等離子顯示屏及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種等離子顯示屏及其制作方法。該等離子顯示屏包括上基板、下基板以及由上基板和下基板封接形成的放電單元，其中，上基板朝向放電單元的表面上設(shè)置有介質(zhì)保護層，介質(zhì)保護層上設(shè)置有量子點層。量子點內(nèi)部電子從價帶會躍遷到導(dǎo)帶，由于導(dǎo)帶的能量狀態(tài)不穩(wěn)定，會再回到價帶，多余能量以光形式發(fā)出。由于能級裂化及量子限域效應(yīng)，發(fā)射光的波長分布窄。由于PDP的發(fā)光主要依靠熒光粉吸收300nm以下的真空紫外光，然后轉(zhuǎn)換為可見光。因此，調(diào)整量子點的尺寸，使其可轉(zhuǎn)換發(fā)出300nm以下的真空紫外光，極大地提高了PDP的發(fā)光效率。
【專利說明】等離子顯示屏及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及等離子顯示屏的制造領(lǐng)域，具體而言，涉及一種等離子顯示屏及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子顯示屏是一種由氣體放電來產(chǎn)生發(fā)光的新型顯示器件，其最大的特點是輕、薄，色彩豐富，容易作大畫面并且無視角的問題，可以稱其為一種劃時代的顯示裝置。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中的等離子顯示屏通常具有如下結(jié)構(gòu)，如圖1所示，前基板10’上設(shè)置有放電電極，放電電極包括ITO電極11’及其上設(shè)置的BUS電極12’，透明介質(zhì)層13’覆蓋在放電電極及前基板10’上，介質(zhì)保護膜層14’采用電子束蒸鍍的方法蒸鍍在透明介質(zhì)層13’上。后基板20’上設(shè)置有尋址電極21’，尋址電極21’及后基板20’上設(shè)置有介質(zhì)層22’，介質(zhì)層22’上設(shè)置有障壁23’，障壁23’的側(cè)壁內(nèi)填充有熒光粉層24’。前基板10’與后基板20’對合封接后由障壁23’間隔形成多個放電單元，其中，放電單元中充有惰性氣體。放電開始之后，充入放電單元中的惰性氣體受到激發(fā)，會發(fā)射出真空紫外線，真空紫外線激發(fā)熒光粉24’，熒光粉24’發(fā)射出可見光25’，可見光25’透過前基板10’，成為進入觀看者眼中的光線26’。
[0004]為了提高此傳統(tǒng)PDP面板的光效，有報道使用碳納米管制作在介質(zhì)保護層上。但碳納米管的使用遇到的主要問題是:1、在介質(zhì)保護層上均勻生長困難，技術(shù)上存在極大障礙；2、碳納米管生長的介質(zhì)保護層上降低了前基板的光線透過率，一定程度上會降低光效。

【發(fā)明內(nèi)容】

`[0005]本發(fā)明旨在提供一種等離子顯示屏及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中提高等離子顯示屏光效低的技術(shù)問題。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種等離子顯示屏。該等離子顯示屏包括上基板、下基板以及由上基板和下基板封接形成的放電單元，其中，上基板朝向放電單元的表面上設(shè)置有介質(zhì)保護層，介質(zhì)保護層上設(shè)置有量子點層。
[0007]進一步地，量子點層覆蓋介質(zhì)保護層面積的5^-20?^
[0008]進一步地，量子點層以均勻分散的量子點顆粒的形式設(shè)置介質(zhì)保護層上。
[0009]進一步地,量子點顆粒的粒徑為l-10nm。
[0010]進一步地,量子點顆粒的粒徑為l_5nm。
[0011]進一步地，構(gòu)成量子點層的量子點材料是經(jīng)放電產(chǎn)生的電子或離子轟擊后能夠發(fā)出波長在300nm以下的真空紫外光的物質(zhì)。
[0012]進一步地，量子點材料具有核-殼式結(jié)構(gòu)，核結(jié)構(gòu)材料為CdSe、ZnSe或CdS，殼結(jié)構(gòu)材料是ZnS。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種等離子顯示屏的制備方法。該制備方法包括以下步驟:1)基板制作步驟，形成上基板及下基板，并在上基板上設(shè)置介質(zhì)保護層；2)封接步驟，封接上基板和下基板形成放電單元，在基板制作步驟與封接步驟之間進一步包括:在介質(zhì)保護層上形成量子點層。
[0014]進一步地，采用印刷或噴涂的方法形成量子點層。
[0015]進一步地，量子點層是由核結(jié)構(gòu)材料為CdSe、ZnSe或CdS，殼結(jié)構(gòu)材料是ZnS的量子點材料形成的。
[0016]本發(fā)明的等離子顯示屏的介質(zhì)保護層上設(shè)置有量子點層，放電空間中存在的大量正尚子、電子、光子會不斷撞擊此量子點層。在外來能量的撞擊下，量子點內(nèi)部電子從價帶會躍遷到導(dǎo)帶，由于導(dǎo)帶的能量狀態(tài)不穩(wěn)定，會再回到價帶，多余能量以光形式發(fā)出。由于能級裂化及量子限域效應(yīng)，發(fā)射光的波長分布窄。由于rop的發(fā)光主要依靠熒光粉吸收300nm以下的真空紫外光，然后轉(zhuǎn)換為可見光。因此，調(diào)整量子點的尺寸，使其可轉(zhuǎn)換發(fā)出300nm以下的真空紫外光，極大的提高PDP的發(fā)光效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]說明書附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0018]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中的等離子顯示屏放電單元截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子顯示屏放電單元局部截面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0020]需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細說明本發(fā)明。
[0021]量子點俗稱“人造原子”，是一種三維尺寸均低于IOnm的半導(dǎo)體納米晶體。由于粒徑較小，電子和空穴的活動受限，產(chǎn)生量子限域效應(yīng)(quantum confinement effect),能帶嚴重裂化，電子能級變?yōu)榉至⒌莫毩⒛芗墶Ｓ捎诖霜毩⒛芗壍拇嬖?，使量子點具有良好的電致發(fā)光和光致發(fā)光效果。
[0022]根據(jù)本發(fā)明一種典型的實施方式，該等離子顯示屏包括上基板、下基板以及由上基板和下基板封接形成的放電單元，其中，上基板朝向放電單元的表面上設(shè)置有介質(zhì)保護層，介質(zhì)保護層上設(shè)置有量子點層，由于放電空間中存在的大量正離子、電子、光子會不斷撞擊此量子點層，在外來能量的撞擊下，量子點內(nèi)部電子從價帶會躍遷到導(dǎo)帶，由于導(dǎo)帶的能量狀態(tài)不穩(wěn)定，會再回到價帶，多余能量以光形式發(fā)出。由于能級裂化及量子限域效應(yīng)，發(fā)射光的波長分布窄。由于F1DP的發(fā)光主要依靠突光粉吸收300nm以下的真空紫外光,然后轉(zhuǎn)換為可見光。因此，調(diào)整量子點的尺寸，使其可轉(zhuǎn)換發(fā)出300nm以下的真空紫外光，極大的提高I3DP的發(fā)光效率。
[0023]優(yōu)選地，量子點層覆蓋介質(zhì)保護層面積的5% _20%，在不擋住光線的前提下，有效的起到增加真空紫外發(fā)射的作用。優(yōu)選地，量子點層以均勻分散的量子點顆粒的形式設(shè)置介質(zhì)保護層上，量子點顆粒的粒徑為Ι-lOnm，效果較好，優(yōu)選地，量子點顆粒的粒徑為l_5nm0
[0024]優(yōu)選地，構(gòu)成量子點層的量子點材料是經(jīng)放電產(chǎn)生的電子或離子轟擊后能夠發(fā)出波長在300nm以下的真空紫外光的物質(zhì)，以有效的提高I3DP的發(fā)光效率。[0025]根據(jù)本發(fā)明一種典型的實施方式，量子點材料具有核-殼式結(jié)構(gòu)，核結(jié)構(gòu)材料為CdSe,ZnSe或CdS，殼結(jié)構(gòu)材料是ZnS，具有此結(jié)構(gòu)的量子點材料穩(wěn)定性能好，采用其制備的等離子顯示屏也具有較好的性能。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，根據(jù)本發(fā)明一種典型的實施方式，該等離子顯示屏的制備方法包括以下步驟:1)基板制作步驟，形成上基板及下基板，并在上基板上設(shè)置介質(zhì)保護層；2)封接步驟，封接上基板和下基板形成放電單元，在基板制作步驟與封接步驟之間進一步包括:在介質(zhì)保護層上形成量子點層。
[0027]優(yōu)選地，采用印刷或噴涂的方法形成量子點層，此方法簡單易行，且形成的量子點層均勻。
[0028]優(yōu)選地，量子點層是由核結(jié)構(gòu)材料為CdSe、ZnSe或CdS，殼結(jié)構(gòu)材料是ZnS的量子點材料形成的，以保證形成的等離子顯示屏性能的穩(wěn)定性。
[0029]下面將結(jié)合實施例進一步說明本發(fā)明的有益效果。
[0030]實施例1
[0031]如圖2所示的等離子顯示屏，該等離子顯示屏的前基板10上設(shè)置有放電電極，放電電極包括ITO電極11及其上設(shè)置的BUS電極12，透明介質(zhì)層13覆蓋在放電電極及前基板10上，介質(zhì)保護層14采用電子束蒸鍍的方法蒸鍍在透明介質(zhì)層13上。介質(zhì)保護層14上設(shè)置有量子點層15。其中，量子點層15以均勻分散的量子點顆粒的形式設(shè)置介質(zhì)保護層14上，覆蓋介質(zhì)保護層14面積的5%，量子點顆粒的粒徑為Ι-lOnm，構(gòu)成量子點層的量子點材料是經(jīng)放電產(chǎn)生的電子或離子轟擊后能夠發(fā)出波長在300nm以下的真空紫外光的物質(zhì)。核結(jié)構(gòu)材料為CdSe、ZnS e和CdS，殼結(jié)構(gòu)材料是ZnS，采用印刷的方法形成量子點層。
[0032]實施例2
[0033]如圖2所示的等離子顯示屏，該等離子顯示屏的前基板10上設(shè)置有放電電極，放電電極包括ITO電極11及其上設(shè)置的BUS電極12，透明介質(zhì)層13覆蓋在放電電極及前基板10上，介質(zhì)保護層14采用電子束蒸鍍的方法蒸鍍在透明介質(zhì)層13上。介質(zhì)保護層14上設(shè)置有量子點層15。其中，量子點層15以均勻分散的量子點顆粒的形式設(shè)置介質(zhì)保護層14上，覆蓋介質(zhì)保護層14面積的20%，量子點顆粒的粒徑為l_5nm，構(gòu)成量子點層的量子點材料是經(jīng)放電產(chǎn)生的電子或離子轟擊后能夠發(fā)出波長在300nm以下的真空紫外光的物質(zhì)。核結(jié)構(gòu)材料為CdSe、ZnSe和CdS，殼結(jié)構(gòu)材料是ZnS，采用噴涂的方法形成量子點層。
[0034]對比例
[0035]具有圖1所示結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏。
[0036]對實施例1-2及對比例的等離子顯示屏進行光效測試，結(jié)果如表1中所示:
[0037]表1
[0038]
【權(quán)利要求】
1.一種等離子顯示屏，包括上基板、下基板以及由所述上基板和下基板封接形成的放電單元，其中，所述上基板朝向所述放電單元的表面上設(shè)置有介質(zhì)保護層，其特征在于，所述介質(zhì)保護層上設(shè)置有量子點層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述量子點層覆蓋所述介質(zhì)保護層面積的5%-20%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述量子點層以均勻分散的量子點顆粒的形式設(shè)置所述介質(zhì)保護層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述量子點顆粒的粒徑為1-1Onm0
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述量子點顆粒的粒徑為l_5nm0
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示屏，其特征在于，構(gòu)成所述量子點層的量子點材料是經(jīng)放電產(chǎn)生的電子或離子轟擊后能夠發(fā)出波長在300nm以下的真空紫外光的物質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子顯示屏，其特征在于，所述量子點材料具有核-殼式結(jié)構(gòu)，核結(jié)構(gòu)材料為CdSe、ZnSe或CdS，殼結(jié)構(gòu)材料是ZnS。
8.一種等離子顯示屏的制備方法，包括以下步驟: 1)基板制作步驟，形成上基板及下基板，并在所述上基板上設(shè)置介質(zhì)保護層； 2)封接步驟，封接所述上基板和下基板形成放電單元， 其特征在于，在所述基板制作步驟與封接步驟之間進一步包括: 在所述介質(zhì)保護層上形成量子點層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，采用印刷或噴涂的方法形成所述量子點層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述量子點層是由核結(jié)構(gòu)材料為CdSe, ZnSe或CdS，殼結(jié)構(gòu)材料是ZnS的量子點材料形成的。
【文檔編號】H01J11/40GK103871806SQ201110459336
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月31日
【發(fā)明者】張俊兵 申請人:四川虹歐顯示器件有限公司