專利名稱：離子束調(diào)整的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種束線式(beam line)離子植入機(jī)(ion implanters),尤其涉及一種離子束調(diào)整。
背景技術(shù)：
束線式離子植入機(jī)產(chǎn)生離子束，且使其前往工件以便進(jìn)行處理。例如，此工件可以是半導(dǎo)體晶圓(semiconductor wafer)或者可接受離子處理以進(jìn)行材料改性(modification)的其他物體。束線式離子植入機(jī)包括產(chǎn)生離子束的離子源以及控制和引導(dǎo)離子束前往工件的多個(gè)束線元件。這些束線元件可包括質(zhì)量分析器(mass analyzer)和位于質(zhì)量分析器下游的掃描器。此掃描器被配置為用以在被掃描的平面上以一定的掃描頻率對(duì)離子束進(jìn)行來回掃描，從而產(chǎn)生具有從掃描起點(diǎn)向外發(fā)散的軌跡(trajectories)的被掃描離子束。此掃描器可以是靜電掃描器或磁掃描器。配置在掃描器下游的角度校正器收到具有發(fā)散軌跡的被掃描離子束，且使之發(fā)生偏轉(zhuǎn)(deffects)以產(chǎn)生具有較平行的軌跡的被掃描離子束。使工件垂直于被掃描的平面，被掃描離子束便可散布在工件的前表面上。被掃描離子束中的離子以一定的入射角撞擊工件。對(duì)于一些應(yīng)用場(chǎng)合，控制此入射角和使離子束的局部射束角張開(local beam angle spread)最小化變得越來越重要。對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行穿隧(channeling)離子植入就是這樣一種應(yīng)用。半導(dǎo)體晶圓可由硅所制成，且娃的晶格(crystalline lattice)可采用有助于穿隧的定向(oriented)。若入射角略微不同于想要的角度，則穿隧的量會(huì)減少，這是不利的。在離子束能量較高處，穿隧的減少通常會(huì)加劇?？刂迫肷浣呛褪闺x子束平行化(parallelism)也有助于提高植入到半導(dǎo)體晶圓或其他工件的劑量(dose)的均勻度。具有質(zhì)量分析器、位于質(zhì)量分析器下游的質(zhì)量分辨孔(aperture)以及掃描器的傳統(tǒng)束線式離子植入機(jī)使離子束聚焦于位于質(zhì)量分辨孔處的焦點(diǎn)。因此，當(dāng)離子束到達(dá)質(zhì)量分辨孔下游的掃描器的掃描起點(diǎn)時(shí)，離子束已經(jīng)張開。此傳統(tǒng)束線式離子植入機(jī)的一個(gè)缺點(diǎn)在于，對(duì)于一些對(duì)角度敏感的應(yīng)用場(chǎng)合，離子束的局部射束角張開可能較大而無法接受。在一試驗(yàn)中，高能量[3兆電子伏(MeV)]的硼離子束具有0.06°的局部射束角張開。也就是說，關(guān)于局部射束角平均值的最大偏差為0.06°。這樣的偏差會(huì)對(duì)穿隧的量帶來不利的影響，從而對(duì)摻質(zhì)(dopant)離子被植入到半導(dǎo)體晶圓中的深度帶來不利的影響。此外，所造成的劑量均勻度也會(huì)受到不利的影響。因此，想要提供一種能夠克服上述不足和缺點(diǎn)的束線式離子植入機(jī)及其方法。

發(fā)明內(nèi)容
依照本發(fā)明的第一觀點(diǎn)，提供一種束線式離子植入機(jī)。此束線式離子植入機(jī)包括:離子源，其被配置為用以產(chǎn)生離子束；掃描器，其被配置為用以對(duì)離子束進(jìn)行掃描，從而產(chǎn)生具有從掃描起點(diǎn)向外發(fā)散的軌跡的被掃描離子束；以及聚焦元件，其具有聚焦場(chǎng)，位于掃描器的上游，被配置為用以使離子束聚焦于位于掃描起點(diǎn)處的焦點(diǎn)。
依照本發(fā)明的另一觀點(diǎn)，提供一種離子束調(diào)整方法。此方法包括:產(chǎn)生離子束；使離子束聚焦于位于掃描起點(diǎn)處的焦點(diǎn)；以及對(duì)離子束進(jìn)行掃描，以產(chǎn)生具有從掃描起點(diǎn)向外發(fā)散的軌跡的被掃描離子束。下面將參照實(shí)施例并配合附圖來詳細(xì)闡述本發(fā)明。雖然本發(fā)明是參照實(shí)施例來描述如下，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明并不限于此。任何有資格了解本文的教示的熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員都能夠識(shí)別屬于本文所述的本發(fā)明的范圍內(nèi)的額外的實(shí)施方式、改進(jìn)方案、實(shí)施例以及其他應(yīng)用范圍，就這些而言，本發(fā)明十分有用。


為了更好地了解本發(fā)明，下文將參照附圖，在這些圖中，相同的元件用相同的符號(hào)來表示，其中:圖1是依照本發(fā)明的一種束線式離子植入機(jī)的方塊圖；圖2顯示為與圖1的束線式離子植入機(jī)的離子束的軌跡有關(guān)的卡迪爾坐標(biāo)系；圖3是圖1的離子束在掃描起點(diǎn)附近的平面分解圖；圖4A是圖3的離子束沿著圖3的4A-4A線而取得的橫截面圖；圖4B是圖3的離子束沿著圖3的4B-4B線而取得的橫截面圖；圖5是一種射束電流傳感裝置的一實(shí)施例的透視圖；圖6是射束電流相對(duì)于時(shí)間的曲線圖；以及圖7是依照?qǐng)D1的一種束線式離子植入機(jī)的各部分的方塊圖，其顯示了局部射束角張開。
具體實(shí)施例方式圖1顯示為依照本發(fā)明的一種束線式離子植入機(jī)100的方塊圖。此束線式離子植入機(jī)100包括離子源102、聚焦元件104、掃描器106、射束電流傳感裝置144、角度校正器108、終端站(end station) 114、控制器120以及用戶界面系統(tǒng)122。離子源102被配置為用以產(chǎn)生離子束105。此離子源102可以是任何類型的離子源，諸如間接加熱式陰極(indirectly heated cathode, IHC)離子源,其陰極被燈絲(filament)加熱至熱電子發(fā)射溫度，以發(fā)射電子到電弧室(arc chamber)內(nèi)。本專業(yè)領(lǐng)域眾所周知的是，萃取電極(extraction electrode)組件可透過萃取孔從電弧室內(nèi)的電衆(zhòng)(plasma)中提取離子,使之進(jìn)入離子束105所界定的井(well)。從離子源102中被提取出來的離子束105可以是當(dāng)從離子源102中被提取時(shí)橫截面形狀近似為圓形的點(diǎn)狀射束(spot beam)。當(dāng)點(diǎn)狀射束沿著射束線而傳播時(shí)，其橫截面形狀會(huì)發(fā)生變化，在一些實(shí)例中，點(diǎn)狀射束的橫截面形狀也可呈不規(guī)則形狀。聚焦元件104具有聚焦場(chǎng)，其被配置為用以使離子束聚焦于焦點(diǎn)。例如，此聚焦場(chǎng)可以是電場(chǎng)或磁場(chǎng)，這取決于聚焦元件的類型。在一實(shí)例中，聚焦元件104可以是具有一個(gè)或多個(gè)電極的靜電透鏡，這些電極被一個(gè)或多個(gè)電源施加偏壓(biased)以產(chǎn)生使離子束105聚焦的電場(chǎng)力。在一些束線式離子植入機(jī)中，靜電透鏡也可以是加速/減速圓柱及/或四極(quadrupole)透鏡。掃描器106被配置為用以在被掃描的平面上對(duì)離子束105進(jìn)行來回掃描或使離子束105發(fā)生偏轉(zhuǎn)，以產(chǎn)生具有從掃描起點(diǎn)109向外發(fā)散的軌跡的被掃描離子束107。此掃描器104可以是靜電掃描器或磁掃描器。靜電掃描器可包括一組或多組掃描板(scanplates)形態(tài)的掃描電極，它們可相互隔開以界定一間隙。離子束105可穿過此間隙，且在此間隙中在電場(chǎng)作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)。磁掃描器可包括磁極靴(magnetic polepieces)和線圈，其構(gòu)成電磁體。磁極靴可相互隔開以界定一間隙，離子束105可穿過此間隙，且在此間隙中在磁場(chǎng)作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)。角度校正器108使具有發(fā)散軌跡的被掃描點(diǎn)狀射束107發(fā)生偏轉(zhuǎn)，且使被掃描點(diǎn)狀射束107具有近似準(zhǔn)直(collimated)的離子束路徑，其具有實(shí)質(zhì)上平行的離子路徑軌跡。此角度校正器108可以是角度校正磁鐵或平行化靜電透鏡。終端站114可包括臺(tái)板(platen) 112，其支撐著工件110，使得想要物種的離子能夠撞擊工件110。例如，工件110可以是半導(dǎo)體晶圓或者其他接受離子處理以進(jìn)行材料改性的物體。工件110也可采用各種實(shí)體形狀，如普通的圓盤(disk)形。終端站114也可包括晶圓驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)(未顯示)，以便從保存區(qū)實(shí)體移動(dòng)工件110前往和離開臺(tái)板112。也可利用已知的技術(shù)(諸如靜電壓緊(electrostatic clamping))來使工件110固定在臺(tái)板112上。終端站114也可包括臺(tái)板驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其用來驅(qū)動(dòng)臺(tái)板112，進(jìn)而以想要的方式驅(qū)動(dòng)固定在臺(tái)板112上的工件110。舉例而言，此臺(tái)板驅(qū)動(dòng)器可包括伺服驅(qū)動(dòng)馬達(dá)、螺釘驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、機(jī)械連接以及本專業(yè)領(lǐng)域眾所周知的任何其他元件?？刂破?20可從束線式離子植入機(jī)100的任何類型的系統(tǒng)和元件中接收輸入資料和指令，并且提供輸出信號(hào)來控制這些系統(tǒng)和元件。此控制器120可以是或者可包括一臺(tái)通用電腦或多臺(tái)通用電腦的網(wǎng)絡(luò)，這些通用電腦可經(jīng)編程以執(zhí)行想要的輸入/輸出功能。此控制器120也可包括其他電子電路或元件,如專用集成電路(application specificintegrated circuits)、其他硬接線式(hardwired)或可編程電子設(shè)備、離散元件電路等等。此控制器120也可包括通信設(shè)備、資料存儲(chǔ)設(shè)備以及軟件。用戶界面系統(tǒng)122可包括(但不限于)觸摸屏、鍵盤、用戶指向設(shè)備、顯示器、打印機(jī)等設(shè)備，使得使用者能夠輸入指令及/或資料及/或經(jīng)由控制器120來監(jiān)控束線式離子植入機(jī)100。請(qǐng)參照?qǐng)D2，其定義了一個(gè)卡迪爾(Cartesian)坐標(biāo)系，以便協(xié)助闡述束線式離子植入機(jī)100的操作。此卡迪爾坐標(biāo)系包括由離子束105的中心軌跡所界定的Z軸。垂直于Z軸的平面202包括X軸和Y軸。X軸是平面202的橫軸，Y軸是平面202的縱軸且垂直于X軸。因此，Z軸隨著離子束105的軌跡的變化而變化，且當(dāng)離子束在沿著射束線的不同位置處彎曲時(shí)，Z軸都與軌跡相切(tangent)。操作時(shí)，束線式離子植入機(jī)100的離子源102被配置為用以產(chǎn)生離子束105。此離子束105可以是當(dāng)從離子源102中被提取時(shí)橫截面形狀近似為圓形的點(diǎn)狀射束。掃描器106被配置為用以對(duì)離子束進(jìn)行掃描，從而產(chǎn)生具有從掃描起點(diǎn)109向外發(fā)散的軌跡的被掃描離子束107。具有聚焦場(chǎng)且位于掃描器106上游的聚焦元件104被配置為用以使離子束105聚焦于位于掃描起點(diǎn)109處的焦點(diǎn)。沿著射束線而行，離子束105在X維度上可具有變化的寬度，當(dāng)離子束105在X維度上的寬度為最小時(shí)可形成焦點(diǎn)。請(qǐng)參照?qǐng)D3，其顯示為離子束105沿著Z軸方向朝下游而行時(shí)的平面分解圖。Y軸伸出該頁(yè)面，隨著離子束105沿著射束線而傳播，此離子束105在X維度上的寬度是變化的。當(dāng)離子束105沿著X軸的寬度為最小時(shí)，則形成焦點(diǎn)306。在圖3的最上方實(shí)例中，離子束105的焦點(diǎn)306位于掃描器106的掃描起點(diǎn)109的下游。在圖3的中間實(shí)例中，離子束105的焦點(diǎn)306位于掃描起點(diǎn)109的上游。最后，在圖3的最下方實(shí)例中，離子束105的焦點(diǎn)306位于掃描起點(diǎn)109處。圖4A是沿著圖3的4A-4A線而取得的沿著離子束105行進(jìn)的方向朝下游看的離子束105的橫截面圖。同樣地，圖4B是沿著圖3的4B-4B線而取得的沿著離子束行進(jìn)的方向朝下游看的離子束105的橫截面圖。圖4B顯示為當(dāng)離子束105聚焦于其焦點(diǎn)306時(shí)的近似形狀。圖4A所示的離子束105的寬度(W3)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于圖4B所示的形成在焦點(diǎn)306處的最小寬度(W2)。在一實(shí)施例中，此最小寬度(W2)約為3毫米(mm)。圖4A與圖4B顯示為離子束105在Y維度上的高度略微相似，但是情況未必如此，此高度也可不同。在一些實(shí)例中，離子束105的橫截面形狀也可呈不規(guī)則形狀。請(qǐng)參照?qǐng)D5，其顯示為一種射束電流傳感裝置144的一實(shí)施例的透視圖，在離子束形成過程中，其位于掃描起點(diǎn)109處。此射束電流傳感裝置144可包括具有細(xì)長(zhǎng)孔504的板502。此射束電流感測(cè)裝置144可還包括位于細(xì)長(zhǎng)孔504下游的射束電流傳感器506，如法拉第杯(Faraday cup)。板502與射束電流傳感器506可還整合(integrated)成行進(jìn)組件510，它由臂狀物508來支撐著?？蛇x擇的是，射束電流傳感器506也可不在同一個(gè)行進(jìn)組件中，只要它配置在具有細(xì)長(zhǎng)孔504且適當(dāng)放置的板的下游即可。臂狀物508可由驅(qū)動(dòng)器(未顯示)來驅(qū)動(dòng)且由控制器120進(jìn)行控制，使得在射束形成過程中板502的細(xì)長(zhǎng)孔504位于掃描起點(diǎn)109處。細(xì)長(zhǎng)孔504在X維度上的寬度(Wl)可小于圖4B所示的離子束105在其焦點(diǎn)306處的最小寬度(W2)。在一實(shí)例中，細(xì)長(zhǎng)孔在X維度上的寬度(Wl)可以是2mm，而離子束105在其焦點(diǎn)306處且在同樣是X維度上的最小寬度(W2)則可以是3mm。操作時(shí)，在射束形成過程中，射束電流傳感裝置144位于掃描起點(diǎn)109處。具體而言，具有細(xì)長(zhǎng)孔504的板502可沿著Z軸而放置在掃描起點(diǎn)109處。細(xì)長(zhǎng)孔504使得離子束105的一部分能夠從中穿過而到達(dá)位于下游的射束電流傳感器506。然后，射束電流傳感器506可感知離子束105的這部分的射束電流值。如圖6的曲線圖所示，當(dāng)聚焦元件104使離子束105聚焦時(shí)，離子束105的這部分的射束電流值是變化的。在時(shí)間(tl)處，射束電流傳感器506所感知的射束電流為最大值，這表明焦點(diǎn)306在掃描起點(diǎn)109處。舉例而言，請(qǐng)參照?qǐng)D3，若焦點(diǎn)306在掃描起點(diǎn)109的下游(如圖3的最上方實(shí)例所示)，則射束電流傳感器所感知的射束電流會(huì)小于最大值，因?yàn)橄嗤康纳涫娏髟赬維度上會(huì)分散較長(zhǎng)的距離。同樣地，若焦點(diǎn)306在掃描起點(diǎn)109的上游(如圖3的中間實(shí)例所示)，則射束電流傳感器所感知的射束電流也小于最大值。最后，直到焦點(diǎn)306對(duì)準(zhǔn)(aligned)掃描起點(diǎn)109(如圖3的最下方實(shí)例所示)，射束電流傳感器才在時(shí)間(tl)處感知到最大值。在另一實(shí)施例中，射束電流傳感裝置144可包括射束電流傳感器，其在X維度上的寬度小于離子束在其焦點(diǎn)306處在X維度上的最小寬度(W2)。在一實(shí)施例中，射束電流傳感器可具有與細(xì)長(zhǎng)孔504略微相似的細(xì)長(zhǎng)形，且可由諸如石墨(graphite)等導(dǎo)電材料所制成。在又一實(shí)施例中，可相應(yīng)離子束105放置一臺(tái)照相機(jī)來拍攝離子束105，以便捕捉同樣接近掃描起點(diǎn)109的影像。被照相機(jī)捕捉到的離子束105的影像可被輸入到控制器120。作為響應(yīng)，控制器120可指示聚焦元件104做調(diào)整，使得離子束聚焦于位于掃描起點(diǎn)處的焦點(diǎn)。
因此，提供一種束線式離子植入機(jī)，其包括聚焦元件，此聚焦元件具有聚焦場(chǎng)，位于掃描器的上游，被配置為用以使離子束聚焦于位于掃描起點(diǎn)處的焦點(diǎn)。有利的是，藉由使離子束聚焦于掃描起點(diǎn)處的焦點(diǎn)，離子束105的局部射束角張開達(dá)到最小化。對(duì)于一些應(yīng)用場(chǎng)合(如進(jìn)行穿隧植入的高能量離子束)而言，這是想要的。圖7是最小化的局部射束角張開的方塊圖。圖7的實(shí)施例中的掃描器106是靜電掃描器，其掃描板702、704相互隔開，以形成間隙。操作時(shí)，如先前所述，離子束105聚焦于掃描起點(diǎn)109處的焦點(diǎn)。位于掃描器下游的角度校正器108用作透鏡，使被掃描離子束107的發(fā)散軌跡偏轉(zhuǎn)成較平行的軌跡。從角度校正器108輸出的離子束105也具有局部離子軌跡。舉例而言，此處顯示了離子束105撞擊工件110的一條邊緣的分解圖，其中單獨(dú)的射束元(beamlets)710、712、714、716及718有利地具有最小局部射束角張開，從而有利地相互密切平行。在一試驗(yàn)中，當(dāng)3MeV的硼離子束聚焦于掃描起點(diǎn)處的焦點(diǎn)時(shí)，此離子束僅呈現(xiàn)出0.01°的局部射束角張開。此局部射束角張開是指關(guān)于局部射束角平均值的最大偏差。舉例而言,若中心射束元714代表0°入射角的局部射束角平均值,且任何其他射束元710、712,716及718相對(duì)于此局部射束角平均值的最大偏差為0.01°，則局部射束角張開便是0.01°。因此，射束元710、712、714、716及718也有利地相互密切平行。此外，與在不同位置撞擊工件110的離子束105相比，控制局部射束角張開也有助于整體提高平行度。不同的是，試驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，同樣是3MeV的硼離子束，當(dāng)離子束的焦點(diǎn)在質(zhì)量分辨口(slit)處時(shí),局部射束角張開卻高達(dá)0.06°。此外,根據(jù)Therma-wave 探針的測(cè)量，由此而造成的接受植入的硅晶圓(用作工件)上的均勻度從0.7%改善到0.3%。本文所述的具體實(shí)施例并非對(duì)本發(fā)明范圍的限定。事實(shí)上，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，都可以根據(jù)上文的描述和附圖來了解本文所述的實(shí)施例，進(jìn)而了解本發(fā)明的其他實(shí)施例和對(duì)本發(fā)明的改進(jìn)。因此，這些其他實(shí)施例和改進(jìn)應(yīng)視為屬于本發(fā)明的范圍。另外，雖然本文是在特定的環(huán)境下為了特定的目的以特定的實(shí)施方式來描述本發(fā)明，然而任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解的是，其用途并不限于此，本發(fā)明可在任何環(huán)境下為了任何目的以有利的方式來實(shí)施。因此，本發(fā)明的完整范圍和精神當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種束線式離子植入機(jī)，包括: 離子源，其被配置為用以產(chǎn)生離子束； 掃描器，其被配置為用以對(duì)所述離子束進(jìn)行掃描，從而產(chǎn)生具有從掃描起點(diǎn)向外發(fā)散的軌跡的被掃描離子束；以及 聚焦元件，其具有聚焦 場(chǎng)，位于所述掃描器的上游，被配置為用以使所述離子束聚焦于位于所述掃描起點(diǎn)處的焦點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的束線式離子植入機(jī)，還包括射束電流傳感裝置，在離子束形成過程中，其位于所述掃描起點(diǎn)處，其中所述射束電流傳感裝置被配置為用以感知所述離子束在所述掃描起點(diǎn)處的射束電流的電流典型值，以及其中所述聚焦元件被配置為使所述離子束聚焦，直到所述射束電流傳感裝置感知到最大電流為止，使得所述離子束聚焦于位于所述掃描起點(diǎn)處的所述焦點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的束線式離子植入機(jī)，其中所述射束電流傳感裝置包括:板，其具有細(xì)長(zhǎng)孔，在所述離子束形成過程中，所述細(xì)長(zhǎng)孔位于所述掃描起點(diǎn)處；以及射束電流傳感器，在所述離子束形成過程中，其位于所述板的下游，其中所述細(xì)長(zhǎng)孔使得所述離子束的一部分從中穿過并到達(dá)所述射束電流傳感器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的束線式離子植入機(jī)，其中所述板與所述射束電流傳感器整合為行進(jìn)組件。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的束線式離子植入機(jī)，其中所述細(xì)長(zhǎng)孔在第一維度上具有第一寬度，且所述離子束在所述焦點(diǎn)處在所述第一維度上具有第二寬度，其中所述第一寬度小于所述第二寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的束線式離子植入機(jī)，其中所述第一寬度約為2毫米，且所述第二寬度約為3毫米。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的束線式離子植入機(jī)，其中所述射束電流傳感裝置包括射束電流傳感器，所述射束電流傳感器在第一維度上具有第一寬度，且所述離子束在所述焦點(diǎn)處在所述第一維度上具有第二寬度，其中所述第一寬度小于所述第二寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的束線式離子植入機(jī)，其中所述聚焦元件包括靜電透鏡。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的束線式離子植入機(jī)，其中當(dāng)所述離子束的寬度為最小寬度時(shí)，形成所述焦點(diǎn)。
10.一種離子束調(diào)整方法，包括: 廣生尚子束； 使所述離子束聚焦于位于掃描起點(diǎn)處的焦點(diǎn)；以及 對(duì)所述離子束進(jìn)行掃描，以產(chǎn)生具有從所述掃描起點(diǎn)向外發(fā)散的軌跡的被掃描離子束。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的離子束調(diào)整方法，還包括感知所述離子束在所述掃描起點(diǎn)處的射束電流的電流典型值，且其中使所述離子束聚焦于位于所述掃描起點(diǎn)處的所述焦點(diǎn)還包括調(diào)整所述離子束，直到所述掃描起點(diǎn)處的電流為最大電流為止。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的離子束調(diào)整方法，其中所述感知包括:在所述掃描起點(diǎn)處放置具有細(xì)長(zhǎng)孔的板；以及在所述板的下游放置射束電流傳感器，其中所述細(xì)長(zhǎng)孔使得所述離子束的一部分從中穿過且到達(dá)所述射束電流傳感器，以及其中所述細(xì)長(zhǎng)孔在第一維度上具有第一寬度，且所述離子束在所述焦點(diǎn)處在所述第一維度上具有第二寬度，其中所述第一寬度小于所述第二寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的離子束調(diào)整方法，其中所述第一寬度約為2毫米，且所述第二寬度約為3毫米。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的離子束調(diào)整方法，其中所述感知包括在所述掃描起點(diǎn)處放置在第一維度上具有第一寬度的射束電流傳感器，其中所述離子束在所述焦點(diǎn)處在所述第一維度上具有第二寬度，其 中所述第一寬度小于所述第二寬度。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的離子束調(diào)整方法，其中所述離子束在所述掃描起點(diǎn)的上游在第一維度上具有一寬度，且其中使所述離子束聚焦于位于所述掃描起點(diǎn)處的所述焦點(diǎn)包括在所述掃描起點(diǎn)處將所述寬度縮小到最小寬度。
全文摘要
一種束線式離子植入機(jī)，包括離子源，其被配置為用以產(chǎn)生離子束；掃描器，其被配置為用以對(duì)離子束進(jìn)行掃描，從而產(chǎn)生具有從掃描起點(diǎn)向外發(fā)散的軌跡的被掃描離子束；以及聚焦元件，其具有聚焦場(chǎng)，位于掃描器的上游，被配置為用以使離子束聚焦于位于掃描起點(diǎn)處的焦點(diǎn)。一種離子束調(diào)整方法包括產(chǎn)生離子束；使離子束聚焦于位于掃描起點(diǎn)處的焦點(diǎn)；以及對(duì)離子束進(jìn)行掃描，以產(chǎn)生具有從掃描起點(diǎn)向外發(fā)散的軌跡的被掃描離子束。
文檔編號(hào)H01J37/147GK103119688SQ201180045304
公開日2013年5月22日 申請(qǐng)日期2011年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月21日
發(fā)明者常勝武, 約瑟·C·歐爾森, 法蘭克·辛克萊, 馬太·P·麥卡倫 申請(qǐng)人:瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司