專利名稱：等離子顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器件等中使用的等離子顯示面板。
背景技術(shù)：
由于等離子顯示面板(以下稱作rop)能實(shí)現(xiàn)高精細(xì)化、大畫面化，所以loo英寸級別的電視等已經(jīng)產(chǎn)品化。近年來，在PDP中，隨著向與以往的NTSC方式相比掃描線數(shù)為2倍以上的高清電視的應(yīng)用不斷發(fā)展，為了應(yīng)對能源問題，針對耗電進(jìn)一步降低的努力、針對考慮了環(huán)境問題的不含鉛成分的rop的要求等也不斷提高。PDP基本上由前面板與背面板構(gòu)成。前面板由以下部分構(gòu)成通過浮法玻璃工藝(float glass process)而制造的硼娃酸鈉系玻璃的玻璃基板；由形成在玻璃基板的一個(gè)主面上的條紋狀的透明電極和總線電極構(gòu)成的顯示電極；覆蓋顯示電極并起到電容器的作用的電介質(zhì)層；和形成在電介質(zhì)層上的由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的保護(hù)層。 另一方面，背面板由以下部分構(gòu)成玻璃基板；形成在其一個(gè)主面上的條紋狀的地址電極；覆蓋地址電極的基底電介質(zhì)層；形成在基底電介質(zhì)層上的隔壁；和形成在各隔壁間的分別以紅色、綠色以及藍(lán)色發(fā)光的熒光體層。前面板和背面板按照使其電極形成面?zhèn)葘χ玫姆绞奖粴饷苊芊猓谟筛舯诜指舻姆烹娍臻g中，以4001'01^ 6001'01^(5.3\10乍3 8.0\10乍3)的壓力封入了氖(Ne)-氙(Xe)的放電氣體。在PDP中，通過向顯示電極選擇性地施加影像信號電壓而放電，通過該放電產(chǎn)生的紫外線激勵(lì)各色熒光體層，發(fā)出紅色、綠色、藍(lán)色的光，從而實(shí)現(xiàn)了彩色圖像顯示。另外，作為這樣的rop的驅(qū)動(dòng)方法，一般采用具有初始化期間、寫入期間和維持期間的驅(qū)動(dòng)方法，在所述初始化期間中，在容易寫入的狀態(tài)下調(diào)整壁電荷，在所述維持期間中，根據(jù)輸入圖像信號進(jìn)行寫入放電，在所述維持期間中，通過在進(jìn)行過寫入的放電空間中產(chǎn)生維持放電來進(jìn)行顯示。通過在與圖像的I幀相當(dāng)?shù)钠陂g(I場)內(nèi)重復(fù)多次組合了這些各期間而得到的期間(子場)，來進(jìn)行rop的灰度顯示。在這樣的rop中，作為在前面板的電介質(zhì)層上形成的保護(hù)層的作用，可以舉出保護(hù)電介質(zhì)層不受放電引起的離子沖擊的影響、釋放用于產(chǎn)生地址放電的初始電子等。保護(hù)電介質(zhì)層不受離子沖擊的影響是防止放電電壓上升的重要的作用，另外釋放用于產(chǎn)生地址放電的初始電子是防止成為圖像閃爍的原因的地址放電錯(cuò)誤的重要的作用。為了使來自保護(hù)層的初始電子的釋放數(shù)增加來減少圖像的閃爍，例如，公開了在氧化鎂(MgO)保護(hù)層中添加雜質(zhì)的例子、在氧化鎂(MgO)保護(hù)層上形成氧化鎂(MgO)粒子的例子(例如，參照專利文獻(xiàn)1、2、3、4、5等)。近年來，隨著電視不斷高精細(xì)化，在市場上要求低成本、低耗電、高亮度的全高清(high-definition) (1920X1080 像素！progressive display)PDP0 由于來自保護(hù)層的電子釋放特性決定rop的畫質(zhì)，所以控制電子釋放特性是非常重要的。S卩，為了顯示高精細(xì)化的圖像，盡管I場的時(shí)間固定但進(jìn)行寫入的像素的數(shù)量增力口，所以需要使在子場中的寫入期間中向地址電極施加的脈沖的寬度變窄。然而，從電壓脈沖的上升到在放電空間內(nèi)產(chǎn)生放電為止存在被稱作放電延遲的時(shí)滯，所以若脈沖的寬度變窄，則導(dǎo)致在寫入期間內(nèi)放電能結(jié)束的概率變低。其結(jié)果，產(chǎn)生點(diǎn)亮不良，也產(chǎn)生閃爍等畫質(zhì)性能降低的問題。另外，以為了降低耗電而提高放電帶來的發(fā)光效率為目的，若提高有助于熒光體發(fā)光的放電氣體的一種成分、即氙(Xe)在放電氣體整體中的含有率，則還是會(huì)產(chǎn)生放電電壓變高，并且放電延遲變大、點(diǎn)亮不良等的畫質(zhì)降低的問題。這樣為了實(shí)現(xiàn)rop的高精細(xì)化和低耗電化，存在必須同時(shí)實(shí)現(xiàn)放電電壓不變高、而且減少點(diǎn)亮不良來提高畫質(zhì)這樣的課題。嘗試了通過在保護(hù)層中混入雜質(zhì)來改善電子釋放特性。然而，需要如下所述的對策在保護(hù)層中混入雜質(zhì)來改善電子釋放特性的情況下，在想要在保護(hù)層表面蓄積電荷并用作存儲(chǔ)器功能時(shí)，由于電荷隨著時(shí)間的經(jīng)過而減少的衰減率變大，所以需要增大用于抑制該情況發(fā)生的施加電壓。
另一方面，在氧化鎂(MgO)保護(hù)層上形成氧化鎂(MgO)結(jié)晶粒子的例子中，雖然能減小放電延遲、降低點(diǎn)亮不良，但具有不能降低放電電壓這一課題。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I JP特開2002-260535號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 JP特開平11-339665號公報(bào)專利文獻(xiàn)3 JP特開2006-59779號公報(bào)專利文獻(xiàn)4 JP特開平8-236028號公報(bào)專利文獻(xiàn)5 JP特開平10-334809號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的PDP構(gòu)成為具備前面板、和與該前面板對置配置的背面板，前面板具有電介質(zhì)層和覆蓋該電介質(zhì)層的保護(hù)層，背面板具有基底電介質(zhì)層、形成在該基底電介質(zhì)層上的多個(gè)隔壁、和形成在基底電介質(zhì)層上以及隔壁的側(cè)面的熒光體層，保護(hù)層包括形成在電介質(zhì)層上的基底層，在基底層上，遍布整個(gè)面地分散配置有凝集了多個(gè)氧化鎂的結(jié)晶粒子而成的凝集粒子以及金屬氧化物粒子，金屬氧化物粒子包含從由氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶以及氧化鋇構(gòu)成的群之中選出的至少2種金屬氧化物，金屬氧化物粒子的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值，處于金屬氧化物粒子所包含的2種金屬氧化物之中的一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值、和另一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值之間。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，即使在為了提高保護(hù)層中的二次電子釋放特性并提高亮度而使放電氣體的氙(Xe)氣體分壓增大的情況下，也能實(shí)現(xiàn)放電開始電壓降低、進(jìn)而放電延遲降低、并且即使在高精細(xì)圖像顯示時(shí)也不會(huì)產(chǎn)生點(diǎn)亮不良等、顯示性能出色的rop，能實(shí)現(xiàn)即使在高精細(xì)圖像顯示時(shí)也能以高亮度進(jìn)行低電壓驅(qū)動(dòng)的rop。


圖I是表示一實(shí)施方式中的rop的構(gòu)造的立體圖。
圖2是表示該rop的前面板的構(gòu)成的剖面圖。圖3是表示該rop的基底層的X射線衍射結(jié)果的圖。圖4是表示該rop的其他構(gòu)成的基底層的X射線衍射結(jié)果的圖。圖5是用于對該rop的凝集粒子進(jìn)行說明的放大圖。圖6是表示該rop的放電延遲與保護(hù)層中的鈣(Ca)濃度的關(guān)系的圖。圖7是表示對該P(yáng)DP的電子釋放性能與點(diǎn)亮電壓進(jìn)行了調(diào)查的結(jié)果的圖。圖8是表示該P(yáng)DP中使用的結(jié)晶粒子的粒徑與電子釋放性能的關(guān)系的特性圖。圖9是表示對該P(yáng)DP的電子釋放性能與點(diǎn)亮電壓進(jìn)行了調(diào)查的結(jié)果的圖。
具體實(shí)施例方式以下，使用附圖對一實(shí)施方式中的PDP進(jìn)行說明。(實(shí)施方式I)以下，對實(shí)施方式I中的PDP進(jìn)行說明。圖I是表示一實(shí)施方式中的I3DP的構(gòu)造的立體圖。I3DPl的基本構(gòu)造與一般的交流面放電型PDP相同。如圖I所示，PDPl將由前面玻璃基板3等構(gòu)成的前面板2、和由背面玻璃基板11等構(gòu)成的背面板10對置配置，并通過由玻璃料等構(gòu)成的密封材料對其外周部進(jìn)行氣密密封。在被密封的I3DPl內(nèi)部的放電空間16中，以400Torr 600Torr(5. 3 X IO4Pa 8. OXlO4Pa)的壓力封入氙(Xe)與氖(Ne)等的放電氣體。在前面板2的前面玻璃基板3上，相互平行地分別配置有多列由掃描電極4以及維持電極5構(gòu)成的一對帶狀的顯示電極6與黑條(遮光層)7。在前面玻璃基板3上，按照覆蓋顯示電極6與遮光層7的方式形成有保持電荷并起到電容器的作用的電介質(zhì)層8，進(jìn)一步在其上形成有保護(hù)層9。另外，在背面板10的背面玻璃基板11上，在與前面板2的掃描電極4以及維持電極5正交的方向上，相互平行地配置有多個(gè)帶狀的地址電極12，基底電介質(zhì)層13覆蓋地址電極12。進(jìn)而，在地址電極12間的基底電介質(zhì)層13上，形成有劃分放電空間16的規(guī)定高度的隔壁14。在隔壁14間的每個(gè)槽內(nèi)，依次涂敷并形成有在紫外線的作用下分別以紅色、綠色以及藍(lán)色發(fā)光的熒光體層15。在掃描電極4以及維持電極5與地址電極12交叉的位置形成放電空間，具有沿著顯示電極6方向排列的紅色、綠色、藍(lán)色的熒光體層15的放電空間成為用于彩色顯示的像素。圖2是表示本實(shí)施方式中的I3DPl的前面板2的構(gòu)成的剖面圖，圖2與圖I上下顛倒地進(jìn)行了表示。如圖2所示，在通過浮法玻璃工藝等而制造出的前面玻璃基板3，進(jìn)行圖案化而形成有由掃描電極4與維持電極5構(gòu)成的顯不電極6與遮光層7。掃描電極4與維持電極5分別由以下部分構(gòu)成由銦錫氧化物(IT0)、氧化錫(SnO2)等構(gòu)成的透明電極4a、5a ；和在透明電極4a、5a上形成的金屬總線電極4b、5b。金屬總線電極4b、5b被用于在透明電極4a、5a的長邊方向賦予導(dǎo)電性的目的，由以銀(Ag)材料為主成分的導(dǎo)電性材料形成。電介質(zhì)層8是為了覆蓋在前面玻璃基板3上形成的這些透明電極4a、5a、金屬總線電極4b、5b與遮光層7而設(shè)置的第I電介質(zhì)層81、和在第I電介質(zhì)層81上形成的第2電介質(zhì)層82的至少雙層構(gòu)成，進(jìn)一步在第2電介質(zhì)層82上形成有保護(hù)層9。保護(hù)層9由以下部分構(gòu)成在電介質(zhì)層8上形成的由氧化鎂構(gòu)成的基底層91 ;在基底層91上凝集了多個(gè)氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a而成的凝集粒子92;以及由從氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)以及氧化鋇(BaO)中選出的至少兩種以上的氧化物構(gòu)成的金屬氧化物粒子93。接下來，對這樣的I3DPl的制造方法進(jìn)行說明。首先，在前面玻璃基板3上，形成掃描電極4以及維持電極5與遮光層7。構(gòu)成掃描電極4與維持電極5的透明電極4a、5a與金屬總線電極4b、5b是通過使用光刻法等進(jìn)行圖案化而形成的。透明電極4a、5a是使用薄膜工藝等形成的，金屬總線電極4b、5b是以規(guī)定的溫度對包含銀(Ag)材料的膏劑進(jìn)行燒成而硬化的。另外，遮光層7也同樣，是通過對包含黑色顏料的膏劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷的方法、或?qū)⒑谏伭闲纬稍诓ＡЩ宓恼麄€(gè)面上后利用光刻法進(jìn)行圖案化并進(jìn)行燒成而形成的。接下來，按照覆蓋掃描電極4、維持電極5以及遮光層7的方式，在前面玻璃基板3上通過壓模涂敷法(die coating method)等涂敷電介質(zhì)膏劑而形成電介質(zhì)膏劑(電介質(zhì)材料)層。在涂敷了電介質(zhì)膏劑后，通過放置規(guī)定的時(shí)間，被涂敷的電介質(zhì)膏劑表面被校平 而成為平坦的表面。其后，對電介質(zhì)膏劑層進(jìn)行燒成硬化，從而形成覆蓋掃描電極4、維持電極5以及遮光層7的電介質(zhì)層8。其中，電介質(zhì)膏劑是包含玻璃粉末等的電介質(zhì)材料、粘合劑以及溶劑的涂料。接下來，在電介質(zhì)層8上形成基底層91?；讓?1是利用氧化鎂(MgO)的顆粒通過薄膜成膜方法形成的。作為薄膜成膜方法，可以應(yīng)用電子束蒸鍍法、濺射法、離子電鍍法等公知的方法。作為一個(gè)例子，在濺射法的情況下考慮IPa為實(shí)際可采用的壓力的上限，在作為蒸鍍法的一個(gè)例子的電子束蒸鍍法的情況下，考慮0. IPa為實(shí)際可采用的壓力的上限。另外，作為基底層91的成膜時(shí)的環(huán)境，通過在為了防止水分附著或雜質(zhì)的吸附而與外部隔離的封閉狀態(tài)下調(diào)整成膜時(shí)的環(huán)境，從而能形成具有規(guī)定的電子釋放特性的由金屬氧化物構(gòu)成的基底層91。接下來，對附著形成在基底層91上的氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a的凝集粒子92進(jìn)行敘述。這些結(jié)晶粒子92a可以通過以下所示的氣相合成法或者前體燒成法的任一方法來制造。在氣相合成法的情況下，在充滿惰性氣體的環(huán)境下對純度99. 9%以上的鎂金屬材料進(jìn)行加熱，進(jìn)而通過在環(huán)境中導(dǎo)入少量氧，從而使鎂直接氧化，能制作氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a。另一方面，在前體燒成法的情況下，可以通過以下的方法來制作結(jié)晶粒子92a。在前體燒成法的情況下，以700°C以上的高溫對氧化鎂(MgO)的前體進(jìn)行均勻燒成，之后使其漸漸冷卻，從而能得到氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a。作為前體，例如可以選擇鎂醇鹽(Mg(OR)2)、乙?；V(Mg(acac)2)、氫氧化鎂(Mg(OH) 2)、碳酸鎂(MgCO2)、氯化鎂(MgCl2)、硫酸鎂(MgSO4)、硝酸鎂(Mg(NO3)2)、草酸鎂(MgC2O4)中的任意I種以上的化合物。另外，根據(jù)所選擇的化合物，雖然通常以水合物的形態(tài)存在，但也可以使用這樣的水合物。調(diào)整這些化合物，使得燒成后得到的氧化鎂(MgO)的純度為99. 95%以上，優(yōu)選為99. 98%以上。這是因?yàn)樵谶@些化合物中，若混入各種堿金屬、B、Si、Fe、Al等的雜質(zhì)元素一定量以上，則在熱處理時(shí)產(chǎn)生不必要的粒子間粘連或燒結(jié)，難以獲得高結(jié)晶性的氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a。因此，通過除去雜質(zhì)元素等，需要預(yù)先調(diào)整前體。
接下來，對在基底層91上附著形成的由從氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)以及氧化鋇(BaO)中選出的至少2個(gè)以上的氧化物構(gòu)成的金屬氧化物粒子93進(jìn)行敘述。金屬氧化物粒子93例如可以通過氣相合成法獲得。在充滿惰性氣體的環(huán)境下，同時(shí)對從鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)以及鋇(Ba)中選出的2種以上的金屬材料同時(shí)進(jìn)行加熱，使其升華，從而形成高溫氣體區(qū)域，若按照包圍該高溫氣體區(qū)域的方式導(dǎo)入氧氣，則在高溫氣體區(qū)域與氧氣導(dǎo)入?yún)^(qū)域的界面瞬時(shí)冷卻，從而能制作金屬氧化物粒子93。使通過上述任一方法得到的氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a以及金屬氧化物粒子93分散在溶劑中，通過噴霧法或絲網(wǎng)印刷法、靜電涂敷法等使其分散液分散散布在基底層91的表面。其后，經(jīng)過干燥、燒成工序除去溶劑，能使氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a以及金屬氧化物粒子93固定在基底層91的表面。此外，在氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a以及金屬氧化物粒子93的分散時(shí)，雖然存在使其分散在相同的溶劑中同時(shí)進(jìn)行涂敷的方法、以及準(zhǔn)備各自的分散液依次進(jìn)行涂敷的方法，但采用那種方法進(jìn)行涂敷都可以。通過這樣的一系列工序，在前面玻璃基板3上形成規(guī)定的構(gòu)成物(掃描電極4、維 持電極5、遮光層7、電介質(zhì)層8、保護(hù)層9),從而完成前面板2。另一方面，如下述那樣形成背面板10。首先，在背面玻璃基板11上，通過對包含銀(Ag)材料的膏劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷的方法、或者將金屬膜形成在整個(gè)面上后利用光刻法進(jìn)行圖案化的方法等，來形成作為地址電極12用的構(gòu)成物的材料層。其后，通過以規(guī)定的溫度進(jìn)行燒成來形成地址電極12。接下來，在形成了地址電極12的背面玻璃基板11上，通過壓模涂敷法等，按照覆蓋地址電極12的方式涂敷電介質(zhì)膏劑，來形成電介質(zhì)膏劑層。其后，通過對電介質(zhì)膏劑層進(jìn)行燒成來形成基底電介質(zhì)層13。其中，電介質(zhì)膏劑是含有玻璃粉末等的電介質(zhì)材料和粘合劑以及溶劑的涂料。接下來，在基底電介質(zhì)層13上涂敷含有隔壁材料的隔壁形成用膏劑并使其干燥。其后，在干燥了的隔壁形成用膏劑之上涂敷含有粘接層材料的粘接層形成用膏劑，通過將其圖案化為規(guī)定的形狀來形成隔壁材料層與粘接材料層。其后，通過以規(guī)定的溫度進(jìn)行燒成來形成隔壁14與粘接層。在此，作為對涂敷到基底電介質(zhì)層13上的隔壁用膏劑與粘接層形成用膏劑進(jìn)行圖案化的方法，可以使用光刻法或噴砂法。接下來，在相鄰的隔壁14間的基底電介質(zhì)層13上以及隔壁14的側(cè)面涂敷含有熒光體材料的熒光體膏劑，通過燒成來形成熒光體層15。進(jìn)而，將用于穩(wěn)固地粘接前面板2與背面板10的玻璃料形成在背面板10的周圍。通過以上的工序，完成了在背面玻璃基板11上具有規(guī)定的構(gòu)成構(gòu)件的背面板10。接下來，將具有規(guī)定的構(gòu)成構(gòu)件的前面板2與背面板10按照掃描電極4與地址電極12正交的方式對置配置，并進(jìn)行固定。對進(jìn)行了固定的前面板2與背面板10，在玻璃料與粘接材料層的熔點(diǎn)以上并且隔壁材料層的熔點(diǎn)以下的溫度下進(jìn)行燒成。由此，前面板2與背面板10通過粘接層與玻璃料而被粘接。最后，在放電空間16封入包含氙(Xe)與氖(Ne)等的放電氣體，完成H)P1。這里，針對構(gòu)成前面板2的電介質(zhì)層8的第I電介質(zhì)層81和第2電介質(zhì)層82進(jìn)行詳細(xì)說明。第I電介質(zhì)層81的電介質(zhì)材料由下述材料組成構(gòu)成。即，含有20重量％ 40重量％的氧化鉍(Bi2O3)，含有0. 5重量％ 12重量％的從氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、氧化鋇(BaO)中選擇的至少一種，含有0. I重量％ 7重量％的從氧化鑰(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化鋪(CeO2)、二氧化猛(MnO2)中選擇的至少一種。
另外，也可取代氧化鑰(MoO3)、氧化鶴(WO3)、氧化鋪(CeO2)、二氧化猛(MnO2),而含有0. I重量％ 7重量％的從氧化銅(CuO)、氧化鉻(Cr2O3)、氧化鈷(Co2O3)、氧化釩(V2O7)、氧化銻(Sb2O3)中選擇的至少一種。此外，作為上述之外的成分，也可以含有0重量％ 40重量％的氧化鋅(Zn0)、0重量％ 35重量％的氧化硼(B203)、0重量％ 15重量％的氧化硅(SiO2)、0重量％ 10重量％的氧化鋁(Al2O3)等不含鉛成分的材料組成。將由這些組成成分構(gòu)成的電介質(zhì)材料通過濕式噴射磨機(jī)或球磨機(jī),粉碎成平均粒徑為0. 5 i! m 2. 5 i! m，制成電介質(zhì)材料粉末。接著，利用三個(gè)輥充分混合55重量％ 70重量％的該電介質(zhì)材料粉末、30重量％ 45重量％的粘合劑成分，制成壓模涂敷用或印刷用的第I電介質(zhì)層81用膏劑。粘合劑成分是乙基纖維素、或含有I重量％ 20重量％的丙烯酸樹脂的萜品醇、或者丁基卡必醇乙酸酯。另外，可以根據(jù)需要，向膏劑中添加作為增塑劑的鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯，并添加作為分散劑的甘油單油酸酯、山梨 糖醇酐倍半油酸酯、homogenoll (陰離子表面活性劑Kao Corporation公司產(chǎn)品名)、燒基烯丙基的磷酸酯等，來提高印刷特性。接著，使用該第I電介質(zhì)層用膏劑，按照覆蓋顯示電極6的方式通過壓模涂法或絲網(wǎng)印刷法印刷到前面玻璃基板3上，并使其干燥，然后，以比電介質(zhì)材料的軟化點(diǎn)稍高的溫度575°C 590°C進(jìn)行燒成，形成第I電介質(zhì)層81。接著，對第2電介質(zhì)層82進(jìn)行說明。第2電介質(zhì)層82的電介質(zhì)材料由下述的材料組成構(gòu)成。S卩，含有11重量％ 20重量％的氧化鉍(Bi2O3)，并且含有I. 6重量％ 21重量％的從氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、氧化鋇(BaO)中選擇的至少一種，含有0. I重量％ 7重量％的從氧化鑰(MoO3)、氧化鶴(WO3)、氧化鋪(CeO2)中選擇的至少一種。另外，也可取代氧化鑰(MoO3)、氧化鶴(WO3)、氧化鋪(CeO2),而含有0. I重量％ 7重量％的從氧化銅(CuO)、氧化鉻(Cr2O3)、氧化鈷(Co2O3)、氧化fL (V2O7)、氧化鋪(Sb2O3)、二氧化錳(MnO2)中選擇的至少一種。此外，作為上述之外的成分，也可以含有0重量％ 40重量％的氧化鋅(Zn0)、0重量％ 35重量％的氧化硼(B203)、0重量％ 15重量％的氧化硅(SiO2)、0重量％ 10重量％的氧化鋁(Al2O3)等不含鉛成分的材料組成。將由這些組成成分構(gòu)成的電介質(zhì)材料通過濕式噴射磨機(jī)或球磨機(jī),粉碎成平均粒徑為0. 5iim 2. 5iim，制成電介質(zhì)材料粉末。接著，利用三個(gè)輥充分混合55重量％ 70重量％的該電介質(zhì)材料粉末、30重量％ 45重量％的粘合劑成分，制成壓模涂用或印刷用的第2電介質(zhì)層用膏劑。粘合劑成分是乙基纖維素、或含有I重量％ 20重量％的丙烯酸樹脂的萜品醇、或者丁基卡必醇乙酸酯。另外，可以根據(jù)需要，向膏劑中添加作為增塑劑的鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯，并添加作為分散劑的甘油單油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酯、homogenoll (陰離子表面活性劑Kao Corporation公司廣品名)、燒基稀丙基的憐酸酷等，來提聞?dòng)∷⑻匦?。接著，使用該?電介質(zhì)層用膏劑，通過絲網(wǎng)印刷法或壓模涂法將其印刷到第I電介質(zhì)層81上，并使其干燥，然后，以比電介質(zhì)材料的軟化點(diǎn)稍高的溫度550°C 590°C進(jìn)行燒成。
另外，作為電介質(zhì)層8的膜厚，為了確?？梢姽馔高^率，優(yōu)選第I電介質(zhì)層81與第2電介質(zhì)層82合計(jì)為41 以下。為了抑制與金屬總線電極4b、5b的銀(Ag)的反應(yīng)，第I電介質(zhì)層81使氧化鉍(Bi2O3)的含有量比第2電介質(zhì)層82的氧化鉍(Bi2O3)含有量多，設(shè)為20重量％ 40重量％。因此，由于第I電介質(zhì)層81的可見光透過率比第2電介質(zhì)層82的可見光透過率低，所以，使第I電介質(zhì)層81的膜厚比第2電介質(zhì)層82的膜厚薄。另外，在第2電介質(zhì)層82中，如果氧化鉍(Bi2O3)的含有量為11重量％以下，則難以發(fā)生著色，但容易在第2電介質(zhì)層82中產(chǎn)生氣泡，因此不優(yōu)選。此外，如果含有率超過40重量％，則容易發(fā)生著色，所以透過率降低。另外，由于電介質(zhì)層8的膜厚越小，面板亮度的提高和降低放電電壓的效果越顯著，所以，優(yōu)選在絕緣耐壓不降低的范圍內(nèi)，盡量將膜厚設(shè)定得小?；谠撚^點(diǎn)，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，將電介質(zhì)層8的膜厚設(shè)定為41 ii m以下,將第I電介質(zhì)層81設(shè)為5 ii m 15 u m,將第2電介質(zhì)層82設(shè)為20 y m 36 y m。 接下來對粘接層的形成材料進(jìn)行敘述。作為粘接層的形成材料，優(yōu)選熔點(diǎn)比由熔點(diǎn)為500°C 600°C的材料構(gòu)成的隔壁14低的料玻璃或水玻璃等的低熔點(diǎn)材料。另外，也可以使用吸濕性以及脫氣性低的紫外線粘合劑或在真空裝置中采用的一般的密封劑。對于如此制造的TOPl而言，即使顯示電極6采用了銀(Ag)材料，前面玻璃基板3的著色現(xiàn)象(黃變)也會(huì)減少，而且不會(huì)在電介質(zhì)層8中產(chǎn)生氣泡等，實(shí)現(xiàn)了絕緣耐壓性能出色的電介質(zhì)層8。接著，對在本發(fā)明的實(shí)施方式的I3DPl中，可通過這些電介質(zhì)材料抑制在第I電介質(zhì)層81中產(chǎn)生黃變與氣泡的原因進(jìn)行考察。即，眾所周知，通過向含有氧化鉍(Bi2O3)的電介質(zhì)玻璃中添加氧化鑰(MoO3)或氧化鎢(WO3),容易在580°C以下的低溫下生成Ag2Mo04、Ag2Mo2O7^Ag2Mo4O13^Ag2WO4^Ag2W2O7^Ag2W4O13等化合物。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，由于電介質(zhì)層8的燒成溫度為550°C 590°C，所以，燒成過程中擴(kuò)散到電介質(zhì)層8中的銀離子(Ag+)會(huì)與電介質(zhì)層8中的氧化鑰(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化鈰(CeO2)、二氧化錳(MnO2)反應(yīng)，生成穩(wěn)定的化合物而到達(dá)穩(wěn)態(tài)。即，由于銀離子(Ag+)未被還原而處于穩(wěn)態(tài)，所以，不會(huì)凝集生成膠體。因此，由于銀離子(Ag+)處于穩(wěn)態(tài)，伴隨銀(Ag)的膠體化的氧的產(chǎn)生也減少，所以，電介質(zhì)層8中氣泡的產(chǎn)生也減少。另一方面，為了使這些效果有效，優(yōu)選在含有氧化秘(Bi2O3)的電介質(zhì)玻璃中，將氧化鑰(MoO3)、氧化鶴(WO3)、氧化鋪(CeO2)、二氧化猛(MnO2)的含有量設(shè)為0. I重量％以上，更優(yōu)選為0. I重量％以上7重量％以下。尤其在小于0. I重量％的情況下，抑制黃變的效果降低，如果超過7重量％，則玻璃上引起著色，因此不優(yōu)選。即，本發(fā)明的實(shí)施方式中的I3DPl的電介質(zhì)層8，在與由銀(Ag)材料構(gòu)成的金屬總線電極4b、5b相接的第I電介質(zhì)層81中，抑制了黃變現(xiàn)象和氣泡產(chǎn)生，通過設(shè)置在第I電介質(zhì)層81上的第2電介質(zhì)層82，實(shí)現(xiàn)了高的光透過率。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)電介質(zhì)層8整體的氣泡與黃變的產(chǎn)生極少、且透過率高的rop。接下來，對本實(shí)施方式中的保護(hù)層9的詳情進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中的PDP中，如圖2所示，保護(hù)層9由在電介質(zhì)層8上形成的由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的基底層91、附著在基底層91上的凝集了多個(gè)氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a而成的凝集粒子92以及金屬氧化物粒子。另外，金屬氧化物粒子93由金屬氧化物形成，該金屬氧化物由從氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、以及氧化鋇(BaO)中選出的至少2個(gè)以上的氧化物構(gòu)成，金屬氧化物被構(gòu)成為在X射線衍射分析中，在由構(gòu)成特定方位面(specific crystal plane)的金屬氧化物的氧化物單體產(chǎn)生的最小衍射角與最大衍射角之間存在峰值。即，金屬氧化物粒子93的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值，存在于金屬氧化物粒子93所包含的2種金屬氧化物之中的一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值、和另一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值之間。圖3是表示構(gòu)成本實(shí)施方式中的I3DPl的保護(hù)層9的基底層91面的X射線衍射結(jié)果的圖。另外，在圖3中也表示氧化鎂(MgO)單體、氧化鈣(CaO)單體、氧化鍶(SrO)單體以及氧化鋇(BaO)單體的X射線衍射分析的結(jié)果。在圖3中，橫軸是布拉格衍射角(20)，縱軸是X射線衍射波的強(qiáng)度。衍射角的單 位用將I周設(shè)為360度的度表示,強(qiáng)度用任意單位(arbitrary unit)表示。在圖3中,用括入括號的部分表示特定方位面、即晶面。如圖3所示可知，在晶面的(111)的情況下，在氧化鈣(CaO)單體中在衍射角32. 2度具有峰值，在氧化鎂(MgO)單體中在衍射角36. 9度具有峰值，在氧化鍶單體中在衍射角30. 0度具有峰值，在氧化鋇單體中在衍射角27. 9度具有峰值。本實(shí)施方式中的I3DPl中，作為保護(hù)層9的金屬氧化物粒子93，通過由從氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、以及氧化鋇(BaO)中選出的至少2種以上的氧化物構(gòu)成的金屬氧化物形成。在圖3中，表示了構(gòu)成金屬氧化物粒子93的單體成分為兩種成分的情況下的X射線衍射結(jié)果。即，用A點(diǎn)表示使用氧化鎂(MgO)與氧化鈣(CaO)的單體而形成的金屬氧化物粒子93的X射線衍射結(jié)果，用B點(diǎn)表示使用氧化鎂(MgO)與氧化鍶(SrO)的單體而形成的金屬氧化物粒子93的X射線衍射結(jié)果，進(jìn)而用C點(diǎn)表示使用氧化鎂(MgO)與氧化鋇(BaO)的單體而形成的金屬氧化物粒子93的X射線衍射結(jié)果。S卩，關(guān)于A點(diǎn)，在作為特定方位面的晶面的(111)中，在成為單體的氧化物的最大衍射角的氧化鎂(MgO)單體的衍射角36. 9度、和成為最小衍射角的氧化鈣(CaO)單體的衍射角32. 2度之間的衍射角36. I度存在峰值。同樣，關(guān)于B點(diǎn)和C點(diǎn)，也分別在最大衍射角與最小衍射角之間的35. 7度、35. 4度存在峰值。另外，與圖3同樣，在圖4中表示構(gòu)成金屬氧化物粒子93的單體成分為3種成分以上的情況下的X射線衍射結(jié)果。即，在圖4中，用點(diǎn)D表示作為單體成分而使用氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)以及氧化鍶(SrO)的情況下的結(jié)果,用E點(diǎn)表示使用氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)以及氧化鋇(BaO)的情況下的結(jié)果，用F點(diǎn)表示使用氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)以及氧化鋇(BaO)的情況下的結(jié)果。S卩，關(guān)于D點(diǎn)，在作為特定方位面的晶面的(111)中，在成為單體的氧化物的最大衍射角的氧化鎂(MgO)單體的衍射角36. 9度、和成為最小衍射角的氧化鍶(SrO)單體的衍射角30. 0度之間的衍射角33. 4度存在峰值。同樣，關(guān)于E點(diǎn)和F點(diǎn)，也分別在最大衍射角與最小衍射角之間的32. 8度、30. 2度存在峰值。因此，本實(shí)施方式中的I3DPl的金屬氧化物粒子93，作為單體成分有2種成分和3種成分，在構(gòu)成金屬氧化物粒子93的金屬氧化物的X射線衍射分析中，在由構(gòu)成特定方位面的金屬氧化物的氧化物單體產(chǎn)生的峰值的最小衍射角與最大衍射角之間存在峰值。即，金屬氧化物粒子93的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值，存在于金屬氧化物粒子93所包含的2種金屬氧化物之中的一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值、和另一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值之間。另外，在上述說明中，作為特定面方位的晶面，以(111)為對象進(jìn)行了說明，但在以其他晶面作為對象的情況下，金屬氧化物的峰值位置也與上述同樣。在氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、以及氧化鋇(BaO)中，與氧化鎂(MgO)比較，在距離真空度(vacuum level)的深度較淺的區(qū)域存在電子。因此認(rèn)為，在驅(qū)動(dòng)I3DPl的情況下，當(dāng)存在于氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、氧化鋇(BaO)的能級的電子向氙(Xe)離子的基態(tài)遷移時(shí)，基于俄歇效應(yīng)釋放出的電子數(shù)比從氧化鎂(MgO)的能級遷移的情況多。另外，如上述那樣，本實(shí)施方式中的金屬氧化物粒子93，在由構(gòu)成金屬氧化物的氧化物單體產(chǎn)生的峰值的最小衍射角與最大衍射角之間存在峰值。作為X射線衍射分析的結(jié)果，具有圖3以及圖4所示的特征的金屬氧化物的能級也存在于構(gòu)成它們的單體的氧化物 之間。因此，金屬氧化物粒子93的能級存在于單體的氧化物之間，基于俄歇效應(yīng)而釋放出的電子數(shù)比從氧化鎂(MgO)的能級遷移的情況多。其結(jié)果，在金屬氧化物粒子93的情況下，與氧化鎂(MgO)單體比較，能發(fā)揮良好的二次電子釋放特性，結(jié)果能減少放電維持電壓。因此，特別在為了提高亮度而增高了作為放電氣體的氙(Xe)分壓的情況下，能夠降低放電電壓，實(shí)現(xiàn)低電壓、高亮度的rop。表I表示了在本發(fā)明的實(shí)施方式的PDP中，在封入了 450Torr的氙(Xe)及氖(Ne)的混合氣體(Xe、15% )時(shí)的放電維持電壓的結(jié)果中，改變了基底膜91的構(gòu)成時(shí)的PDP的結(jié)果。[表 I]
__樣品A樣品B 樣品C 樣品D樣品E 比較例放電維持電壓 9087858182100
(arb.units)其中，表I的放電維持電壓以將比較例設(shè)為100時(shí)的相對值進(jìn)行了表示。樣品A的金屬氧化物粒子93由氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)的金屬氧化物構(gòu)成，樣品B的金屬氧化物粒子93由氧化鎂(MgO)和氧化鍶(SrO)的金屬氧化物構(gòu)成，樣品C的金屬氧化物粒子93由氧化鎂(MgO)和氧化鋇(BaO)的金屬氧化物構(gòu)成，樣品D的金屬氧化物粒子93由氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)及氧化鍶(SrO)的金屬氧化物構(gòu)成，樣品E的金屬氧化物粒子93由氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)及氧化鋇(BaO)的金屬氧化物構(gòu)成。而比較例表示了金屬氧化物粒子93是氧化鎂(MgO)單體的情況。在將放電氣體的氙(Xe)的分壓從大約10%提高到大約15%的情況下，亮度上升約30%，但在金屬氧化物粒子93是氧化鎂(MgO)單體時(shí)的比較例中，放電維持電壓大約上升 10%。另一方面,在本發(fā)明的實(shí)施方式的F1DP中，樣品A、樣品B、樣品C、樣品D、樣品E與比較例相比，都可以將放電維持電壓降低約10% 約20%。因此，可以成為通常動(dòng)作范圍內(nèi)的放電開始電壓，能夠?qū)崿F(xiàn)高亮度、低電壓驅(qū)動(dòng)的PDP。
此外，由于氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、氧化鋇(BaO)在單體情況下反應(yīng)性高，所以容易與雜質(zhì)反應(yīng)，因此，存在著會(huì)導(dǎo)致電子釋放性能降低這一課題。但是，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，通過形成這些金屬氧化物的構(gòu)成，可降低反應(yīng)性，能夠以雜質(zhì)混入少、缺氧少的結(jié)晶構(gòu)造形成。因此，在PDP的驅(qū)動(dòng)時(shí)可抑制電子的過度釋放，不僅同時(shí)兼顧低電壓驅(qū)動(dòng)和二次電子釋放特性的效果，還發(fā)揮著具有恰當(dāng)?shù)碾姾杀３痔匦缘男Ч?。該電荷保持特性，特別在預(yù)先保持初始化期間貯存的壁電荷、在寫入期間防止寫入不良從而進(jìn)行可靠的寫入放電的方面是有效的。接著，對本發(fā)明的實(shí)施方式中設(shè)置在基底膜91上的、凝集了多個(gè)的氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a而成的凝集粒子92進(jìn)行詳細(xì)說明。已經(jīng)確認(rèn)，凝集粒子92主要具有抑制寫入放電中的放電延遲的效果、和改善放電延遲的溫度依賴性的效果。因此，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，利用凝集粒子92與基底膜91相比具有高度的初始電子釋放特性這一性質(zhì)，將凝集粒子92配設(shè)作為在放電脈沖上升時(shí)需要的初始電子供給部。在放電開始時(shí)，成為觸發(fā)的初始電子從基底層91表面釋放到放電空間16中的量 不足，這被認(rèn)為是放電延遲的主要原因。為此，為了有助于穩(wěn)定地對放電空間16提供初始電子，而將氧化鎂(MgO)的凝集粒子92分散配置在基底層91的表面。由此，在放電脈沖的上升時(shí)使放電空間16中存在豐富的電子，可以消除放電延遲。因此，通過具有這樣的初始電子釋放特性，即使在高精細(xì)的I3DPl等情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)放電響應(yīng)性良好的高速驅(qū)動(dòng)。另外，在基底膜91的表面配設(shè)金屬氧化物的凝集粒子92的構(gòu)成中，主要可以獲得對寫入放電中的放電延遲進(jìn)行抑制的效果，并且還可以獲得改善放電延遲的溫度依賴性的效果。綜上所述，在本實(shí)施方式中的ropi中，通過由起到兼顧低電壓驅(qū)動(dòng)和電荷保持效果的基底膜91、和起到防止放電延遲的效果的氧化鎂(MgO)的凝集粒子92來構(gòu)成，作為ropi整體，即使在高精細(xì)的ropi的情況下，也能夠以低電壓進(jìn)行高速驅(qū)動(dòng)，并且，可以實(shí)現(xiàn)抑制了點(diǎn)売不良的聞品質(zhì)的圖像顯不性能。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，使凝集了數(shù)個(gè)結(jié)晶粒子92a而成的凝集粒子92離散地散布在基底膜91上，并按照遍布整個(gè)面大致均勻分布地使其附著多個(gè)。圖5是用于說明凝集粒子92的放大圖。凝集粒子92是指如圖5所示那樣，規(guī)定的一次粒徑的結(jié)晶粒子92a處于凝集或縮頸的狀態(tài)的粒子。即，不像固體那樣具有大的結(jié)合力結(jié)合在一起，而是通過靜電或范德瓦耳斯力等使得多個(gè)一次粒子成為集合體的粒子，而且，凝集粒子92以通過超聲波等外部刺激，其一部分或全部分解成一次粒子的狀態(tài)的程度的力結(jié)合。作為凝集粒子92的粒徑，約為I U m左右，作為結(jié)晶粒子92a，優(yōu)選是具有14面體、12面體等7個(gè)面以上的面的多面體形狀。另外，結(jié)晶粒子92a的一次粒子的粒徑可以根據(jù)結(jié)晶粒子92a的生成條件來控制。例如，在對碳酸鎂或氫氧化鎂等MgO前體進(jìn)行燒成來生成MgO的情況下，通過控制燒成溫度、燒成環(huán)境，可以控制粒徑。一般情況下，燒成溫度可以在700°C到1500°C的范圍中選擇，但通過將燒成溫度設(shè)為比較高的1000°C以上，可以將一次粒子的粒徑控制為0. 3pm 2 U m的程度。并且，在加熱MgO前體得到結(jié)晶粒子92a的情況下，可以在其生成過程中使多個(gè)一次粒子彼此通過凝集或被稱作縮頸的現(xiàn)象結(jié)合，得到凝集粒子92。圖6是表示本實(shí)施方式中的rop的放電延遲與保護(hù)層中的鈣(Ca)濃度的關(guān)系的圖。具體地說，表示了 TOPI之中，使用由氧化鎂(MgO)與氧化鈣(CaO)的金屬氧化物構(gòu)成的金屬氧化物粒子93的情況下的放電延遲與金屬氧化物粒子93中的鈣(Ca)濃度的關(guān)系。作為金屬氧化物粒子93，由氧化鎂(MgO)與氧化鈣(CaO)所形成的金屬氧化物構(gòu)成，金屬氧化物在X射線衍射分析中，在產(chǎn)生氧化鎂(MgO)的峰值的衍射角與產(chǎn)生氧化鈣(CaO)的峰值的衍射角之間存在峰值。此外，圖6表示了在基底層91上僅設(shè)置了金屬氧化物粒子93作為保護(hù)層9的情況、和在基底層91上配置了金屬氧化物粒子93以及凝集粒子92的情況，以在基底膜91上不設(shè)置金屬氧化物粒子93的情況為基準(zhǔn)，表示了放電延遲。根據(jù)圖6可知，在基底層91上配置了凝集粒子92的情況與未設(shè)置凝集粒子92的情況下，在未設(shè)置凝集粒子92的情況下，隨著金屬氧化物粒子93中的鈣(Ca)濃度的增加，放電延遲變大，而通過在基底層91上配置凝集粒子92，從而能大幅減小放電延遲，即使金屬氧化物粒子93中的鈣(Ca)濃度增加，放電延遲也幾乎不會(huì)增大。接著，對為了確認(rèn)本發(fā)明的實(shí)施方式中的具有凝集粒子92的保護(hù)層9的效果而實(shí) 施的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行說明。首先，試制了具有構(gòu)成不同的基底膜91、和設(shè)置在基底膜91上的凝集粒子92的TOP。試制品I是形成了只具有氧化鎂(MgO)基底膜91的保護(hù)層9的rop，試制品2是形成了只具有在氧化鎂(MgO)中摻雜了 Al、Si等雜質(zhì)的基底膜91的保護(hù)層9的TOP，試制品3是形成了在由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的基底膜91上只散布附著有氧化鎂(MgO)結(jié)晶粒子92a的一次粒子的保護(hù)層9的TOP。另一方面，試制品4是實(shí)施方式中的roPl，作為保護(hù)層9，使用前述的樣本A。BP,保護(hù)層9包括由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的基底層91、在基底層91上以遍及整個(gè)面大致均勻分布的方式附著的凝集了結(jié)晶粒子92a而成的凝集粒子92以及由氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)構(gòu)成的金屬氧化物粒子93。此外，金屬氧化物粒子93在X射線衍射分析中，在由構(gòu)成金屬氧化物粒子93的氧化物單體產(chǎn)生的峰值的最小衍射角與最大衍射角之間存在峰值。即，該情況下的最小衍射角為氧化鈣(CaO)的32. 2度,最大衍射角為氧化鎂(MgO)的36. 9度，金屬氧化物粒子93的衍射角的峰值存在于36. I度。針對這些PDP調(diào)查了其電子釋放性能和電荷保持特性，并在圖7中表示了其結(jié)果。其中，電子釋放性能以表示其越大電子釋放量越多的數(shù)值，通過由表面狀態(tài)及氣體種類和其狀態(tài)決定的初始電子釋放量來表現(xiàn)。對于初始電子釋放量，可以通過向表面照射離子、或照射電子束，對從表面釋放出的電子電流量進(jìn)行測定的方法來測量，但難以在不進(jìn)行破壞的情況下實(shí)施對I3DPl的前面板2表面的評價(jià)。因此，采用了日本特開2007-48733號公報(bào)中公開的方法。即，對放電時(shí)的延遲時(shí)間中、被稱為統(tǒng)計(jì)延遲時(shí)間的放電發(fā)生容易程度的標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)值進(jìn)行測定，若對其倒數(shù)進(jìn)行積分，則成為與初始電子的釋放量線性對應(yīng)的數(shù)值。為此，使用該數(shù)值進(jìn)行了評價(jià)。放電時(shí)的延遲時(shí)間是指從脈沖的上升開始延遲進(jìn)行放電的放電延遲的時(shí)間，可認(rèn)為放電延遲的主要原因是開始放電時(shí)成為觸發(fā)的初始電子難以從保護(hù)層9表面被釋放到放電空間中。 電荷保持特性的指標(biāo)采用了在制作rop的情況下為了抑制電荷釋放現(xiàn)象而需要的對掃描電極施加的電壓(以下稱為Vscn點(diǎn)亮電壓)的電壓值。即，Vscn點(diǎn)亮電壓低的情況表示電荷保持特性高。這在設(shè)計(jì)rop的情況下，可以使用耐壓及電容小的部件作為電源和各電氣部件。在現(xiàn)存的產(chǎn)品中，用于依次以脈沖方式施加掃描電壓的MOSFET等半導(dǎo)體開關(guān)元件使用了耐壓為150V左右的元件，作為Vscn點(diǎn)亮電壓，考慮到因溫度引起的變動(dòng)，優(yōu)選抑制為120V以下。圖7是表示針對本發(fā)明的實(shí)施方式中的PDP的電子釋放性能和點(diǎn)亮電壓進(jìn)行調(diào)查的結(jié)果的圖。由圖7可知，本發(fā)明的實(shí)施方式中的在基底膜91上散布使氧化鎂(MgO)結(jié)晶粒子92a凝集而成的凝集粒子92、并使其遍布整個(gè)面均勻分布而得到的試制品4，在電荷保持特性的評價(jià)中，可以使Vscn點(diǎn)亮電壓為120V以下，并且，與僅具有氧化鎂(MgO)的保護(hù)層的情況的試制品I相比，可獲電子釋放性能格外好的特性。一般情況下，PDP的保護(hù)層的電子釋放性能與電荷保持特性相斥。例如，通過變更保護(hù)層的成膜條件，或向保護(hù)層中摻雜Al、Si、Ba等雜質(zhì)來進(jìn)行成膜，能夠提高電子釋放性能。但是，副作用是導(dǎo)致Vscn點(diǎn)亮電壓也上升。在形成了本發(fā)明的實(shí)施方式中的保護(hù)層9的試制品4的TOPl中，與使用了只具有氧化鎂(MgO)的保護(hù)層9的試制品I的情況相比，作為電子釋放能力具有8倍以上的性能， 可以獲得Vscn點(diǎn)売電壓為120V以下的電荷保持能力。因此，針對因聞精細(xì)化而使掃描線數(shù)增加、且單元尺寸小的PDP是有用的，能滿足電子釋放能力與電荷保持能力這兩個(gè)條件，降低放電延遲，實(shí)現(xiàn)良好的圖像顯示。接著，對本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的TOPl的保護(hù)層9中所使用的氧化鎂(MgO)的凝集粒子92的粒徑進(jìn)行詳細(xì)說明。其中，在以下的說明中，粒徑是指平均粒徑，平均粒徑意味著體積累計(jì)平均直徑(D50)。圖8是表示在上述圖7所說明的本發(fā)明的試制品4中，使結(jié)晶粒子92a的粒徑變化，來調(diào)查電子釋放性能的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的特性圖。其中，在圖8中，結(jié)晶粒子92a的粒徑通過對結(jié)晶粒子92a進(jìn)行SEM觀察來測定長度。如圖8所示，如果粒徑小至0. 3 y m左右，則電子釋放性能降低，如果大致為0.9 以上，則可獲得高的電子釋放性能。然而，為了增加放電單元內(nèi)的電子釋放數(shù)量，優(yōu)選基底膜91上的每單位面積的結(jié)晶粒子92a的數(shù)量多，但是如果在與前面板2的保護(hù)層9緊密接觸的相當(dāng)于背面板10的隔壁14的頂部的部分存在結(jié)晶粒子92a，則會(huì)使隔壁14的頂部破損，破損的隔壁材料會(huì)來到熒光體層15之上，由此，會(huì)發(fā)生相應(yīng)的單元不能正常點(diǎn)亮或熄滅的現(xiàn)象。由于若結(jié)晶粒子92a不存在于相當(dāng)于隔壁14的頂部的部分，則該隔壁破損的現(xiàn)象難以發(fā)生，所以，如果附著的結(jié)晶粒子92a的數(shù)量增多，則隔壁14的破損發(fā)生概率增高。從這一觀點(diǎn)出發(fā)，若凝集粒子直徑大至2. 5 y m左右，則隔壁破損的概率急劇增高，而如果凝集粒子直徑小于2. 5 y m，則可將隔壁破損的概率抑制得比較小。根據(jù)以上的結(jié)果可知，在本實(shí)施方式中的I3DPl中，若使用粒徑處于0. 9iim 2iim的范圍的凝集粒子92作為凝集粒子92，則能穩(wěn)定地獲得效果。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以獲得電子釋放性能高、作為電荷保持能力Vscn點(diǎn)亮電壓為120V以下的等離子顯示面板。此外，在本實(shí)施方式中，使用氧化鎂(MgO)粒子作為結(jié)晶粒子92a進(jìn)行了說明，但在其他單晶粒子中，使用具有與氧化鎂(MgO)同樣高的電子釋放性能的Sr、Ca、Ba、Al等的金屬氧化物構(gòu)成的結(jié)晶粒子也能得到相同的效果，所以粒子種類并不限定于氧化鎂(MgO)。(實(shí)施方式2)以下，對實(shí)施方式2中的PDP進(jìn)行說明。此外，關(guān)于與實(shí)施方式I相同的構(gòu)成，省略其說明。在實(shí)施方式I中的PDP中，采用了由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的基底層91，而在實(shí)施方式2中的rop中，采用了包括從氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶、以及氧化鋇構(gòu)成的群之中選出的至少2種金屬氧化物的基底層91。接下來對本實(shí)施方式中的保護(hù)層9的詳情進(jìn)行說明。保護(hù)層9由形成在電介質(zhì)層8上的基底層91、附著在基底層91上的凝集了多個(gè)氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a而成的凝集粒子 92以及金屬氧化物粒子93構(gòu)成。另外，由金屬氧化物形成基底層91以及金屬氧化物粒子93，該金屬氧化物由從氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、以及氧化鋇(BaO)中選出的至少2種以上的氧化物構(gòu)成，金屬氧化物在X射線衍射分析中，在由構(gòu)成特定方位面的金屬氧化物的氧化物單體產(chǎn)生的最小衍射角與最大衍射角之間存在峰值。S卩，金屬氧化物粒子93的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值，存在于金屬氧化物粒子93所包含的2種金屬氧化物之中的一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值、和另一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值之間。另外，基底層91的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值，存在于基底層91所包含的2種金屬氧化物之中的一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值、和另一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值之間。在本實(shí)施方式中，構(gòu)成基底層91以及金屬氧化物粒子93的單體成分為兩種成分的情況下的X射線衍射結(jié)果，與圖3所示的金屬氧化物粒子93的X射線衍射結(jié)果相同。在圖3中也表示了氧化鎂(MgO)單體、氧化鈣(CaO)單體、氧化鍶(SrO)單體以及氧化鋇(BaO)單體的X射線衍射分析的結(jié)果。在圖3中，橫軸是布拉格衍射角(20)，縱軸是X射線衍射波的強(qiáng)度。衍射角的單位用將I周設(shè)為360度的度來表示,強(qiáng)度用任意單位(arbitrary unit)來表示。在圖3中，以括入括號的部分表示特定方位面、即晶面。如圖3所示，在晶面的(111)的情況下，在氧化鈣(CaO)單體中在衍射角32. 2度具有峰值，在氧化鎂(MgO)單體中在衍射角36. 9度具有峰值，在氧化鍶(SrO)單體中在衍射角30. 0度具有峰值，在氧化鋇(BaO)單體中在衍射角27. 9度具有峰值。在本實(shí)施方式中的I3DPl中，作為保護(hù)層9的基底層91以及金屬氧化物粒子93，由從氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、以及氧化鋇(BaO)中選出的至少2種以上的氧化物所構(gòu)成的金屬氧化物形成。在圖3中表示了構(gòu)成基底層91以及金屬氧化物粒子93的單體成分為兩種成分的情況下的X射線衍射結(jié)果。即，用A點(diǎn)表示使用氧化鎂(MgO)與氧化鈣(CaO)的單體而形成的基底層91以及金屬氧化物粒子93的X射線衍射結(jié)果，用B點(diǎn)表示使用氧化鎂(MgO)與氧化鍶(SrO)的單體而形成的基底層91以及金屬氧化物粒子93的X射線衍射結(jié)果，進(jìn)而用C點(diǎn)表示使用氧化鎂(MgO)與氧化鋇(BaO)的單體而形成的基底層91以及金屬氧化物粒子93的X射線衍射結(jié)果。S卩，關(guān)于A點(diǎn)，在作為特定方位面的晶面的(111)中，在成為單體的氧化物的最大衍射角的氧化鎂(MgO)單體的衍射角36. 9度、和成為最小衍射角的氧化鈣(CaO)單體的衍射角32. 2度之間的衍射角36. I度，存在峰值。同樣，關(guān)于B點(diǎn)、C點(diǎn)，也分別在最大衍射角與最小衍射角之間的35. 7度、35. 4度存在峰值。另外，構(gòu)成基底層91以及金屬氧化物粒子93的單體成分為3種成分以上的情況下的X射線衍射結(jié)果如圖4所示，與構(gòu)成金屬氧化物粒子93的單體成分為3種成分以上的情況下的X射線衍射結(jié)果相同。即，在圖4中，用點(diǎn)D表示使用了氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)以及氧化鍶(SrO)作為單體成分的情況下的結(jié)果，用E點(diǎn)表示使用氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)以及氧化鋇(BaO)作為單體成分的情況下的結(jié)果，用F點(diǎn)表示使用氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)以及氧化鋇(BaO)作為單體成分的情況下的結(jié)果。S卩，關(guān)于D點(diǎn)，在作為特定方位面的晶面的(111)中，在成為單體的氧化物的最大衍射角的氧化鎂(MgO)單體的衍射角36. 9度、和成為最小衍射角的氧化鍶(SrO)單體的衍射角30. 0度之間的衍射角33. 4度存在峰值。同樣，關(guān)于E點(diǎn)、F點(diǎn)，也分別在最大衍射角與最小衍射角之間的32. 8度、30. 2度存在峰值。
·
因此，本實(shí)施方式中的I3DPl的基底層91以及金屬氧化物粒子93，作為單體成分有2種成分和3種成分，在構(gòu)成基底層91以及金屬氧化物粒子93的金屬氧化物的X射線衍射分析中，在由構(gòu)成特定方位面的金屬氧化物的氧化物單體產(chǎn)生的峰值的最小衍射角與最大衍射角之間存在峰值。S卩，金屬氧化物粒子93的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值，存在于金屬氧化物粒子93所包含的2種金屬氧化物之中的一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值、和另一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值之間。另外，基底層91的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值，存在于基底層91所包含的2種金屬氧化物之中的一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值、和另一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值之間。此外，在上述的說明中，以作為特定方位面的晶面(111)為對象進(jìn)行了說明，但即使以其他晶面為對象的情況下，金屬氧化物的峰值的位置也與上述相同。在氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、以及氧化鋇(BaO)中，與氧化鎂(MgO)比較，在距離真空度的深度較淺的區(qū)域存在電子。因此認(rèn)為，在驅(qū)動(dòng)I3DPl的情況下，當(dāng)存在于氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、氧化鋇(BaO)的能級的電子向氙(Xe)離子的基態(tài)遷移時(shí)，基于俄歇效應(yīng)釋放出的電子數(shù)比從氧化鎂(MgO)的能級遷移的情況多。另外，如上述那樣，本實(shí)施方式中的基底層91以及金屬氧化物粒子93，在由構(gòu)成金屬氧化物的氧化物單體產(chǎn)生的峰值的最小衍射角與最大衍射角之間存在峰值。作為X射線衍射分析的結(jié)果，具有圖3以及圖4所示的特征的金屬氧化物的能級也存在于構(gòu)成它們的單體的氧化物之間。因此，基底層91以及金屬氧化物粒子93的能級也存在于單體的氧化物之間，基于俄歇效應(yīng)而釋放出的電子數(shù)比從氧化鎂(MgO)的能級遷移的情況多。其結(jié)果，在基底層91以及金屬氧化物粒子93的情況下，與氧化鎂(MgO)單體比較，能發(fā)揮良好的二次電子釋放特性，結(jié)果能減少放電維持電壓。因此，特別在為了提高亮度而增高了作為放電氣體的氙(Xe)分壓的情況下，能夠降低放電電壓，實(shí)現(xiàn)低電壓、高亮度的rop。在本實(shí)施方式中的I3DP中，作為封入了 450Torr的氙(Xe)以及氖(Ne)的混合氣體(Xe，15%)的情況下的放電維持電壓的結(jié)果、改變了基底層91以及金屬氧化物粒子93的構(gòu)成的情況下的I3DP的結(jié)果，如表I所示，與改變了金屬氧化物粒子93的構(gòu)成的情況相同。樣本A的基底層91以及金屬氧化物粒子93由氧化鎂(MgO)與氧化鈣(CaO)的金屬氧化物構(gòu)成，樣本B的基底層91以及金屬氧化物粒子93由氧化鎂(MgO)與氧化鍶(SrO)的金屬氧化物構(gòu)成，樣本C的基底層91以及金屬氧化物粒子93由氧化鎂(MgO)與氧化鋇(BaO)的金屬氧化物構(gòu)成，樣本D的基底層91以及金屬氧化物粒子93由氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)以及氧化鍶(SrO)的金屬氧化物構(gòu)成，樣本E的基底層91以及金屬氧化物粒子93由氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)以及氧化鋇(BaO)的金屬氧化物構(gòu)成。另外，比較例表示了基底層91以及金屬氧化物粒子93是氧化鎂(MgO)單體的情況。在將放電氣體的氙(Xe)的分壓從大約10%提高到15%的情況下，亮度上升約30%，但在基底層91以及金屬氧化物粒子93是氧化鎂(MgO)單體時(shí)的比較例中，放電維持電壓大約上升10*%。
另一方面,在本發(fā)明的實(shí)施方式的F1DP中，樣品A、樣品B、樣品C、樣品D、樣品E與比較例相比，都可以將放電維持電壓降低約10% 約20%。因此，可以成為通常動(dòng)作范圍內(nèi)的放電開始電壓，能夠?qū)崿F(xiàn)高亮度、低電壓驅(qū)動(dòng)的PDP。此外，由于氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)、氧化鋇(BaO)在單體情況下反應(yīng)性高，所以容易與雜質(zhì)反應(yīng)，因此，存在著會(huì)導(dǎo)致電子釋放性能降低這一課題。但是，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，通過采用這些金屬氧化物的構(gòu)成，可降低反應(yīng)性，能夠以雜質(zhì)混入少、缺氧少的結(jié)晶構(gòu)造形成。因此，在PDP的驅(qū)動(dòng)時(shí)可抑制電子的過度釋放，不僅同時(shí)兼顧低電壓驅(qū)動(dòng)和二次電子釋放特性的效果，還發(fā)揮著具有恰當(dāng)?shù)碾姾杀３痔匦缘男Ч?。該電荷保持特性，特別在預(yù)先保持初始化期間貯存的壁電荷、在寫入期間防止寫入不良從而進(jìn)行可靠的寫入放電的方面是有效的。此外，本次作為實(shí)施例而表示了基底層91與金屬氧化物粒子93為同種構(gòu)成，但并不限定于此，即使基底層91與金屬氧化物粒子93為不同種類的組合，也能得到相同的效果。接下來，對本發(fā)明的實(shí)施方式中設(shè)置在基底膜91上的、凝集了多個(gè)的氧化鎂(MgO)的結(jié)晶粒子92a而成的凝集粒子92進(jìn)行詳細(xì)說明。已經(jīng)確認(rèn)，凝集粒子92主要具有抑制寫入放電中的放電延遲的效果、和改善放電延遲的溫度依賴性的效果。因此，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，利用凝集粒子92與基底膜91相比具有高度的初始電子釋放特性這一性質(zhì)，將凝集粒子92配設(shè)作為在放電脈沖上升時(shí)需要的初始電子供給部。在放電開始時(shí)，成為觸發(fā)的初始電子從基底層91表面釋放到放電空間16中的量不足，這被認(rèn)為是放電延遲的主要原因。為此，為了有助于穩(wěn)定地對放電空間16提供初始電子，而將氧化鎂(MgO)的凝集粒子92分散配置在基底層91的表面。由此，在放電脈沖的上升時(shí)使放電空間16中存在豐富的電子，可以消除放電延遲。因此，通過具有這樣的初始電子釋放特性，即使在高精細(xì)的I3DPl等情況下，也能夠?qū)崿F(xiàn)放電響應(yīng)性良好的高速驅(qū)動(dòng)。另外，在基底膜91的表面配設(shè)金屬氧化物的凝集粒子92的構(gòu)成中，主要可以獲得對寫入放電中的放電延遲進(jìn)行抑制的效果，并且還可以獲得改善放電延遲的溫度依賴性的效果。綜上所述，在本實(shí)施方式中的ropi中，通過由起到兼顧低電壓驅(qū)動(dòng)和電荷保持效果的基底膜91、和起到防止放電延遲的效果的氧化鎂(MgO)的凝集粒子92來構(gòu)成，作為PDPl整體，即使在高精細(xì)的PDPl的情況下，也能夠以低電壓進(jìn)行高速驅(qū)動(dòng)，并且，可以實(shí)現(xiàn)抑制了點(diǎn)売不良的聞品質(zhì)的圖像顯不性能。在本實(shí)施方式中，表示使用了包含氧化鎂(MgO)與氧化鈣(CaO)的基底層91以及金屬氧化物粒子93的情況下的rop的放電延遲與保護(hù)層9中的鈣(Ca)濃度的關(guān)系的圖，如圖6所示，與表示使用了由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的基底層91以及金屬氧化物粒子93的情況下的PDP的放電延遲與保護(hù)層9中的鈣(Ca)濃度的關(guān)系的圖相同。作為基底層91以及金屬氧化物粒子93，由氧化鎂(MgO)與氧化鈣(CaO)所構(gòu)成的金屬氧化物構(gòu)成，金屬氧化物在基底層91面的X射線衍射分析中，在產(chǎn)生氧化鎂(MgO)的峰值的衍射角與產(chǎn)生氧化鈣(CaO)的峰值的衍射角之間存在峰值。此外，在圖6中表示了作為保護(hù)層9僅由基底層91以及金屬氧化物粒子93構(gòu)成的情況、和在基底層91上配置了凝集粒子92以及金屬氧化物粒子93的情況，以在基底層91中不含有鈣(Ca)的情況為基準(zhǔn)表示了放電延遲。根據(jù)圖6可知，在僅有基底層91以及金屬氧化物粒子93的情況、和在基底層91 上配置了凝集粒子92以及金屬氧化物粒子93的情況下，僅有基底層91以及金屬氧化物粒子93的情況下隨著鈣(Ca)濃度的增加放電延遲變大，而通過在基底層91上配置凝集粒子92以及金屬氧化物粒子93，從而能大幅減小放電延遲，即使鈣(Ca)濃度增加，放電延遲也幾乎不會(huì)增大。接著，對為了確認(rèn)本發(fā)明的實(shí)施方式中的具有凝集粒子92的保護(hù)層9的效果而實(shí)施的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行說明。首先，試制了具有構(gòu)成不同的基底膜91、和設(shè)置在基底膜91上的凝集粒子92的TOP。試制品I是形成了只具有氧化鎂(MgO)基底膜91的保護(hù)層9的rop，試制品2是形成了只具有在氧化鎂(MgO)中摻雜了 Al、Si等雜質(zhì)的基底膜91的保護(hù)層9的TOP，試制品3是形成了在由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的基底膜91上只散布附著有氧化鎂(MgO)結(jié)晶粒子92a的一次粒子的保護(hù)層9的TOP。另一方面，試制品4是實(shí)施方式中的roPl，作為保護(hù)層9，使用前述的樣本A。BP,保護(hù)層9包括由氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)構(gòu)成的基底層91、在基底層91上以遍及整個(gè)面大致均勻分布的方式附著的凝集了結(jié)晶粒子92a而成的凝集粒子92以及由氧化鎂(MgO)和氧化鈣(CaO)構(gòu)成的金屬氧化物粒子93。此外，基底層91以及金屬氧化物粒子93在X射線衍射分析中，在由構(gòu)成基底層91以及金屬氧化物粒子93的氧化物單體產(chǎn)生的峰值的最小衍射角與最大衍射角之間存在峰值。即，該情況下的最小衍射角為氧化鈣(CaO)的32. 2度，最大衍射角為氧化鎂(MgO)的36. 9度，基底層91以及金屬氧化物粒子93的衍射角的峰值存在于36. I度。針對這些rop，調(diào)查了其電子釋放性能與電荷保持特性后的結(jié)果如圖8所示，與實(shí)施方式I相同。圖9是表示針對本實(shí)施方式中的PDP的電子釋放性能與點(diǎn)亮電壓進(jìn)行調(diào)查的結(jié)果的圖。根據(jù)圖9可知，本實(shí)施方式中的在基底膜91上散布使氧化鎂(MgO)結(jié)晶粒子92a凝集而成的凝集粒子92以及金屬氧化物粒子93、并使其遍布整個(gè)面均勻分布而得到的試制品4，在電荷保持特性的評價(jià)中，可以使Vscn點(diǎn)亮電壓為120V以下，并且，與僅具有氧化鎂(MgO)的保護(hù)層的情況的試制品I相比，可獲電子釋放性能格外好的特性。在形成了本實(shí)施方式中的保護(hù)層9的試制品4的TOPl中，與使用了只具有氧化鎂(MgO)的保護(hù)層9的試制品I的情況相比，作為電子釋放能力具有8倍以上的性能，可以獲得Vscn點(diǎn)亮電壓為120V以下的電荷保持能力。因此，針對因高精細(xì)化而使掃描線數(shù)增加、且單元尺寸小的PDP是有用的，能滿足電子釋放能力與電荷保持能力這兩個(gè)條件，降低放電延遲，實(shí)現(xiàn)良好的圖像顯示。在本實(shí)施方式中的試制品4中，表示使結(jié)晶粒子92a的粒徑變化來調(diào)查電子釋放性能而得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的特性圖如圖8所示，與在實(shí)施方式I的試制品4中，表示使結(jié)晶粒子92a的粒徑變化來調(diào)查電子釋放性能而得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的特性圖相同。通過以上結(jié)果可知，在本實(shí)施方式中的TOPl中，作為凝集粒子92，若使用粒徑在
0.9 i! m 2 i! m的范圍內(nèi)的凝集粒子92，則能穩(wěn)定地得到上述的效果。如上所示，根據(jù)本實(shí)施方式中的TOP，能得到電子釋放性能高、Vscn點(diǎn)亮電壓為120V以下的電荷保持能力。
此外，在本實(shí)施方式中，使用氧化鎂(MgO)粒子作為結(jié)晶粒子92a進(jìn)行了說明，但即使是其他單晶粒子，即使采用具有與氧化鎂(MgO)同樣高的電子釋放性能的Sr、Ca、Ba、Al等的金屬氧化物所構(gòu)成的結(jié)晶粒子也能得到相同的效果，所以作為粒子種類并不限定于氧化鎂(MgO)。工業(yè)實(shí)用性綜上所述，本發(fā)明是在實(shí)現(xiàn)具有高畫質(zhì)的顯示性能、并且低耗電的TOP的方面有用的發(fā)明。-符號說明-IPDP2前面板3前面玻璃基板4掃描電極4a、5a透明電極4b、5b金屬總線電極5維持電極6顯示電極7黑條(遮光層)8電介質(zhì)層9保護(hù)層10背面板11背面玻璃基板12地址電極13基底電介質(zhì)層14 隔壁15熒光體層16放電空間81第I電介質(zhì)層82第2電介質(zhì)層91基底層
92凝集粒子
92a結(jié)晶粒子93金屬氧化物粒子
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示面板，具備 前面板；和 與上述前面板對置配置的背面板， 上述前面板具有電介質(zhì)層和覆蓋上述電介質(zhì)層的保護(hù)層， 上述背面板具有基底電介質(zhì)層、形成在上述基底電介質(zhì)層上的多個(gè)隔壁、和形成在上述基底電介質(zhì)層上以及上述隔壁的側(cè)面的熒光體層， 上述保護(hù)層包括形成在上述電介質(zhì)層上的基底層， 在上述基底層上，遍布整個(gè)面地分散配置有凝集了多個(gè)氧化鎂的結(jié)晶粒子而成的凝集粒子以及金屬氧化物粒子， 上述金屬氧化物粒子包含從由氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶以及氧化鋇構(gòu)成的群之中選出的至少2種金屬氧化物， 上述金屬氧化物粒子的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值，處于上述金屬氧化物粒子所包含的2種上述金屬氧化物之中的ー種上述金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值、和另ー種上述金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的等離子顯示面板，其中， 上述金屬氧化物粒子的覆蓋率為5 50%。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的等離子顯示面板，其中， 上述金屬氧化物粒子的覆蓋率為5 25%。
全文摘要
在等離子顯示面板中，在保護(hù)層(9)的基底層(91)上，遍布整個(gè)面地分散配置有凝集了多個(gè)氧化鎂的結(jié)晶粒子(92a)而成的凝集粒子(92)以及金屬氧化物粒子(93)。金屬氧化物粒子(93)包含從由氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶以及氧化鋇構(gòu)成的群之中選出的至少2種金屬氧化物。金屬氧化物粒子(93)的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值，處于金屬氧化物粒子(93)所包含的2種金屬氧化物之中的一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值、和另一種金屬氧化物的特定方位面的X射線衍射分析的衍射角峰值之間。
文檔編號H01J11/40GK102804324SQ20118001396
公開日2012年11月28日 申請日期2011年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月17日
發(fā)明者三浦正范, 辻田卓司, 后藤真志 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社