專利名稱：發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置，更具體涉及搭載大功率的發(fā)光元件、亮度高且發(fā)光強度劣化少的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
近年來，伴隨發(fā)光二極管(LED)元件的高亮度化、白色化，使用LED元件的發(fā)光裝置被用于手機和大型液晶電視的背光源等。然而，這樣的發(fā)光裝置中，發(fā)熱量隨著LED元件的高亮度化而增加，其溫度過度上升，因此存在不一定能夠獲得足夠的發(fā)光亮度的問題。此外，為了獲得高光取出效率而提出了在搭載LED元件的基板面等設(shè)置銀反射膜的技術(shù)，但這樣的發(fā)光裝置中，即使設(shè)有密封搭載于基板的發(fā)光元件和導(dǎo)體布線的密封層的情況下，銀反射膜也被熱量和透過氣體氧化、硫化而劣化，因而與初期相比光取出效率下降，產(chǎn)生所謂的發(fā)光強度劣化的問題。因此， 對于使用LED元件等發(fā)光元件的發(fā)光裝置，需要基板的散熱性和光的反射效率高且長期使用中的發(fā)光強度劣化少的發(fā)光裝置。為了解決這樣的問題，例如專利文獻1中記載有涉及下述構(gòu)成的發(fā)光裝置的技術(shù)具有抑制形成密封層的模塑構(gòu)件與由氧化鋁、氮化鋁、富鋁紅柱石等高散熱性的陶瓷材料形成的基板發(fā)生剝離的結(jié)構(gòu)，并且為了改善金屬反射膜與基板的密合性和反射性而將基板密合性高的高熔點金屬膜和反射性高的金屬膜組合作為反射膜使用。此外，專利文獻2 中記載有下述技術(shù)特別是為了防止發(fā)光強度的劣化，在照明裝置中，作為對半導(dǎo)體發(fā)光元件及與其電連接的導(dǎo)電體和構(gòu)成于基板上的反射膜進行密封的密封樹脂，使用透氣性低的密封樹脂。另外，使用高散熱性的低溫共燒陶瓷基板(以下稱為LTCC基板)的發(fā)光裝置中， 為了防止發(fā)光強度的劣化，通過外覆玻璃膜被覆設(shè)置于基板上的銀反射膜。在這里，現(xiàn)有使用的功率較小的LED元件具有不僅從發(fā)光裝置的光取出側(cè)還從搭載于基板的面(LED元件的背面)向基板方向發(fā)射光的結(jié)構(gòu)，因此為了使該光向光取出側(cè)反射，以反射率高的材料構(gòu)成基板的搭載面，并且使用透光性高的聚硅氧烷類小片接合材料作為用于LED元件與基板的接合的小片接合材料。例如，專利文獻3中記載有涉及LED發(fā)光裝置的技術(shù)，該裝置使用熱導(dǎo)率高且反射效率的變化少的基板材料、具體為對鋁板實施氧化鋁膜處理而得的基板或?qū)︺~板實施鍍鋁處理而得的基板作為基板，該基板上通過透明糊料(聚硅氧烷小片接合糊料)小片接合有 LED芯片。還有，這樣的使用現(xiàn)有的LED元件的發(fā)光裝置中，如果考慮到散熱性，則作為小片接合材料，較好是由含銀粒子等的熱固性樹脂形成的導(dǎo)電性小片接合材料，但導(dǎo)電性小片接合材料由于反射率低而導(dǎo)致光取出效率的下降，所以通常不被采用。另一方面，最近開始使用的功率超過例如0. 5W的高功率且大發(fā)熱量的LED元件中，為了提高散熱性，呈在位于與形成有發(fā)光層的光取出側(cè)相反的一側(cè)的背面(搭載于基板的面)形成有金屬層的結(jié)構(gòu)。該金屬層采用導(dǎo)熱性和反射率都高的材料(例如鋁)，因此也起到反射膜的作用，從上層的發(fā)光層發(fā)射的光射到背面的金屬層(反射膜)后被發(fā)射向
3上方。因此，LED元件的搭載部的正下方的基板不需要配置反射率高的材料，而且因具有反射膜，所以光不會透過背面，因而可以考慮到散熱性而將導(dǎo)電性小片接合材料用于與基板的接合。然而，這樣的在與光取出側(cè)相反的一側(cè)的背面具有金屬反射膜的LED元件雖然使用導(dǎo)電性小片接合材料接合于基板，但除此以外，被以與現(xiàn)有的發(fā)光裝置相同的構(gòu)成用于發(fā)光裝置，即搭載于與上述現(xiàn)有的不具有金屬反射膜的LED元件同樣的構(gòu)成的發(fā)光元件搭載用基板上，具體為如氧化鋁或氮化鋁等高導(dǎo)熱性的陶瓷基板上或者在LTCC基板上形成有銀反射膜且該銀反射膜被外覆玻璃膜被覆的基板上等。因此，現(xiàn)狀是光取出效率不夠充分，無法獲得與發(fā)光元件所具有的大功率相應(yīng)的高亮度的光。于是，對于搭載在與光取出側(cè)相反的一側(cè)的面(LED元件的背面)具有金屬反射膜的LED元件等發(fā)光元件的發(fā)光裝置，希望開發(fā)出具備通過具有高散熱性和光的高反射效率而光取出效率良好且抑制經(jīng)時劣化導(dǎo)致的光取出效率的下降的結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置。專利文獻1 日本專利特開2004-111937號公報專利文獻2 日本專利特開2009-231510號公報專利文獻3 日本專利特開2007-1^053號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的發(fā)明，其目的在于提供搭載在與發(fā)光層相反的一側(cè)的面具有反射性的金屬膜的發(fā)光元件的發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置通過具有高散熱性和光的高反射效率而使得光取出效率良好，且經(jīng)時劣化導(dǎo)致的光取出效率的下降得到抑制。本發(fā)明的發(fā)光裝置的特征在于，包括基板，該基板由無機絕緣材料形成，具有一部分成為搭載發(fā)光元件的搭載部的搭載面；金屬導(dǎo)體層，該金屬導(dǎo)體層形成于所述基板的搭載部；第一導(dǎo)電性保護層，該第一導(dǎo)電性保護層形成于所述金屬導(dǎo)體層上，覆蓋所述金屬導(dǎo)體層的包括端緣在內(nèi)的整體，且面積比下述發(fā)光元件的金屬膜大；發(fā)光元件，該發(fā)光元件在主面具有發(fā)光層且在主面的相反側(cè)的面具有反射性的金屬膜，以該金屬膜與所述第一導(dǎo)電性保護層相對且位于所述第一導(dǎo)電性保護層的端緣的內(nèi)側(cè)的方式搭載于所述基板的搭載部；導(dǎo)電性接合材料，該導(dǎo)電性接合材料用于將所述發(fā)光元件的所述金屬膜與所述第一導(dǎo)電性保護層接合；反射膜，該反射膜以至少不包括形成在所述金屬導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電性保護層及其周圍附近的方式形成在所述基板的搭載面；絕緣性保護層，該絕緣性保護層形成于所述基板的搭載面，覆蓋所述反射膜的包括端緣在內(nèi)的整體。本發(fā)明的發(fā)光裝置中，較好是所述基板由包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷組合物的燒結(jié)體形成。此外，本發(fā)明的發(fā)光裝置中，較好是在所述搭載部的正下方具有埋設(shè)于所述基板的導(dǎo)熱孔，該導(dǎo)熱孔自所述基板的搭載面至作為該搭載面的相反面的非搭載面設(shè)置。本發(fā)明的發(fā)光裝置中，較好是所述第一導(dǎo)電性保護層在接合有所述發(fā)光元件的區(qū)域的周圍具有寬70 200 μ m的非搭載區(qū)域。本發(fā)明的發(fā)光裝置中，發(fā)光元件具有一對電極，與設(shè)于基板的電極導(dǎo)體電連接。具體來說，本發(fā)明的發(fā)光裝置中，較好是如下構(gòu)成具有形成于所述基板的搭載面的布線導(dǎo)體，該布線導(dǎo)體與所述發(fā)光元件通過焊絲電連接。該情況下，較好是所述反射膜形成在除形成于所述金屬導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電性保護層及其周圍附近和所述布線導(dǎo)體及其周圍附近以外的所述基板的搭載面，較好是還具有第二導(dǎo)電性保護層，該第二導(dǎo)電性保護層形成于所述布線導(dǎo)體上，覆蓋所述布線導(dǎo)體的包括端緣在內(nèi)的整體。本發(fā)明的發(fā)光裝置中，較好是在所述金屬導(dǎo)體層上以覆蓋其包括端緣在內(nèi)的整體的方式形成的第一導(dǎo)電性保護層和在所述布線導(dǎo)體上以覆蓋其包括端緣在內(nèi)的整體的方式形成的第二導(dǎo)電性保護層為金鍍層。此外，本發(fā)明的發(fā)光裝置中，較好是所述反射膜由銀形成，且所述絕緣性保護層由玻璃形成。本發(fā)明提供搭載在與發(fā)光層相反的一側(cè)的面具有反射性的金屬膜的發(fā)光元件的發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置通過具有高散熱性和光的高反射效率而使得光取出效率良好，且經(jīng)時劣化導(dǎo)致的光取出效率的下降得到抑制。


圖1是從上方觀察使用LTCC基板的本發(fā)明的發(fā)光裝置的一種實施方式的俯視圖。圖2是圖1所示的發(fā)光裝置的實施方式的對應(yīng)于圖1中的X-X’線的部分的剖視圖。圖3是從上方觀察使用LTCC基板的本發(fā)明的發(fā)光裝置的另一種實施方式的俯視圖。圖4是圖3所示的發(fā)光裝置的實施方式的對應(yīng)于圖3中的X-X’線的部分的剖視圖。符號說明1 基板主體，2 金屬導(dǎo)體層，3 第一導(dǎo)電性保護層(金屬導(dǎo)體層保護用)，4 布線導(dǎo)體，5 外部電極端子，6 貫通導(dǎo)體，7 反射膜，8 絕緣性保護層，9 第二導(dǎo)電性保護層 (布線導(dǎo)體保護用)，10 導(dǎo)熱孔，11 搭載面，12 搭載部，13 非搭載面，14 非搭載區(qū)域， 15 散熱用導(dǎo)體，20 發(fā)光裝置，21 導(dǎo)電性接合材料，22 焊絲，23 密封層，30 發(fā)光元件， 31 發(fā)光層，32 金屬膜。
具體實施例方式以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。還有，本發(fā)明不應(yīng)限定于下述說明進行解釋。本發(fā)明的發(fā)光裝置的特征在于，包括基板，該基板由無機絕緣材料形成，具有一部分成為搭載發(fā)光元件的搭載部的搭載面；金屬導(dǎo)體層，該金屬導(dǎo)體層形成于所述基板的搭載部；第一導(dǎo)電性保護層，該第一導(dǎo)電性保護層形成于所述金屬導(dǎo)體層上，覆蓋所述金屬導(dǎo)體層的包括端緣在內(nèi)的整體，且面積比下述發(fā)光元件的金屬膜大；發(fā)光元件，該發(fā)光元件在主面具有發(fā)光層且在主面的相反側(cè)的面具有反射性的金屬膜，以該金屬膜與所述第一導(dǎo)電性保護層相對且位于所述第一導(dǎo)電性保護層的端緣的內(nèi)側(cè)的方式搭載于所述基板的搭載部；導(dǎo)電性接合材料，該導(dǎo)電性接合材料用于將所述發(fā)光元件的所述金屬膜與所述第一導(dǎo)電性保護層接合；反射膜，該反射膜以至少不包括形成在所述金屬導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電性保護層及其周圍附近的方式形成在所述基板的搭載面；絕緣性保護層，該絕緣性保護層形成于所述基板的搭載面，覆蓋所述反射膜的包括端緣在內(nèi)的整體。根據(jù)本發(fā)明，將在具有發(fā)光層的主面的相反側(cè)的面(背面)具有反射性的金屬膜的發(fā)光元件搭載于發(fā)光裝置的基板時，通過導(dǎo)電性接合材料接合在被覆形成于金屬導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電性保護層上，且在除形成于金屬導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電性保護層及其周圍附近以外的基板主體的搭載面形成反射膜和絕緣性保護層，從而形成發(fā)光元件搭載面在發(fā)光元件搭載部的正下方和除此以外的區(qū)域都可充分確保導(dǎo)熱性和光的反射性且擔心發(fā)生劣化的金屬導(dǎo)體層和反射膜等充分得到保護的發(fā)光裝置。藉此，使搭載例如大功率發(fā)光元件等背面具有反射性的金屬膜的發(fā)光元件的發(fā)光裝置具有高散熱性(導(dǎo)熱性)和高光反射率，成為光取出效率良好而可實現(xiàn)高亮度的發(fā)光的發(fā)光裝置。另外，氧化、硫化等化學(xué)反應(yīng)引起的金屬導(dǎo)體層和反射層的劣化得到防止，所以也大幅抑制了反射率經(jīng)時下降而引發(fā)的發(fā)光強度劣化。本發(fā)明的發(fā)光裝置中，較好是搭載主面具有發(fā)光層且主面的相反側(cè)的面具有反射性的金屬膜的發(fā)光元件的基板為由無機絕緣材料形成的基板。作為這樣的基板，具體可例舉氧化鋁基板、氮化鋁基板、由包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷組合物的燒結(jié)體形成的LTCC基板(以下簡稱為“LTCC基板”)等。本發(fā)明的發(fā)光裝置中，如上所述，發(fā)光元件通過導(dǎo)電性接合材料搭載于基板的搭載部，因此即使發(fā)光元件搭載部產(chǎn)生少許的凹凸，也不會對導(dǎo)熱性產(chǎn)生影響，因而可以在發(fā)光元件搭載部的正下方配置使用透明聚硅氧烷接合材料等時難以配置的構(gòu)件，例如用于提高散熱性的導(dǎo)熱孔等。因此，與以像氮化鋁這樣熱導(dǎo)率高(約200W/m*K)的材料形成的基板相比，用于像氧化鋁基板(氧化鋁的熱導(dǎo)率為約20W/m · K)或LTCC基板(熱導(dǎo)率為約4W/m · K)這樣的基板材料自身的熱導(dǎo)率不足而通常使用如導(dǎo)熱孔等其他導(dǎo)熱性良好的構(gòu)件作為輔助的基板時，本發(fā)明的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)可以成為更優(yōu)選的結(jié)構(gòu)。另外，如后所述在基板搭載面形成反射膜時，氧化鋁基板和氮化鋁基板由于燒成溫度高而無法在制造基板的同時形成例如光反射率高的銀反射膜，但LTCC基板通過低溫燒成制造，所以可在制造基板的同時形成銀反射膜，這一點是有利的。即，本發(fā)明的發(fā)光裝置中，作為使用的基板，從制造的難易度、易加工性、成本等觀點來看，較好是LTCC基板。以下，對使用本發(fā)明的發(fā)光裝置的實施方式的基板進行說明。(1)使用LTCC基板的發(fā)光裝置圖1是從上方觀察使用LTCC基板的本發(fā)明的發(fā)光裝置的一種實施方式的俯視圖， 圖2是圖1所示的發(fā)光裝置的實施方式的對應(yīng)于圖1中的X-X’線的部分的剖視圖。發(fā)光裝置20是在發(fā)光元件搭載用基板上搭載有發(fā)光元件30的本發(fā)明的發(fā)光裝置 20，發(fā)光元件30在主面具有發(fā)光層31且在主面的相反側(cè)的面(背面)具有反射性的金屬膜32，呈一對電極都通過引線接合與基板連接的形態(tài)(以下根據(jù)需要也稱“二引線型”)。 在這里，發(fā)光元件搭載用基板是指在LTCC等的基板主體上設(shè)置有金屬導(dǎo)體層 第一導(dǎo)電性保護層、布線導(dǎo)體 第二導(dǎo)電性保護層、反射膜·絕緣性保護層等用于搭載發(fā)光元件的規(guī)定構(gòu)件的基板。發(fā)光元件搭載用基板具有主要構(gòu)成發(fā)光元件搭載用基板的近似平板狀的基板主體1。基板主體1由包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷組合物的燒結(jié)體形成，成形為一側(cè)的面(圖2中為上側(cè))具有腔的形狀，腔的底面為搭載發(fā)光元件的搭載面11。此外，該搭載面11的大致中央部為實際搭載發(fā)光元件的搭載部12。基板主體1的另一面為不搭載發(fā)光元件的非搭載面13。從抑制搭載發(fā)光元件時、其后的使用時的損傷等的觀點來看，基板主體 1較好是例如抗彎強度在250MPa以上。基板主體的形狀、厚度、尺寸等沒有特別限定，可以與通常被用作發(fā)光元件搭載用基板的基板相同。此外，對于構(gòu)成基板主體1的包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷組合物的燒結(jié)體的原料組成、燒結(jié)條件等，在后述的發(fā)光元件搭載用基板的制造方法中進行說明。基板主體1中，在搭載發(fā)光元件的搭載部12形成有金屬導(dǎo)體層2。在這里，形成金屬導(dǎo)體層2的區(qū)域可以是與搭載部一致的區(qū)域，可以是包括搭載部的整體或一部分的區(qū)域，也可以是搭載部的內(nèi)側(cè)的一部分的區(qū)域。形成于搭載部包括上述所有范疇在內(nèi)，金屬導(dǎo)體層2較好是與搭載部12大致一致地形成。此外，該金屬導(dǎo)體層2上形成有第一導(dǎo)電性保護層3，第一導(dǎo)電性保護層3覆蓋金屬導(dǎo)體層2的包括端緣在內(nèi)的整體，且面積比發(fā)光元件 30的金屬膜32大。作為金屬導(dǎo)體層2的構(gòu)成材料，只要是導(dǎo)熱性高的金屬材料即可，沒有特別限定， 可例舉例如以銅、銀、金等為主要成分的金屬。這些金屬中，可優(yōu)選使用由銀、銀和鉬或者銀和鈀形成的金屬。還有，所形成的金屬導(dǎo)體層2的優(yōu)選的膜厚可例舉5 15 μ m。作為形成于金屬導(dǎo)體層2上的第一導(dǎo)電性保護層3，只要以具導(dǎo)電性且具有保護上述金屬導(dǎo)體層而使其不受氧化和硫化等的破壞的功能的材料構(gòu)成即可，沒有特別限定，較好是金鍍層，更好是在鎳鍍層上鍍金而得到的鎳/金鍍層的結(jié)構(gòu)。作為第一導(dǎo)電性保護層3的膜厚，較好是鎳鍍層為3 20 μ m，金鍍層為0. 1 1. 0 μ m。發(fā)光裝置20中，發(fā)光元件30以反射性的金屬膜32與第一導(dǎo)電性保護層3相對且位于第一導(dǎo)電性保護層3的端緣的內(nèi)側(cè)的方式通過導(dǎo)電性接合材料21搭載于基板主體1 的搭載部12。在這里，第一導(dǎo)電性保護層3較好是在接合有發(fā)光元件30的區(qū)域、即搭載部 12的周圍具有寬(圖1和圖2中以w表示)70 200 μ m的非搭載區(qū)域14。如果該寬度低于70 μ m，則搭載發(fā)光元件時發(fā)生位置偏差等的情況下，可能會產(chǎn)生發(fā)光元件的一部分偏離第一導(dǎo)電性保護層3搭載的問題。此外，如果該寬度高于200 μ m,則第一導(dǎo)電性保護層3露出的面積增加，該部分吸收光，因而可能會使作為發(fā)光裝置整體的光取出效率下降。為了降低熱阻而確保足夠的導(dǎo)熱性，發(fā)光裝置20具有導(dǎo)熱孔10。導(dǎo)熱孔10設(shè)于上述搭載部12的正下方，與金屬導(dǎo)體層2接觸，自基板主體1的搭載面11至作為該搭載面的相反面的非搭載面13埋設(shè)于基板主體1。本實施方式中，導(dǎo)熱孔10呈具有與搭載部12 大致相同的截面積的柱狀，但例如可以使其呈截面積比搭載部12小的柱狀并在搭載部12 的正下方設(shè)置多個，也可以使其呈截面積比搭載部12大的柱狀。作為導(dǎo)熱孔10的構(gòu)成材料，與上述金屬導(dǎo)體層2的構(gòu)成材料同樣，只要是導(dǎo)熱性高的金屬材料，都可以無特別限制地使用。作為具體的金屬材料，可例舉與上述金屬導(dǎo)體層 2同樣的金屬材料。此外，導(dǎo)熱孔10可以與上述金屬導(dǎo)體層2分別形成，也可以根據(jù)需要一體成形。另外，本實施方式的發(fā)光裝置20在非搭載面13以與上述導(dǎo)熱孔10接觸的方式具有散熱用導(dǎo)體15。散熱用導(dǎo)體15起到發(fā)光裝置20與設(shè)置于發(fā)光裝置外的散熱單元(未圖示)的接點的功能。散熱性導(dǎo)體15較好是具有與導(dǎo)熱孔10大致相同的截面，兩者的截面整體上相互接觸。此外，作為散熱性導(dǎo)體15的構(gòu)成材料，與上述金屬導(dǎo)體層2和導(dǎo)熱孔10的構(gòu)成材料同樣，只要是導(dǎo)熱性高的金屬材料，都可以無特別限制地使用，作為具體的金屬材料，也可例舉與它們同樣的金屬材料。此外，散熱用導(dǎo)體15可以與上述導(dǎo)熱孔10分別形成，也可以根據(jù)需要一體成形。對于搭載部12，通過以往為了提高反射率而采用的透明聚硅氧烷接合材料等接合發(fā)光元件的情況下，為了確保足夠的導(dǎo)熱性而要求平坦性，難以在搭載部正下方貫通地配置上述導(dǎo)熱孔，但本發(fā)明的發(fā)光裝置如上所述使用導(dǎo)電性接合材料將發(fā)光元件搭載于基板主體的搭載部，因此不要求極端的平坦性。具體來說，只要搭載部的凹凸的最高部分與最低部分的高低差在 ο μ m左右以下，就可以在不影響導(dǎo)熱性的情況下搭載發(fā)光元件。還有，作為所搭載的發(fā)光元件30，只要是在主面具有發(fā)光層31且在主面的相反側(cè)的面(背面)具有反射性的金屬膜32的發(fā)光元件，可無特別限制地使用。作為反射性的金屬膜，可例舉由鋁、鉻、銅、銀等形成的金屬膜。金屬膜32較好是鋁金屬膜。此外，該實施方式中，所搭載的發(fā)光元件30是一對電極都通過引線接合與基板連接的二引線型的發(fā)光元件，但也可以使用像后述的另一實施方式那樣一個電極通過引線接合與基板連接且反射性金屬膜32作為電極通過導(dǎo)電性接合材料21與第一導(dǎo)電性保護層3、 金屬導(dǎo)體層2電連接的單引線型的發(fā)光元件。作為發(fā)光元件的形態(tài)，有將所有的電極配置于背面的倒裝式接合型，但由于安裝部需要精密的布線圖案，因此使用LTCC基板制造發(fā)光裝置20時，發(fā)光元件30較好是二引線型或單引線型的發(fā)光元件。導(dǎo)電性接合材料21只要是具導(dǎo)電性、熱導(dǎo)率高、能夠以足夠耐受使用的接合力接合發(fā)光元件30的金屬膜32和第一導(dǎo)電性保護層3的接合材料即可，可無特別限制地使用。 具體來說，通過以常規(guī)方法對通常用于發(fā)光裝置的以金20質(zhì)量錫80質(zhì)量％的比例構(gòu)成的金焊錫或含銀粉末的熱固性樹脂糊料等進行處理，在發(fā)熱元件的金屬膜32與第一導(dǎo)電性保護層3之間形成導(dǎo)電性接合材料21以將兩者接合。還有，導(dǎo)電性接合材料21的厚度較好是10 200 μ m。圖1和圖2所示的發(fā)光裝置20中，在基板主體1上與設(shè)于搭載面11的搭載部12 的金屬導(dǎo)體層2和第一導(dǎo)電性保護層3電絕緣的2處設(shè)有與發(fā)光元件30所具有的一對電極(未圖示)電連接的布線導(dǎo)體4。本實施方式中，布線導(dǎo)體4上以覆蓋其包括端緣在內(nèi)的整體的方式形成有第二導(dǎo)電性保護層9。形成布線導(dǎo)體4的位置、布線導(dǎo)體4的尺寸和形狀等根據(jù)搭載于發(fā)光裝置的發(fā)光元件和搭載的基板主體適當調(diào)整，可以采用與通過引線接合搭載在主面具有發(fā)光層31且在主面的相反側(cè)的面(背面)具有反射性的金屬膜32的發(fā)光元件30的通常的發(fā)光元件搭載用基板的布線導(dǎo)體同樣的構(gòu)成。還有，本實施方式中，布線導(dǎo)體4也設(shè)于搭載面11上可與上述金屬導(dǎo)體層2和第一導(dǎo)電性保護層3電絕緣的位置，但也可以根據(jù)需要在搭載面設(shè)置階差、例如凹部而將布線導(dǎo)體設(shè)于該階差部分(為凹部時是底面)。布線導(dǎo)體4的構(gòu)成材料只要是與通常發(fā)光元件搭載用基板所用的布線導(dǎo)體同樣的構(gòu)成材料即可，沒有特別限定，具體可例舉與上述金屬導(dǎo)體層2的構(gòu)成材料同樣的金屬材料。優(yōu)選的形態(tài)也相同。此外，布線導(dǎo)體4的優(yōu)選的膜厚可例舉5 15 μ m。此外，第二導(dǎo)電性保護層9與形成于上述金屬導(dǎo)體層2上的第一導(dǎo)電性保護層3 同樣，是具有保護布線導(dǎo)體4不受氧化和硫化的破壞的功能的層，包括優(yōu)選的形態(tài)在內(nèi)，為與上述的第一導(dǎo)電性保護層3同樣的形態(tài)。上述2處的布線導(dǎo)體4上所設(shè)的第二導(dǎo)電性保護層9通過焊絲22 —一對應(yīng)地分別與發(fā)光元件30的一對電極電連接。作為焊絲，可無特別限定地使用通常通過引線接合搭載發(fā)光元件的類型的發(fā)光裝置所用的具有耐蝕性的由金等金屬形成的焊絲。另一方面，在非搭載面13的2處設(shè)有與外部電路電連接的外部電極端子5，在基板主體1的內(nèi)部設(shè)有分別將上述2組布線導(dǎo)體4和外部電極端子5電連接的貫通導(dǎo)體6。作為外部電極端子5和貫通導(dǎo)體6的形狀和構(gòu)成材料，只要是與通常發(fā)光元件搭載用基板所用的形態(tài)相同即可，可無特別限定的使用。此外，對于外部電極端子5和貫通導(dǎo)體6的配置，只要是以自布線導(dǎo)體4與外部電路(未圖示)電連接的方式配置即可，沒有特別限定。發(fā)光裝置20中，在基板主體1的搭載面11，以不包括形成于金屬導(dǎo)體層2上的第一導(dǎo)電性保護層3及其周圍附近和形成于布線導(dǎo)體4上的第二導(dǎo)電性保護層9及其周圍附近的形狀形成反射膜7，并以覆蓋反射膜7的包括端緣在內(nèi)的整體的方式設(shè)有絕緣性保護層8。作為反射膜7的構(gòu)成材料，只要是反射率高的金屬材料即可，沒有特別限定。具體來說，除了銀以外，還可以使用由銀和鈀形成的金屬粉末、由銀和鉬形成的金屬粉末。其中， 本發(fā)明中較好是使用由銀形成的反射膜。為了獲得足夠的反射性，反射膜7的膜厚較好是在5 μ m以上，若考慮到成本、與基體的熱膨脹差引起的變形等，較好是在50 μ m以下。為了與如上所述設(shè)于搭載面11的金屬導(dǎo)體層2上的第一導(dǎo)電性保護層3和布線導(dǎo)體4上的第二導(dǎo)電性保護層9電絕緣，反射膜7與它們空開一定距離設(shè)置。為了在兩者間確保足夠的電絕緣性并使基板表面的反射效率充分提高，反射膜7的端緣與這些第一導(dǎo)電性保護層3、第二導(dǎo)電性保護層9的端緣之間的距離較好是50 150 μ m左右。通過這樣在搭載面11配置反射膜7，可以使發(fā)光裝置的光取出效率大幅提高。本實施方式的發(fā)光裝置中，以覆蓋反射膜7的包括端緣在內(nèi)的整體的方式設(shè)置的絕緣性保護層8的端緣以與金屬導(dǎo)體層2上的第一導(dǎo)電性保護層3和布線導(dǎo)體4上的第二導(dǎo)電性保護層9的端緣接觸的方式設(shè)置。通過采用這樣的構(gòu)成，沒有搭載面11的基板主體 1未被覆的區(qū)域，可以充分地防止從發(fā)光元件發(fā)射的光入射到基板主體。還有，對于反射膜 7的端緣與覆蓋其的絕緣性保護層8的端緣之間的距離，與上述反射膜7的端緣與這些第一導(dǎo)電性保護層3、第二導(dǎo)電性保護層9的端緣之間的距離相同。此外，對于絕緣性保護層8 的膜厚，若考慮到導(dǎo)熱性和與基體的熱膨脹差引起的變形等，較好是10 50μπι。對于構(gòu)成絕緣性保護層8的材料，只要是可以充分保護反射膜7不受氧化和硫化等的破壞的絕緣性材料即可，沒有特別限定。具體來說，可例舉玻璃和例如環(huán)氧樹脂、有機硅樹脂等透氣性低的樹脂。還有，較好是可在構(gòu)成基板主體的LTCC基板的燒成時同時形成反射膜和絕緣性保護層且透氣性也足夠低的玻璃。此外，發(fā)光裝置20具有密封層23，密封層23以覆蓋由上述發(fā)光元件搭載用基板的腔底部形成的搭載面11上所形成的金屬導(dǎo)體層2 第一導(dǎo)電性保護層3、布線導(dǎo)體4 ·第二導(dǎo)電性保護層9、反射膜7 ·絕緣性保護層8和搭載于搭載部12的發(fā)光元件30、焊絲22的方式填充腔內(nèi)部，并在其上部具有一定的厚度。作為構(gòu)成密封層23的密封材料，可無特別限定地使用通常作為密封材料用于發(fā)光裝置的有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂等密封材料。
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以上，對將在主面具有發(fā)光層且在主面的相反側(cè)的面(背面)具有反射性的金屬膜的二引線型發(fā)光元件搭載于發(fā)光元件搭載用LTCC基板上的發(fā)光裝置的實施方式進行了說明，下面參照圖3和圖4對將在主面具有發(fā)光層在背面具有反射性的金屬膜的單引線型發(fā)光元件搭載于發(fā)光元件搭載用LTCC基板上的發(fā)光裝置的實施方式進行說明。圖3是從上方觀察將上述單引線型發(fā)光元件搭載于發(fā)光元件搭載用LTCC基板上的本發(fā)明的發(fā)光裝置的實施方式的俯視圖，圖4是圖3所示的發(fā)光裝置的實施方式的對應(yīng)于圖3中的X-X’線的部分的剖視圖。發(fā)光裝置20是在發(fā)光元件搭載用基板上搭載有發(fā)光元件30的本發(fā)明的發(fā)光裝置 20，發(fā)光元件30在主面具有發(fā)光層31且在主面的相反側(cè)的面(背面)具有反射性的金屬膜32，呈一對電極中的一方通過引線接合與基板連接的形態(tài)。圖3和圖4所示的發(fā)光裝置20中，基板主體1、金屬導(dǎo)體層2、第一導(dǎo)電性保護層 3、導(dǎo)熱孔10、導(dǎo)電性接合材料21可以采用與上述搭載二引線型的發(fā)光元件的發(fā)光裝置完全相同的構(gòu)成。在這里，發(fā)光元件30中，電極中的一方(未圖示)通過焊絲22與以下的布線導(dǎo)體4電連接，對于另一方的電極，以發(fā)光元件背面的反射性的金屬膜32具有該功能的方式構(gòu)成。發(fā)光元件30的金屬膜32如圖4所示以導(dǎo)電性接合材料21 —第一導(dǎo)電性保護層 3 —金屬導(dǎo)體層2 —導(dǎo)熱孔10的順序電連接。由此，本實施方式中，導(dǎo)熱孔同時起到貫通導(dǎo)體6的作用。本實施方式的發(fā)光裝置20中，還在非搭載面13具有與導(dǎo)熱孔10 (貫通導(dǎo)體6)連接且通過它與外部電路電連接的外部電極端子5。在這里，外部電極端子5同時具有作為散熱用導(dǎo)體15的功能、即作為發(fā)光裝置20與設(shè)在發(fā)光裝置外的散熱單元(未圖示) 的接點的功能。圖3和圖4所示的本實施方式的發(fā)光裝置20中，通過引線接合與發(fā)光元件的電極電連接的布線導(dǎo)體4形成于搭載面11的1處即可。布線導(dǎo)體4的構(gòu)成可以采用與上述搭載二引線型的發(fā)光元件的發(fā)光裝置除了將布線導(dǎo)體4設(shè)置于2處改為1處之外完全相同的構(gòu)成。此外，發(fā)光裝置20具有作為布線導(dǎo)體4的周邊構(gòu)件的第二導(dǎo)體性保護膜9，第二導(dǎo)體性保護膜9與上述搭載二引線型的發(fā)光元件的發(fā)光裝置同樣以覆蓋與布線導(dǎo)體4電連接的貫通導(dǎo)體6、外部電極端子5 (兼作散熱用導(dǎo)體15)以及布線導(dǎo)體4的包括端緣在內(nèi)的整體的方式形成。它們也是與上述搭載二引線型的發(fā)光元件的發(fā)光裝置除了將與布線導(dǎo)體4相關(guān)的周邊構(gòu)件從2處改為1處之外完全相同的構(gòu)成。對于搭載面11上具有的反射膜7和絕緣性保護層8，圖3和圖4所示的本實施方式的發(fā)光裝置20也可以采用與上述搭載二引線型的發(fā)光元件的發(fā)光裝置相同的構(gòu)成。但是，本實施方式中，以覆蓋布線導(dǎo)體4的包括端緣在內(nèi)的整體的方式形成的第二導(dǎo)體性保護膜9僅形成于1處，所以與搭載二引線型的發(fā)光元件的發(fā)光裝置相比，反射膜7和第二導(dǎo)體性保護膜9的被覆面積形成地更大。此外，發(fā)光裝置20具有與上述搭載二引線型的發(fā)光元件的發(fā)光裝置同樣的密封層23，密封層23以覆蓋由上述發(fā)光元件搭載用基板的腔底部形成的搭載面11上所形成的金屬導(dǎo)體層2 ·第一導(dǎo)電性保護層3、布線導(dǎo)體4 ·第二導(dǎo)電性保護層9、反射膜7 ·絕緣性保護層8和搭載于搭載部12的發(fā)光元件30、焊絲22的方式填充腔內(nèi)部，并在其上部具有一定的厚度。
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這樣的采用LTCC基板的本發(fā)明的發(fā)光裝置可通過下述通常的制造方法制造通過常用的材料和制造方法制造具有上述構(gòu)成上的特征的發(fā)光元件搭載用LTCC基板，即在 LTCC基板主體上設(shè)有金屬導(dǎo)體層 第一導(dǎo)電性保護層、布線導(dǎo)體 第二導(dǎo)電性保護層、反射膜 絕緣性保護層等用于搭載發(fā)光元件的規(guī)定構(gòu)件的基板，在該發(fā)光元件用LTCC基板上通過導(dǎo)電性接合材料接合主面具有發(fā)光層且背面具有金屬膜的發(fā)光元件，進行引線接合，再形成密封層。還有，本發(fā)明的發(fā)光裝置所用的發(fā)光元件搭載用LTCC基板例如可以通過包括以下的(A)工序 (F)工序的制造方法制造。還有，以下的說明中，以圖1和圖2所示的發(fā)光裝置的發(fā)光元件搭載用LTCC基板為例，對于其制造中使用的構(gòu)件，標記與成品的構(gòu)件相同的符號來進行說明。此外，在這里對絕緣性保護層采用外覆玻璃層的情況的制造方法進行說明。(A)使用包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷組合物制作構(gòu)成發(fā)光元件搭載用基板的主體基板且具有部分成為搭載發(fā)光元件的搭載部的搭載面的主體用生片1的工序(以下稱為“主體用生片制作工序”)；(B)在基板主體的搭載部12形成金屬導(dǎo)體糊料層2、自其正下方的搭載面11至非搭載面13埋設(shè)的未燒成導(dǎo)熱孔10、以與未燒成導(dǎo)熱孔10接觸的方式形成于非搭載面13的散熱用導(dǎo)體糊料層15、與金屬導(dǎo)體糊料層2不發(fā)生電導(dǎo)通的位于搭載面11上的2處的布線導(dǎo)體糊料層4、用于將布線導(dǎo)體糊料層4與下述形成于非搭載面13的外部電極端子用導(dǎo)體糊料層5電連接的貫通導(dǎo)體糊料層6以及位于非搭載面13的將布線導(dǎo)體糊料層4通過貫通導(dǎo)體用糊料層6和外部電極端子用導(dǎo)體糊料層5與外部電路電連接的外部電極端子用導(dǎo)體糊料層5的工序(以下稱為“導(dǎo)體糊料層形成工序”)；(C)通過絲網(wǎng)印刷在除上述金屬導(dǎo)體糊料層2及其周圍附近和布線導(dǎo)體糊料層4 及其周圍附近以外的搭載面形成反射膜用糊料層7的工序(以下稱為“反射膜用糊料層形成工序”)；(D)以覆蓋上述反射膜用糊料層7的包括端緣在內(nèi)的整體且不包括上述金屬導(dǎo)體糊料層2及其周圍附近和布線導(dǎo)體糊料層4及其周圍附近的方式在搭載面11形成外覆玻璃糊料層8，從而獲得未燒結(jié)發(fā)光元件搭載用基板的工序(以下稱為“外覆玻璃糊料層形成工序”)；(E)將上述未燒結(jié)發(fā)光元件搭載用基板在800 930°C燒成的工序(以下稱為“燒成工序”)；(F)以覆蓋上述金屬導(dǎo)體層2的包括端緣在內(nèi)的整體的方式設(shè)置第一導(dǎo)電性保護層3并以覆蓋上述布線導(dǎo)體4的包括端緣在內(nèi)的整體的方式設(shè)置第二導(dǎo)電性保護層9的工序(導(dǎo)電性保護層形成工序)。(A)主體用生片制作工序主體用生片1可如下制造向包含玻璃粉末(基板主體用玻璃粉末)和陶瓷填料的玻璃陶瓷組合物中添加粘合劑以及根據(jù)需要添加的增塑劑、分散劑、溶劑等而制成漿料， 將該漿料通過刮刀法等成形為片狀，使其干燥。還有，為了使得如圖2所示最終基板主體1 在上表面具有腔且其底面形成搭載面11，根據(jù)需要采用將多塊生片層疊等方法制成主體用生片1。
基板主體用玻璃粉末并沒有限定，但較好是玻璃化溫度(Tg)為550°C以上700°C 以下的玻璃粉末。玻璃化溫度(Tg)低于550°C時，脫脂可能會變得困難；高于700°C時，收縮開始溫度升高，尺寸精度可能會下降。此外，較好是在800°C以上930°C以下燒成時析出結(jié)晶。不析出結(jié)晶的玻璃粉末的情況下，可能會無法獲得足夠的機械強度。另外，較好是通過DTA(差示熱分析)測得的結(jié)晶峰溫度(Tc)在880°C以下的玻璃粉末。結(jié)晶峰溫度(Tc)高于880°C時，尺寸精度可能會下降。作為這樣的基板主體用玻璃粉末，較好是例如包含57摩爾％以上65摩爾％以下的Si02、13摩爾％以上18摩爾％以下的B203、9摩爾％以上23摩爾％以下的Ca0、3摩爾％ 以上8摩爾％以下的Al2O3、合計0. 5摩爾％以上6摩爾％以下的選自K2O和Na2O的至少一方的玻璃粉末。通過使用這樣的玻璃粉末，容易使主體基板表面的平坦度提高。在這里，SiA是玻璃的網(wǎng)絡(luò)形成成分。SiA的含量低于57摩爾％時，難以獲得穩(wěn)定的玻璃，且化學(xué)耐久性也可能會下降。另一方面，SiO2的含量高于65摩爾％時，玻璃熔融溫度和玻璃化溫度(Tg)可能會變得過高。SiO2W含量較好是在58摩爾％以上，更好是在 59摩爾％以上，特別好是在60摩爾％以上。此外，SW2的含量較好是在64摩爾％以下，更好是在63摩爾％以下。B2O3是玻璃的網(wǎng)絡(luò)形成成分?；?3的含量低于13摩爾％時，玻璃熔融溫度和玻璃化溫度(Tg)可能會變得過高。另一方面，B2O3的含量高于18摩爾％時，難以獲得穩(wěn)定的玻璃，且化學(xué)耐久性也可能會下降?；?3的含量較好是在14摩爾％以上，更好是在15摩爾％ 以上。此外，B2O3的含量較好是在17摩爾％以下，更好是在16摩爾％以下。Al2O3是為了提高玻璃的穩(wěn)定性、化學(xué)耐久性和強度而添加。Al2O3的含量低于3摩爾％時，玻璃可能會變得不穩(wěn)定。另一方面，Al2O3的含量高于8摩爾％時，玻璃熔融溫度和玻璃化溫度(Tg)可能會變得過高。Al2O3的含量較好是在4摩爾％以上，更好是在5摩爾％ 以上。此外，Al2O3的含量較好是在7摩爾％以下，更好是在6摩爾％以下。CaO是為了提高玻璃的穩(wěn)定性和結(jié)晶的析出性并使玻璃熔融溫度和玻璃化溫度 (Tg)下降而添加。CaO的含量低于9摩爾％時，玻璃熔融溫度可能會變得過高。另一方面， CaO的含量高于23摩爾％時，玻璃可能會變得不穩(wěn)定。CaO的含量較好是在12摩爾％以上，更好是在13摩爾％以上，特別好是在14摩爾％以上。此外，CaO的含量較好是在22摩爾％以下，更好是在21摩爾％以下，特別好是在20摩爾％以下。K2O, Na2O是為了使玻璃化溫度(Tg)下降而添加。K2O和Nei2O的總含量低于0. 5 摩爾％時，玻璃熔融溫度和玻璃化溫度(Tg)可能會變得過高。另一方面，K2O和Nii2O的總含量高于6摩爾％時，化學(xué)耐久性、特別是耐酸性可能會下降，電絕緣性也可能下降。K2O和 Na2O的總含量較好是0. 8摩爾％以上5摩爾％以下。還有，基板主體用玻璃粉末并不局限于僅由上述成分形成的玻璃粉末，可以在滿足玻璃化溫度(Tg)等各特性的范圍內(nèi)包含其他成分。包含其他成分的情況下，其他成分的總含量較好是在10摩爾％以下?；逯黧w用玻璃粉末可以如下獲得通過熔融法制造具有如上所述的玻璃組成的玻璃，通過干式粉碎法或濕式粉碎法進行粉碎。濕法粉碎法的情況下，較好是使用水作為溶劑。粉碎可以使用例如輥式粉碎機、球磨機、噴射磨等粉碎機。
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基板主體用玻璃粉末的50%粒徑(D5tl)較好是0. 5μπι以上2μπι以下?；逯黧w用玻璃粉末的50%粒徑低于0.5μπι時，玻璃粉末容易凝集，處理變得困難，而且難以使其均勻地分散。另一方面，基板主體用玻璃粉末的50%粒徑高于2μπι時，可能會導(dǎo)致玻璃軟化溫度的上升或燒結(jié)不足。粒徑的調(diào)整例如可以通過在粉碎后根據(jù)需要進行分級來進行。 還有，本說明書中，粒徑是指通過采用激光衍射-散射法的粒徑測定裝置得到的值。另一方面，作為陶瓷填料，可以沒有特別限定地使用一直以來用于制造LTCC基板的陶瓷填料，例如可以優(yōu)選使用氧化鋁粉末、氧化鋯粉末或者氧化鋁粉末和氧化鋯粉末的混合物。陶瓷填料的50%粒徑(D5tl)較好是0. 5 μ m以上4 μ m以下。通過將這樣的基板主體用玻璃粉末和陶瓷填料以例如基板主體用玻璃粉末為30 質(zhì)量％以上50質(zhì)量％以下、陶瓷填料為50質(zhì)量％以上70質(zhì)量％以下的比例摻合、混合，從而獲得玻璃陶瓷組合物。此外，通過向該玻璃陶瓷組合物中添加粘合劑以及根據(jù)需要采用的增塑劑、分散劑、溶劑等，可獲得漿料。作為粘合劑，可以優(yōu)選使用例如聚乙烯醇縮丁醛、丙烯酸樹脂等。作為增塑劑，可以使用例如鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸丁基芐基酯等。此外，作為溶劑，可以優(yōu)選使用甲苯、二甲苯、2-丙醇、2- 丁醇等有機溶劑。通過將這樣得到的漿料通過刮刀法等成形為片狀、使其干燥、根據(jù)需要將多塊生片層疊等作業(yè)步驟，可以制成上表面具有腔且該腔底面構(gòu)成搭載面11的主體用生片1。(B)導(dǎo)體糊料層形成工序接著，在這樣得到的主體用生片1的位于大致中央部的搭載部12以規(guī)定的尺寸、 形狀形成位于與搭載部大致相同位置的金屬導(dǎo)體糊料層2、自其正下方的搭載面11至非搭載面13埋設(shè)的未燒成導(dǎo)熱孔10、以與未燒成導(dǎo)熱孔10接觸的方式形成于非搭載面13的散熱用導(dǎo)體糊料層15、與金屬導(dǎo)體糊料層2不發(fā)生電導(dǎo)通的位于搭載面11上的2處的布線導(dǎo)體糊料層4、用于將布線導(dǎo)體糊料層4與下述形成于非搭載面13的外部電極端子用導(dǎo)體糊料層5電連接的貫通導(dǎo)體糊料層6以及位于非搭載面13的將布線導(dǎo)體糊料層4通過貫通導(dǎo)體用糊料層6和外部電極端子用導(dǎo)體糊料層5與外部電路電連接的外部電極端子用導(dǎo)體糊料層5。以下，將這樣形成了各種導(dǎo)體糊料層的主體用生片稱為帶導(dǎo)體糊料層的主體用生片1。作為金屬導(dǎo)體糊料層2、布線導(dǎo)體糊料層4、外部電極端子用導(dǎo)體糊料層5和貫通導(dǎo)體用糊料層6、未燒成導(dǎo)熱孔10、散熱用導(dǎo)體糊料層15的形成方法，可例舉通過絲網(wǎng)印刷法涂布、填充導(dǎo)體糊料的方法。所形成的金屬導(dǎo)體糊料層2、布線導(dǎo)體糊料層4、外部電極端子用導(dǎo)體糊料層5、散熱用導(dǎo)體糊料層15的膜厚以最終得到的金屬導(dǎo)體層、布線導(dǎo)體、外部電極端子、散熱用導(dǎo)體的膜厚達到規(guī)定的膜厚的條件調(diào)整。作為導(dǎo)體糊料，可以使用例如在以銅、銀、金等為主要成分的金屬粉末中添加乙基纖維素等介質(zhì)以及根據(jù)需要采用的溶劑等制成糊狀而得的糊料。還有，作為上述金屬粉末， 可優(yōu)選使用由銀形成的金屬粉末、由銀和鉬或鈀形成的金屬粉末。(C)反射膜用糊料層形成工序(C)反射膜用糊料層形成工序中，通過絲網(wǎng)印刷以不包括以上得到的帶導(dǎo)體糊料層的主體用生片1的搭載面11的形成有金屬導(dǎo)體糊料層2的區(qū)域及其周圍附近和形成有布線導(dǎo)體糊料層4的區(qū)域及其周圍附近的方式形成成為反射膜的包含具有反射性的材料的反射膜用糊料層7。還有，(C)反射膜用糊料層形成工序在例如布線導(dǎo)體糊料和反射膜用糊料以同樣的糊料材料構(gòu)成等情況下也可以與上述(B)工序的金屬導(dǎo)體糊料層2和布線導(dǎo)體糊料層4的形成同時進行。上述絲網(wǎng)印刷中使用的反射膜用糊料為包含構(gòu)成反射膜的具有反射性的材料的糊料。作為這樣的材料，可例舉如上所述的銀、銀鈀混合物、銀鉬混合物等，基于上述的理由，可優(yōu)選使用銀。反射膜用糊料可以使用在以這樣的材料為主要成分的金屬粉末中添加乙基纖維素等介質(zhì)以及根據(jù)需要采用的溶劑等制成糊狀而得的糊料。所形成的反射膜用糊料層7的膜厚以最終得到的反射膜7的膜厚達到上述所需的膜厚的條件進行調(diào)整。(D)外覆玻璃糊料層形成工序(D)外覆玻璃糊料層形成工序中，在上述搭載面11上以覆蓋上述(C)工序中形成的反射膜用糊料層7的包括端緣在內(nèi)的整體且不包括上述(B)工序中形成的形成有金屬導(dǎo)體糊料層2的區(qū)域及其周圍附近和布線導(dǎo)體糊料層4及其周圍附近的方式通過絲網(wǎng)印刷形成外覆玻璃糊料層8。藉此，獲得未燒結(jié)發(fā)光元件搭載用基板。外覆玻璃糊料可以使用在玻璃粉末(玻璃膜用玻璃粉末)中添加乙基纖維素等介質(zhì)以及根據(jù)需要采用的溶劑等制成糊狀而得的糊料。所形成的外覆玻璃糊料層8的膜厚以最終得到的外覆玻璃膜8的膜厚達到上述所需的膜厚的條件進行調(diào)整。作為外覆玻璃層用玻璃粉末，只要通過在(D)工序后進行的(E)工序中的燒成可獲得膜狀的玻璃即可，其50%粒徑(D5tl)較好是0.5μπι以上2μπι以下。此外，外覆玻璃膜 8的表面粗糙度Ra例如可以通過該外覆玻璃膜用玻璃粉末的粒度來進行調(diào)整。即，作為外覆玻璃膜用玻璃粉末，通過使用燒成時充分熔融、流動性良好的玻璃粉末，可以減小表面粗糙度Ra。(E)燒成工序上述(D)工序后，對于所得的未燒結(jié)發(fā)光元件搭載用基板，根據(jù)需要進行用于除去粘合劑等的脫脂后，進行用于使玻璃陶瓷組合物等燒結(jié)的燒成。脫脂例如可通過在500°C以上600°C以下的溫度下保持1小時以上10小時以下來進行。脫脂溫度低于500°C或脫脂時間少于1小時的情況下，可能會無法充分除去粘合劑等。另一方面，如果脫脂溫度為600°C左右且脫脂時間為10小時左右，則可以充分地除去粘合劑等，超過該范圍，反而可能會使生產(chǎn)性等下降。此外，考慮到基體主體的致密結(jié)構(gòu)的獲得和生產(chǎn)性，燒成可通過在800°C 930°C 的溫度范圍內(nèi)適當?shù)卣{(diào)整時間來進行。具體來說，較好是在850°C以上900°C以下的溫度下保持20分鐘以上60分鐘以下，特別好是在860°C以上880°C以下的溫度下進行。燒成溫度低于800°C時，可能會無法使基體主體形成致密的結(jié)構(gòu)。另一方面，如果燒成溫度高于 9300C，則發(fā)生基體主體變形等情況，生產(chǎn)性等可能會下降。此外，作為上述導(dǎo)體糊料和反射膜用糊料，使用包含以銀為主要成分的金屬粉末的金屬糊料的情況下，如果燒成溫度高于 880°C，則過度軟化，因而可能會無法維持規(guī)定的形狀。(F)導(dǎo)體性保護層形成工序?qū)τ谶@樣燒成未燒結(jié)發(fā)光元件搭載用基板而得的燒成基板，按照規(guī)定的尺寸和形狀，以覆蓋上述金屬導(dǎo)體層2的包括端緣在內(nèi)的整體的方式形成第一導(dǎo)電性保護層3并以覆蓋上述布線導(dǎo)體4的包括端緣在內(nèi)的整體的方式形成第二導(dǎo)電性保護層9。藉此，獲得用于制造本發(fā)明的發(fā)光裝置的發(fā)光元件搭載用LTCC基板。以下，作為第一導(dǎo)電性保護層3和第二導(dǎo)電性保護層9的具體的形成方法，對本發(fā)明的發(fā)光裝置中優(yōu)選的通過在進行鍍鎳(Ni)后進行鍍金(Au)而獲得的Ni/Au鍍層的形成方法進行說明。Ni鍍層例如使用氨基磺酸鎳浴通過電鍍形成為3 20 μ m的厚度。金鍍層例如可以使用氰化金鉀浴通過電鍍形成為0. 1 1. 0 μ m的厚度。以上，對發(fā)光元件搭載用LTCC基板的制造方法進行了說明，主體用生片1等并不一定必須由單一的生片形成，也可以是將多塊生片層疊而得的結(jié)構(gòu)。此外，對于各部分的形成順序等，只要能夠制造發(fā)光元件搭載用LTCC基板，可適當改變。(2)使用氧化鋁基板的發(fā)光裝置使用氧化鋁基板的本發(fā)明的發(fā)光裝置可以采用與上述使用LTCC基板的本發(fā)明的發(fā)光裝置除構(gòu)件的構(gòu)成材料以外相同的構(gòu)成。對于基板主體，可無特別限制地使用通常的氧化鋁基板。氧化鋁基板的燒成溫度為1400 1700°C，比上述LTCC基板高，所以作為發(fā)光元件搭載用基板，氧化鋁基板主體的燒成時同時形成金屬導(dǎo)體層2、布線導(dǎo)體4、反射膜7、導(dǎo)熱孔10、外部電極端子5、貫通導(dǎo)體 6等金屬層的情況下，使用鎢或鉬等高熔點金屬作為形成導(dǎo)體的金屬。此外，對于絕緣性保護層8，為玻璃時，可通過采用組成與上述LTCC基板不同的材料來適用于高溫燒成。此外，不采用鎢或鉬等高熔點金屬而采用導(dǎo)熱性和反射性好的銀、銅等低熔點金屬的情況下，可以在通過燒成將生片形成為氧化鋁基板后，通過組合絲網(wǎng)印刷法、濺射蒸鍍法或噴墨涂布法等方法在基板上所需的位置形成金屬導(dǎo)體層2、布線導(dǎo)體4、反射膜7、導(dǎo)熱孔10、外部電極端子5、貫通導(dǎo)體6等金屬層。對于它們，分別選擇各構(gòu)件優(yōu)選的金屬，適當選擇在燒成時形成還是在燒成后形成。此外，如專利文獻1中所記載，對于有些構(gòu)件，也可將以高熔點金屬為第一層、低熔點金屬為第二層層疊而得的層作為金屬層。另外，使反射層7在燒成的同時形成的情況下，絕緣性保護層8可以使用如上所述的可高溫燒成的玻璃在基板燒成時形成，在燒成后另外設(shè)置反射膜7的情況下，如果可能在這時一起形成，或者也可通過另外的工序形成。該情況下，可形成采用環(huán)氧樹脂、有機硅樹脂等樹脂的絕緣性保護層8。本發(fā)明的發(fā)光裝置所用的發(fā)光元件搭載用氧化鋁基板(生片燒成后形成金屬層的類型)的制造方法按照工序分如下所示。(a)主體用生片的制作工序主體用生片1可以如下形成向包含氧化鋁粉末和燒結(jié)助劑的氧化鋁組合物中添加粘合劑以及根據(jù)需要添加的增塑劑、溶劑等而制成漿料，將該漿料通過刮刀法等成形為片狀，使其干燥。氧化鋁粉末的50%粒徑(D5tl)較好是0.5μπι以上2μπι以下。氧化鋁粉末的D5tl低于0. 5 μ m時，氧化鋁粉末容易凝集，不僅處理變得困難，而且難以使其均勻地分散。另一方面，D5tl高于2 μ m時，可能會導(dǎo)致燒結(jié)不足。還有，本說明書中，粒徑通過采用激光衍射-散射法的粒徑測定裝置得到。作為燒結(jié)助劑，可以使用以往在氧化鋁基板的制造中所用的燒結(jié)助劑。例如，可以優(yōu)選使用S^2和堿土金屬氧化物的混合物、稀土元素氧化物(特別是以IO3為主要成分的
15Y2O3類助劑)。燒結(jié)助劑的D5tl較好是0. 5 μ m以上4 μ m以下。以例如氧化鋁粉末為80質(zhì)量％以上99質(zhì)量％以下、燒結(jié)助劑為1質(zhì)量％以上20 質(zhì)量％以下的比例摻合、混合，從而獲得氧化鋁組合物，向該氧化鋁組合物中添加粘合劑以及根據(jù)需要采用的增塑劑、溶劑等而獲得漿料。作為粘合劑，可以優(yōu)選使用例如聚乙烯醇縮丁醛、丙烯酸樹脂等。作為增塑劑，可以使用例如鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸丁基芐基酯等。此外，作為溶劑，可以使用甲苯、二甲苯、丁醇等芳香族類或醇類的有機溶劑。另外，還可以并用分散劑或均化劑。將這樣形成的主體用生片1用沖裁?；蜚@孔機切割成規(guī)定尺寸的方材，同時在規(guī)定位置沖孔形成貫通導(dǎo)體用和導(dǎo)熱孔用的貫通孔。(b)主體用生片的燒成工序?qū)⑽礋傻闹黧w用生片1在500°C以上600°C以下的溫度下加熱，從而進行分解除去主體用生片1所含的樹脂等的粘合劑的脫脂。層疊未燒成的主體用生片時，將數(shù)塊生片重疊并對位，進行加熱和加壓而一體化后，進行上述的脫脂。然后，再在1100 1600°C左右的溫度下加熱，對構(gòu)成主體用生片1的氧化鋁組合物進行燒成，制成氧化鋁基板。(c)導(dǎo)體糊料層形成工序通過在該氧化鋁基板的表面以絲網(wǎng)印刷等方法印刷導(dǎo)體糊料，形成金屬導(dǎo)體糊料層2、布線導(dǎo)體糊料層4、外部電極端子用導(dǎo)體糊料層5和散熱用導(dǎo)體糊料層15。此外，通過在所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)體糊料，形成貫通導(dǎo)體用糊料層6和未燒成導(dǎo)熱孔層10。作為導(dǎo)體糊料，可以使用例如在以銀(Ag)或銅(Cu)為主要成分的金屬粉末中添加乙基纖維素等介質(zhì)以及根據(jù)需要采用的溶劑等制成糊狀而得的糊料。作為金屬粉末，可以優(yōu)選使用銀(Ag) 粉末、銀和鈀的混合粉末、銀和鉬的混合粉末等。還有，本發(fā)明中，為了充分確保金屬層與氧化鋁基板的接合力，可以使用摻有少量玻璃料的導(dǎo)體糊料。(d)反射膜用糊料層形成工序通過絲網(wǎng)印刷以不包括以上得到的帶導(dǎo)體糊料層的主體用生片1的搭載面11的形成有金屬導(dǎo)體糊料層2的區(qū)域及其周圍附近和形成有布線導(dǎo)體糊料層4的區(qū)域及其周圍附近的方式形成成為反射膜的包含具有反射性的材料的反射膜用糊料層7。還有，反射膜用糊料層形成工序在例如布線導(dǎo)體糊料和反射膜用糊料以同樣的糊料材料構(gòu)成等情況下也可以與上述(c)工序的金屬導(dǎo)體糊料層2和布線導(dǎo)體糊料層4的形成同時進行。上述絲網(wǎng)印刷中使用的反射膜用糊料7為包含構(gòu)成反射膜的具有反射性的材料的糊料。作為這樣的材料，可例舉如上所述的銀、銀鈀混合物、銀鉬混合物等，基于上述的理由，可優(yōu)選使用銀。反射膜用糊料7可以使用在以這樣的材料為主要成分的金屬粉末中添加乙基纖維素等介質(zhì)以及根據(jù)需要采用的溶劑等制成糊狀而得的糊料。所形成的反射膜用糊料層7的膜厚以最終得到的反射膜7的膜厚達到上述所需的膜厚的條件進行調(diào)整。(e)外覆玻璃糊料層形成工序在上述搭載面11上以覆蓋上述(d)工序中形成的反射膜用糊料層7的包括端緣在內(nèi)的整體且不包括上述(c)工序中形成的形成有金屬導(dǎo)體糊料層2的區(qū)域及其周圍附近和布線導(dǎo)體糊料層4及其周圍附近的方式通過絲網(wǎng)印刷形成外覆玻璃糊料層8。外覆玻璃糊料可以使用在玻璃粉末(玻璃膜用玻璃粉末)中添加乙基纖維素等介質(zhì)以及根據(jù)需要采用的溶劑等制成糊狀而得的糊料。所形成的外覆玻璃糊料層8的膜厚以最終得到的外覆玻璃膜8的膜厚達到上述所需的膜厚的條件進行調(diào)整。作為外覆玻璃層用玻璃粉末，只要通過在(e)工序后進行的(f)工序中的燒成可獲得膜狀的玻璃即可，其50%粒徑(D5tl)較好是0.5μπι以上2μπι以下。此外，外覆玻璃膜 8的表面粗糙度Ra例如可以通過該外覆玻璃膜用玻璃粉末的粒度來進行調(diào)整。即，作為外覆玻璃膜用玻璃粉末，通過使用燒成時充分熔融、流動性良好的玻璃粉末，可以減小表面粗糙度Ra。(f)再燒成工序通過在800°C 930°C的溫度范圍內(nèi)適度地調(diào)整時間來對(C)工序、(d)工序和 (e)工序中形成的糊料層進行再燒成。燒成溫度低于800°C時，金屬層和外覆玻璃膜的燒結(jié)可能會不充分。另一方面，如果高于930°C，則金屬層和外覆玻璃層軟化流動而破壞規(guī)定形狀，可能會產(chǎn)生布線不良和散熱不良等。作為上述導(dǎo)體糊料和反射膜用糊料，使用包含以銀為主要成分的金屬粉末的金屬糊料時，其上限較好是880°C。(g)導(dǎo)電性保護層形成工序?qū)τ谶@樣得到的燒成基板，按照規(guī)定的尺寸和形狀，以覆蓋上述金屬導(dǎo)體層2的包括端緣在內(nèi)的整體的方式第一導(dǎo)電性保護層3并以覆蓋上述布線導(dǎo)體4的包括端緣在內(nèi)的整體的方式設(shè)置第二導(dǎo)電性保護層9。藉此，獲得用于制造本發(fā)明的發(fā)光裝置的發(fā)光元件搭載用氧化鋁基板。以下，作為第一導(dǎo)電性保護層3和第二導(dǎo)電性保護層9的具體的形成方法，對本發(fā)明的發(fā)光裝置中優(yōu)選的通過在進行鍍鎳(Ni)后進行鍍金(Au)而獲得的Ni/Au鍍層的形成方法進行說明。Ni鍍層例如使用氨基磺酸鎳浴通過電鍍形成為3 20 μ m的厚度。金鍍層例如可以使用氰化金鉀浴通過電鍍形成為0. 1 1. 0 μ m的厚度。以上，舉例對本發(fā)明的發(fā)光裝置的實施方式進行了說明，但本發(fā)明的發(fā)光裝置并不局限于這些例子。只要不違背本發(fā)明的技術(shù)思想，可根據(jù)需要適當改變其構(gòu)成。
實施例以下，對本發(fā)明的實施例進行說明。但是，本發(fā)明并不局限于這些實施例。[實施例1]通過以下說明的方法制成使用與圖1和圖2所示同樣的結(jié)構(gòu)的LTCC基板的試驗用發(fā)光裝置。還有，與上文同樣，燒成前后構(gòu)件所用的符號相同。首先，制成用于制作發(fā)光元件搭載用基板的主體LTCC基板1的主體用生片1。對于主體用生片1，按照SiA為60. 4摩爾％、B2O3為15. 6摩爾％、Al2O3為6摩爾％、CaO為 15摩爾％ ,K2O為1摩爾％ ,Na2O為2摩爾％的比例摻合、混合原料，將該原料混合物加入鉬坩堝中在1600°C熔融60分鐘后，倒出該熔融狀態(tài)的玻璃并冷卻。通過氧化鋁制球磨機粉碎該玻璃40小時，制成基板主體用玻璃粉末。還有，粉碎時的溶劑采用乙醇。按照該基板主體用玻璃粉末為40質(zhì)量％、氧化鋁填料(昭和電工株式會社(昭和電工社)制，商品名AL-45H)為60質(zhì)量％的比例摻合、混合，從而制成玻璃陶瓷組合物。向 50g該玻璃陶瓷組合物中摻入、混合15g有機溶劑(將甲苯、二甲苯、2-丙醇、2- 丁醇以質(zhì)量比4 :2:2: 1混合而得的溶劑)、2.5g增塑劑(鄰苯二甲酸二-2-乙基己酯)、5g作為粘合劑的聚乙烯醇縮丁醛(電氣化學(xué)工業(yè)株式會社(7 >力社)制，商品名PVK#3000K) 以及分散劑(畢克化學(xué)公司W(wǎng)” ’ S—社)制，商品名Β (180)，制成漿料。層疊將該漿料通過刮刀法涂布于PET膜上并使其干燥而得的生片，制成大致平板狀的上表面具有底面構(gòu)成大致圓形的搭載面的腔、燒成后的腔的底面的厚度為0. 4mm的主體用生片。另一方面，以質(zhì)量比85 15摻合導(dǎo)電性粉末(大研化學(xué)工業(yè)株式會社(大研化學(xué)工業(yè)社)制，商品名S550)、作為介質(zhì)的乙基纖維素，按照固體成分為85質(zhì)量％的條件分散于作為溶劑的α -萜品醇后，在磁性研缽中進行1小時的混煉，再通過三根輥進行3次分散，制成金屬糊料。使用鉆孔機在主體用生片1的與貫通導(dǎo)體6和導(dǎo)熱孔10對應(yīng)的部分形成作為貫通導(dǎo)體6用的直徑0. 3mm的圓柱狀的貫通孔、作為導(dǎo)熱孔10用的1. 3X 1. 3mm的方柱狀的貫通孔，通過絲網(wǎng)印刷法填充金屬糊料而形成未燒成貫通導(dǎo)體糊料層6、未燒成導(dǎo)熱孔10。在主體用生片1的搭載部12形成金屬導(dǎo)體糊料層2，在搭載面11形成布線導(dǎo)體糊料層4，在非搭載面13形成外部電極端子用導(dǎo)體糊料層5、散熱用導(dǎo)體糊料層15，從而獲得帶導(dǎo)體糊料層的主體用生片1。通過絲網(wǎng)印刷以不包括帶導(dǎo)體糊料層的主體用生片1的搭載面11的形成有金屬導(dǎo)體糊料層2的區(qū)域及其周圍附近和形成有布線導(dǎo)體糊料層4的區(qū)域及其周圍附近的方式以燒成后的膜厚為IOym的條件形成銀反射膜用糊料層7。通過絲網(wǎng)印刷法在其上以覆蓋上述銀反射膜用糊料層7的包括端緣在內(nèi)的整體且不包括形成有上述金屬導(dǎo)體糊料層2的區(qū)域及其周圍附近和形成有布線導(dǎo)體糊料層4的區(qū)域及其周圍附近的方式以燒成后的膜厚為20 μ m的條件形成外覆玻璃糊料層8，從而制成未燒成發(fā)光元件搭載用基板。還有，上述銀反射膜用糊料如下制作以質(zhì)量比90 10摻合銀粉末(大研化學(xué)工業(yè)株式會社制，商品名S400-2)、作為介質(zhì)的乙基纖維素，按照固體成分為87質(zhì)量％的條件分散于作為溶劑的α -萜品醇后，在磁性研缽中進行1小時的混煉，再通過三根輥進行3 次分散。此外，上述外覆玻璃糊料的制備中使用的玻璃膜用玻璃粉末如下制成。首先，按照 SiO2為81. 6摩爾％、B2O3為16. 6摩爾％、K2O為1. 8摩爾％的比例摻合、混合原料，將該原料混合物加入鉬坩堝中在1600°C熔融60分鐘后，倒出該熔融狀態(tài)的玻璃并冷卻。通過氧化鋁制球磨機粉碎該玻璃8 60小時，制成玻璃膜用玻璃粉末。以該外覆玻璃膜用玻璃粉末為60質(zhì)量％、樹脂成分(以質(zhì)量比計85 15的比例含有乙基纖維素和α-萜品醇)為40質(zhì)量％的比例摻合后，在磁性研缽中進行1小時的混煉，再通過三根輥進行3次分散，制成外覆玻璃糊料。將以上得到的未燒成發(fā)光元件搭載用基板在550°C保持5小時進行脫脂，再在 870°C保持30分鐘進行燒成。分別以覆蓋所得的燒成發(fā)光元件搭載用基板的搭載面11的金屬導(dǎo)體層2的包括端緣在內(nèi)的整體的方式及覆蓋布線導(dǎo)體4的包括端緣在內(nèi)的整體的方式，形成與外覆玻璃膜8的端緣接觸的Ni/Au鍍層3(1. 315mmX 1. 315mm)和Ni/Au鍍層9。 還有，Ni/Au鍍層的形成如下進行通過使用氨基磺酸鎳浴的電鍍形成厚7 μ m的Ni鍍膜， 在其表面通過使用氰化金鉀浴的電鍍形成厚0. 3 μ m的Au鍍膜。在以上制成的發(fā)光元件搭載用基板的搭載部12上的金屬導(dǎo)體層2/Ni/Au鍍層3上通過Au20質(zhì)量％ -SnSO質(zhì)量％的焊錫固定具有金屬膜32的發(fā)光二極管元件30 (晶元光電股份有限公司(工7夕一社)制，商品名ES-CEBLV45 :1. 14mmXl. 14mm)，金屬膜32面朝下。這時，Ni/Au鍍層3上未搭載發(fā)光二極管元件30的非搭載區(qū)域14的寬度(圖1、2 中以w表示)在4邊均為87.5 μ m。接著，將發(fā)光二極管元件30所具有的一對電極(未圖示)通過焊絲22分別與布線導(dǎo)體4上的Ni/Au鍍層9電連接。然后，使用密封劑(信越化學(xué)工業(yè)株式會社(信越化學(xué)工業(yè)社)制，商品名 SCR-1016A)密封而構(gòu)成圖2所示的密封層23，從而獲得發(fā)光裝置20。密封劑采用相對于密封劑含有20質(zhì)量％熒光體(化成光學(xué)株式會社(化成* 卜二々7株式會社)制，商品名 P46-Y3)的材料。[實施例2]使用與實施例1同樣的玻璃粉末按照該玻璃粉末為38質(zhì)量％、氧化鋁填料(昭和電工株式會社制，商品名AL-45H)為38質(zhì)量％、氧化鋯填料(第一稀有元素化學(xué)工業(yè)株式會社(第一稀元素化學(xué)工業(yè)社)制，商品名HSY-3F-J)為M質(zhì)量％的比例摻合、混合，從而制成玻璃陶瓷組合物，其他與實施例1同樣地進行操作，制成發(fā)光裝置。[比較例]上述實施例1中，除了使用聚硅氧烷小片接合材料(信越化學(xué)工業(yè)株式會社制，商品名KER-3000-iC)代替Au20質(zhì)量％ -SnSO質(zhì)量％的焊錫來進行發(fā)光二極管元件的固定以外，全部與實施例1同樣地進行操作，制成現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的發(fā)光裝置作為比較例。〈評價〉對于上述實施例1、2和比較例中得到的發(fā)光裝置通過以下的方法測定了總光束量和熱阻。[總光束量]發(fā)光裝置的總光束量測定使用LED總光束測定裝置(斯貝克托拉考普株式會社 (^ ^ ^7 卜，- 一社)制，商品名S0LIDLAMBDA .CCD .LED .MONITOR .PLUS)進行。積分球為6英寸，電壓/電流發(fā)生器采用愛德萬測試株式會社(τ· K K > f 7卜社)制R6M3。 此外，對LED元件施加350mA進行測定。[熱阻]使用熱阻測定器(嶺光音電機株式會社(嶺光音電機社)制，商品名TH-2167)測定了發(fā)光裝置的發(fā)光元件搭載用基板的熱阻。還有，施加電流設(shè)為350mA，通電至電壓降達到飽和，通過由下降的電壓和發(fā)光二極管元件的溫度-電壓降特性導(dǎo)出的溫度系數(shù)算出飽和溫度，求出熱阻。結(jié)果示于表1。還有，結(jié)果以將比較例的現(xiàn)有的發(fā)光裝置的總光束量和熱阻設(shè)為 100%時的百分比表示。[表1]
權(quán)利要求
1. 一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括基板，該基板由無機絕緣材料形成，具有一部分成為搭載發(fā)光元件的搭載部的搭載金屬導(dǎo)體層，該金屬導(dǎo)體層形成于所述基板的搭載部；第一導(dǎo)電性保護層，該第一導(dǎo)電性保護層形成于所述金屬導(dǎo)體層上，覆蓋所述金屬導(dǎo)體層的包括端緣在內(nèi)的整體，且面積比下述發(fā)光元件的金屬膜大；發(fā)光元件，該發(fā)光元件在主面具有發(fā)光層且在主面的相反側(cè)的面具有反射性的金屬膜，以該金屬膜與所述第一導(dǎo)電性保護層相對且位于所述第一導(dǎo)電性保護層的端緣的內(nèi)側(cè)的方式搭載于所述基板的搭載部；導(dǎo)電性接合材料，該導(dǎo)電性接合材料用于將所述發(fā)光元件的所述金屬膜與所述第一導(dǎo)電性保護層接合；反射膜，該反射膜以至少不包括形成在所述金屬導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電性保護層及其周圍附近的方式形成在所述基板的搭載面；絕緣性保護層，該絕緣性保護層形成于所述基板的搭載面，覆蓋所述反射膜的包括端緣在內(nèi)的整體。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述基板由包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷組合物的燒結(jié)體形成。
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，在所述搭載部的正下方具有埋設(shè)于所述基板的導(dǎo)熱孔，該導(dǎo)熱孔自所述基板的搭載面至作為該搭載面的相反面的非搭載面設(shè)置。
4.如權(quán)利要求1 3中的任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電性保護層在接合有所述發(fā)光元件的區(qū)域的周圍具有寬70 200 μ m的非搭載區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1 4中的任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，具有形成于所述基板的搭載面的布線導(dǎo)體，該布線導(dǎo)體與所述發(fā)光元件通過焊絲電連接；所述反射膜形成在除形成于所述金屬導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電性保護層及其周圍附近和所述布線導(dǎo)體及其周圍附近以外的所述基板的搭載面。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還具有第二導(dǎo)電性保護層，該第二導(dǎo)電性保護層形成于所述布線導(dǎo)體上，覆蓋所述布線導(dǎo)體的包括端緣在內(nèi)的整體。
7.如權(quán)利要求1 6中的任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電性保護層和所述第二導(dǎo)電性保護層為金鍍層。
8.如權(quán)利要求1 7中的任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述反射膜由銀形成， 且所述絕緣性保護層由玻璃形成。
全文摘要
本發(fā)明提供搭載在背面具有反射性的金屬膜的發(fā)光元件的發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置通過具有高散熱性和光的高反射效率而光取出效率良好，且經(jīng)時劣化導(dǎo)致的光取出效率的下降得到抑制。一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括無機絕緣材料基板、形成于基板的搭載部的金屬導(dǎo)體層、形成于金屬導(dǎo)體層上的導(dǎo)電性保護層、在背面具有金屬膜的以該金屬膜與導(dǎo)電性保護層相對且位于導(dǎo)電性保護層的端緣的內(nèi)側(cè)的方式搭載于所述基板的搭載部的發(fā)光元件、將發(fā)光元件與導(dǎo)電性保護層接合的導(dǎo)電性接合材料、以不包括基板的搭載面的導(dǎo)電性保護層及其周圍附近的形狀形成的反射膜、以覆蓋反射膜的包括端緣在內(nèi)的整體的方式形成于基板的搭載面的絕緣性保護層。
文檔編號F21S2/00GK102192423SQ20101058792
公開日2011年9月21日 申請日期2010年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月12日
發(fā)明者中山勝壽 申請人:旭硝子株式會社