一種設(shè)備及方法，通過監(jiān)視一個或多個感應(yīng)器，而檢測在等離子體室內(nèi)的電弧。每一感應(yīng)器對(in response to)被電源所施加至等離子體的電源特征有反應(yīng)，或者，耦合至等離子體室，以對室內(nèi)的電磁狀態(tài)作出反應(yīng)。對耦合至等離子體室情況，感應(yīng)器所檢測的等離子體狀態(tài)可以例如是在室內(nèi)的電場、磁場、或光輻射。該監(jiān)視較佳包含檢測何時為一個感應(yīng)器產(chǎn)生一電信號、或由一個或多個這些感應(yīng)信號導(dǎo)出一值(即為這些感應(yīng)信號的函數(shù))超出一臨限值。由一感應(yīng)信號所導(dǎo)出的值例可以是感應(yīng)信號的變化率。當(dāng)電源為一 RF電源時，對施加至等離子體室的RF功率作出反應(yīng)的感應(yīng)器較佳包含一 RF單向耦合器，其連接在RF電源與等離子體室之間，以檢測順向RF功率，反射RF功率、及反射之功率系數(shù)的其中一個或多個。該監(jiān)視較佳包含當(dāng)反射RF功率或反射功率系數(shù)超出第一臨限值或者反射功率或反射功率系數(shù)的變化率超出一第二臨限值時，檢測電弧之發(fā)生。本發(fā)明的第二方案適用于一制造系統(tǒng)，其中一制程控制器，控制由電源所產(chǎn)生的輸出功率，使得其在制程的不同步驟或階段，產(chǎn)生不同的功率位準(zhǔn)。在本發(fā)明的這一方案中，上述一個或多個臨限值可以對被制程控制器所選擇的功率位準(zhǔn)有反應(yīng)以作動態(tài)調(diào)整。 本發(fā)明的優(yōu)點為可以以高感度檢出電弧，因為臨限值可以緊密地調(diào)整至電源的功率輸出。本發(fā)明的第三方案為一種抑制電弧的設(shè)備與方法，在抑制時不必停止執(zhí)行于等離子體室內(nèi)的等離子體制程。當(dāng)電弧被檢出時，等離子體暫時地降低其輸出功率，較佳至零功率。通常，這將省除該電弧。在一很短暫時間后，一般幾毫秒或更短時間后，等離子體增加其功率輸出，較佳至其原始值。若再發(fā)生電弧，則電源再次在一短暫時間內(nèi)降低其功率。一般而言，在幾次重復(fù)降低功率短暫時間后，電弧將完全消失，使得被執(zhí)行于室內(nèi)的等離子體制程可以在只有約十毫秒的中斷后被重新執(zhí)行。本發(fā)明的第四方案為一種設(shè)備與方法，用以檢測在電負載的電阻抗中的異常變化，該電負載被連接至電源。該第四方案為第一方案的一般化，以包含電弧以外的阻抗中的異常，并包含可能不是等離子體室的電負載。負載的電阻抗中的異常變化通過監(jiān)視一個或多個感應(yīng)器加以檢測，所述所有感應(yīng)器對電源所施加至負載的功率特征作出反應(yīng)。該監(jiān)視較佳包含檢測何時感應(yīng)器產(chǎn)生電信號，或者由一個或多個感應(yīng)信號所導(dǎo)出的值超出一臨限值。由感應(yīng)信號所導(dǎo)出的值的例子可以為感應(yīng)信號的變化率。當(dāng)電源為一 RF電源時，一感應(yīng)器較佳包含一 RF單向耦合器，連接于該RF電源與該負載之間，以檢測順向RF功率、反射RF功率、及反射功率系數(shù)的一個或多個。監(jiān)視較佳包含當(dāng)反射RF功率或反射功率系數(shù)超出第一臨限值或反射功率或反射功率系數(shù)的變化率超出一第二臨限值時，檢測一異常變化。本發(fā)明的第五方案為一種設(shè)備與方法，用以反轉(zhuǎn)(即回到正常)在電負載的電阻抗中的異常變化，該電負載連接有一電源。第五方案為第三方案的一般化，以包含在電弧以外的阻抗異常及包含可能不是等離子體室的一電負載。當(dāng)負載的電阻抗中的異常變化被檢出時，電源短暫地降低其輸出功率，較佳至零功率。這可以免除該異常。在很簡短的時間后，一般幾毫秒或更短時間后，電源增加其功率輸出，較佳至其原始值。若異常被再次檢出，則電源再次在一短暫時間內(nèi)降低其功率。在重復(fù)幾次短暫的功率降低后，異常可以完成免除，使得電源的正常操作可以再次進行。


圖1為組合一 RF電源及等離子體室的電弧檢測及抑制電路的方塊圖。圖2為在等離子體室內(nèi)電弧時的模擬電信號圖。圖3為基本電弧檢測算法的流程圖。圖4為改良的電弧檢測算法的流程圖，其可以拒絕指出比最小持續(xù)臨限值為短的電弧。圖5為另一修改電弧檢測算法的流程圖，其可以加入用于電弧檢測臨限的磁滯及更新在每一取樣區(qū)間的臨限值成為電源的電力設(shè)定點的函數(shù)。圖6為圖5的算法的流程圖，其被修改以比較電弧檢測臨限值與由感應(yīng)信號所導(dǎo)出的值。圖7為另一改良算法的流程圖，其加入檢測是否電弧持續(xù)長于特定持續(xù)時間的步
馬聚ο圖8為以模擬電壓比較器執(zhí)行的臨限檢測器的方塊圖。圖9為具有電位計的臨限調(diào)整電路的電路圖。圖10為電弧抑制算法的流程圖。圖11為圖1的電路的另一實施例，其包含連接至RF電源的RF設(shè)定點輸入的多任務(wù)器。圖12為圖1的電路的另一實施例，其中DSP提供一電力設(shè)定點信號給RF電源。附圖標(biāo)記說明34制程控制器M單向耦合器28RF匹配46EMF檢測器100建立臨限值Li104接收或取樣感應(yīng)信號Si108比較感應(yīng)信號Si與臨限值Li122登入電弧事件150發(fā)出電弧警報152作補救動作110清除電弧警報120增量計數(shù)122登入電弧事件130計數(shù)彡N (持續(xù)時間彡D ？)112清除持續(xù)時間計數(shù)100更新臨限值Li為RF功率設(shè)定點的函數(shù)102若磁滯激活，則將臨限值Li減去磁滯Hi114停止磁滯106導(dǎo)出感應(yīng)器導(dǎo)出值Vi140激活磁滯200清除計數(shù)201降低或暫停RF功率持續(xù)時間Ts202回復(fù)全RF功率203比較感應(yīng)信號Si與臨限值Li (步驟104-108)204增量計數(shù)205計數(shù)彡Ns ？206發(fā)出電弧警報210清除電弧警報回到步驟10040多任務(wù)器
具體實施例方式1.硬件圖1顯示一設(shè)備，其可以依據(jù)本發(fā)明的不同方案，檢測電弧及抑制電弧。該設(shè)備包含一電路10，其于上被稱為“電弧檢測及抑制電路”或“ADSC”。該ADSClO實現(xiàn)了如下所述的新穎電弧檢測及抑制算法。該ADSC可以為一數(shù)字電路，例如可程序計算機、一模擬電路、 或數(shù)字及模擬電路的組合，這些例子說明如下。如本案的發(fā)明內(nèi)容所述，本案的電弧檢測及抑制電路也用以檢測或抑制電弧以外的阻抗中的異常。于此通例中，該ADSClO可以被稱為“阻抗異常檢測及抑制電路”。阻抗異常的抑制表示反轉(zhuǎn)該異常狀況，以將阻抗回復(fù)至其正常值或值的正常范圍內(nèi)。雖然較佳實施例的以下說明重復(fù)地表示電弧，但于整個說明書中，“電弧”可以被“阻抗異常”加以取代。同樣地，如發(fā)明內(nèi)容所述，本發(fā)明也用于可能不是等離子體室的電負載。在負載的電阻抗的異常變化通過監(jiān)視一個或多個感應(yīng)器加以檢出，這些感應(yīng)器對電源所施加至負載的電源的特征作出反應(yīng)。雖然以下的較佳實施例的詳細說明重復(fù)地表示一等離子體室，但等離子體室可以被任一電氣負載所取代。ADSClO所連接的例示制造系統(tǒng)包含一 RF電源20，具有一 RF輸出22連接至RF單向耦合器對的一輸入。(商用RF功率發(fā)電機通常在單一密封體內(nèi)，組合RF電源與單向耦合器。)該單向耦合器具有一 RF輸出沈連接至RF阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)觀的輸入。該單向耦合器感應(yīng)或量測順向及反射RF功率，其由RF電源20傳遞至匹配網(wǎng)絡(luò)觀并產(chǎn)生順向及反射感應(yīng)輸出信號25、27，其值分別代表順向及反射RF功率量測值S1及&。RF匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出即連接至在等離子體室30內(nèi)的電極32。在此段中所述的組件包含在具有RF供電等離子體室的傳統(tǒng)制造系統(tǒng)中。本發(fā)明也可適用于電源，其供給RF電力以外的電源至等離子體濺射室，所述電源例如連接至電源的直流電源。當(dāng)電源為直流電源時，將沒有反射電力，但所有以下所述的感應(yīng)器，包含順向電力(forward electricalpower)可以用以檢測及抑制在電負載中的電弧或其它異常變化，該電負載被連接至電源以被供給電力。因此，所有的RF電源，其啟動輸入 (enableinput)、及其功率設(shè)定點輸入等效適用于一直流電源。在等離子體室30內(nèi)執(zhí)行的每一制程傳統(tǒng)為一制程控制器34所控制，該控制器為一計算機，其儲存及執(zhí)行一制程序向程序，以指示及控制制程的動作與參數(shù)。例如，制程控制器34傳統(tǒng)上被規(guī)劃以控制移動工作進出等離子體室的機械手臂；控制調(diào)整各種反應(yīng)氣體進入室中的流量的氣體閥；及控制調(diào)整處理室內(nèi)的氣壓的排氣閥。該制程控制器傳統(tǒng)上被供給為處理室30的一組件或多室平臺或主機的一組件，該處理被連接至該平臺或主機。很多制程包含一序列制程步驟，其在不同RF功率位準(zhǔn)下加以執(zhí)行。因此，制程控制器34的另一傳統(tǒng)功能為控制RF電源20的RF功率輸出位準(zhǔn)，使得后者在制程的不同步驟或階段中，供給不同位準(zhǔn)的RF功率至等離子體室30。明確地說，制程控制器34送出一 RF功率設(shè)定點信號36 (圖2A)給RF電源20的RF功率控制輸入21，該設(shè)定點信號為一數(shù)字或模擬電信號，其值可以任意時間點中，表示由制程控制器所執(zhí)行的制程順序所指明的現(xiàn)行RF功率的位準(zhǔn)。該RF電源20通過試著去調(diào)整在RF輸出22所產(chǎn)生的RF信號的實際功率位準(zhǔn)，而對RF功率設(shè)定點信號36有反應(yīng)，使得實際RF功率位準(zhǔn)等于為RF功率設(shè)定點信號36所代表的所欲RF功率位準(zhǔn)。如下所解釋，在處理室內(nèi)的異常狀況，例如電弧，有時可以防止RF 電源20產(chǎn)生為RF功率設(shè)定點信號36所指定的RF功率位準(zhǔn)。在本發(fā)明的較佳實施例中，RF功率設(shè)定點信號36被另外連接至ADSC10，使得ADSC 可以檢測何時為制程順序所指定的RF功率位準(zhǔn)中的轉(zhuǎn)移正被制程控制器所正在執(zhí)行。在本說明書其它部份的電弧檢測及電弧抑制算法的步驟由ADSClO所執(zhí)行。該 ADSC可以由單一傳統(tǒng)計算機處理機所構(gòu)成，其被規(guī)劃以執(zhí)行所有下述的功能。雖然，現(xiàn)行執(zhí)行所有功能的單一處理機較昂貴，但未來此方式可能可以符合經(jīng)濟效益。因此，ADSC的較佳實施例包含兩計算機處理機一相當(dāng)慢處理機，其稱為可編程邏輯控制器(PLC) 12 ；及一較快處理機，其稱為數(shù)字信號處理器(DSP) 14。該ADSC同時可以包含模擬電路，例如下述的模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器(analog-to-digital converters)及模擬斜率檢測器(analog slope detector)或差動器(differentiator)。PLC及DSP均包含一可程序算術(shù)計算單元及一內(nèi)存，用以儲存下述算法所需要的輸入數(shù)據(jù)、輸出數(shù)據(jù)及參數(shù)。該DSP取樣若干感應(yīng)信號，并選擇地由這些感應(yīng)信號導(dǎo)出其它值，并將其與(如下述的)臨限值作實時比較。較佳地，DSP足夠地快，以在少于一微秒內(nèi)執(zhí)行所有的步驟。PLC可以較慢，因為其對時間基本不要求的接口及登入功能執(zhí)行。在PLC12及DSP14間功能的較佳分割包含在以下的電弧檢測及抑制算法的說明中。然而，任何如下述由DSP或PLC所執(zhí)行的功能可以通過模擬或數(shù)字電路或在ADSC內(nèi)的計算機處理機所執(zhí)行，例如單一計算機處理機，其可以執(zhí)行所有ADSC的功能者。2.電弧的檢測該電弧檢測及抑制計算機(ADSC) 10在稱為“電弧抑制”下，被規(guī)劃以執(zhí)行下述的電弧抑制算法及以下的電弧檢測算法。該DSP通過實時監(jiān)視由一個或多個感應(yīng)器所產(chǎn)生的感應(yīng)輸出信號Si (S1A2A3等) 及檢測何時任一感應(yīng)輸出信號Si具有暗示在等離子體室內(nèi)電弧的異常值，而檢出在該等離子體室30內(nèi)的電弧的發(fā)生。一種感應(yīng)器輸出可以用以檢測在等離子體室30內(nèi)的電弧的大類別為一感應(yīng)器， 其被耦合至等離子體室，以感應(yīng)在室內(nèi)的電磁狀況，例如在該室內(nèi)的電場、磁場、或光輻射。 該感應(yīng)器的例子為光學(xué)感應(yīng)器(未顯示出)，其監(jiān)視為等離子體所發(fā)出的光。另一例子為 EMF探棒或天線47，其被安裝在該等離子體室內(nèi)。該天線被連接至電磁場(EMF)檢測器46 的輸入，該檢測器產(chǎn)生一感應(yīng)輸出信號48，其值代表為天線所接收的電磁場強度的量測值。 EMF檢測器的輸出48被連接至DSP14。一種感應(yīng)器輸出可以用以檢測在等離子體室30內(nèi)的電弧的另一大類別為一感應(yīng)器，其耦合于RF電源20與等離子體室之間，以感應(yīng)(即檢出)為RF電源所供給至等離子體的RF功率的特征。此一感應(yīng)器的例子為傳統(tǒng)單向耦合器對，連接在RF電源20與RF阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)觀之間，如圖1所示。所示單向耦合器產(chǎn)生兩感應(yīng)輸出信號25、27，其個別振幅分別代表為單向耦合器所感應(yīng)的順向RF功率及反射RF功率。其它單向耦合器可以產(chǎn)生感應(yīng)器輸出， 其代表在反射及順向RF功率間的比率或者此比率的平方根，即反射功率系數(shù)。如上所述， 商用RF功率發(fā)電機經(jīng)常在單一密封件內(nèi)，組合RF電源及單向耦合器。若單向耦合器的順向及反射功率輸出25、27為RF，而不是直流信號，則一傳統(tǒng)波封檢測器(即其后有一低通濾波器的整流器)應(yīng)連接在單向耦合器的每一輸出與ADSC之間。感應(yīng)RF功率的特征的感應(yīng)器的第二例子為RF失真分析器，例如，諧波感應(yīng)器 (harmonic sensor)，其檢測至該室的RF電源所供給的RF電壓或電流的失真，通過量測遠大于RF電壓或電流的基頻的頻率下，電壓或電流的任一頻譜成份的振幅。此一感應(yīng)器的第三例子為電氣可調(diào)的RF匹配網(wǎng)絡(luò)觀，其具有電感或電容，其值因應(yīng)電控制信號加以調(diào)整，以調(diào)諧匹配網(wǎng)絡(luò)。這些電控制信號有用于作為感應(yīng)輸出信號，因為在控制信號中的變化表示為等離子體室所呈現(xiàn)以對RF匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出中，電阻抗中的變化。同樣地，其它類型的RF匹配網(wǎng)絡(luò)觀可以通過調(diào)整RF源20的頻率加以調(diào)諧。以此等頻率可調(diào)匹配網(wǎng)絡(luò)，RF源或控制此頻率的控制器輸出的頻率可以構(gòu)成一感應(yīng)輸出信號S”
圖2顯示由單向耦合器M所產(chǎn)生的順向RF功率信號及反射RF功率信號27如何地被用以檢測在等離子體室30內(nèi)的電弧的發(fā)生。圖2A顯示制程控制器34送給RF電源20 的RF功率設(shè)定點信號36。其值代表如果RF電源及為等離子體室30所呈現(xiàn)的負載阻抗沒有上下變動及不穩(wěn)定時，RF功率輸出22的應(yīng)有振幅。圖2顯示執(zhí)行在等離子體室內(nèi)的制程，其在時間、及t3間需要第一位準(zhǔn)的RF功率P1及在時間t3及t4間較低位準(zhǔn)的RF功率 P2。圖2B及2C分別顯示為單向耦合器M所檢出的順向RF功率信號25及反射RF功率信號27，其在這例子中為第一及第二感應(yīng)信號S1及&。在等離子體室內(nèi)的電弧開始于時間、并結(jié)束于時間t2。在時間段、-、中，順向RF功率下降及反射RF功率增加。在本發(fā)明中，發(fā)明人檢測順向及反射RF功率的變化，以指出在等離子體室內(nèi)的電弧。一耦合至等離子體室內(nèi)部的光學(xué)感應(yīng)器或EMF感應(yīng)器，例如RF天線47將類似地作動以如在圖2C所繪的反射功率信號27。明確地說，任一感應(yīng)器將具有相當(dāng)?shù)头€(wěn)態(tài)值，其上有部份的噪聲或不穩(wěn)定施加至其上，并且當(dāng)電弧發(fā)生于等離子體室內(nèi)時，在值上有顯著增加。我們也發(fā)現(xiàn)反射RF功率信號27為最可靠指針，以指出電弧，因為在沒有電弧時， 其值相當(dāng)?shù)胤€(wěn)定。順向RF功率信號25、EMF感應(yīng)信號48、及反射RF功率信號的斜率(時間導(dǎo)數(shù))也是有用信號，以補充反射RF功率信號，但它們的特征在于不穩(wěn)定性或噪聲。在本發(fā)明中，每一感應(yīng)信號Si依據(jù)是否其輸出信號為低于或高于一臨限值，而被認定為表示電弧正在發(fā)生，該臨限值在此被稱為電弧檢測臨限值。部份感應(yīng)信號，例如順向 RF功率25 (Si)表示在其值低于一臨限值時，電弧的發(fā)生，而另一感應(yīng)信號，例如反射RF功率27 (S2)及EMF檢測器46-48 (S3)表示當(dāng)其值超出一臨限值時，電弧的發(fā)生。為了采用一涵蓋兩類型感應(yīng)信號的一致性命名法，我們將依據(jù)是否比較表示或不表示發(fā)生電弧，來表示在感應(yīng)輸出信號Si與其相關(guān)電弧檢測臨限值L1間的比較結(jié)果氏為正或負，我們將依據(jù)感應(yīng)輸出信號Si與其對應(yīng)臨限值Li的比較結(jié)果為正或負，來表示一感應(yīng)輸出信號具有不良值或良值。因此，如果該順向RF功率感應(yīng)信號25 (S1)下降低于第一臨限值L1，則該信號25 被認為是不良，而如果RF功率感應(yīng)信號27 (S2)及EMF檢測信號48 (S3)被認為分別超出第二臨限值L2及第三臨限值L3,則它們被認為不良。圖3顯示由圖3的ADSClO所執(zhí)行的算法。首先，ADSC(如下所述的PLC12或DSP14) 建立第一、第二及第三電弧檢測臨限值Lp L2及L3并儲存臨限值于DSP內(nèi)的內(nèi)存中(步驟 100)。其它的建立電弧檢測臨限值的方法在“調(diào)整電弧檢測臨限值”的段落中加以說明。實時中，該DSP周期地取樣(步驟104)感應(yīng)信號S1 (順向RF功率信號25)、S2(反射RF功率信號27)檢測信號48)的值?！叭印北硎窘邮仗囟娦盘柌⒃谝贿x定時間點中儲存其瞬間值，并可以以DSP內(nèi)的傳統(tǒng)取樣保持電路加以完成。該DSP分別比較第一、第二及第三感應(yīng)信號的電流取樣值SpS2及&與第一、第二及第三臨限值Lp L2及L3(步驟108)。如果這些比較的任一結(jié)果為正，即如果第一感應(yīng)信號S1 (順向RF功率信號25)落在第一臨限值L1以下、或第二感應(yīng)信號& (反射RF功率信號27)超出第二臨限值L2、或第三感應(yīng)信號S3 (EMF檢測信號48)超出第三臨限值L3，則DSP 發(fā)出一警報，提出已經(jīng)發(fā)生一電弧(步驟150)。較佳地，通過送出一電弧警告信號于電通訊總線15上給PLC，DSP發(fā)出電弧已經(jīng)發(fā)生的警報(步驟150)(圖2D)。該PLC可以被規(guī)劃以指明當(dāng)自DSP接收到一電弧警告信號時，其應(yīng)執(zhí)行怎樣的補救措施(步驟15 。適當(dāng)?shù)难a救措施例子有(1)執(zhí)行第10段“電弧抑制”所述的電弧抑制算法，即圖10的步驟200-206 ； (2)經(jīng)由通訊總線16送出一命令，以指示制程控制器34立即關(guān)閉至等離子體室的RF電力；C3)經(jīng)由通訊總線16送出一命令， 以指示制程控制器34等待，直到現(xiàn)行在等離子體室內(nèi)的工件處理完成，然后，關(guān)閉該等離子體室的操作；或(4)經(jīng)由外部通訊總線18發(fā)出一警報給操作該室的人員及/或在計算機內(nèi)存中登入該事件，但并不中斷等離子體室的操作。在所有比較結(jié)果Ri都是負，即所有感應(yīng)信號Si均回到其個別臨限值Li的“良”側(cè)后，DSP在時間t2清除或移除在圖2D所示的電弧警告信號15 (步驟110)。3.取樣區(qū)間及最小電弧持續(xù)時間取樣感應(yīng)信號的步驟(步驟104)及比較每一感應(yīng)信號與其對應(yīng)電弧檢測臨限值的步驟(步驟108)既以一間隔加以周期性地重復(fù)，該間隔稱為取樣區(qū)間ΔΤ。如果電弧以低于取樣區(qū)間的持續(xù)時間發(fā)生，則感應(yīng)信號Si可以由“良”變化為“不良”，然后，在感應(yīng)信號的后續(xù)取樣間的區(qū)間回到“良”(步驟104)，其中ADSC將不會檢出電弧已經(jīng)發(fā)生。如果電弧的持續(xù)時間太短而不足以對等離子體室內(nèi)的被制造的工件或室組件造成損害的話，則此不檢出電弧并不必然是不想要的。相反地，對于ADSC能可靠地檢測出足夠造成損害的持續(xù)電弧時間是重要的。因此，取樣區(qū)間較佳不應(yīng)大于可能造成損害的最短電弧持續(xù)時間。為了下述理由，取樣區(qū)間較佳不超出此持續(xù)時間的四分之一或十分之一。在感應(yīng)信號中的隨機噪聲或不穩(wěn)定性也可能造成該感應(yīng)信號短暫地超出其個別臨限值，即使未發(fā)生電弧的情形下。為了防止此等噪聲尖波被解釋為電弧的發(fā)生，該電弧檢測算法較佳地需要一正比較結(jié)果(即一具有“不良”值的感應(yīng)器)，以持續(xù)至少最小的時間， 該時間被稱為最小電弧持續(xù)臨限值D，在電弧檢測算法信號發(fā)出電弧已發(fā)生之前。為了確定可能損害電弧事件的檢測，最小電弧持續(xù)時間臨限值較佳應(yīng)不大于最短電弧持續(xù)時間，該最短電弧持續(xù)時間會對在等離子體室內(nèi)制造的工作或室的組件造成實質(zhì)損害者。當(dāng)每一感應(yīng)信號與其相關(guān)臨限值比較步驟被一數(shù)字電路以一周期性取樣區(qū)間加以執(zhí)行時，如圖8的模擬比較電路以外的實施例加以執(zhí)行時，因應(yīng)感應(yīng)信號噪聲或不穩(wěn)定的錯誤電弧檢測可以通過取得一正比較結(jié)果(步驟108)加以避免，以持續(xù)至少多個“N”個連續(xù)取樣區(qū)間。此多個“N”以下被稱為正比較計數(shù)臨限值，較佳為至少3。于現(xiàn)行較佳實施例中，ν = 10。最小電弧持續(xù)臨限值D將為取樣區(qū)間ΔΤ與正比較計數(shù)臨限值N的積。在設(shè)計電弧演算系統(tǒng)的實施法中，設(shè)計者應(yīng)基于前述考慮，來選擇最小電弧持續(xù)臨限值及正比較計數(shù)臨限。該取樣區(qū)間ΔΤ15應(yīng)小于等于所選擇最小電弧持續(xù)臨限值D為選定正比較計數(shù)臨限N所除。圖4顯示電弧檢測算法，其包含用以有關(guān)于計數(shù)正比較結(jié)果數(shù)量及在計數(shù)大于或等于正比較計數(shù)臨限值N時發(fā)出已發(fā)生電弧警告的步驟112、120及130。在該算法中的其它步驟相同于圖3所討論者。步驟112、120及130較佳由DSP所執(zhí)行。該DSP儲存該正比較計數(shù)臨限值N于其內(nèi)存內(nèi)。只要在感應(yīng)信號Si及其對應(yīng)電弧檢測臨限值Li間的所有比較結(jié)果均為負的話，則該DSP同時也儲存一值被清除的數(shù)值計數(shù)，即重置為零，于其內(nèi)存內(nèi)(步驟112)。相反地，在任意取樣區(qū)間，至少有一比較為正結(jié)果時，則DSP會將其儲存于內(nèi)存內(nèi)的計數(shù)增量(步驟 120)。每次增量后，計數(shù)會與正比較計數(shù)臨限值N作比較(步驟130)。如果計數(shù)等于或大于N，則DSP將經(jīng)由通訊總線15發(fā)出一警報(步驟150)。本發(fā)明通過用以沉積一薄膜于玻璃基材上的等離子體室30加以測試，該玻璃用以制造具有薄膜晶體管數(shù)組的平面顯示器。這些測試建議10微秒為在這些電弧之間的一合理臨限值，該些電弧有太短而不能造成損害以及對基材上的晶體管產(chǎn)生實質(zhì)損害者。因此，為了減少誤報，步驟130需要一異常輸出表示電弧-即在步驟108的其中一或多者正比較結(jié)果-在發(fā)出電弧已發(fā)生的警報前，持續(xù)至少10微秒的最少電弧持續(xù)臨限值D (步驟 150)。于較佳實施例中，正比較計數(shù)臨限值N為10，及取樣區(qū)間ΔΤ為1微秒。如果檢測電弧的目的主要為檢測大到足以破裂或打斷工件的電弧持續(xù)時間而不是可能損及在工件上的晶體管的短電弧持續(xù)時間，則最小電弧持續(xù)時間臨限值可能長至 100毫秒或甚至1秒，因為我們看到長至100毫秒的電弧一般并不會損及為玻璃基材的工件。該ADSC —般可以在其內(nèi)存中儲存一記錄，該記錄儲存有每次比較有正結(jié)果時的感應(yīng)信號的值(步驟122)，而不管該正比較結(jié)果的數(shù)量是否足以發(fā)出一電弧信號。此記錄更可以用于后續(xù)析，以改良制程的效能。由于記錄并不需要實時更新，所以，DSP14可以經(jīng)由通訊總線15送出感應(yīng)器值至PLC12，然后，PLC可以儲存數(shù)據(jù)于其本身內(nèi)存中。4.調(diào)整電弧檢測臨限值每一電弧檢測臨限值Li應(yīng)被儲存于在DSP14中的內(nèi)存內(nèi)。這些值可以被建立為規(guī)劃DSP14的一部份。更明確地說，操作等離子體室的人員可以將電弧檢測臨限Li的所欲值輸入至一工廠控制計算機，該計算機經(jīng)由通訊總線18而傳送臨限值至PLC12，其然后經(jīng)由總線15傳送臨限值1^至05卩。每一電弧檢測臨限值Li應(yīng)被設(shè)定為一值，該值在(1)對應(yīng)感應(yīng)信號Si通常沒有電弧的值范圍，與(2)對應(yīng)感應(yīng)信號Si—般將在等離子體室中電弧的值范圍間。如圖2B及 2C所示，沒有電弧的感應(yīng)信號Si在一范圍上下變動，因為在RF電源20及在室內(nèi)的電源的負載阻抗中的噪聲及不穩(wěn)定性，該在室內(nèi)的電源的噪聲及不穩(wěn)定性可能部份通過在等離子體室內(nèi)執(zhí)行制程中的等離子體化學(xué)的變化所造成。更確切地說，對于每一感應(yīng)器量測值，其值當(dāng)電弧發(fā)生時增加，例如反射RF功率& 及室EMF檢測信號&時，對應(yīng)電弧檢測臨限值應(yīng)足夠高，以避免當(dāng)實際并未發(fā)生電弧時，發(fā)生電弧誤檢測，但也足夠低，以檢出一電弧，即足夠低使得任一電弧均能可靠地檢出。換句話說，每一電弧檢測臨限值Li應(yīng)足夠低，使得當(dāng)一電弧發(fā)生時，對應(yīng)感應(yīng)量測值Si可靠地超出對應(yīng)臨限值Li,并足夠高，使得對應(yīng)感應(yīng)器量測值Si在沒有電弧時幾乎不會超出臨限值Li。相同原理適用于一感應(yīng)器量測值，其值當(dāng)電弧發(fā)生時增加，例如，順向功率量測值 S1，除了“低”與“以下”以“高”及“以上”加以互換之外。即，電弧檢測臨限值L1應(yīng)足夠高， 使得當(dāng)一電弧發(fā)生時，順向功率S1可靠地下降在臨限值L1以下，并應(yīng)足夠地低，使得順向功率31在沒有電弧時，從未落在臨限值L1以下。電弧檢測臨限值Li可以如上所述在整個制程中被保持固定。然而，電弧檢測臨限值！^的最佳值可能在制程的不同步驟有所不同。執(zhí)行在一等離子體室內(nèi)的制程經(jīng)常涉及一連串的步驟，其中在室內(nèi)的RF功率位準(zhǔn)及/或氣體化學(xué)可能由一步階變化至下一步階。例如，在一工件上形成電子裝置的制程可能包含一等離子體加強清潔步驟；其后有等離子體加強化學(xué)氣相沉積一材料；其后等離子體加強化學(xué)氣相沉積一不同材料。圖2A-2C例示一制程，其中一第一制程步驟在第一時間段tQ-t3_以第一 RF功率位準(zhǔn)？工加以執(zhí)行，以及，第二制程步驟在第二時間段Vt4以第二功率位準(zhǔn)&加以執(zhí)行。圖2B 顯示電弧檢測臨限值L1，其在第一時間段^t3被與順向RF功率信號S1相比較，并在時間段 t3-t4時為無用，因為其一直大于順向RF功率信號S1,因此，將在整個時間段t3-t4產(chǎn)生一正比較結(jié)果氏，錯誤地指示電弧的發(fā)生。為了避免此錯誤的結(jié)果，一低電弧檢測臨限值Lia應(yīng)在第二時間段t3-t4時以替代Lp本發(fā)明的另一實施例提供不同組的電弧檢測臨限值L1在制程的不同階段，通過在PLC的內(nèi)存內(nèi)儲存一表，該表指明每一制程步驟的開始時間、停止時間、及對于為DSP所監(jiān)視的每一感應(yīng)器所應(yīng)有的電弧檢測感應(yīng)臨限值L”該PLC將傳送一組新的感應(yīng)臨限值 1^(1^丄2丄3等)給DSP在每一新制程步驟的開始時。此實施例的一優(yōu)點為儲存在表中的臨限值可以考慮在每一制程步驟中，氣體化學(xué)及其它操作條件中的差，而不是只是基于該RF 功率位準(zhǔn)的臨限值。然而，我們發(fā)現(xiàn)只基于RF功率設(shè)定點信號36的電弧檢測臨限值即滿足了可靠的電弧檢測。這方法具有不需要每次都特殊化儲存在PLC的內(nèi)存中的參數(shù)的優(yōu)點，發(fā)明人想要在該等離子體室內(nèi)執(zhí)行不同制程。因此，在我們的較佳實施例中，DSP被連接以自室制程控制器34中接收該控制器所送給RF電源20的RF功率設(shè)定點信號36，以控制其輸出功率。 RF功率設(shè)定點信號36瞬間表示在制程現(xiàn)行步驟的中要求RF輸出功率給DSP。在此實施例中，DSP較佳在每一取樣區(qū)間中，重復(fù)接收RF功率設(shè)定點信號36的現(xiàn)行值及決定每一電弧檢測臨限值Li為RF功率設(shè)定點信號的函數(shù)的步驟，如圖5所示(步驟 100)。如圖5所示的此實施例的算法不同于前述實施例的算法(圖3及4)在于步驟100在每一取樣區(qū)間重復(fù)的步驟順序內(nèi)，使得步驟100在將每一感應(yīng)量測值與其對應(yīng)臨限值比較步驟(步驟108)前被重復(fù)地執(zhí)行。在較佳實施例中，步驟100、104及108每微秒被重復(fù)。在簡化但有效的實施法中，一乘數(shù)常數(shù)Ki相關(guān)每一電弧檢測臨限值Li。臨限值通過設(shè)定每一電弧檢測臨限值Li (L1、L2, L3等)至其個別乘數(shù)常數(shù)Ki (K” K2, K3等)及RF功率設(shè)定點，即RF功率設(shè)定點信號36的現(xiàn)行值的乘積，而加以定期地更新(步驟100)。為了使DSP可以在RF功率設(shè)定點的任一變化后，快速地更新電弧檢測臨限值Li, 該乘數(shù)常數(shù)Ki較佳地應(yīng)被儲存DSP的內(nèi)存中，而不是緩慢的PLC中，以及，DSP較佳應(yīng)執(zhí)行臨限值Li與乘數(shù)常數(shù)Ki的乘法。乘數(shù)常數(shù)Ki的值可以經(jīng)驗加以決定。例如，其中，S1及&為順向及反射RF功率， K1及K2的適當(dāng)值可以是K1 = 0. 90及K2 = 0. 03。這表示如果順向RF功率S1下降低于RF 功率設(shè)定點的90%或者反射RF功率&增加超出RF功率設(shè)定點的3%，則將檢出電弧。因為乘法需要比加法、減法要求更多的計算能力，所以避免在電弧檢測算法中的乘法步驟將會容許使用較便宜的DSP電路。因此，我們的較佳實施例并不使用于前段中所述的乘數(shù)常數(shù)Ki或任何其它乘法步驟。相反地，DSP通過執(zhí)行一查看表，而對RF功率設(shè)定點信號36有反應(yīng)，而決定電弧檢測臨限值L”該查看表通過將各種RF功率設(shè)定點劃分成多個范圍而加以定義，而所述范圍即制程控制器34期待以在等離子體室內(nèi)的工件的處理時加以指明，然后，指定一作為弧檢測臨限值Li的一值給每一功率設(shè)定點范圍。在該表中的每一列包含第一及第二行，用于最小及最大功率設(shè)定點，以定義一給定表列應(yīng)用，加上一另一行用于每電弧檢測臨限值Li定義該范圍。該整個查看表，即用每一 RF功率設(shè)定點范圍的電弧檢測臨限值較佳被儲存DSP的內(nèi)存中。該DSP執(zhí)行如圖5所示的算法的步驟100，通過讀取RF功率設(shè)定點信號36的現(xiàn)行值，決定哪一表列具有最小及最大功率設(shè)定點值，其分別小于及大于現(xiàn)行設(shè)定點者，然后， 設(shè)定每一電弧檢測臨限值Li至為該表列中的剩余行中所指明的值。例如，表1例示用于ADSC實施例的查看表，其使用單一感應(yīng)信號，即反射RF功率信號&。表2例示使用兩感應(yīng)信號，即順向RF功率信號S1及反射RF功率信號&的ADSC 的另一實施例的查看表列的次組。表 權(quán)利要求
1.一種檢測在電負載的電阻抗中的異常變化的電路，其中有一電源供給電力給該電負載，該電路包含電源，具有向其提供電力的一輸出，其中所述電力具有一可調(diào)節(jié)的頻率，且其中所述輸出適用于連接到一電負載；用于產(chǎn)生感應(yīng)信號的裝置，該感應(yīng)信號表示所述頻率；以及比較電路，該比較電路被連接以從感應(yīng)器接收所述感應(yīng)信號，其中所述比較器電路檢測所述感應(yīng)信號何時跨過一臨界值。
2.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，還包括警告電路，如果所述比較電路檢測到所述感應(yīng)信號跨過所述臨界值，則發(fā)出一警報，表示所述電負載中的異常變化。
3.—種檢測在電負載的電阻抗中的異常變化的電路，其中有一電源供給電力給該電負載，該電路包含電源，具有向其提供電力的一輸出，其中所述電力具有一可調(diào)節(jié)的頻率，且其中所述輸出適用于連接到一電負載；用于產(chǎn)生感應(yīng)信號的裝置，該感應(yīng)信號表示所述頻率；感應(yīng)信號接收電路，用于接收所述感應(yīng)信號并用于產(chǎn)生感應(yīng)器導(dǎo)出信號，該感應(yīng)器導(dǎo)出信號具有為所述感應(yīng)信號的函數(shù)的值；比較電路，用于接收所述感應(yīng)器導(dǎo)出信號并產(chǎn)生一比較結(jié)果，該比較結(jié)果可以是真或假；其中，所述比較器根據(jù)所述感應(yīng)器導(dǎo)出信號大于還是小于一臨界值來確定所述比較結(jié)果的值；以及警告電路，如果所述比較結(jié)果是正，則發(fā)出一警報，表示電負載中的異常變化。
4.如權(quán)利要求1-3中的任一個所述的電路，其特征在于，還包括 控制器，產(chǎn)生一輸出，該輸出控制所述電源提供的電力的所述頻率； 其中所述感應(yīng)信號是所述控制器的輸出。
5.如權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，還包括頻率可調(diào)匹配網(wǎng)絡(luò)，具有一連接到所述電源的輸出的輸入。
6.如權(quán)利要求1-3中的任一項所述的電路，其特征在于，還包括 頻率可調(diào)匹配網(wǎng)絡(luò)，具有一連接到所述電源的輸出的輸入。
7.如權(quán)利要求1-3或5中的任一項所述的電路，其特征在于，所述電負載是被連接以接收所述電力的等離子體腔室。
8.—種檢測在電負載的電阻抗中的異常變化的電路，其中有一電源供給電力給該電負載，該電路包含電氣可調(diào)的RF匹配網(wǎng)絡(luò)，包括一個或多個電感或電容，所述電感或電容的各自值響應(yīng)于各自電氣控制信號而被調(diào)節(jié)，其中所述RF匹配網(wǎng)絡(luò)適于連接到電負載；感應(yīng)信號接收電路，用于接收每一控制信號并用于產(chǎn)生一個或多個感應(yīng)器導(dǎo)出信號， 以使所述每一感應(yīng)器導(dǎo)出信號的值是所述控制信號中的一個或多個的函數(shù)；比較電路，用于接收所述感應(yīng)器導(dǎo)出信號并為每一感應(yīng)器導(dǎo)出信號產(chǎn)生一相應(yīng)的比較結(jié)果，其中每一比較結(jié)果具有一真或假的值，且其中所述比較器根據(jù)相應(yīng)的感應(yīng)器導(dǎo)出信號大于還是小于與該感應(yīng)器導(dǎo)出信號相關(guān)聯(lián)的臨界值來確定每一比較結(jié)果的值；以及警告電路，如果所述比較結(jié)果中的任一個是正，則發(fā)出一警報，表示電負載中的異常變化。
9.如權(quán)利要求8所述的電路，其特征在于，還包括 RF電源，具有連接到RF匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入的輸出；以及等離子體腔室，連接到RF匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出。
10.一種檢測在電負載的電阻抗中的異常變化的電路，其中有一電源供給電力給該電負載，該電路包含RF電源，具有提供RF功率的輸出，其中所述輸出適于連接到一電負載； RF失真分析器，用于產(chǎn)生一感應(yīng)信號，其中所述RF失真分析器檢測所述RF電源提供的 RF功率的失真；感應(yīng)信號接收電路，用于接收感應(yīng)信號并用于產(chǎn)生感應(yīng)器導(dǎo)出信號，該感應(yīng)器導(dǎo)出信號具有一值，該值為所述感應(yīng)信號的函數(shù)；比較電路，用于接收所述感應(yīng)器導(dǎo)出信號并產(chǎn)生一比較結(jié)果，該比較結(jié)果可以是真或假，其中所述比較器根據(jù)感應(yīng)器導(dǎo)出信號大于還是小于一臨界值來確定比較結(jié)果的值；以及警告電路，如果所述比較結(jié)果是正，則表示電負載中的異常變化。
11.一種因應(yīng)一個或多個感應(yīng)器而檢測在電負載中異常變化的電路，其中有一電源供給電力給該電負載，其中每一感應(yīng)器響應(yīng)于該電力或該負載的電磁狀態(tài)產(chǎn)生感應(yīng)信號，該電路包含感應(yīng)信號接收電路，用以接收每一感應(yīng)信號及產(chǎn)生一或多個感應(yīng)器導(dǎo)出信號，使得每一感應(yīng)器導(dǎo)出信號的值為該一或多個感應(yīng)信號的函數(shù)；比較電路，用以接收該感應(yīng)器導(dǎo)出信號并為每一感應(yīng)器導(dǎo)出信號產(chǎn)生一相應(yīng)比較結(jié)果，其中每一比較結(jié)果都具有一個值，其為正或負，其中所述比較器依據(jù)是否該相應(yīng)感應(yīng)器導(dǎo)出信號大于還是少于于該感應(yīng)器導(dǎo)出信號相關(guān)聯(lián)的臨限值來確定每一比較結(jié)果的值；以及警告電路，當(dāng)任一比較結(jié)果為正時，該警告電路發(fā)出警報，表示電負載中的異常變化， 其中，在負載中沒有異常變化的情況下，所述感應(yīng)器導(dǎo)出值中的每一個都由一數(shù)值范圍表征，以及其中，響應(yīng)于警告電路發(fā)出表示電負載中的異常變化的警報，所述比較電路將所述臨界值中的至少一個改變成較接近于于所述臨界值相關(guān)聯(lián)的感應(yīng)器導(dǎo)出值的所述數(shù)值范圍的一個值。
12.如權(quán)利要求11所述的電路，其特征在于，在響應(yīng)于所述表示電負載中的異常變化的警報而改變至少一個臨界值之后，所述比較電路確定何時先前所越過的相關(guān)臨限值的每一感應(yīng)器回到其相關(guān)臨限值的原始值，然后， 將其中比較電路已經(jīng)因應(yīng)該警報加以變化的每一臨限值回復(fù)到其原始值，該警報即指明電負載中的異常變化。
13.一種用于檢測電弧是否發(fā)生于等離子體腔室中的電路，一電源施加一電力給該等離子體室，該電路包括一個或多個感應(yīng)器，其中每一感應(yīng)器因應(yīng)一電功率或等離子體室的電磁狀態(tài)而產(chǎn)生一感應(yīng)信號；一感應(yīng)信號接收電路，用以接收每一感應(yīng)信號并產(chǎn)生一或多個感應(yīng)器導(dǎo)出信號，使得每一感應(yīng)器導(dǎo)出信號的值為該一個或多個感應(yīng)信號的函數(shù)；一比較電路，用以接收該感應(yīng)器導(dǎo)出信號并為每一感應(yīng)器導(dǎo)出信號產(chǎn)生一相應(yīng)比較結(jié)果，其中每一比較結(jié)果具有一值，其為正或負，其中該比較電路依據(jù)該相應(yīng)感應(yīng)器導(dǎo)出信號大于還是小于與該感應(yīng)器導(dǎo)出信號相關(guān)聯(lián)的臨限值來確定每一比較結(jié)果的值；一警告電路，當(dāng)有任一比較結(jié)果為正時，發(fā)出警報，表示等離子體室中的電弧，其中，在等離子體腔室中沒有電弧的情況下，所述感應(yīng)器導(dǎo)出值中的每一個都由一數(shù)值范圍表征；以及其中，響應(yīng)于所述警告電路發(fā)出表示等離子體腔室中的電弧的警報，所述比較電路將所述臨界值中的至少一個改變成較接近于于所述臨界值相關(guān)聯(lián)的感應(yīng)器導(dǎo)出值的所述數(shù)值范圍的一個值。
14.如權(quán)利要求13所述的電路，其特征在于，在響應(yīng)于所述表示等離子體腔室中的電弧的警報而改變至少一個臨界值之后，所述比較電路確定何時先前所越過的相關(guān)臨限值的每一感應(yīng)器回到其相關(guān)臨限值的原始值，然后，將其中比較電路已經(jīng)因應(yīng)該警報加以變化的每一臨限值回復(fù)到其原始值，該警報即指明等離子體腔室中的電弧。
15.如權(quán)利要求3、5、8-14中的任一項所述的電路，其特征在于，所述比較電路和所述警告電路是可編程計算機；以及所述感應(yīng)器導(dǎo)出信號是存儲于所述計算機的存儲器中的值。
16.如權(quán)利要求3、5、8-14中的任一項所述的電路，其特征在于，建立各個臨界值，以使在負載中沒有電弧的情況下每一感應(yīng)器導(dǎo)出值不跨過其相關(guān)聯(lián)的臨界值。
17.如權(quán)利要求16所述的電路，其特征在于，建立各個臨界值，以使如果在負載中出現(xiàn)電弧，則每一感應(yīng)器導(dǎo)出值跨過其相關(guān)聯(lián)的臨界值。
18.如權(quán)利要求3、5、8-14中的任一項所述的電路，其特征在于，建立各個臨界值，以使如果在負載中出現(xiàn)電弧，則每一感應(yīng)器導(dǎo)出值跨過其相關(guān)聯(lián)的臨界值。
19.如權(quán)利要求3、5、8-14中的任一項所述的電路，其特征在于，所述感應(yīng)器導(dǎo)出值中之一是所述感應(yīng)器信號中的一個。
全文摘要
用以檢測或抑制在連接至電源負載過程中產(chǎn)生的電阻抗中，電弧或其它異常變化的方法及設(shè)備。較佳地，該負載為一等離子體室，用以制造例如半導(dǎo)體及平面顯示器的電子組件。電弧通過監(jiān)視一個或多個感應(yīng)器加以檢出。每一感應(yīng)器對電源至等離子體過程中所供給至電源特征作出反應(yīng)，或者，被耦合至等離子體室，以對室內(nèi)的電磁狀態(tài)作出反應(yīng)。通過降低簡短功率輸出時間，而抑制電弧。然后，電源增加其功率輸出，較佳至其原始值。若再發(fā)生電弧，則電源重復(fù)降低然后回復(fù)功率輸出這一步驟。
文檔編號H01J37/32GK102169145SQ20101053657
公開日2011年8月31日 申請日期2005年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月4日
發(fā)明者任東吉, 崔壽永, 樸鉦義, 瑞米哥爾·馬納奇爾, 蘇海勒·安瓦爾 申請人:應(yīng)用材料股份有限公司