專利名稱：離子源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及離子源技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種輝光放電式離子源。
背景技術(shù)：
離子遷移譜儀中最關(guān)鍵的技術(shù)之一就是離子源，離子源的作用是用來產(chǎn)生離子， 而離子流的強(qiáng)度又是由離子的引出方式?jīng)Q定的，因此，離子源技術(shù)包括離子的有效產(chǎn)生和離子的有效引出兩個主要部分。對于離子的有效產(chǎn)生，中國專利授權(quán)公告號為CN101452806 B，發(fā)明名稱為一種電離源及其在質(zhì)譜或者離子遷移譜中的應(yīng)用中，描述了一種離子源，其包括直流電源、載氣、 正負(fù)放電電極和限流電阻，其中，限流電阻和正負(fù)放電電極通過導(dǎo)線與直流電源和正負(fù)放電電極串聯(lián)，組成一串聯(lián)電路。可見，所述正負(fù)放電電極組成了一個通過輝光放電產(chǎn)生離子的放電體。對于離子的有效引出，現(xiàn)有技術(shù)中則很少有描述。
實用新型內(nèi)容為此，本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種離子源，使得該離子源產(chǎn)生的離子能夠被有效的引出，同時又不影響離子源放電的穩(wěn)定性。于是，本實用新型提供了一種離子源，該離子源包括電源、能夠產(chǎn)生離子的放電體和離子引出電極，放電體的高壓端連接電源，低壓端通過限流電阻Rl接地，離子引出電極的一端通過分壓電阻R3連接所述放電體的高壓端，另一端通過分壓電阻R2接地。其中，所述離子引出電極為金屬環(huán)、金屬筒或者金屬網(wǎng)。所述放電體和離子引出電極之間的電壓為引出電壓，該引出電壓
權(quán)利要求1.一種離子源，其特征在于，包括電源、能夠產(chǎn)生離子的放電體和離子引出電極，放電體的高壓端連接電源，低壓端通過限流電阻Rl接地，離子引出電極的一端通過分壓電阻R3 連接所述放電體的高壓端，另一端通過分壓電阻R2接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子源，其特征在于，所述離子引出電極為金屬環(huán)、金屬筒或者金屬網(wǎng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子源，其特征在于，所述放電體和離子引出電極之間的電壓為引出電壓，該引出電壓 其中，U0為所述電源的電壓，Ρ%為所述放電體電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項所述離子源，其特征在于，所述電阻Rl的取值范圍為 500ΚΩ 至 30ΜΩ。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子源，其特征在于，所述放電體包括正負(fù)放電電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的離子源，其特征在于，所述正負(fù)放電電極為兩個位置相對的針狀放電電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的離子源，其特征在于，所述放電體還包括正負(fù)電極體和用于安全防護(hù)的腔狀絕緣體，所述針狀放電電極設(shè)置在正負(fù)電極體上，且伸入到絕緣體內(nèi)，絕緣體上開設(shè)有放電氣體入孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子源，其特征在于，所述放電氣體入孔為圓狀或者縫狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的離子源，其特征在于，所述正負(fù)電極體上的針狀放電電極， 兩電極之間的間距為Imm至10mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子源，其特征在于，所述電源為高壓電源，其電壓范圍為 3KV 至 30KV。
專利摘要本實用新型提供了一種離子源，該離子源包括電源、能夠產(chǎn)生離子的放電體和離子引出電極，放電體的高壓端連接電源，低壓端通過限流電阻R1接地，離子引出電極的一端通過分壓電阻R3連接所述放電體的高壓端，另一端通過分壓電阻R2接地。本實用新型所述的離子源，通過增加離子引出電極、以及離子引出電極和放電體之間的引出電壓，使得該離子源產(chǎn)生的離子能夠被有效引出，同時又不影響離子源放電的穩(wěn)定性。
文檔編號H01J49/12GK202094080SQ20112022103
公開日2011年12月28日 申請日期2011年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月27日
發(fā)明者劉立秋, 張亦揚, 張偉, 徐翔, 顏毅堅, 馬軍 申請人:武漢矽感科技有限公司