專利名稱：等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體處理裝置。
背景技術(shù)：
以往以來，在半導(dǎo)體裝置的制造工序等工序中，使用利用等離子體對(duì)半導(dǎo)體晶圓、 液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進(jìn)行處理的等離子體處理裝置，例如等離子體蝕刻裝置、 等離子體CVD裝置等。作為上述的等離子體處理裝置，例如在處理腔室內(nèi)設(shè)置載置基板的載置臺(tái)，在該載置臺(tái)上配置有用于吸附基板的靜電吸盤的等離子體處理裝置為人所知。對(duì)于如上述地在載置臺(tái)上配置有靜電吸盤的等離子體處理裝置，為了保護(hù)靜電吸盤免受等離子體影響，使載置臺(tái)的載置面的形狀呈凸?fàn)睿⑹乖撏範(fàn)畹妮d置面的大小比基板稍小，配置于載置面的靜電吸盤的吸附面不暴露在等離子體中的結(jié)構(gòu)為人所知。此外，對(duì)于在半導(dǎo)體晶圓等基板的周圍設(shè)有聚焦環(huán)的結(jié)構(gòu)的等離子體處理裝置， 除設(shè)置半導(dǎo)體晶圓吸附用的靜電吸盤之外，還設(shè)置聚焦環(huán)吸附用的靜電吸盤，通過將聚焦環(huán)吸附在載置臺(tái)上，利用在載置臺(tái)內(nèi)循環(huán)的調(diào)溫介質(zhì)也進(jìn)行聚焦環(huán)的溫度調(diào)節(jié)的方法為人所知(例如參照專利文獻(xiàn)1)。另外，對(duì)于處理例如直徑300mm的半導(dǎo)體晶圓的等離子體處理裝置，形成為凸?fàn)畹妮d置臺(tái)的載置面的直徑(靜電吸盤的吸附面的直徑)例如設(shè)為 ^Smm左右，通過使靜電吸盤的吸附面處于全部被半導(dǎo)體晶圓覆蓋的狀態(tài)，從而在處理中使靜電吸盤的吸附面不暴露在等離子體中。另外，在該情況下，使埋設(shè)于靜電吸盤的吸附面內(nèi)的靜電吸盤用電極的直徑比吸附面的直徑更小。此外，將薄板狀的聚焦環(huán)載置在與半導(dǎo)體晶圓同一平面上，使聚焦環(huán)的阻抗接近半導(dǎo)體晶圓的阻抗的等離子體處理裝置也為人所知(例如參照專利文獻(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)1 日本特開平10_303觀8號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2004-235623號(hào)公報(bào)如上所述，以往以來，在等離子體處理裝置中，通過使載置基板的載置臺(tái)的載置面和配置于該載置面的靜電吸盤的吸附面的直徑比進(jìn)行等離子體處理的半導(dǎo)體晶圓的直徑小，靜電吸盤的吸附面不暴露在等離子體中?？墒?，對(duì)于上述結(jié)構(gòu)的等離子體處理裝置，因?yàn)榘雽?dǎo)體晶圓的周緣部沒有被靜電吸盤吸附，所以半導(dǎo)體晶圓的周緣部的溫度與其他的部分相比有變高的傾向。因此，由于半導(dǎo)體晶圓的中央部與周緣部之間的溫度的差，在半導(dǎo)體晶圓的中央部與周緣部的等離子體處理的狀態(tài)有時(shí)不同。例如，在蝕刻對(duì)象膜上形成孔的情況下，有時(shí)孔的穿透性在半導(dǎo)體晶圓的中央部與周緣部不同，或蝕刻對(duì)象膜相對(duì)于光致抗蝕劑的選擇比在半導(dǎo)體晶圓的中央部與周緣部不同，該蝕刻對(duì)象膜利用等離子體蝕刻形成在半導(dǎo)體晶圓上。因此，存在等離子體處理的面內(nèi)均勻性變差的問題。另外，上述的專利文獻(xiàn)2的技術(shù)是關(guān)注于阻抗的技術(shù)，而對(duì)溫度沒有考慮。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明應(yīng)對(duì)上述以往的情況，目的在于提供一種通過抑制被處理基板的周緣部的溫度上升，能夠提高等離子體處理的面內(nèi)均勻性，能夠進(jìn)行均勻的等離子體處理的等離子體處理裝置。本發(fā)明的等離子體處理裝置的一技術(shù)方案的特征在于，具有處理腔室，能夠?qū)⒃撎幚砬皇业膬?nèi)部氣密地閉塞；處理氣體供給機(jī)構(gòu)，用于向上述處理腔室內(nèi)供給處理氣體； 排氣機(jī)構(gòu)，用于從上述處理腔室內(nèi)排氣；等離子體生成機(jī)構(gòu)，用于生成上述處理氣體的等離子體；載置臺(tái)，設(shè)于上述處理腔室內(nèi)，且構(gòu)成為將被處理基板和以圍繞該被處理基板的周圍的方式配置的聚焦環(huán)載置在同一平面上；調(diào)溫機(jī)構(gòu)，用于調(diào)節(jié)上述載置臺(tái)的溫度；靜電吸盤，配置于上述載置臺(tái)的上表面，且具有延伸至上述聚焦環(huán)的下部的吸附用電極。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種通過抑制被處理基板的周緣部的溫度上升，能夠提高等離子體處理的面內(nèi)均勻性，能夠進(jìn)行均勻的等離子體處理的等離子體處理裝置。


圖1是示意性地表示本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的等離子體蝕刻裝置的概略結(jié)構(gòu)的圖。圖2是表示圖1的等離子體蝕刻裝置的主要部分結(jié)構(gòu)的圖。圖3是表示變形例所涉及的等離子體蝕刻裝置的主要部分結(jié)構(gòu)的圖。圖4是表示測(cè)量半導(dǎo)體晶圓的溫度分布的結(jié)果的曲線圖。圖5是表示測(cè)量半導(dǎo)體晶圓的各部的光致抗蝕劑的蝕刻速率的結(jié)果的曲線圖。圖6表示以往裝置的主要部分結(jié)構(gòu)的圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖就實(shí)施方式說明本發(fā)明的詳細(xì)內(nèi)容。圖1是示意性地表示本實(shí)施方式所涉及的等離子體蝕刻裝置的主要部分概略結(jié)構(gòu)的圖。等離子體蝕刻裝置1構(gòu)成為電極板上下平行地相對(duì)且連接有等離子體形成用電源的電容耦合型平行平板蝕刻裝置。等離子體蝕刻裝置1包括例如由表面被陽極氧化處理過的鋁等構(gòu)成且成形為圓筒形狀的處理腔室2，該處理腔室2接地。借助由陶瓷等絕緣性的材料形成為圓筒狀的支承構(gòu)件3，在處理腔室2內(nèi)的底部設(shè)有呈大致圓柱狀的基座(載置臺(tái))5。在基座5上，載置作為被處理基板的半導(dǎo)體晶圓W和圍繞該半導(dǎo)體晶圓W周圍的環(huán)狀的聚焦環(huán)15。該聚焦環(huán)15例如由硅等構(gòu)成，具有提高蝕刻的面內(nèi)均勻性的作用。此夕卜，基座5發(fā)揮下部電極的作用，在基座5上連接有高通濾波器(HPF)6。在基座5的內(nèi)部設(shè)有冷卻介質(zhì)室7，在該冷卻介質(zhì)室7中，冷卻介質(zhì)經(jīng)由冷卻介質(zhì)導(dǎo)入管8被導(dǎo)入而循環(huán)并從冷卻介質(zhì)排出管9被排出。然后，在冷卻介質(zhì)室7中循環(huán)的冷卻介質(zhì)的冷熱通過基座5向半導(dǎo)體晶圓W傳導(dǎo)，由此將半導(dǎo)體晶圓W控制至所要的溫度?；?的上側(cè)成形為平面狀，在其平面狀的上側(cè)面設(shè)有靜電吸盤11。如圖2所示， 通過在絕緣層Ila之間夾設(shè)作為導(dǎo)電層的吸附用電極lib而構(gòu)成靜電吸盤11。靜電吸盤11配置為覆蓋基座5的上側(cè)面整體，吸附用電極lib配置為從半導(dǎo)體晶圓W的周緣部向外側(cè)延伸，并延伸至聚焦環(huán)15的下部。從圖1所示的直流電源13對(duì)該靜電吸盤11的吸附用電極lib施加例如1. 5kV的直流電壓。由此，利用例如庫侖力靜電吸附半導(dǎo)體晶圓W和聚焦環(huán)15。在基座5、靜電吸盤11中，形成有用于向半導(dǎo)體晶圓W的背面供給傳熱介質(zhì)(例如 He氣體等)的氣體通路14，借助該傳熱介質(zhì)將基座5的冷熱經(jīng)由靜電吸盤11傳導(dǎo)至半導(dǎo)體晶圓W，使半導(dǎo)體晶圓W維持在規(guī)定的溫度。如上所述，對(duì)于本實(shí)施方式的等離子體蝕刻裝置1，基座5的上側(cè)不呈凸?fàn)疃浅尚螢槠矫鏍?，靜電吸盤11的吸附用電極lib配置為從半導(dǎo)體晶圓W的周緣部向外側(cè)延伸， 并延伸至聚焦環(huán)15的下部。因而，半導(dǎo)體晶圓W處于直到其周緣部為止其整體被靜電吸盤 11吸附的狀態(tài)。由此，利用基座5的冷熱對(duì)半導(dǎo)體晶圓W的整體進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)，能夠抑制半導(dǎo)體晶圓W的周緣部的溫度上升。此外，對(duì)于本實(shí)施方式，因?yàn)槲接秒姌Olib延伸至聚焦環(huán)15的下部，所以成為能夠利用1個(gè)吸附用電極lib靜電吸附半導(dǎo)體晶圓W和硅制的聚焦環(huán)15的結(jié)構(gòu)。如上述地使基座5的上表面包括至聚焦環(huán)15的載置部地成為平面狀，成為通過1個(gè)吸附用電極lib 吸附半導(dǎo)體晶圓W和聚焦環(huán)15的結(jié)構(gòu)，因此能夠無需另外形成用于吸附聚焦環(huán)15的吸附用電極的工序地容易實(shí)現(xiàn)聚焦環(huán)15的吸附結(jié)構(gòu)。構(gòu)成靜電吸盤11的絕緣層Ila和吸附用電極lib能夠在構(gòu)成基座5的、由鋁等形成的基材上利用噴鍍形成。如上述地利用噴鍍形成絕緣層Ila等時(shí)，絕緣層Ila被等離子體切削，在其厚度減少的情況下，能夠利用噴鍍進(jìn)行修補(bǔ)。此外，因?yàn)槟軌蛲ㄟ^一次的噴鍍而形成用于吸附半導(dǎo)體晶圓W和聚焦環(huán)15的吸附用電極，所以能夠廉價(jià)地實(shí)現(xiàn)聚焦環(huán)15 的吸附結(jié)構(gòu)。作為構(gòu)成絕緣層Ila的材料，能夠使用例如Al2O3J2O3等陶瓷。^O3具有對(duì)等離子體的抵抗性高、難于被等離子體切削的特性。此外，在使用與半導(dǎo)體晶圓相同材質(zhì)的硅的情況下，能夠防止半導(dǎo)體晶圓被不同材質(zhì)的物質(zhì)污染。此外，作為構(gòu)成聚焦環(huán)15的材料，能夠使用硅、氮化硅。如圖2所示，在靜電吸盤11上載置半導(dǎo)體晶圓W時(shí)，在半導(dǎo)體晶圓W的周緣部與聚焦環(huán)15的內(nèi)周部之間，根據(jù)與半導(dǎo)體晶圓W的輸送精度等的關(guān)系，形成例如0. 5mm 2mm 左右的間隔C。然后，等離子體從該間隔C的部分進(jìn)入，該部分的靜電吸盤11的絕緣層Ila 被等離子體切削得最為嚴(yán)重。于是，吸附用電極lib的上部的絕緣層Ila的厚度變薄，一旦失去絕緣抗性，該靜電吸盤11將無法再繼續(xù)使用。因此，如圖3所示，優(yōu)選設(shè)置彎曲部11c，該彎曲部Ilc在吸附用電極lib的、位于半導(dǎo)體晶圓W與聚焦環(huán)15之間的交界部分的部分(位于間隔C的下方的部分)上，成為朝向下方彎曲的形狀。通過如上述地在吸附用電極lib上設(shè)置彎曲部11c，能夠延長(zhǎng)直到失去絕緣抗性為止的使用時(shí)間，能夠謀求靜電吸盤11的長(zhǎng)壽命化。另外，吸附用電極lib的上部的絕緣層Ila的厚度例如為幾百微米左右，在該情況下優(yōu)選使從吸附用電極lib在彎曲部Ilc向下方彎曲幾十微米到一百微米左右。如圖1所示，在基座5的上方，與該基座5平行相對(duì)地設(shè)有上部電極21。該上部電極21借助絕緣材22被支承于處理腔室2的上部。上部電極21由電極板M、電極支承體25構(gòu)成，該電極支承體25支承該電極板24、且由導(dǎo)電性材料構(gòu)成。電極板M例如由導(dǎo)電體或半導(dǎo)體構(gòu)成，具有多個(gè)噴出孔23。該電極板M形成與基座5的相對(duì)面。在上部電極21的電極支承體25的中央設(shè)置氣體導(dǎo)入口沈，在該氣體導(dǎo)入口沈上連接有氣體供給管27。而且在該氣體供給管27上，經(jīng)由閥觀以及質(zhì)量流量控制器四，連接有處理氣體供給源30。從處理氣體供給源30供給用于等離子體蝕刻處理的處理氣體。在處理腔室2的底部連接有排氣管31，在該排氣管31上連接有排氣裝置35。排氣裝置35包括渦輪分子泵等真空泵，且構(gòu)成為能夠?qū)⑻幚砬皇?內(nèi)抽真空至規(guī)定的減壓氣氛，例如IPa以下的規(guī)定的壓力。此外，在處理腔室2的側(cè)壁上設(shè)有閘閥32，在打開該閘閥 32的狀態(tài)下，半導(dǎo)體晶圓W在相鄰的加載互鎖真空室(未圖示)之間被輸送。在上部電極21上連接有第1高頻電源40，在該第1高頻電源40的供電線的中途插入有匹配器41。此外，在上部電極21上連接有低通濾波器(LPF)42。該第1高頻電源40 例如構(gòu)成為，輸出50MHz 150MHz的范圍的頻率的高頻電力。通過如上述地對(duì)上部電極21 施加頻率高的高頻電力，能夠在處理腔室2內(nèi)形成較為理想的解離狀態(tài)且高密度的等離子體。在作為下部電極的基座5上連接有第2高頻電源50，在該第2高頻電源50的供電線的中途插入有匹配器51。該第2高頻電源50輸出比第1高頻電源40頻率低的高頻電力，通過施加如上述的低頻率的高頻電力，能夠?qū)ψ鳛楸惶幚砘宓陌雽?dǎo)體晶圓W不造成損傷地施加適當(dāng)?shù)碾x子作用。作為第2高頻電源50的頻率，可以使用20MHz以下左右的頻率(對(duì)于本實(shí)施方式為13. 56MHz)。上述結(jié)構(gòu)的等離子體蝕刻裝置1由控制部60統(tǒng)一控制其動(dòng)作。在該控制部60中， 設(shè)有包括CPU且用于控制等離子體蝕刻裝置1的各部的過程控制器(process control)6U 用戶界面部62和存儲(chǔ)部63。用戶界面部62由工程管理人員為了管理等離子體蝕刻裝置1而進(jìn)行輸入命令的操作的鍵盤、可視化地顯示等離子體蝕刻裝置1的運(yùn)轉(zhuǎn)狀況的顯示器等構(gòu)成。在存儲(chǔ)部63中存儲(chǔ)有制程程序，該制程程序存儲(chǔ)有用于利用過程控制器61的控制實(shí)現(xiàn)在等離子體蝕刻裝置1中進(jìn)行的各種處理的控制程序(軟件)、處理?xiàng)l件數(shù)據(jù)等。然后，根據(jù)需要，通過按照來自用戶界面部62的指示等從存儲(chǔ)部63調(diào)用任意的制程程序并使過程控制器61執(zhí)行，從而在過程控制器61的控制下，在等離子體蝕刻裝置1中進(jìn)行所希望的處理。此外，對(duì)于控制程序、處理?xiàng)l件數(shù)據(jù)等制程程序而言，也可以利用存儲(chǔ)在能夠通過計(jì)算機(jī)讀取的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如硬盤、CD、軟盤、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器等)等中的狀態(tài)下的制程程序，或者從其他裝置，例如經(jīng)由專用線路而進(jìn)行隨時(shí)傳輸?shù)芈?lián)機(jī)地利用。在利用圖1所示的等離子體處理裝置1進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓W的等離子體蝕刻的情況下，首先，在打開閘閥32之后，從未圖示的加載互鎖真空室將半導(dǎo)體晶圓W搬入處理腔室2 內(nèi)，并載置于靜電吸盤11上。然后，通過由直流電源13施加直流電壓，半導(dǎo)體晶圓W被靜電吸附于靜電吸盤11上。接著，關(guān)閉閘閥32，利用排氣裝置35將處理腔室2內(nèi)抽真空至規(guī)定的真空度。之后，打開閥觀，一邊利用質(zhì)量流量控制器四調(diào)整來自處理氣體供給源30的規(guī)定的處理氣體的流量，一邊通過處理氣體供給管27、氣體導(dǎo)入口沈向上部電極21的中空部導(dǎo)入該處理氣體，如圖1的箭頭所示，進(jìn)一步通過電極板對(duì)的噴出孔23，對(duì)半導(dǎo)體晶圓W均勻地噴出該處理氣體。然后，將處理腔室2內(nèi)的壓力維持在規(guī)定的壓力。之后，由第1高頻電源40對(duì)上部電極21施加規(guī)定的頻率的高頻電力。由此，在上部電極21與作為下部電極的基座5之間生成高頻電場(chǎng)，使處理氣體解離并等離子化。另一方面，由第2高頻電源50對(duì)作為下部電極的基座5施加頻率比上述的第1高頻電源40低的高頻電力。由此，向基座5 —側(cè)拉入等離子體中的離子，利用離子輔助沉積提高蝕刻的各向異性。在該等離子體蝕刻時(shí)，對(duì)于本實(shí)施方式的等離子體蝕刻裝置1，半導(dǎo)體晶圓W直到周緣部都被靜電吸盤11吸附，能夠抑制半導(dǎo)體晶圓W的周緣部的溫度上升，所以與以往相比能夠提高等離子體蝕刻處理的面內(nèi)均勻性，能夠進(jìn)行均勻的等離子體蝕刻處理。然后，完成規(guī)定的等離子體蝕刻處理時(shí)，停止高頻電力的供給和處理氣體的供給， 按照與上述步驟相反的步驟，將半導(dǎo)體晶圓W從處理腔室2內(nèi)搬出。圖4的曲線圖表示，在直徑300mm(半徑150mm)的半導(dǎo)體晶圓上，使等離子體作用 60秒而進(jìn)行蝕刻時(shí)，測(cè)量半導(dǎo)體晶圓各部的溫度的結(jié)果。圖4的縱軸表示溫度，橫軸表示距晶圓中心的距離，虛線(標(biāo)記 )表示以往的裝置的情況，實(shí)線(標(biāo)記Δ)、點(diǎn)劃線(標(biāo)記X)、雙點(diǎn)劃線(標(biāo)記□)表示本實(shí)施方式的情況。此外，實(shí)線(標(biāo)記Δ )為使用Al2O3的噴鍍被膜的ESC和厚度為1. 4mm的硅制聚焦環(huán)的情況，點(diǎn)劃線(標(biāo)記X)為使用^O3的噴鍍被膜的ESC和厚度為1. 4mm的硅制聚焦環(huán)的情況，雙點(diǎn)劃線(標(biāo)記口)為使用^O3的噴鍍被膜的ESC和厚度為2. Omm的硅制聚焦環(huán)的情況。如圖6所示，所謂的虛線(標(biāo)記 )的以往的裝置的情況為，載置臺(tái)(基座)105 形成為中央部向上方突出的凸?fàn)?，由絕緣層Illa和作為導(dǎo)電層的吸附用電極Illb構(gòu)成的靜電吸盤111的直徑設(shè)為比半導(dǎo)體晶圓W的直徑小，聚焦環(huán)115配置于形成在載置臺(tái)(基座)105周圍的臺(tái)階部上。如圖4所示，可以看出，相對(duì)于在以往的裝置的情況下半導(dǎo)體晶圓W的周緣部的溫度大幅上升，在本實(shí)施方式中能夠抑制半導(dǎo)體晶圓W的周緣部的溫度的上升。圖5的(a)、(b)的曲線圖表示在以往的裝置與本實(shí)施方式的等離子體蝕刻裝置 (使用Al2O3的噴鍍被膜的ESC和厚度為1. 4mm的硅制聚焦環(huán))進(jìn)行等離子體蝕刻處理時(shí)， 測(cè)量半導(dǎo)體晶圓的各部的光致抗蝕劑的蝕刻速率的結(jié)果。在這些曲線圖中，縱軸表示蝕刻速率，橫軸表示距晶圓中心的距離。此外，虛線表示沿著X軸的位置的蝕刻速率，實(shí)線表示沿著與X軸正交的Y軸的位置的蝕刻速率。如圖5的(a)所示，在以往的裝置的情況下，在半導(dǎo)體晶圓W的周緣部中光致抗蝕劑的蝕刻速率急劇地上升。相對(duì)于此，如圖5的(b)所示，在本實(shí)施方式的情況下，能夠抑制在半導(dǎo)體晶圓W的周緣部中光致抗蝕劑的蝕刻速率的上升。由此，能夠抑制在半導(dǎo)體晶圓W 的周緣部，光致抗蝕劑與例如蝕刻對(duì)象的硅氧化膜等的選擇比下降。另外，在圖5的(a)所示的以往的裝置的情況下，面內(nèi)的平均蝕刻速率為57. 4nm/min (面內(nèi)的均勻性為士 10% )， 而在圖5的(b)所示的實(shí)施方式的情況下，面內(nèi)的平均蝕刻速率為57. Snm/min(面內(nèi)的均勻性為士6. 1%)，與以往的裝置的情況相比，本實(shí)施方式能夠提高面內(nèi)的均勻性。由此，通過抑制半導(dǎo)體晶圓W的周緣部的溫度上升，能夠提高光致抗蝕劑的選擇比的面內(nèi)均勻性。此外，本發(fā)明并不僅限定于上述的實(shí)施方式，可以進(jìn)行各種的變形。例如，等離子體蝕刻裝置不限于圖1所示的平行平板型的上下部高頻施加型，也能夠應(yīng)用于只對(duì)下部電極施加1種或2種頻率的高頻電力的類型的等離子體蝕刻裝置等。此外，不限于等離子體蝕刻裝置，例如只要是成膜裝置等使用等離子體的處理裝置，都能夠應(yīng)用本發(fā)明。附圖標(biāo)記的說明1、等離子體蝕刻裝置；2、處理腔室；5、基座；11、靜電吸盤；11a、絕緣層；lib、吸附用電極；15、聚焦環(huán)；W、半導(dǎo)體晶圓。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，具有處理腔室，其能夠?qū)⒃撎幚砬皇业膬?nèi)部氣密地閉塞；處理氣體供給機(jī)構(gòu)，其用于向上述處理腔室內(nèi)供給處理氣體；排氣機(jī)構(gòu)，其用于從上述處理腔室內(nèi)排氣；等離子體生成機(jī)構(gòu)，其用于生成上述處理氣體的等離子體；載置臺(tái)，其設(shè)于上述處理腔室內(nèi)，且構(gòu)成為將被處理基板和以圍繞該被處理基板的周圍的方式配置的聚焦環(huán)載置在同一平面上；調(diào)溫機(jī)構(gòu)，其用于調(diào)節(jié)上述載置臺(tái)的溫度；靜電吸盤，其配置于上述載置臺(tái)的上表面，且具有延伸至上述聚焦環(huán)的下部的吸附用電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述靜電吸盤的上述吸附用電極的位于上述被處理基板與上述聚焦環(huán)之間的交界部分的部分成為朝向下方彎曲的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述靜電吸盤具有在絕緣層之間夾設(shè)有上述吸附用電極的結(jié)構(gòu)，上述絕緣層和上述吸附用電極利用噴鍍形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述等離子體生成機(jī)構(gòu)通過向上述載置臺(tái)與上部電極之間供給高頻電力而生成上述處理氣體的等離子體，該上部電極以與該載置臺(tái)相對(duì)的方式配置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述靜電吸盤的絕緣層是由IO3或Al2O3構(gòu)成的噴鍍被膜。
全文摘要
本發(fā)明提供一種通過抑制被處理基板的周緣部的溫度上升，能夠提高等離子體處理的面內(nèi)均勻性，能夠進(jìn)行均勻的等離子體處理的等離子體處理裝置。該等離子體處理裝置具有處理腔室，能夠?qū)⒃撎幚砬皇业膬?nèi)部氣密地閉塞；處理氣體供給機(jī)構(gòu)，用于向處理腔室內(nèi)供給處理氣體；排氣機(jī)構(gòu)，用于從處理腔室內(nèi)排氣；等離子體生成機(jī)構(gòu)，用于生成處理氣體的等離子體；載置臺(tái)，設(shè)于處理腔室內(nèi)，且構(gòu)成為將被處理基板和以圍繞該被處理基板的周圍的方式配置的聚焦環(huán)載置在同一平面上；調(diào)溫機(jī)構(gòu)，用于調(diào)節(jié)載置臺(tái)的溫度；靜電吸盤，配置于載置臺(tái)的上表面且具有延伸至聚焦環(huán)的下部的吸附用電極。
文檔編號(hào)H01J37/32GK102468106SQ201110353550
公開日2012年5月23日 申請(qǐng)日期2011年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月9日
發(fā)明者菊池英一郎, 長(zhǎng)山將之 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社