專利名稱：一種使用交流電的發(fā)光器件的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于發(fā)光器件的制造領域，涉及一種發(fā)光器件的結構，尤其是涉及一 種能夠直接使用交流電的發(fā)光器件。
背景技術：
發(fā)光二極管(LED)光源具有高效率、長壽命、不含Hg等有害物質的優(yōu)點。隨著LED 技術的迅猛發(fā)展，LED的亮度、壽命等性能都得到了極大的提升，使得LED的應用領域越來 越廣泛，從路燈等室外照明到裝飾燈等室內照明，均紛紛使用或更換成LED作為光源。傳統(tǒng)的照明電源為交流電，在交流電的一個周期中具有兩個電流方向相反的半周 期；而LED需要提供直流電源，因此在使用交流電源時，目前一般會采取以下幾種方式來實 現(xiàn)如公開號為US20100060181的美國專利申請公開了 一種交流發(fā)光二極管(AC LED)具有一外置集成電路器件，包括將交流電轉換為直流電的換流器和整流器，用以給 LED提供直流電源。又如授權公告號為CN201043720的中國專利公開了一種交流LED燈，該技術方案 中將多種電子元件，如電阻、電容、二極管等，組成一交流-直流轉換電路以及保護電路，串 接在交流電源與LED之間，使得LED等能夠直接接入交流電中使用。以上兩種技術方案均需要將LED配合外置的交流/直流轉換器或電子元件組成的 功能電路共同使用，而這些外置的器件均需占用LED光源的部分空間，還影響了 LED的安裝 使用的靈活性。此外，還可以將多顆LED布置成不同的連接方式再與交流電源連接。如公開號為 CN101586791的中國專利申請公開的一種LED燈，其將兩組電極相反的LED并聯(lián)后接入交 流電源中，這樣，在每一單一電流方向的半個周期內，僅有其中一組的LED燈被點亮。又或 者，作為這種技術方案的變形，通過在LED芯片上設計及布線，將單顆LED芯片劃分成多個 不同的發(fā)光區(qū)域，各區(qū)域分別進行串聯(lián)或并聯(lián)電連接，同樣，在每一單一電流方向的半個周 期內，僅有部分發(fā)光區(qū)域被點亮。在這兩種技術方案中，會使得部分LED或LED芯片的部分 發(fā)光區(qū)域在半個周期內被閑置，無法充分同時利用所有的LED或LED芯片的發(fā)光區(qū)域，同樣 影響了 LED的發(fā)光區(qū)域的利用效率。

實用新型內容本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術中的缺點與不足，提供一種能夠直接使用交 流電源的高發(fā)光率的發(fā)光器件。一種使用交流電的發(fā)光器件，其包括至少一 LED芯片和一交流驅動電路芯片，該 交流驅動芯片包括一襯底和集成在所述襯底上的整流電路。所述LED芯片倒裝在所述交流 驅動電路芯片的襯底上，并與整流電路電連接，該交流驅動電路芯片將交流電轉換為直流 電以提供給所述LED芯片。[0010]所述整流電路為橋式整流電路。進一步，所述整流電路包括在襯底上形成的第一二極管、第二二極管、第三二極管 和第四二極管；一絕緣層覆蓋在襯底的上表面，在各二極管的P、N極對應的絕緣層處具有 接觸孔；一第一金屬線層設置在絕緣層的上表面，并通過接觸孔分別與各二極管的P、N極 電連接；第一二極管的P極與第四二極管的N極通過第一金屬線層連接至襯底上的一電源 連接端，第二二極管的P極與第三二極管的N極通過第一金屬線層連接至襯底上的另一電 源連接端；在該第一二極管和第二二極管的N極通過第一金屬線層電連接形成一 N型連接 端；其該第三二極管和第四二極管的P極通過第一金屬線層電連接形成一P型連接端，所述 LED芯片的P極與N型連接端電連接，LED芯片的N極與P型連接端電連接。進一步，在所述P型連接端和N型連接端的上表面分別設置有一金屬焊墊，在二電 源連接端上表面分別設置有一外接焊墊。在所述金屬焊墊的上表面設置有一凸點焊球，所述LED芯片通過該凸點焊球與所 述襯底電連接。進一步，該發(fā)光器件包括一 LED芯片，該LED芯片包括多個相互獨立的發(fā)光區(qū)，每 個發(fā)光區(qū)具有P極和N極，并通過所述LED芯片上的第二金屬線層串聯(lián)或并聯(lián)或混聯(lián)，所述 LED芯片的前端發(fā)光區(qū)的P極與襯底的N型連接端電連接，后端發(fā)光區(qū)的N極與襯底的P型 連接端電連接。或者，該發(fā)光器件包括一 LED芯片，該LED芯片包括多個相互獨立的發(fā)光區(qū)，每個 發(fā)光區(qū)具有P極和N極，并通過所述襯底上的第一金屬線層串聯(lián)或并聯(lián)或混聯(lián)，所述LED芯 片的前端發(fā)光區(qū)的P極與襯底的N型連接端電連接，后端發(fā)光區(qū)的N極與襯底的P型連接 端電連接。又或者，該發(fā)光器件包括多個相互獨立的LED芯片，每個LED芯片具有P極和N極， 并通過所述襯底上的第一金屬線層串聯(lián)或并聯(lián)或混聯(lián)，前端LED芯片的P極與襯底的N型 連接端電連接，后端LED芯片的N極與襯底的P型連接端電連接進一步，所述發(fā)光器件還包括一濾波電路，其集成在所述交流驅動電路芯片的襯 底上，并串接在所述整流電路與交流電源之間。所述濾波電路由相互并聯(lián)的一電阻和一電容組成。所述電阻設置在所述襯底上的絕緣層的上表面。所述電阻在所述絕緣層表面呈迂 回形狀。所述電容的結構是導電層一絕緣層一導電層的三層結構，其中，所述電容底部的 導電層設置在絕緣層上并與所述第一金屬線層電連接，所述電容頂部的導電層通過一第三 金屬線層連接至與電源連接端連接的第一金屬線層上。相對于現(xiàn)有技術，本實用新型的LED芯片可直接接入交流電中使用而不需要任何 外置的集成電路器件或者電子零件，節(jié)省了組裝空間，提高了使用的靈活性，同時提高了發(fā) 光區(qū)域的使用效率。為了能更清晰的理解本實用新型，以下將結合附圖說明闡述本實用新型的具體實 施方式。
圖1是本實用新型使用交流電的發(fā)光器件的結構示意圖。圖2是本實用新型使用交流電的發(fā)光器件第一實施例的電路示意圖。圖3是本實用新型發(fā)光器件的第一實施例的剖面示意圖。圖4是圖3所示的發(fā)光器件的襯底的表面結構俯視圖。圖5是本實用新型發(fā)光器件的第二實施例的剖面示意圖。圖6是圖5所示的發(fā)光器件的襯底的表面結構俯視圖。圖7是本實用新型使用交流電的發(fā)光器件第三實施例的電路示意圖。圖8是本實用新型發(fā)光器件的第三實施例的剖面示意圖。圖9是圖8所示的發(fā)光器件的襯底的表面結構俯視圖。
具體實施方式
請參閱圖1，其是本實用新型使用交流電的發(fā)光器件的結構示意圖。該發(fā)光器件 包括一 LED芯片1和一交流驅動電路芯片5，其中，該交流驅動電路芯片5包括一襯底2以 及集成在襯底上的整流電路3，LED芯片1倒裝在該交流驅動電路芯片5上并與整流電路3 電連接。該交流驅動電路芯片5的襯底2兩端具有電源連接端，用以外接交流電源。該LED 芯片1上具有多個相互獨立的發(fā)光區(qū)101，每一個發(fā)光區(qū)101之間串聯(lián)或并聯(lián)連接。實施例1請參閱圖2，其是本實用新型使用交流電的發(fā)光器件第一實施例的電路示意圖。該 整流電路3包括第一二極管301、第二二極管302、第三二極管303和第四二極管304。該 第一二極管301與第四二極管304串聯(lián)成第一支路，該第二二極管302和第三二極管303 串聯(lián)成第二支路，第一支路和第二支路并聯(lián)形成一交流轉直流的橋式整流電路。該第一支 路和第二支路并聯(lián)后與LED芯片1中的每一個發(fā)光區(qū)101串接。在該第一二極管301與第 四二極管304之間的連接點，以及第二二極管302與第三二極管303之間的連接點分別與 交流驅動電路芯片5的襯底2上的電源連接端電連接，進而外接交流電源。請同時參閱圖3和圖4，其中，圖3是本實用新型發(fā)光器件的第一實施例的剖面示 意圖，圖4是圖3所示的發(fā)光器件的襯底的表面結構俯視圖。該LED芯片1上劃分二個發(fā)光區(qū)IOla和101b，每個發(fā)光區(qū)101分別具有一 P極和 一 N極，發(fā)光區(qū)IOla的N極與發(fā)光區(qū)IOlb的P極相鄰，它們之間通過一第二金屬線層102 電連接。該整流電路3集成在該襯底2上形成該交流驅動電路芯片5。具體的，在襯底2上 形成第一二極管301、第二二極管302、第三二極管303和第四二極管304。在襯底2的上表 面覆蓋一絕緣層202，在二極管的P、N極對應的絕緣層202處具有接觸孔e，第一金屬線層 203設置在絕緣層202的上表面，并通過接觸孔e分別與各二極管的P、N極電連接。其中， 第一二極管301和第二二極管302為P-N型二極管，其N極通過第一金屬線層203電連接 形成一 N型連接端；第三二極管303和第四二極管304為N-P型二極管，其P極通過第一金 屬線層203電連接形成一 P型連接端。第一二極管301的P極與第四二極管304的N極通 過第一金屬線層203連接至一電源連接端，第二二極管的P極與第三二極管的N極通過第 一金屬線層203連接至另一電源連接端。在P型連接端和N型連接端的上表面分別設置有一金屬焊墊204，在二電源連接端上表面分別設置有一外接焊墊206。在該金屬焊墊204的 上表面設置有一凸點焊球205。該LED芯片1倒裝在該交流驅動電路芯片5上，該LED芯片1的第一發(fā)光區(qū)的P 極與襯底2的N型連接端對應的凸點焊球205連接，第二發(fā)光區(qū)的N極與襯底2的P型連 接端對應的凸點焊球205連接。以下詳細說明實施例1中的使用交流電的發(fā)光器件的制作方法(1)在該LED芯片1上形成多個相互絕緣的發(fā)光區(qū)101，每個發(fā)光區(qū)101分別具有 P極和N極。通過電子束蒸發(fā)配合光刻及腐蝕工藝的方式，形成第二金屬線層102，該第二 金屬線層102將相鄰發(fā)光區(qū)相鄰的P極和N極電連接，從而使各發(fā)光區(qū)串聯(lián)。其中，該第二 金屬線層102的材質為鋁或其他金屬。(2)在襯底2上集成該整流電路3，形成該交流驅動電路芯片5，具體的步驟為Sl 通過離子注入工藝配合光刻工藝，在材料為硅片的襯底2上分別形成第一二 極管301、第二二極管302、第三二極管303和第四二極管304。S2 在該襯底2的上表面形成一絕緣層202。該絕緣層202可以通過使用化學氣 相沉積管式爐，在高溫條件下生長高溫二氧化硅層作為絕緣層。S3 結合光刻和腐蝕工藝，在各二極管的P、N極對應的絕緣層202處形成接觸孔e。S4 在絕緣層202的上表面形成一第一金屬線層203，該第一金屬線層203通過接 觸孔e與各二極管的P極和N極電連接。該第一金屬線層203是以濺射配合光刻及剝離工 藝形成，其材質為鋁或其他金屬。S5 在該第一金屬線層203的上表面形成金屬焊墊204和外接焊墊206。S6 在該金屬焊墊204的上表面通過電鍍工藝形成凸點焊球205。該凸點焊球205 的材料可以是金等單一金屬，也可以是多層材料或合金。(3)將LED芯片1倒裝連接在交流驅動電路芯片5的襯底2的凸點焊球205上。 該倒裝連接可以是加壓加熱后再加超聲的綁定鍵合方法。實施例2請同時參閱圖5和圖6，其中，圖5是本實用新型發(fā)光器件的第二實施例的剖面示 意圖，圖6是圖5所示的發(fā)光器件的襯底的表面結構俯視圖。實施例2的發(fā)光器件的結構與實施例1的結構大致相同，且均在襯底2上集成了 相同的整流電路3，其區(qū)別僅在于在發(fā)光二極管芯片1上的發(fā)光區(qū)101的P極和N極均通 過倒裝焊的方式連接到襯底2的凸點焊球205上，即相鄰的二發(fā)光區(qū)101中的相鄰的N極 和P極分別與襯底2上表面對應位置的凸點焊球205連接，并通過襯底2上的第一金屬線 層203實現(xiàn)串聯(lián)連接。實施例2的發(fā)光器件的制作方法具體包括以下步驟(1)在該LED芯片1上形成多個相互絕緣的發(fā)光區(qū)101，每個發(fā)光區(qū)101分別具有 P極和N極。(2)在襯底2上集成該整流電路3，形成該交流驅動電路芯片5，具體的步驟為Sl 通過離子注入工藝配合光刻工藝，在材料為硅片的襯底2上分別形成第一二 極管301、第二二極管302、第三二極管303和第四二極管304。S2 在該襯底2的的上表面形成一絕緣層202。該絕緣層202可以通過使用化學氣相沉積管式爐，在高溫條件下生長高溫二氧化硅層作為絕緣層。S3 結合光刻和腐蝕工藝，在各二極管的P、N極對應的絕緣層202處形成接觸孔
e0S4 在絕緣層202的上表面形成一第一金屬線層203，該第一金屬線層203通過接 觸孔e與各二極管的P極和N極電連接。該第一金屬線層203是以濺射配合光刻及剝離工 藝形成，其材質為鋁或其他金屬。S5 在該第一金屬線層203的上表面形成金屬焊墊204和外接焊墊206。S6 在該金屬焊墊204的上表面采用模板印刷技術形成凸點焊球205。該凸點焊 球205的材料可以是鉛錫膏等材料。(3)將LED芯片1倒裝連接在襯底2的凸點焊球205上。該倒裝連接可以是以回 流焊為主的綁定鍵合方法。實施例3請參閱圖7，其是本實用新型使用交流電的發(fā)光器件第三實施例的電路示意圖。該 發(fā)光器件電路包括多個LED芯片103、一整流電路3和一濾波電路4。該多個LED芯片103 相互串接。該濾波電路4包括相互并聯(lián)的一電阻401和一電容402。該整流電路3為橋式 整流電路，其結構與實施例1的整流電路的結構相同。該濾波電路4串接在整流電路3的 電源輸入端。該多個串聯(lián)的LED芯片103串接在整流電路3的輸出端。請同時參閱圖8和圖9，其中，圖8是本實用新型發(fā)光器件的第三實施例的剖面示 意圖，圖9是圖8所示的發(fā)光器件的襯底的表面結構俯視圖。該LED芯片103具有一個發(fā)光區(qū)，發(fā)光區(qū)具有一 P極和一 N極。該整流電路3和濾波電路4 一并集成在該襯底2上，形成交流驅動電路芯片6，該 濾波電路4設置在整流電路3與一電源連接端之間。該整流電路3的集成電路布線與實施 例2的布線結構相同。該濾波電路4的電阻401設置在該襯底2上表面的絕緣層202的上 表面，可根據(jù)設定的阻值將電阻設置成迂回形狀以增加其長度，從而可增大電阻401的阻 值。該電阻401由多晶硅制成。該電容402的結構是導電層-絕緣層-導電層的三層結構 (圖未示)。其中，底部的導電層設置在絕緣層202上并與第一金屬線層203電連接，該電容 402頂部的導電層通過一第三金屬線層207連接至與電源連接端連接的第一金屬線層203 上。該多個LED芯片103倒裝焊在該交流驅動電路芯片6的襯底2上，每個LED芯片 103的P極和N極分別與襯底2上對應位置的凸點焊球205連接，形成圖7所示的發(fā)光器件 的電路回路。實施例3的發(fā)光器件的制作方法具體包括以下步驟(1)制作至少一個LED芯片，每個LED芯片具有P極和N極。(2)在襯底2上集成該整流電路3，具體的步驟為Sl 通過離子注入工藝配合光刻工藝，在材料為硅片的襯底2上分別形成第一二 極管301、第二二極管302、第三二極管303和第四二極管304。S2 在該襯底2的的上表面形成一絕緣層202。該絕緣層202可以通過使用化學 氣相沉積管式爐，在高溫條件下生長高溫二氧化硅層作為絕緣層。S3 結合光刻和腐蝕工藝，在各二極管的P、N極對應的絕緣層202處形成接觸孔[0074]S4 在絕緣層202的上表面形成一第一金屬線層203，該第一金屬線層203通過接 觸孔e與各二極管的P極和N極電連接。該第一金屬線層203是以濺射配合光刻及剝離工 藝形成，其材質為鋁或其他金屬。S5 在該第一金屬線層203的上表面形成金屬焊墊204和外接焊墊206。S6 在該金屬焊墊204的上表面通過電鍍工藝形成凸點焊球205。該凸點焊球205 的材料可以是金等單一金屬，也可以是多層材料或合金。(3)在襯底2上集成該濾波電路4，具體的步驟為Dl 在絕緣層202的上表面形成該電阻401。D2:在絕緣層202的上表面形成該電容402的第一導電層，該第一導電層與襯底的 第一金屬線層203連接。D3 在該電容402的第一導電層上表面形成一絕緣層。D4 在該電容402的絕緣層上表面形成一第二導電層。D5 在該襯底2的絕緣層202上表面以及該電容402的第二導電層上表面形成第 三金屬線層207，該第三金屬線層207布線與電源連接端連接的第一金屬線層203連接。該 第三金屬線層207可以通過濺射配合光刻及剝離工藝的方式形成。該第三金屬線層207的 材料為鋁或其他金屬。(4)將LED芯片103倒裝連接在襯底2的凸點焊球205上。該倒裝連接可以是加 壓加熱后再加超聲的綁定鍵合方法。在實施例3中，該濾波電路4的制作步驟可以在S4和S5之間完成。在襯底2集 成了整流電路3以及濾波電路4之后再形成金屬焊墊204、外接焊墊206和凸點焊球205。本實用新型的各實施例中制作各集成器件的方法可交換使用。并且，本實用新型 的整流電路并不限于由二極管串并聯(lián)組成的橋式整流電路，還可以是其他結構的整流電 路。本實用新型的交流驅動電路芯片還可集成其他形式的電路或元件，使其交流轉直流的 功能更加的穩(wěn)定。進一步，本實用新型的各LED芯片或者一 LED芯片中的各發(fā)光區(qū)不僅可 以是串聯(lián)，還可以是并聯(lián)或同時串并聯(lián)的連接方式。相對于現(xiàn)有技術，本實用新型通過在襯底上集成整流電路形成一交流驅動電路芯 片，然后將LED芯片直接倒裝在該交流驅動電路芯片上，使得發(fā)光器件可直接接入交流電 源，而不需要任何外置的集成電路器件或者電子零件，節(jié)省了組裝空間，提高了使用的靈活 性。進一步，本實用新型通過將LED芯片倒裝焊接在襯底上，不需以打線或電路板連接等方 式接駁，提高了其可靠性。此外，不論是以單顆LED芯片上的不同發(fā)光區(qū)域或者以多顆LED 芯片直接與交流電連接使用，在合適的電壓范圍內，所有的LED芯片或發(fā)光區(qū)域在交流電 源的兩個電流方向下都會被點亮，充分利用了 LED的所有發(fā)光區(qū)，使得其發(fā)光區(qū)域的使用 效率得到了提高。本實用新型并不局限于上述實施方式，如果對本實用新型的各種改動或變形不脫 離本實用新型的精神和范圍，倘若這些改動和變形屬于本實用新型的權利要求和等同技術 范圍之內，則本實用新型也意圖包含這些改動和變形。
權利要求一種使用交流電的發(fā)光器件，其特征在于包括至少一LED芯片；以及交流驅動電路芯片，其包括一襯底和集成在所述襯底上的整流電路；所述LED芯片倒裝在所述交流驅動電路芯片的襯底上，并與整流電路電連接，該交流驅動電路芯片將交流電轉換為直流電以提供給所述LED芯片。
2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于所述整流電路為橋式整流電路。
3.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于所述整流電路包括在襯底上形成的 第一二極管、第二二極管、第三二極管和第四二極管；一絕緣層覆蓋在襯底的上表面，在各 二極管的P、N極對應的絕緣層處具有接觸孔；一第一金屬線層設置在絕緣層的上表面，并 通過接觸孔分別與各二極管的P、N極電連接；第一二極管的P極與第四二極管的N極通過 第一金屬線層連接至襯底上的一電源連接端，第二二極管的P極與第三二極管的N極通過 第一金屬線層連接至襯底上的另一電源連接端；在該第一二極管和第二二極管的N極通過 第一金屬線層電連接形成一 N型連接端；其該第三二極管和第四二極管的P極通過第一金 屬線層電連接形成一 P型連接端，所述LED芯片的P極與N型連接端電連接，LED芯片的N 極與P型連接端電連接。
4.根據(jù)權利要求3所述的發(fā)光器件，其特征在于在所述P型連接端和N型連接端的 上表面分別設置有一金屬焊墊，在二電源連接端上表面分別設置有一外接焊墊。
5.根據(jù)權利要求4所述的發(fā)光器件，其特征在于在所述金屬焊墊的上表面設置有一 凸點焊球，所述LED芯片通過該凸點焊球與所述襯底電連接。
6.根據(jù)權利要求3要求所述的發(fā)光器件，其特征在于該發(fā)光器件包括一LED芯片，該 LED芯片包括多個相互獨立的發(fā)光區(qū)，每個發(fā)光區(qū)具有P極和N極，并通過所述LED芯片上 的第二金屬線層串聯(lián)或并聯(lián)或混聯(lián)，所述LED芯片的前端發(fā)光區(qū)的P極與襯底的N型連接 端電連接，后端發(fā)光區(qū)的N極與襯底的P型連接端電連接。
7.根據(jù)權利要求3所述的發(fā)光器件，其特征在于該發(fā)光器件包括一LED芯片，該LED 芯片包括多個相互獨立的發(fā)光區(qū)，每個發(fā)光區(qū)具有P極和N極，并通過所述襯底上的第一金 屬線層串聯(lián)或并聯(lián)或混聯(lián)，所述LED芯片的前端發(fā)光區(qū)的P極與襯底的N型連接端電連接， 后端發(fā)光區(qū)的N極與襯底的P型連接端電連接。
8.根據(jù)權利要求3所述的發(fā)光器件，其特征在于該發(fā)光器件包括多個相互獨立的LED 芯片，每個LED芯片具有P極和N極，并通過所述襯底上的第一金屬線層串聯(lián)或并聯(lián)或混 聯(lián)，前端LED芯片的P極與襯底的N型連接端電連接，后端LED芯片的N極與襯底的P型連 接端電連接。
9.根據(jù)權利要求1-8中任意一權利要求所述的發(fā)光器件，其特征在于所述發(fā)光器件 還包括一濾波電路，其集成在所述交流驅動電路芯片的襯底上，并串接在所述整流電路與 交流電源之間。
10.根據(jù)權利要求9所述的發(fā)光器件，其特征在于所述濾波電路由相互并聯(lián)的一電阻 和一電容組成。
11.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光器件，其特征在于所述電阻設置在所述襯底上的絕 緣層的上表面。
12.根據(jù)權利要求11所述的發(fā)光器件，其特征在于所述電阻在所述絕緣層表面呈迂回形狀。
13.根據(jù)權利要求10-12中任意一權利要求所述的發(fā)光器件，其特征在于所述電容的 結構是導電層_絕緣層-導電層的三層結構，其中，所述電容底部的導電層設置在絕緣層上 并與所述第一金屬線層電連接，所述電容頂部的導電層通過一第三金屬線層連接至與電源 連接端連接的第一金屬線層上。
專利摘要本實用新型涉及一種使用交流電的發(fā)光器件，包括至少一LED芯片和交流驅動電路芯片，交流驅動電路芯片包括一襯底和集成在襯底上的整流電路。LED芯片倒裝在交流驅動電路芯片的襯底上，并與整流電路電連接，交流驅動電路芯片將交流電轉換為直流電以提供給LED芯片。本實用新型的發(fā)光器件可直接接入交流電中使用而不需要任何外置集成電路器件或電子零件，節(jié)省了組裝空間，提高了使用的靈活性，同時提高了發(fā)光區(qū)域的使用效率。
文檔編號F21S2/00GK201680214SQ20102021313
公開日2010年12月22日 申請日期2010年5月24日 優(yōu)先權日2010年5月24日
發(fā)明者周玉剛, 姜志榮, 曾照明, 王瑞珍, 肖國偉, 許朝軍, 賴燃興 申請人:晶科電子(廣州)有限公司