專利名稱：背光源裝置、使用該背光源裝置的液晶顯示裝置和在它們中使用的發(fā)光二極管的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及背光源裝置、使用該背光源裝置的液晶顯示裝置和在它們中使用的發(fā)光二極管(以下稱為LED)
背景技術：
在大型的液晶顯示器裝置的背光源裝置中，冷陰極管多數(shù)配置在液晶面板的正下方。而且，該冷陰極管與將冷陰極管發(fā)出的光向液晶面板側反射的反射板、使從冷陰極管發(fā)出的光擴散從而成為面光源的擴散板等部件一同使用。近年來，作為這種背光源裝置的光源，使用發(fā)光二極管。近年來，發(fā)光二極管作為效率得到提高、代替熒光燈的電カ消耗較少的光源被人們所關注。此外，在將發(fā)光二極管用作液晶顯示器裝置用的光源的情況下，通過根據(jù)視頻控制發(fā)光二極管的明暗，能夠降低液晶顯示裝置的電カ消耗。另外，作為用于液晶顯示裝置的發(fā)光二極管，將熒光體組合于在活性層使用GaN類半導體的藍色發(fā)光二極管的方式的發(fā)光二極管逐漸變?yōu)橹髁鳌D19是表示專利文獻I所示的GaN類發(fā)光二極管的結構的圖。如圖19所示，發(fā)光二極管在藍寶石基板31上隔著緩沖層(未圖示)形成有由η型的GaN膜構成的η型接觸層32和η型包層33。在η型包層33上，形成有由InGaN膜構成的發(fā)光層34，在發(fā)光層34上，從下向上依次形成有由P型的AlGaN膜構成的P型包層35和由P型的GaN膜構成的ρ型接觸層36。在η型接觸層32上形成有η型電極37，并且，在ρ型接觸層36上形成有ρ型電極38。通過在η型電極37與ρ型電極38之間施加電壓，發(fā)光層34發(fā)光。在專利文獻I所示的發(fā)光二極管中，在發(fā)光二極管的芯片的正面方向發(fā)出最多的光。因此，如果使用透鏡，在光軸附近的凹面使來自芯片的朝向正面方向的光通過折射而擴散，則能夠抑制被照射面中光軸附近的照度，使得成為具有廣度的照度分布。本發(fā)明提供具有廣配光的發(fā)光特性的發(fā)光二極管，通過使用該發(fā)光二極管，能夠提供廉價且高效率的背光源裝置，通過使用該背光源裝置，能夠提供達到畫質提高的液晶顯示裝置。先行技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2001-7399號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的背光源裝置的特征在于，具有發(fā)出特定顔色的光的發(fā)光單元，上述發(fā)光単元是發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管具有設置在透明的基板上的發(fā)出特定波長的光的發(fā)光層；相對于上述發(fā)光層形成在光的出射側，并且具有對從上述發(fā)光層發(fā)出的光進行反射的功能的第一反射層；和以與上述第一反射層夾著上述發(fā)光層的方式設置于上述基板側的第ニ反射層，在上述第一反射層與上述第二反射層之間，配置有使從上述發(fā)光層發(fā)出的光擴散的光擴散層，并且上述第二反射層包括具有反射率高的金屬膜的高反射金屬層；具有折射率低的材料膜的低折射率層；和層疊有反射率不同的材料膜的多層膜反射層。本發(fā)明的液晶顯示裝置的特征在于，包括具有發(fā)出特定顔色的光的發(fā)光單元的背光源裝置；和從背面?zhèn)热肷鋪碜陨鲜霰彻庠囱b置的出射光而顯示圖像的液晶面板，上述發(fā)光單元是發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管具有設置在透明的基板上的發(fā)出特定波長的光的發(fā)光層；相對于上述發(fā)光層形成在光的出射側，并且具有對從上述發(fā)光層發(fā)出的光進行反射的功能的第一反射層；和以與上述第一反射層夾著上述發(fā)光層的方式設置于上述基板側的第二反射層，在上述第一反射層與上述第二反射層之間，配置有使從上述發(fā)光層發(fā)出的光擴散的光擴散層，并且上述第二反射層包括具有反射率高的金屬膜的高反射金屬層；具有折射率低的材料膜的低折射率層；和層疊有反射率不同的材料膜的多層膜反射層。 本發(fā)明的發(fā)光二極管的特征在于，包括設置在透明的基板上的發(fā)出特定波長的光的發(fā)光層；相對于上述發(fā)光層形成在光的出射側，并且具有對從上述發(fā)光層發(fā)出的光進行反射的功能的第一反射層；和以與上述第一反射層夾著上述發(fā)光層的方式設置于上述基板側的第二反射層，在上述第一反射層與上述第二反射層之間，配置有使從上述發(fā)光層發(fā)出的光擴散的擴散層，并且，上述第二反射層包括具有反射率高的金屬膜的高反射金屬層；具有折射率低的材料膜的低折射率層；和層疊有反射率不同的材料膜的多層膜反射層。根據(jù)上述結構的背光源裝置，能夠得到廉價、高效且顏色不均少的背光源裝置。此外，根據(jù)上述結構的液晶顯示裝置，能夠得到畫質提高的液晶顯示裝置。此外，根據(jù)上述結構的發(fā)光二極管，能夠得到具有廣配光的發(fā)光特性的發(fā)光二極管。


圖I是表示本發(fā)明的一個實施方式的正下方型背光源裝置的概要結構的立體圖。圖2是表示使用該背光源裝置的液晶顯示裝置的概要結構的截面圖。圖3是表示在該背光源裝置中使用的LED的結構的截面圖。圖4是示意性地表示該LED的LED芯片的結構的截面圖。圖5是示意性地表示該LED芯片的第一反射層的結構的截面圖。圖6是表示從該LED射出的光的相對光度的角度特性的圖。圖7是示意性地表示該LED芯片的第二反射層的結構的截面圖。圖8是表示第二反射層中表2所示的結構的反射率的角度分布的圖。圖9是表示第二反射層中表3所示的結構的反射率的角度分布的圖。圖10是表示第二反射層中表4所示的結構的反射率的角度分布的圖。圖11是表示第二反射層中表5所示的結構的反射率的角度分布的圖。圖12是表示第二反射層中表I所示的結構的反射率的角度分布的圖。圖13是表示該LED的藍色光和來自熒光體的黃色光的光度的角度特性的圖。圖14是表示從該LED射出的藍色光的O度和60度的發(fā)光光譜的圖。圖15是表示黃色的熒光體的吸收譜的一個例子的圖。
圖16A是表示LED的熒光體層透過后的O度方向的白色光譜的ー個例子的圖。圖16B是表示LED的熒光體層透過后的60度方向的白色光譜的ー個例子的圖。圖17是表示紫外光的LED和紅色、藍色、綠色熒光體的混色而成的白色LED的光譜的ー個例子的圖。圖18是表示使用本發(fā)明的另ー個實施方式的背光源裝置的液晶顯示裝置的概要結構的截面圖。圖19是示意性地表示現(xiàn)有的LED的LED芯片的結構的截面圖。
具體實施例方式以下，使用

本發(fā)明的一個實施方式的背光源裝置。本實施方式的背光源裝置是正下方型背光源裝置。圖I是表示本發(fā)明的一個實施方式的正下方型背光源裝置的概要結構的立體圖，圖2是表示使用圖I所示的正下方型背光源裝置的液晶顯示裝置的概要結構的截面圖。另夕卜，圖2表示圖I的χ-y平面中的包含LED光軸的位置的概要截面圖。此處，在圖I、圖2中，將X軸方向稱為“橫方向”，將正下方型背光源裝置I的光的出射方向即y軸的正方向稱為“正面方向”，將y軸的負方向稱為“背面方向”，將z軸的正方向稱為“上方向”，將z軸的負方向稱為“下方向”。如圖I、圖2所示，正下方型背光源裝置I以多個LED2矩陣狀地以均等間隔排列的方式配置于反射板3的前表面。而且，在LED2的正面方向側，與LED2之間隔開間隔地配置有各種光學片。即，在LED2的正面方向側配置有擴散片4、波長變換片5和亮度上升片6。擴散片4是用于使來自LED2的光和由反射板3反射的光擴散，以形成面光源的擴散部件。波長變換片5是波長變換單兀,該波長變換單兀在通過擴散片4入射的光中，使一部分光透過，將另一部分光變換為特定顔色的光，該特定顔色的光通過與透過的光混色而成為例如白色的光。亮度上升片6是向出射面的法線方向聚光并出射，由此提高出射光的正面亮度的部件。該LED2根據(jù)正下方型背光源裝置I的結構以適宜的最佳數(shù)量和間隔配置。例如，根據(jù)正下方型背光源裝置I的大小、厚度決定LED2的配光特性等。此外，該正下方型背光源裝置I將亮度上升片6的正面方向側的面作為光的出射面，出射白色的面狀光。此處，白色是指色溫為3000K 10000K以內(nèi)。反射板3為平板形狀，配置在LED2的背面方向側。該反射板3至少在LED2所配置的前表面設置有具有白色的聚酯等的擴散反射面3a。到達該擴散反射面3a的光被擴散而向正面方向反射。即，到達反射板3的光向正面方向側擴散反射。擴散片4為平板形狀，在LED2的正面方向側與LED2和反射板3之間隔開間隔地配置。該擴散片4使從LED2側即擴散片4的背面?zhèn)热肷涞墓鈹U散。而且，對光進行控制，使得一部分的光透過擴散片4從前表面向正面方向出射，一部分光被擴散片4反射而回到 背面?zhèn)?LED2側)。波長變換片5具有大致平板形狀的外形形狀，配置在擴散片4與后述的亮度上升片6之間。波長變換片5在內(nèi)部具有熒光體膜。該熒光體膜被LED2產(chǎn)生的藍色光激勵，變換為特定顔色的光，即在本實施方式中，通過熒光體膜的作用，將藍色光的波長變換為長波長側的發(fā)光主波長為550nm 610nm的黃色的光,將光向正面方向出射。S卩，從背面?zhèn)热肷涞乃{色光的一部分原樣透過波長變換片5，并且通過熒光體膜的波長變換作用，一部分的光被變換為黃色的光而透過波長變換片5。其結果是，波長變換片5使藍色光和黃色光混色，由此出射白色光。當然在藍色光較多的情況下成為藍色為主導的白色光，在黃色光多的情況下，成為黃色為主導的白色光。亮度上升片6為平板形狀，配置在上述擴散片4的前方。亮度上升片6使入射光的一部分向背面方向反射，并且使入射光的一部分透過，向出射面的法線方向聚光并出射。由此，能夠提升出射光的正面亮度。具體地說，例如采用在亮度上升片6的前面設置有棱鏡的結構，由此能夠僅使規(guī)定角度的光射出。利用上述的構成部件形成正下方型背光源裝置I。此外，如圖2所示，在該正下方型背光源裝置I的正面方向配置顯示圖像的液晶面板7，則構成液晶顯示裝置。此外，液晶 面板7，通過在形成有透明電極和作為開關元件的薄膜晶體管的基板與設置有偏向板的基板之間封入液晶而構成形成有多個像素的面板。而且，通過根據(jù)圖像信號使各個像素切換，調(diào)整透過面板的背光源的光的量，以顯示期望的圖像。在圖2中，為了容易理解，表示了在擴散片4、波長變換片5、亮度上升片6的各片間設置有間隙的狀態(tài)的圖，但并非必須設置這樣的間隙以配置各片。這僅是ー個例子。接著，詳細說明在本實施方式的背光源裝置中使用的LED2。LED2發(fā)出發(fā)光主波長為430 480nm的藍色的光。如圖3所示，LED2構成為，將LED芯片8配置在LED封裝9內(nèi)，利用用于保護LED芯片8的樹脂10進行密封。此外，LED芯片8利用配線部件與LED封裝9的基板(未圖示)電連接。另外，此處的發(fā)光主波長是指在發(fā)光光譜中具有發(fā)光強度的極大值的波長。此外，在圖3中，虛線A示意性地表示LED2的光的出射模式。圖4是示意性地表示LED芯片8的結構的截面圖。在圖4中，11是包括GaN的透明基板。在該基板11的一方的主面上，依次層疊形成有包括η型的GaN膜的η型接觸層12、包括η型的AlGaN膜的η型包層13、包括InGaN膜的發(fā)出特定波長的光的作為活性層的發(fā)光層14、包括ρ型的AlGaN膜的ρ型包層15、以及包括ρ型的GaN膜的ρ型接觸層16。此外，在該層疊體的相對于發(fā)光層14的光的出射側，層疊形成有具有對從發(fā)光層14發(fā)出的光進行反射的功能的第一反射層17。如后所述，該第一反射層17由電介質多層膜構成。在本實施方式中，第一反射層17包括多個具有TiO2的層和具有SiO2的層。18是包括高反射金屬層、低折射率層、多層膜反射層的第二反射層，19是η型的電極，20是ρ型的電極。第二反射層18設置在基板11的另一方的主面?zhèn)龋迷摰诙瓷鋵?8和第一反射層17夾著發(fā)光層14。此外，在第一反射層17與包括ρ型的GaN膜的ρ型接觸層16之間，以配置在第一反射層17與發(fā)光層14之間的方式，形成有具有蛋白石乳色玻璃(opal glass)的光擴散層21。在圖4中，通過在η型的電極19與ρ型的電極20之間施加電壓，發(fā)光層14發(fā)光。從發(fā)光層14發(fā)出的光為各向同性發(fā)光,所以發(fā)出的光中的一部分向第二反射層18和第一反射層17去，一部分在構成LED2的層疊體的某些界面被全反射，此外，一部分被構成LED2的層疊體的某些材質吸收。此處，第一反射層17的反射率設定得低于第二反射層18的反射率。在發(fā)光層14發(fā)出的光反復進行反射并由第一反射層17取出。圖5表不第一反射層17的截面圖。如圖5所不,第一反射層17形成在ρ型接觸層16上，由電介質多層膜構成，該電介質多層膜交替層疊有包括作為第一電介質的ニ氧化鈦(TiO2)的7層的高折射率層17a、17b、17c、17d、17e、17f、17g，和包括作為第二電介質的ニ氧化硅(SiO2)的6層的低折射率層17h、17i、17j、17k、171、17m。而且，具有ニ氧化鈦的高折射率層17a與ρ型接觸層16接觸。此處，構成第一反射層17的包括第一電介質的高折射率層17a 17g和包括第二電介質的低折射率層17h 17m中,各自的光學膜厚設定在來自發(fā)光層14的光在第一電介質和第二電介質中的波長的1/4附近。 具體地說，從ρ型接觸層16側起，高折射率層17a為25. Onm,低折射率層17h為83. 3nm,高折射率層17b為49. Onm，低折射率層17 為80. Onm,高折射率層17c為47. 5nm，低折射率層17 j為78. 3nm,高折射率層17d為45. 5nm，低折射率層17k為73. 3nm,高折射率層17e為42. Onm，低折射率層171為66. 7nm,高折射率層17f為38. Onm，低折射率層17m為60. Onm,高折射率層17g為18. Onm。此處，ニ氧化鈦的波長530nm的折射率為2. 5，ニ氧化硅的波長530nm的折射率為I. 5。像這樣，LED芯片8中的第一反射層17，由包括折射率不同的第一電介質和第二電介質的電介質多層膜構成，由此能夠成為具有圖6所示的配光特性的LED2。圖6是表示從具有上述圖4、圖5的結構的LED2出射的光的相對光度的角度特性的一個例子的圖。圖6所示的特性中，從發(fā)光層14發(fā)出的光是各向同性發(fā)光。此外，在圖6所示的特性中，以出射角O度即向正面方向出射的光的光度作為I進行標準化而表示。在一般的LED中，當以夾著發(fā)光層的方式配置反射層時，由該反射層形成共振器結構，從LED出射的光的指向性接近朗伯分布。即，成為在光的出射角為O度時光度最大，與出射角的余弦成比例的角度分布。另ー方面，在本實施方式的LED2中，如圖6所不,顯不光的光度隨著出射角度的變大而增大，在出射角為65度以上的70度附近時光度最大的廣配光的配光特性。S卩，在本實施方式的LED2中，從發(fā)光層14發(fā)出的光中的一半的光向第二反射層18側去。被第二反射層18反射，向第一反射層17方向去而從LED2射出。發(fā)出的光中在第一反射層17被反射的光向第二反射層18去。因為在第一反射層17與第二反射層18之間配置有光擴散層21，所以入射至光擴散層21的光被完全擴散而透過或反射。通過使該光擴散層21為完全擴散層，能夠抑制由第一反射層17和第二反射層18引起的光的多重反射，能夠減少被封入LED2中的光。像這樣，本實施方式的LED2能夠抑制第一反射層17與第二反射層18引起的光的多重反射，所以成為第一反射層17的透過/反射率的角度特性，即在出射角為65度以上時存在透過率的峰的特性。此外，通過考慮從發(fā)光層14發(fā)出的光的配光特性，能夠容易地將LED2的配光特征控制成圖6所示的廣配光的配光特性。接著，使用圖7說明第二反射層18的詳細結構。第二反射層18包括具有選自鋁、金、銀中的反射率高的金屬膜的高反射金屬層18a ;形成在該高反射金屬層18a上，并且包括ニ氧化硅(SiO2)等折射率低的材料膜的低折射率層18b ;形成在該低折射率層18b上，并且交替層疊有分別包括反射率不同的高折射率材料和低折射率材料的材料膜的多層膜反射層18c。此處，多層膜反射層18c的高折射率材料為選自ニ氧化鈦、氮化硅、三氧化ニ鉭、五氧化鈮、ニ氧化鋯中的材料，低折射率材料是ニ氧化硅。表I表示該第二反射層18的結構的ー個例子。[表 I]
權利要求
1.一種背光源裝置，其特征在于 具有發(fā)出特定顏色的光的發(fā)光單元，所述發(fā)光單元是發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管具有設置在透明的基板上的發(fā)出特定波長的光的發(fā)光層；相對于所述發(fā)光層形成在光的出射偵牝并且具有對從所述發(fā)光層發(fā)出的光進行反射的功能的第一反射層；和以與所述第一反射層夾著所述發(fā)光層的方式設置于所述基板側的第二反射層，在所述第一反射層與所述第二反射層之間，配置有使從所述發(fā)光層發(fā)出的光擴散的光擴散層，并且所述第二反射層包括具有反射率高的金屬膜的高反射金屬層；具有折射率低的材料膜的低折射率層；和層疊有反射率不同的材料膜的多層膜反射層。
2.如權利要求I所述的背光源裝置，其特征在于 所述背光源裝置具有波長變換單元，該波長變換單元使來自所述發(fā)光單元的光中的一部分光透過，并且將一部分光變換為特定顏色的光，該特定顏色的光通過與透過的所述光混色而成為白色的光。
3.如權利要求I所述的背光源裝置，其特征在于 所述第二反射層中，在所述高反射金屬層上配置所述低折射率層，在所述低折射率層上配置所述多層膜反射層。
4.如權利要求I所述的背光源裝置，其特征在于 所述第二反射層的低折射率層的膜厚具有相對于發(fā)光二極管的發(fā)光中心波長λ為λ/2以上的光學膜厚。
5.如權利要求I所述的背光源裝置，其特征在于 所述第二反射層的多層膜反射層通過層疊高折射率材料和低折射率材料而構成。
6.如權利要求5所述的背光源裝置，其特征在于 所述高折射率材料為選自二氧化鈦、氮化硅、三氧化二鉭、五氧化鈮、二氧化鋯中的材料，所述低折射率材料為二氧化硅。
7.如權利要求I所述的背光源裝置，其特征在于 所述第一反射層由電介質多層膜構成。
8.如權利要求I所述的背光源裝置，其特征在于 所述光擴散層配置在第一反射層與發(fā)光層之間。
9.如權利要求I所述的背光源裝置，其特征在于 所述第二反射層的高反射金屬層包括選自鋁、金、銀中的金屬。
10.如權利要求I所述的背光源裝置，其特征在于 所述發(fā)光二極管的第一反射層以在出射角為65度以上時存在透過率的峰的方式構成。
11.如權利要求2所述的背光源裝置，其特征在于 所述發(fā)光單元是發(fā)出發(fā)光主波長為430nm 480nm的藍色的光的藍色的發(fā)光二極管，所述波長變換單元具有熒光體膜，該熒光體膜被所述藍色的發(fā)光二極管激勵，并且發(fā)出通過與藍色的光混色而成為白色的光的特定顏色的光。
12.如權利要求2所述的背光源裝置，其特征在于 所述發(fā)光單元是發(fā)出發(fā)光主波長為350nm 400nm的紫外的光的發(fā)光二極管，所述波長變換單元具有熒光體膜，該熒光體膜被所述紫外的發(fā)光二極管激勵，并且發(fā)出紅色、藍色、綠色的光。
13.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括 具有發(fā)出特定顏色的光的發(fā)光單元的背光源裝置；和從背面?zhèn)热肷鋪碜运霰彻庠囱b置的出射光而顯示圖像的液晶面板， 所述發(fā)光單元是發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管具有設置在透明的基板上的發(fā)出特定波長的光的發(fā)光層；相對于所述發(fā)光層形成在光的出射側，并且具有對從所述發(fā)光層發(fā)出的光進行反射的功能的第一反射層；和以與所述第一反射層夾著所述發(fā)光層的方式設置于所述基板側的第二反射層，在所述第一反射層與所述第二反射層之間，配置有使從所述發(fā)光層發(fā)出的光擴散的光擴散層，并且所述第二反射層包括具有反射率高的金屬膜的高反射金屬層；具有折射率低的材料膜的低折射率層；和層疊有反射率不同的材料膜的多層膜反射層。
14.如權利要求13所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述背光源裝置具有波長變換單元，該波長變換單元使從所述發(fā)光單元發(fā)出的光中的一部分光透過，并且將一部分光變換為特定顏色的光，該特定顏色的光通過與所述透過的光混色而成為白色的光。
15.—種發(fā)光二極管,其特征在于,包括 設置在透明的基板上的發(fā)出特定波長的光的發(fā)光層；相對于所述發(fā)光層形成在光的出射側，并且具有對從所述發(fā)光層發(fā)出的光進行反射的功能的第一反射層；和以與所述第一反射層夾著所述發(fā)光層的方式設置于所述基板側的第二反射層，在所述第一反射層與所述第二反射層之間，配置有使從所述發(fā)光層發(fā)出的光擴散的擴散層，并且所述第二反射層包括具有反射率高的金屬膜的高反射金屬層；具有折射率低的材料膜的低折射率層；和層疊有反射率不同的材料膜的多層膜反射層。
16.如權利要求15所述的發(fā)光二極管，其特征在于 所述第二反射層中，在所述高反射金屬層上配置所述低折射率層，在所述低折射率層上配置所述多層膜反射層。
17.如權利要求15所述的發(fā)光二極管，其特征在于 所述第二反射層的低折射率層的膜厚具有相對于發(fā)光二極管的發(fā)光中心波長λ為λ/2以上的光學膜厚。
18.如權利要求15所述的發(fā)光二極管，其特征在于 所述第二反射層的多層膜反射層通過層疊高折射率材料和低折射率材料而構成。
19.如權利要求18所述的發(fā)光二極管，其特征在于 所述高折射率材料為選自二氧化鈦、氮化硅、三氧化二鉭、五氧化鈮、二氧化鋯中的材料，所述低折射率材料為二氧化硅。
20.如權利要求15所述的發(fā)光二極管，其特征在于 所述第一反射層由電介質多層膜構成。
21.如權利要求15所述的發(fā)光二極管，其特征在于 所述光擴散層配置在第一反射層與發(fā)光層之間。
22.如權利要求15所述的發(fā)光二極管，其特征在于 所述第二反射層的高反射金屬層包括選自鋁、金、銀中的金屬。
23.如權利要求15所述的發(fā)光二極管，其特征在于所述發(fā)光二極管的第一反射層以在出射角為65度以上時存在透過率的峰的方式構 成。
全文摘要
本發(fā)明包括設置在透明的基板(11)上的發(fā)出特定波長的光的發(fā)光層(14)；相對于上述發(fā)光層(14)形成在光的出射側，并且具有使從發(fā)光層(14)發(fā)出的光反射的功能的第一反射層(17)；和以與第一反射層(17)夾著發(fā)光層(14)的方式設置于基板(11)側的第二反射層(18)，在第一反射層(17)與第二反射層(18)之間，配置有使從發(fā)光層(14)發(fā)出的光擴散的光擴散層(21)，并且第二反射層(18)包括由反射率高的金屬膜構成的高反射金屬層；由折射率低的材料膜構成的低折射率層；和層疊有反射率不同的材料膜的多層膜反射層。
文檔編號F21V7/09GK102640308SQ20118000476
公開日2012年8月15日 申請日期2011年9月14日 優(yōu)先權日2010年9月14日
發(fā)明者市橋宏基, 笠野真弘 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社