氣體放電裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種氣體放電裝置。該氣體放電裝置包括相對(duì)設(shè)置的前基板部和后基板部，前基板部與后基板部相對(duì)封接形成多個(gè)放電單元，前基板部包括：前基板；放電電極，沿前基板的前表面延伸；第一絕緣層，覆蓋在前基板的前表面及放電電極上；以及介質(zhì)保護(hù)膜，設(shè)置在前基板的后表面。后基板部包括：本發(fā)明的氣體放電裝置中，前基板部由前基板、沿前基板的前表面延伸的放電電極，覆蓋在前基板的前表面及放電電極上的第一絕緣層；以及設(shè)置在前基板的后表面的介質(zhì)保護(hù)膜構(gòu)成，前基板既作為支撐結(jié)構(gòu)，又直接作為介質(zhì)層，與現(xiàn)有技術(shù)相比節(jié)省了結(jié)構(gòu)，可以在很大程度上降低氣體放電裝置的厚度。
【專利說(shuō)明】氣體放電裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及氣體放電【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言，涉及一種氣體放電裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前大多數(shù)的市售等離子顯示器(rop)商品為表面放電結(jié)構(gòu)，通常具有如圖1-3所示的結(jié)構(gòu)。
[0003]圖1為傳統(tǒng)的AC型彩色等離子顯示器100’的局部結(jié)構(gòu)透視圖。PDP 100’包括一片前基板部103’和一片后基板部106’。前基板部103’包括由玻璃構(gòu)成的前基板110’，維持電極111’和掃描電極112’，其中每個(gè)像素都包含有維持電極和掃描電極。前基板103’上還包括介質(zhì)層113’和介質(zhì)保護(hù)層114’，介質(zhì)保護(hù)層114’ 一般為氧化鎂層。
[0004]后基板部106’包括由玻璃構(gòu)成的后基板115’，上面設(shè)置有很多的欄狀尋址電極116’。尋址的電極116’上面覆蓋一層介質(zhì)層117’。障壁118’將前基板部103’和后基板部106’分隔開(kāi)來(lái)，紅色熒光粉層120’，綠色熒光粉層121’和藍(lán)色熒光粉層122’位于介質(zhì)層上方，障壁118’的側(cè)壁內(nèi)。PDP的每個(gè)像素被定義為由一行維持電極111’和一行掃描電極112’，它們與三列尋址電極116’的交叉點(diǎn)附近的區(qū)域構(gòu)成，每一個(gè)像素包含一紅色熒光粉層120’，一綠色熒光粉層121’，和一藍(lán)色熒光粉層122’。
[0005]圖2為PDP100’局部剖面圖，垂直于圖1所示尋址(ADD)電極116’的短邊方向。具體的，對(duì)應(yīng)于綠色熒光粉層121’的完整的子像素200’。如參考圖2，在一個(gè)表面放電型等離子，惰性氣體的混合物，如Ne-Xe，填充在由前基板部103’和后基板部106’構(gòu)成的空間125’內(nèi)。障壁118’將由障壁118’和前基板部103’和后基板部106’構(gòu)成的空間區(qū)域分隔開(kāi)來(lái)，子像素200’由障壁118’的邊界圍成的區(qū)域及維持電極111’界定的區(qū)域構(gòu)成，放電因維持電極111’和掃描電極112’之間的電壓產(chǎn)生，將會(huì)產(chǎn)生紫外線來(lái)激發(fā)紅、綠、藍(lán)熒光粉層，產(chǎn)生可見(jiàn)光。例如，圖2所示的綠色熒光粉121’，被紫外線激發(fā)，從綠色熒光粉層中產(chǎn)生綠光。子像素200’內(nèi)填充綠色熒光粉121’，在這個(gè)剖面上所看見(jiàn)的相鄰的子像素內(nèi)分別填充藍(lán)色熒光粉122’和紅色熒光粉120’。
[0006]如圖3為PDP100’的另一個(gè)剖面圖，沿著圖1所示尋址電極116’的長(zhǎng)邊方向，展示了與圖2所示子像素200’平面垂直的剖面。圖3所示的子像素200’，其區(qū)域包括一對(duì)前基板110’上的維持電極111’和掃描電極112’組成的放電電極組，與后基板115’上的尋址電極116’垂直相交叉點(diǎn)所包括區(qū)域。透明維持電極111’上有匯流電極(BUS) 119’與之緊密相接，透明掃描電極112’上有匯流電極119’與之相緊密連接，匯流電極是不透光的。
[0007]PDP100’的工作維持電壓是由維持間隙130’，介質(zhì)層113’，使用的放電氣體和前基板110’上的MgO保護(hù)層114’二次電子發(fā)射系數(shù)決定的。維持放電產(chǎn)生的可見(jiàn)光是彩色PDP亮度的主要因素。
[0008]在工作中，如參考圖4為PDP放電工作的驅(qū)動(dòng)示意圖。等離子顯示將一幀畫(huà)面的時(shí)間分割為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)產(chǎn)生一部分子像素要求的合適亮度。每個(gè)子場(chǎng)分為準(zhǔn)備期、尋址期和維持期。其中維持期又分為多個(gè)脈沖周期。準(zhǔn)備期使所有點(diǎn)亮著的像素都關(guān)閉，引發(fā)氣體和保護(hù)層114’表面，使隨后的尋址成為可能。在準(zhǔn)備期，每個(gè)像素的電極間電壓達(dá)到很接近氣體的著火電壓。
[0009]在尋址期，維持電極被相同的電壓驅(qū)動(dòng)，當(dāng)掃描電極也被驅(qū)動(dòng)，一行像素被選擇，處于那一行的像素點(diǎn)通過(guò)在尋址電極上加電壓產(chǎn)生尋址放電，從而尋址。這樣，在尋址期中，要求點(diǎn)亮的像素點(diǎn)依次尋址。
[0010]在維持期中，所有的掃描電極上都加上維持脈沖，使在尋址期被尋址的子像素都反復(fù)的產(chǎn)生等離子放電。也就是說(shuō)，在尋址期被點(diǎn)亮的像素在維持期中反復(fù)的放電，從而產(chǎn)生亮度。
[0011]PDP的厚度對(duì)于大尺寸的等離子電視機(jī)是一個(gè)很重要的構(gòu)成因素，降低PDP的厚度是一直是人們致力研究的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明旨在提供一種氣體放電裝置，該氣體放電裝置具有新型的結(jié)構(gòu)。
[0013]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種氣體放電裝置。該氣體放電裝置包括相對(duì)設(shè)置的前基板部和后基板部，前基板部與后基板部相對(duì)封接形成多個(gè)放電單元，前基板部包括:前基板；放電電極，沿前基板的前表面縱向或橫向延伸；第一絕緣層，覆蓋在前基板的前表面及放電電極上；以及介質(zhì)保護(hù)膜，設(shè)置在前基板的后表面。
[0014]進(jìn)一步地，前基板是厚度為30-200 μ m，介電常數(shù)< 7，不含堿的玻璃。
[0015]進(jìn)一步地，后基板部包括:后基板，其前表面設(shè)置有障壁，所述障壁側(cè)壁內(nèi)設(shè)置有熒光粉層，并且障壁與放電電極垂直設(shè)置；尋址電極，沿后基板的后表面且平行于障壁的方向延伸；以及第二絕緣層，覆蓋在后基板的后表面及尋址電極上。
[0016]進(jìn)一步地，后基板是厚度為30-200 μ m，介電常數(shù)< 7，不含堿的玻璃。
[0017]進(jìn)一步地,介質(zhì)保護(hù)膜由MgO或氧化物MxMg_x0形成,其中0≤χ<1,Μ選自Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Ce、Y、T1、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Na、Al 組成的組中的一種或多種。
[0018]進(jìn)一步地，放電單元中充有放電氣體，放電氣體選自Xe，Ne，Ar，He，Hg，N, OjPF組成的組中的一種或多種。
[0019]進(jìn)一步地，第一絕緣層和第二絕緣層由PET、MET-PET、PE、BOPP、MET-BOPP、CPP、或MET-CPP,以印刷或?qū)訅悍绞街谱鳌?br> [0020]進(jìn)一步地，氣體放電裝置是熒光燈裝置、強(qiáng)放電燈裝置或等離子顯示器。
[0021]進(jìn)一步地，介質(zhì)保護(hù)膜層上噴涂有微晶粉末層，微晶粉末層由Be0、Mg0、CaO、SrO、BaO組成的組中的一種或多種噴涂形成。
[0022]本發(fā)明的氣體放電裝置中，前基板部由前基板、沿前基板的前表面延伸的放電電極，覆蓋在前基板的前表面及放電電極上的第一絕緣層；以及設(shè)置在前基板的后表面的介質(zhì)保護(hù)膜構(gòu)成。前基板既作為支撐結(jié)構(gòu)，又直接作為介質(zhì)層，與現(xiàn)有技術(shù)相比節(jié)省了結(jié)構(gòu)，可以在很大程度上降低氣體放電裝置的厚度。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]說(shuō)明書(shū)附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:[0024]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中AC型彩色等離子顯示器的局部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2示出了根據(jù)圖1的垂直于尋址電極的短邊方向的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3示出了根據(jù)圖1的垂直于尋址電極的長(zhǎng)邊方向的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4示出了等離子顯示器放電工作的驅(qū)動(dòng)示意圖；
[0028]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示器局部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖6示出了根據(jù)圖5的垂直于尋址電極的短邊方向的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0030]圖7示出了根據(jù)圖5的垂直于尋址電極的長(zhǎng)邊方向的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
[0032]根據(jù)本發(fā)明一種典型的實(shí)施方式，該氣體放電裝置包括相對(duì)設(shè)置的前基板部和后基板部，前基板部與后基板部相對(duì)封接形成多個(gè)放電單元，其中，本發(fā)明的氣體放電裝置中，前基板部由前基板、沿前基板的前表面縱向或橫向延伸的放電電極，覆蓋在前基板的前表面及放電電極上的第一絕緣層；以及設(shè)置在前基板的后表面的介質(zhì)保護(hù)膜構(gòu)成。前基板既作為支撐結(jié)構(gòu)，又直接作為介質(zhì)層，與現(xiàn)有技術(shù)相比節(jié)省了結(jié)構(gòu)，可以在很大程度上降低氣體放電裝置的厚度。
[0033]優(yōu)選地，前基板是厚度為30-200 μ m，介電常數(shù)< 7，不含堿的玻璃，制成的前基板
部厚度薄，并具有較好的柔性。
[0034]根據(jù)本發(fā)明一種典型的實(shí)施方式，后基板部由后基板，尋址電極，以及第二絕緣層組成，其中后基板的前表面設(shè)置有障壁，障壁側(cè)壁內(nèi)設(shè)置有熒光粉層，障壁與放電電極垂直設(shè)置，尋址電極沿后基板的后表面且平行于障壁的方向延伸，第二絕緣層覆蓋在后基板的后表面及尋址電極上。后基板同前基板一樣，也既作為支撐結(jié)構(gòu)，又直接作為介質(zhì)層，因此可以進(jìn)一步降低氣體放電裝置的厚度。
[0035]優(yōu)選地，后基板是厚度為30-200 μ m，介電常數(shù)< 7，不含堿的玻璃。這層玻璃作為器件的介質(zhì)層，同時(shí)作為支撐結(jié)構(gòu)。因此，制成的后基板部厚度薄，并具有較好的柔性，前、后基板同時(shí)采用該玻璃，可使制成的氣體放電裝置具有超薄、柔軟的特性。
[0036]優(yōu)選地，介質(zhì)保護(hù)膜由MgO或氧化物MxMg_x0形成，其中O≤ x < I，M選自Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Ce、Y、T1、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Na、Al 組成的組中的一種或多種。介質(zhì)保護(hù)膜提供二次電子，降低器件的著火電壓。優(yōu)選地，放電單元中充有放電氣體，放電氣體選自Xe, Ne, Ar, He, Hg, N, 0，和F組成的組中的一種或多種。
[0037]優(yōu)選地，第一絕緣層和第二絕緣層由PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)、PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)PE(聚乙烯)、PS(聚苯乙烯)、PVA(聚乙烯醇)、BOPP(雙向拉伸型聚丙烯)、CPP (流延性聚丙烯)、或PI (聚酰亞胺)，以印刷或?qū)訅悍绞街谱鳌?br> [0038]根據(jù)本發(fā)明一種典型的實(shí)施方式，氣體放電裝置是熒光燈裝置或強(qiáng)放電燈裝置，其超薄機(jī)柔軟的特性可使其的應(yīng)用范圍得到很大的擴(kuò)展。
[0039]根據(jù)本發(fā)明一種典型的實(shí)施方式，氣體放電裝置是等離子顯示屏。本發(fā)明的等離子顯示屏厚度小于500mm，為制作輕薄等離子顯示器提供了輕薄的顯示屏；而且該顯示屏具有柔韌性，可以進(jìn)行彎曲等操作。本發(fā)明的等離子顯示屏可以是沒(méi)有排氣管的結(jié)構(gòu)設(shè)置，在真空環(huán)境下進(jìn)行封接排氣實(shí)現(xiàn)。
[0040]優(yōu)選地，介質(zhì)保護(hù)膜層上噴涂有微晶粉末層，微晶粉末層由Be0、Mg0、Ca0、Sr0、Ba0組成的組中的一種或多種噴涂形成。
[0041]實(shí)施例1
[0042]本實(shí)施例的氣體放電裝置結(jié)構(gòu)示意圖,如圖5-7所示。FiDPIOO包括相對(duì)設(shè)置的前基板部103和后基板部106，前基板部103與后基板部106相對(duì)封接形成多個(gè)放電單元。前基板部103由前基板110、沿前基板的前表面延伸的放電電極，覆蓋在前基板110的前表面及放電電極上的第一絕緣層123 ;以及設(shè)置在前基板110的后表面的介質(zhì)保護(hù)膜114構(gòu)成。其中，放電電極由維持電極111和掃描電極112組成，其中每個(gè)像素都包含有維持電極和掃描電極。前基板110直接作為介質(zhì)層，上面設(shè)置介質(zhì)保護(hù)層114，介質(zhì)保護(hù)層114為氧化鎂層。
[0043]后基板部106由后基板115,尋址電極116,以及第二絕緣層124組成,其中后基板115的前表面設(shè)置有障壁118及熒光粉層，障壁118與放電電極垂直設(shè)置，尋址電極116沿后基板115的后表面且平行于障壁118延伸，第二絕緣層124覆蓋在后基板115的后表面及尋址電極116上。后基板115直接作為介質(zhì)層，障壁118將前基板部103和后基板部106分隔開(kāi)來(lái)，紅色熒光粉層120，綠色熒光粉層121和藍(lán)色熒光粉層122位于后基板115 (介質(zhì)層)上方,障壁118的側(cè)壁內(nèi)。本發(fā)明的每個(gè)像素被定義為由一行維持電極111和一行掃描電極112，它們與三列尋址電極116的交叉點(diǎn)附近的區(qū)域構(gòu)成，每一個(gè)像素包含一紅色熒光粉層120，一綠色熒光粉層121，和一藍(lán)色熒光體層122。
[0044]本發(fā)明的前基板部103以介質(zhì)保護(hù)層面114相對(duì)于后基板部106的障壁118面對(duì)合，前基板部103的第一絕緣層123及后基板部106的第二絕緣層124在裝置的外部。
[0045]圖6示出了本實(shí)施例的局部剖面圖，垂直于圖5所示尋址(ADD)電極116的短邊方向。具體的，對(duì)應(yīng)于綠 色熒光粉層121的完整的子像素200。在本實(shí)施例的放電氣體裝置內(nèi)，惰性氣體的混合物，如Ne-Xe，填充在由前基板部103和后基板部106構(gòu)成的空間125內(nèi)。障壁118將由障壁118和前基板部103和后基板部106構(gòu)成的空間區(qū)域分隔開(kāi)來(lái)，子像素200由障壁118的邊界圍成的區(qū)域及維持電極111界定的區(qū)域構(gòu)成，放電因維持電極111和掃描電極112之間的電壓產(chǎn)生，將會(huì)產(chǎn)生紫外線來(lái)激發(fā)紅、綠、藍(lán)熒光粉層，產(chǎn)生可見(jiàn)光。例如，圖所示的綠色熒光粉121，被紫外線激發(fā)，從綠色熒光粉層中產(chǎn)生綠光。子像素200內(nèi)填充綠色熒光粉121，在這個(gè)剖面上所看見(jiàn)的相鄰的子像素內(nèi)分別填充藍(lán)色熒光粉122和紅色熒光粉120。
[0046]如圖7為TOPlOO的另一個(gè)剖面圖，沿著圖5所示尋址電極116的長(zhǎng)邊方向，展示了與圖6所示子像素200平面垂直的剖面。圖7所示的子像素200，其區(qū)域包括一對(duì)前基板110上的維持電極111和掃描電極112組成的放電電極組，與后基板115上的尋址電極116垂直相交叉點(diǎn)所包括區(qū)域。透明維持電極111上有匯流電極(BUS) 119與之相緊密相接，透明掃描電極112上有匯流電極119與之相緊密連接，匯流電極是不透光的。
[0047]PDP100的工作維持電壓是由維持間隙130，介質(zhì)層即本發(fā)明所用的薄型基板玻璃，使用的放電氣體和前基板110上的介質(zhì)保護(hù)層114 二次電子發(fā)射系數(shù)決定的，其設(shè)置同現(xiàn)有技術(shù)。
[0048]本實(shí)施例中，前基板110是厚度為10(^111，介電常數(shù)< 7，不含堿的玻璃。掃描電極和維持電極均由透明電極和匯流電極組成，透明電極由ITO膜層構(gòu)成，通過(guò)蒸鍍形成，厚度為150nm ;匯流電極由金屬Ag構(gòu)成,通過(guò)光刻工藝形成,厚度為2 μ m。透明電極排布在前基板前表面上，匯流電極搭在透明電極之上。電極的表面覆蓋一層厚度為ΙΟμπι的第一絕緣層123Φ0ΡΡ)。前基板的后表面設(shè)置有由MgO膜構(gòu)成的保護(hù)層，其中膜層厚度為400_1000nm。
[0049]后基板115是厚度為100 μ m,介電常數(shù)< 7,不含堿的玻璃。后基板直接作為介質(zhì)層，尋址電極由金屬Ag電極構(gòu)成，通過(guò)光刻工藝形成，厚度為4 μ m。電極表面覆蓋一層厚度為10 μ m的第二絕緣層124 (BOPP)。后基板的前表面上設(shè)置很多橫豎交錯(cuò)的障壁結(jié)構(gòu)依次排列；紅、綠、藍(lán)色熒光粉有序的填充在在所述后基板上的介質(zhì)表面和障壁內(nèi)。
[0050]在真空環(huán)境下，這兩個(gè)基板部以前基板部103的介質(zhì)保護(hù)膜114層面相對(duì)后基板部106的障壁118、突光粉面封接對(duì)合,形成的對(duì)合面板內(nèi)充入Xe和Ne的混合放電氣體,形成等離子顯示器。
[0051]其中透明電極長(zhǎng)度和寬度，匯流電極長(zhǎng)度和寬度，尋址電極長(zhǎng)度和寬度，障壁的長(zhǎng)度、寬度和高，熒光粉的厚度等尺寸參數(shù)由等離子顯示器的具體分辨率決定。
[0052]實(shí)施例2
[0053]實(shí)施例2中的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例相同，只有以下參數(shù)不同:
[0054]本實(shí)施例中，前基板110是厚度為50 μ m，介電常數(shù)< 7，不含堿的玻璃。掃描電極和維持電極均由透明電極和匯流電極組成，透明電極由ITO膜層構(gòu)成，通過(guò)蒸鍍形成，厚度為150nm ;匯流電極由金屬Ag構(gòu)成,通過(guò)光刻工藝形成,厚度為2 μ m。透明電極排布前基板前表面上，匯流電極搭在透明電極之上。電極的表面覆蓋一層厚度為IOym的第一絕緣層123 (PET)。前基板110的后表面設(shè)置有摻雜CaO的MgO膜構(gòu)成的介質(zhì)保護(hù)層114，其中，CaO與MgO的質(zhì)量比為20: 80，膜層厚度為400-1000nm。介質(zhì)保護(hù)膜層上噴涂有微晶粉末層，微晶粉末層由BeO和BaO噴涂形成。
[0055]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種氣體放電裝置，包括相對(duì)設(shè)置的前基板部(103)和后基板部(106)，所述前基板部(103)與所述后基板部(106)相對(duì)封接形成多個(gè)放電單元，其特征在于，所述前基板部(103)包括: iu基板(no)； 放電電極，沿所述前基板(Iio)的前表面縱向或橫向延伸； 第一絕緣層(123)，覆蓋在所述前基板(110)的前表面及所述放電電極上；以及 介質(zhì)保護(hù)膜(114)，設(shè)置在所述前基板(110)的后表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電裝置，其特征在于，所述前基板(110)是厚度為30-200 μ m，介電常數(shù)< 7，不含堿的玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電裝置，其特征在于，所述后基板部(106)包括: 后基板(115)，其前表面設(shè)置有障壁(118)，所述障壁(118)側(cè)壁內(nèi)設(shè)置有熒光粉層，并且所述障壁(118)與所述放電電極垂直設(shè)置； 尋址電極(116)，沿所述后基板(115)的后表面且平行于所述障壁(118)的方向延伸；以及 第二絕緣層(124)，覆蓋在所述后基板(115)的后表面及所述尋址電極(116)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體放電裝置，其特征在于，所述后基板(115)是厚度為30-200 μ m，介電常數(shù)< 7，不含堿的玻璃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電裝置，其特征在于，所述介質(zhì)保護(hù)膜(114)由MgO或氧化物 MxMghO 形成，其中 O ≤ X < I，所述M 選自 Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Ce、Y、T1、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Na、Al組成的組中的一種或多種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電裝置，其特征在于，所述放電單元中充有放電氣體，所述放電氣體選自Xe，Ne, Ar，He, Hg，N2, O2，和F組成的組中的一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體放電裝置，其特征在于，所述第一絕緣層(123)和所述第二絕緣層(124)由聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、雙向拉伸型聚丙烯、流延性聚丙烯、或聚酰亞胺構(gòu)成，以印刷或?qū)訅悍绞街谱鳌?br> 8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體放電裝置，其特征在于，所述氣體放電裝置是熒光燈裝置、強(qiáng)放電燈裝置或等離子顯示器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氣體放電裝置，其特征在于，所述介質(zhì)保護(hù)膜(114)層上噴涂有微晶粉末層，所述微晶粉末層由BeO、MgO、CaO、SrO, BaO組成的組中的一種或多種噴涂形成。
【文檔編號(hào)】H01J11/40GK103794439SQ201110459559
【公開(kāi)日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月31日
【發(fā)明者】嚴(yán)群, 唐翠珍 申請(qǐng)人:四川虹歐顯示器件有限公司