專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光元件模塊基板、發(fā)光元件模塊及照明裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及發(fā)光元件模塊基板、發(fā)光元件模塊及照明裝置。
背景技術(shù)：
LED (Light Emitting Diode)等半導(dǎo)體發(fā)光元件被用在照明中。例如，有使用將LED元件直接安裝在基板上的COB (Chip On Board)方式的發(fā)光元件模塊的照明。例如，在專(zhuān)利文獻(xiàn)I中，公開(kāi)了具備基板、配置在基板上的多個(gè)發(fā)光元件、和熒光體層的發(fā)光裝置。LED等發(fā)光元件在高溫下發(fā)光效率下降。為了提高散熱性、得到較高的發(fā)光效率，有使用金屬板和設(shè)在其上的絕緣層的層疊板作為基板的結(jié)構(gòu)。該絕緣層的厚度為了提高LED兀件與金屬板的熱傳導(dǎo)性而設(shè)定為一定以下。在層疊板的絕緣層之上，設(shè)有金屬層，該金屬層具有LED元件所安裝的安裝部和用于LED元件的電連接的接合(bonding)部。對(duì)于該金屬層,要求高反射率和較高的接合性。另一方面，如果該金屬層延伸到基板(層疊板)的端部，則由于絕緣層較薄，所以在基板的端部，層疊板的金屬板和金屬層的絕緣性劣化，不能得到期望的動(dòng)作。因而，對(duì)于使用金屬層的安裝部及接合部，要求反射率較高且接合性較高，同時(shí)要求與基板的端部電絕緣。在先技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2009-111273號(hào)公報(bào)
實(shí)用新型內(nèi)容實(shí)用新型要解決的問(wèn)題本實(shí)用新型提供一種具有高反射率且高接合性、與端部的電絕緣性良好的安裝部及接合部的發(fā)光元件模塊基板、發(fā)光元件模塊及照明裝置。根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案，提供一種具備層疊板和金屬層的發(fā)光元件模塊基板。上述層疊板包括襯底金屬板和設(shè)在上述襯底金屬板之上的絕緣層。上述金屬層設(shè)在上述絕緣層之上。上述金屬層具有發(fā)光元件所安裝的安裝部和與上述發(fā)光元件電連接的布線所接合的接合部。上述金屬層包括通過(guò)電解電鍍形成的銀層，該銀層是上述安裝部及上述接合部的至少某個(gè)的最上層。上述安裝部及上述接合部被從上述層疊板的周緣電隔斷。根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案，提供一種具備層疊板和金屬層的發(fā)光元件模塊基板。上述層疊板包括襯底金屬板設(shè)在上述襯底金屬板之上的絕緣層。上述金屬層設(shè)在上述絕緣層之上。上述金屬層具有發(fā)光元件所安裝的安裝部和與上述發(fā)光元件電連接的布線所接合的接合部。上述金屬層是上述安裝部及上述接合部的至少某個(gè)的最上層，包括厚度為I微米以上的銀層。上述安裝部及上述接合部被從上述層疊板的周緣電隔斷。根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案，提供一種具備上述任一種發(fā)光元件模塊基板、安裝在上述發(fā)光元件模塊基板的上述安裝部上的發(fā)光元件、和將上述發(fā)光元件與上述接合部電連接的布線的發(fā)光元件模塊。根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案，提供一種具備上述發(fā)光元件模塊、和熱連接在上述襯底金屬板上的散熱部件的照明裝置。根據(jù)技術(shù)方案，能夠提供具有高反射率且高接合性、與端部的電絕緣性良好的安裝部及接合部的發(fā)光元件模塊基板、發(fā)光元件模塊及照明裝置。

圖1(a)及圖1(b)是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2(a)及圖2(b)是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板的使用狀態(tài)的示意圖。圖3(a)及圖3(b)是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板的制造方法的工序順序不意圖。圖4(a)及圖4(b)是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板的制造方法的工序順序不意圖。圖5 (a)及圖5 (b)是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板的制造方法的工序順序不意圖。圖6是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板的特性的曲線圖。圖7是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板的特性的曲線圖。
圖8(a)及圖8(b)是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板的特性的示意圖。圖9 (a) 圖9(d)是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的另一發(fā)光元件模塊基板的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖10是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的另一發(fā)光元件模塊基板的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。圖11是例示有關(guān)第二實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖12是例示有關(guān)第三實(shí)施方式的照明裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下，參照附圖對(duì)各實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，附圖是示意性或概念性的，各部分的厚度與寬度的關(guān)系、部分間的大小的比例系數(shù)等并不一定與現(xiàn)實(shí)相同。此外，即使在表示相同部分的情況下，也有根據(jù)附圖不同而將相互的尺寸或比例系數(shù)不同地表示的情況。此外，在本說(shuō)明書(shū)和各圖中，關(guān)于已有的圖，對(duì)于與在前面敘述的同樣的部分賦予相同的標(biāo)號(hào)而適當(dāng)省略詳細(xì)的說(shuō)明。(第一實(shí)施方式)圖1 (a)及圖1 (b)是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板的結(jié)構(gòu)的示意圖。S卩，圖1 (b)是例示有關(guān)本實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板110的結(jié)構(gòu)的示意性俯視圖。圖1(a)是例示發(fā)光元件模塊基板110的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖，是圖1(b)的1A1-1A2線剖視圖。如圖1(a)及圖1(b)所示，發(fā)光元件模塊基板110具備層疊板10和金屬層20。層疊板10包括襯底金屬板11和設(shè)在襯底金屬板11之上的絕緣層12。在襯底金屬板11中，使用例如鋁、銅及鐵、以及含有它們的兩種以上的合金。即，在襯底金屬板11中，為了提高發(fā)光元件模塊基板110的散熱性而使用熱傳導(dǎo)性較高的金屬。襯底金屬板11的厚度可以設(shè)為例如O. 5_左右以上2_左右以下。襯底金屬板11的厚度優(yōu)選地設(shè)為例如Imm左右以上1. 5_左右以下。另外，本實(shí)施方式并不限定于此，襯底金屬板11的厚度是任意的。在絕緣層12中，可以使用例如環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚、氰酸鹽及聚酰亞胺等樹(shù)脂。在絕緣層12中，可以使用例如由雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂等構(gòu)成的熱固化性樹(shù)脂。此外，在絕緣層12中，例如也可以使用將這些樹(shù)脂含浸在玻璃布中的結(jié)構(gòu)。此外，在絕緣層12中，例如也可以使用在這些樹(shù)脂中添加了填料(filler)的材料。S卩，為了提高發(fā)光元件模塊基板110的散熱性，將絕緣層12的熱阻設(shè)定得較低。為了減小絕緣層12的熱阻，采用使絕緣層12變薄、以及提高絕緣層12的熱傳導(dǎo)率等方法。為了得到良好的熱傳導(dǎo)性，將絕緣層12的厚度設(shè)定為例如150微米(μπι)以下。金屬層20設(shè)在絕緣層12之上。金屬層20具有發(fā)光元件所安裝的安裝部25和與發(fā)光元件電連接的布線所接合的接合部26。接合部26例如可以包括η側(cè)接合部26η和ρ側(cè)接合部26ρ。 另外，在本具體例中，設(shè)有I個(gè)安裝部25，設(shè)有I個(gè)η側(cè)接合部26η，設(shè)有I個(gè)P側(cè)接合部26ρ，但安裝部25及接合部26 (例如η側(cè)接合部26η及ρ側(cè)接合部26ρ)的數(shù)量是任意的。此外，安裝部25的圖案形狀及接合部26 (η側(cè)接合部26η及ρ側(cè)接合部26ρ)的圖案形狀是任意的。此外，η側(cè)接合部26η及ρ側(cè)接合部26ρ能夠相互替換。發(fā)光元件使用例如LED元件等半導(dǎo)體發(fā)光元件。金屬層20包括成為安裝部25及接合部26的至少某個(gè)的最上層的銀層23。在本具體例中，銀層23為安裝部25及接合部26的兩者的最上層。金屬層20還包括設(shè)在銀層23與絕緣層12之間的基底層21。此外,金屬層20可以還包括設(shè)在基底層21與銀層23之間的中間層22。即，在本具體例中，金屬層20具有基底層21、設(shè)在其上的中間層22、和設(shè)在其上的成為金屬層20的最上層的銀層23的層疊構(gòu)造。基底層21可以包括例如銅(Cu)。S卩，在基底層21中可以使用Cu層。但是，本實(shí)施方式并不限定于此，基底層21使用的材料是任意的。中間層22可以包括鎳(Ni)及鈀(Pd)的至少某種。即，在中間層22中可以使用Ni層、Pd層及含有Ni和Pd的層的某種。但是，本實(shí)施方式并不限定于此，中間層22使用的材料是任意的。銀層23例如通過(guò)電解電鍍形成。S卩，基底層21被作為電解電鍍時(shí)的電極層使用。中間層22作為隔離層發(fā)揮功能。通過(guò)設(shè)置中間層22，例如抑制在長(zhǎng)期的動(dòng)作中基底層21使用的材料的成分(例如Cu)移動(dòng)到表面?zhèn)?。另外，中間層22根據(jù)需要而設(shè)置，根據(jù)情況可以省略。[0051]在銀層23通過(guò)電解電鍍形成的情況下，中間層22可以使用通過(guò)電解電鍍形成的Ni層。在此情況下，中間層22的主成分是Ni，中間層22實(shí)質(zhì)上不含有磷(P)。另外，銀層23通過(guò)非電解電鍍形成，中間層22使用由非電解電鍍形成的Ni層的情況下，中間層22除了 Ni以外還含有磷。例如，中間層22中的磷的比率是8%以上10%以下左右(Ni的比率是90%以上82%以下左右)。這是因?yàn)?，在通過(guò)非電解電鍍形成Ni層的情況下，利用次磷酸的還原作用帶來(lái)的電鍍覆膜的析出現(xiàn)象。銀層23的厚度例如是I μ m以上。由此，如后所述，銀層23能夠具有較高的反射率和較高的接合性。即，在本實(shí)施方式中，金屬層20具有較高的反射率和較高的接合性。并且，安裝部25及接合部26被從層疊板10的周緣部IOe電隔斷。具體而言，安裝部25及接合部26從層疊板10的周緣IOe離開(kāi)，安裝部25及接合部26與層疊板10的周緣IOe的距離設(shè)定為足夠電隔斷的距離。另外，如圖1(a)所示，在本具體例中，在絕緣層12的上表面中的沒(méi)有設(shè)置金屬層20的部分上設(shè)有阻焊(solder rasist)層40。阻焊層40使用例如白色的材料。由此,能夠?qū)⒑笫龅陌l(fā)光元件的發(fā)光光通過(guò)阻焊層40高效率地反射，效率提高。圖2 (a)及圖2 (b)是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板的使用狀態(tài)的示意圖。即，這些圖例示在發(fā)光元件模塊基板110上安裝LED元件而形成發(fā)光元件模塊210的狀態(tài)。即，圖2(b)是例示發(fā)光元件模塊210的結(jié)構(gòu)的示意性俯視圖。圖2(a)是例示發(fā)光元件模塊210的結(jié)構(gòu)的示意性剖·視圖，是圖2(b)的2A1-2A2線剖視圖。如圖2(a)及圖2(b)中例示那樣，發(fā)光元件模塊210具備有關(guān)本實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板110、安裝在發(fā)光元件模塊基板110的安裝部25上的發(fā)光元件50、和將發(fā)光元件50與接合部26電連接的接合布線51 (布線)。發(fā)光兀件50使用例如LED兀件。在本具體例中，使用多個(gè)發(fā)光兀件50,但發(fā)光兀件50的數(shù)量是任意的。發(fā)光元件50分別具有未圖示的ρ側(cè)電極及η側(cè)電極。η側(cè)電極例如通過(guò)接合布線51與η側(cè)接合部26η或其他發(fā)光元件50的ρ側(cè)電極電連接。ρ側(cè)電極例如通過(guò)接合布線51與例如ρ側(cè)接合部26ρ或其他發(fā)光元件50的η側(cè)電極連接。在本具體例中，在金屬層20上，還設(shè)有與接合部26電導(dǎo)通的電源供給部26c。通過(guò)在電源供給部26c上安裝例如來(lái)自外部的連接器，或者在電源供給部26c上通過(guò)例如焊接等方法連接來(lái)自外部的電源用布線，從發(fā)光元件模塊基板110的外部對(duì)發(fā)光元件50供電，使發(fā)光兀件50發(fā)光。另外，在本具體例中，在發(fā)光元件模塊基板110上設(shè)有安裝部13。通過(guò)安裝部13將發(fā)光元件模塊基板110利用例如螺釘固定等方法安裝在后述的照明裝置的散熱部件上。發(fā)光元件模塊210可以還具備將發(fā)光元件50的至少一部分覆蓋的波長(zhǎng)變換層60。波長(zhǎng)變換層60吸收從發(fā)光元件50釋放的發(fā)光光，釋放具有與發(fā)光光的波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)的光。波長(zhǎng)變換層60可以使用例如熒光體層。從發(fā)光元件50釋放的發(fā)光光的一部分向發(fā)光元件50的上表面?zhèn)?層疊板10的相反側(cè))行進(jìn)，通過(guò)波長(zhǎng)變換層60而波長(zhǎng)被變換，被向發(fā)光元件模塊210的外部取出。從發(fā)光兀件50釋放的發(fā)光光的另一部分向發(fā)光兀件50的下表面?zhèn)?層疊板10側(cè))行進(jìn)，被金屬層20反射，朝向波長(zhǎng)變換層60行進(jìn)，通過(guò)波長(zhǎng)變換層60而波長(zhǎng)被變換，被向發(fā)光元件模塊210的外部取出。在發(fā)光元件模塊210中，作為金屬層20的最上層而設(shè)有銀層23，所以從發(fā)光元件50釋放的發(fā)光光被金屬層20高效率地反射，發(fā)光效率較高。此外，由于作為金屬層20的最上層而使用銀層23，所以接合部26與接合布線51的接合性良好。此外，安裝部25及接合部26被從層疊板10的周緣IOe電隔斷。因此，安裝部25及接合部26與端部充分地電絕緣。這樣，根據(jù)發(fā)光元件模塊基板110，能夠提供具有高反射率且高接合性、與端部的電絕緣性良好的安裝部及接合部的發(fā)光元件模塊基板。圖3(a)、圖3(b)、圖4(a)、圖4(b)、圖5(a)及圖5(b)是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板的制造方法的工序順序示意圖。S卩，圖3(b)是例示發(fā)光元件模塊基板110的制造方法的I個(gè)工序的示意性俯視圖，圖3(a)是圖3(b)的3A1-3A2線剖視圖。此外，圖4(b)是例示在圖3(a)及圖3(b)中例示的工序之后的工序的示意性俯視圖，圖4(a)是圖4(b)的4A1-4A2線剖視圖。此外，圖5(b)是例示在圖4(a)及圖4(b)中例示的工序之后的工序的示意性俯視圖，圖5(a)是圖5(b)的5A1-5A2線剖視圖。
本具體例是通過(guò)電解電鍍形成銀層23的例子。并且，在這些圖中，省略了阻焊層40。如圖3(a)及圖3(b)所示，在層疊板10的絕緣層12之上，形成具有規(guī)定的形狀的基底層21?；讓?1具有對(duì)應(yīng)于安裝部25的部分25a和對(duì)應(yīng)于接合部26的部分26a。進(jìn)而，基底層21還具有用來(lái)對(duì)與安裝部25對(duì)應(yīng)的部分25a實(shí)施電解電鍍的安裝部電鍍用布線部27、和用來(lái)對(duì)與接合部26對(duì)應(yīng)的部分26a實(shí)施電解電鍍的接合部電鍍用布線部28。本具體例是使用大面積的層疊板、在其上以最終的排列了多個(gè)發(fā)光元件模塊基板110的圖案形成金屬層、然后將金屬層及層疊板分割而一并制造多個(gè)發(fā)光元件模塊基板110的例子。但是，本實(shí)施方式并不限定于此，也可以采用將發(fā)光元件模塊基板110每次I個(gè)分別形成的方法。接著，如圖4(a)及圖4(b)所示，在基底層21之上通過(guò)電解電鍍形成中間層，再在中間層之上通過(guò)電解電鍍形成銀層23。由此，形成金屬層20的安裝部25和接合部26。另夕卜，如已經(jīng)說(shuō)明那樣，根據(jù)情況，中間層22也可以省略，在此情況下，在基底層21之上通過(guò)電解電鍍形成銀層23。另外，此時(shí)，以覆蓋基底層21的上表面及側(cè)面的方式形成中間層22。進(jìn)而，以覆蓋中間層22的上表面及側(cè)面的方式形成銀層23。另外，如已經(jīng)說(shuō)明那樣，根據(jù)情況，中間層22也可以省略，在此情況下，以覆蓋基底層21的上表面及側(cè)面的方式形成銀層23。并且，例如中間層22及銀層也在基底層21的安裝部電鍍用布線部27及接合部電鍍用布線部28的部分上形成。另外，如已經(jīng)說(shuō)明那樣，根據(jù)情況，中間層22也可以省略，在此情況下，在基底層21的安裝部電鍍用布線部27及接合部電鍍用布線部28的部分上形成銀層23。接著，如圖5(a)及圖5(b)所示，例如通過(guò)使用掩模的蝕刻，將安裝部電鍍用布線部27及接合部電鍍用布線部28除去。即，將對(duì)應(yīng)于安裝部電鍍用布線部27的基底層21、中間層22及銀層23除去，將對(duì)應(yīng)于接合部電鍍用布線部28的基底層21、中間層22及銀層23除去。此時(shí)，在與被除去的安裝部電鍍用布線部27及接合部電鍍用布線部28連接的部分的金屬層20的端面(端部26e)上，基底層21及中間層22露出。即，將金屬層20中的、在電解電鍍中使用的電鍍用布線部的至少一部分除去。并且，在金屬層20的至少一部分的側(cè)面(在該例中是上述端部26e)上，基底層21露出。在設(shè)有中間層22的情況下，在金屬層20的至少一部分的側(cè)面，基底層21及中間層22露出。并且，將層疊板10切斷為規(guī)定的大小，再根據(jù)需要而形成安裝部13，制作發(fā)光元件模塊基板110。這樣，在有關(guān)本實(shí)施方式的發(fā)光兀件模塊基板110中，通過(guò)電解電鍍形成成為金屬層20中的最上層的銀層23，將金屬層20中的、在電解電鍍中使用的電鍍用布線部(安裝部電鍍用布線部27及接合部電鍍用布線部28)的至少一部分除去。由此，將安裝部25及接合部26從層疊板10的周緣IOe電隔斷。以下，對(duì)于有關(guān)本實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板110的特性進(jìn)行說(shuō)明。即，對(duì)于金屬層20的特別是銀層23的特性進(jìn)行說(shuō)明。圖6是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板的特性的曲線圖。S卩，該圖例示銀層23的厚度t23與反射率R23的關(guān)系的測(cè)量結(jié)果。橫軸是銀層23的厚度t23，縱軸是波長(zhǎng)為460納米(nm)時(shí)的銀層23的反射率R23。在該例中，在銀層23的下方設(shè)有厚度為5 μ m的N i 電鍍。如圖6所示，例如如果銀層23的厚度t23較小為O. 5 μ m，則反射率R23是86%，反射率R23較低。隨著厚度t23增大，反射率R23上升，例如當(dāng)厚度t23為I μ m時(shí)，反射率R23變高為89. 5%。此外，當(dāng)厚度t23為2 μ m時(shí)，反射率R23為91. 6%變得更高。厚度t23進(jìn)一步增大，在3 μ m左右以上，反射率R23是約93%，為一定。反射率R23越高則光取出效率越上升，所以銀層23的厚度優(yōu)選的是較厚。由此，能夠得到較高的反射率R23。銀層23的厚度t23優(yōu)選的是Iym以上。由此，能夠得到較高的反射率R23。進(jìn)而，銀層23的厚度t23優(yōu)選的是2μπι以上。由此，能夠得到更高的反射率R23。進(jìn)而，銀層23的厚度t23優(yōu)選的是3μπι以上。由此，能夠得到更高而穩(wěn)定的反射率 R23。另外，作為銀層23的形成方法也可以考慮使用非電解電鍍的方法，但通過(guò)非電解電鍍形成的銀層23的厚度t23是不到I μ m,例如是O. 5 μ m左右以下。因此，在有關(guān)本實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板110中，為了得到I μ m以上的厚度，在銀層23的形成中采用電解電鍍法。圖7是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板的特性的曲線圖。S卩，該圖例示了銀層23的厚度t23為O. 5 μ m及2. O μ m時(shí)的接合特性的測(cè)量結(jié)果?？v軸是線抗拉強(qiáng)度PS (gf)。在該圖中，例示了銀層23的厚度t23是O. 5 μ m時(shí)的初始狀態(tài)ill9及180°C加熱處理60分鐘后的狀態(tài)hi 19、以及銀層23的厚度t23是2 μ m時(shí)的初始狀態(tài)illO及180°C加熱處理60分鐘后的狀態(tài)hllO下的線抗拉強(qiáng)度PS。另外，銀層23的厚度t23為O. 5 μ m的情況相當(dāng)于比較例，銀層23的厚度t23為2 μ m的情況相當(dāng)于本實(shí)施方式的一例。另外，在此情況下，也在銀層23的下方設(shè)有厚度5μπι的Ni電鍍。如圖7所示，在銀層23的厚度t23是O. 5μπι時(shí)的初始狀態(tài)ill9下，線抗拉強(qiáng)度PS是6. 5gf，較小。并且，在熱處理后的狀態(tài)hi 19下，線抗拉強(qiáng)度PS是約3gf，較大地減小。另一方面，在銀層23的厚度t23是2 μ m時(shí)的初始狀態(tài)i 110下，線抗拉強(qiáng)度PS是約8. 2gf，與厚度t23為O. 5 μ m時(shí)相比上升。并且，在銀層23的厚度t23為2 μ m的熱處理后的狀態(tài)hllO下，線抗拉強(qiáng)度PS是約8. Ogf，是與初始狀態(tài)illO大致相同程度，通過(guò)熱處理帶來(lái)的線抗拉強(qiáng)度的下降與比較例相比非常小。這樣，在銀層23的厚度t23為O. 5 μ m的比較例的情況下，線抗拉強(qiáng)度PS較小，進(jìn)而通過(guò)熱處理顯著地變低，相對(duì)于此，在銀層23的厚度t23為2μπι的實(shí)施方式中，線抗拉強(qiáng)度PS非常大，并且也抑制了熱處理造成的下降。這樣，如果銀層23的厚度t23較厚，則線抗拉強(qiáng)度PS上升，接合性提高。因此，銀層23的厚度t23優(yōu)選的是I μ m以上，由此，能夠得到較高的接合性。進(jìn)而，銀層23的厚度t23優(yōu)選的是2 μ m以上。由此，能夠得到更高的接合性。圖8(a)及圖8(b)是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板的特性的示意圖。
即，圖8 (a)例示測(cè)量了改變?cè)O(shè)在層疊板10的絕緣層12之上的導(dǎo)電層20a與層疊板10的端部的距離時(shí)的耐電壓的結(jié)果。圖8(b)是例示上述測(cè)量條件的示意性剖視圖。如圖8(b)所示，在層疊板10中，設(shè)有襯底金屬板11和層疊在其上的絕緣層12。在本測(cè)量中，襯底金屬板11的厚度是1mm，絕緣層12的厚度是80 μπι。并且，在絕緣層12之上設(shè)有導(dǎo)電層20a。導(dǎo)電層20a相當(dāng)于金屬層20。在本測(cè)量中，導(dǎo)電層20a使用厚度為35μπι的銅層。并且，改變導(dǎo)電層20a與層疊板10的端部(周緣IOe)之間的距離d20a，測(cè)量耐電壓BV。另外，耐電壓BV是關(guān)于交流的耐電壓。圖8(a)是例示耐電壓BV的測(cè)量結(jié)果的曲線圖，橫軸是導(dǎo)電層20a與層疊板10的端部(周緣IOe)之間的距離d20a，縱軸是耐電壓BV。如8 (a)所示，隨著導(dǎo)電層20a與層疊板10的端部(周緣IOe)之間的距離d20a增大，耐電壓BV增大。例如，當(dāng)距離d20a是Imm時(shí)，耐電壓BV是約1. 4千伏(kv)，當(dāng)距離d20a是2mm時(shí)，耐電壓BV是約2. 5kV,當(dāng)距離d20a是3mm時(shí)，耐電壓BV為約3. 2kV。另外，耐電壓BV也依存于例如絕緣層12的厚度。一般如果絕緣層12的厚度變厚，則耐電壓BV上升。但是，一般如果絕緣層12的厚度變厚，則層疊板10的熱傳導(dǎo)性下降，散熱性下降。因此，絕緣層12的厚度考慮散熱性而設(shè)定為適當(dāng)?shù)闹?。例如，如已?jīng)說(shuō)明那樣，為了提高發(fā)光元件模塊基板110的散熱性，絕緣層12可以使用對(duì)樹(shù)脂添加了填料的材料。樹(shù)脂的熱傳導(dǎo)率一般是O. 2W/mK左右，所以在絕緣層12中，可以使用在樹(shù)脂中添加了例如氧化鋁或BN等熱傳導(dǎo)率較高的填料的材料。由此，能夠得到例如lW/mK以上6WmK以下左右的熱傳導(dǎo)率。如果使絕緣層12較薄而將填料的濃度設(shè)定得較高，則絕緣層12的熱阻下降，但隨之，有發(fā)光元件模塊基板110的耐電壓下降的傾向。因而，為了得到在應(yīng)用于照明裝置時(shí)所需要的耐電壓性能，考慮耐電壓性能和散熱性能而適當(dāng)?shù)卦O(shè)定絕緣層12的規(guī)格。并且，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定上述距離d20a，以使其適合于設(shè)定的絕緣層12的厚度并能夠得到需要的耐電壓BV。在有關(guān)本實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板110中，安裝部25及接合部26被從層疊板10的周緣IOe電隔斷。即，安裝部25及接合部26從周緣IOe離開(kāi)。并且，與安裝部25及接合部26電連接的導(dǎo)電層的、層疊板10的周緣IOe側(cè)的端部從周緣IOe離開(kāi)。該導(dǎo)電層的周緣IOe側(cè)的端部與周緣IOe的距離例如基于圖8(a)中例示的距離d20a和耐電壓BV的關(guān)系而設(shè)定。如以上這樣，在有關(guān)本實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板110中，通過(guò)將金屬層20的銀層23設(shè)定為I μ m以上的厚度(優(yōu)選的是2 μ m以上)，能夠得到較高的反射率和較高的接合性。并且，這樣的較厚的銀層23可以通過(guò)電解電鍍法形成，通過(guò)將用于該電解電鍍的電鍍用布線部(安裝電鍍用布線部27及接合部電鍍用布線部28)的至少一部分除去，使安裝部25及接合部26從層疊板10的端部(周緣IOe)充分地電隔斷。并且，通過(guò)使安裝部25及接合部26從層疊板10的端部(周緣IOe)電隔斷，能夠得到例如IkV以上的耐電壓BV。在有關(guān)本實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板110中，只要將安裝部25及接合部26從層疊板10的周緣IOe電隔斷，金屬層20的圖案形狀是任意的。圖9(a) 圖9(d)是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的另一發(fā)光元件模塊基板的結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖9(a) 圖9(d)所不,在有關(guān)本實(shí)施方式的另一發(fā)光兀件模塊基板IlOa IlOd中，將用于電解電鍍的電鍍用布線部(安裝電鍍用布線部27及接合部電鍍用布線部28)的至少一部分除去。S卩，在圖9(a)所例示的發(fā)光元件模塊基板IlOa中，將電鍍用布線部的周緣IOe側(cè)的部分除去。并且，殘留著電鍍用布線部的內(nèi)側(cè)的部分。除此以外，與發(fā)光元件模塊基板110同樣，所以省略說(shuō)明。`在發(fā)光元件模塊基板IlOa中，殘留的電鍍用布線部的一部分的、層疊板10的周緣IOe側(cè)的端部(安裝電鍍用布線部27的端部27e、以及接合部電鍍用布線部28的端部28e)從周緣IOe充分地離開(kāi)。由此，安裝部25及接合部26被從層疊板10的周緣IOe電隔斷。在圖9(b)所例示的發(fā)光元件模塊基板IlOb中，將電鍍用布線部的、遠(yuǎn)離周緣IOe的內(nèi)側(cè)部除去，將電鍍用布線部在中途分?jǐn)唷２⑶?，電鍍用布線部的外側(cè)(周緣IOe側(cè))的部分殘留。除此以外，與發(fā)光元件模塊基板110同樣，所以省略說(shuō)明。在發(fā)光元件模塊基板IlOb中，也通過(guò)將電鍍用布線部分?jǐn)?，將電鍍用布線部與安裝部25及接合部26電隔斷，來(lái)將安裝部25及接合部26從層疊板10的周緣IOe電隔斷。在圖9(c)所例示的發(fā)光元件模塊基板IlOc中，將安裝電鍍用布線部27的、遠(yuǎn)離周緣IOe的內(nèi)側(cè)部除去，將電鍍用布線部在中途分?jǐn)唷４送?，在與η側(cè)接合部26η連接的接合部電鍍用布線部28中，將周緣IOe側(cè)的部分除去。此外，在與ρ側(cè)接合部26ρ連接的接合部電鍍用布線部28中，將周緣IOe與內(nèi)側(cè)部之間的中途的部分除去。在發(fā)光元件模塊基板IlOc中，也通過(guò)將電鍍用布線部分?jǐn)唷㈦婂冇貌季€部與安裝部25及接合部26電隔斷，將安裝部25及接合部26從層疊板10的周緣IOe電隔斷。這樣，金屬層20中的用于電解電鍍的電鍍用布線部的被除去的部分是任意的。在圖9(d)所例示的發(fā)光元件模塊基板IlOd中，將安裝部25中的、與安裝電鍍用布線部27連接的部分27f除去，將安裝電鍍用布線部27與安裝部25分?jǐn)唷４送?，將η?cè)接合部26η中的、與接合部電鍍用布線部28連接的部分28nf除去，將接合部電鍍用布線部28與η側(cè)接合部26η分?jǐn)唷４送?，將與ρ側(cè)接合部26ρ連接的接合部電鍍用布線部28除去，進(jìn)而，將P側(cè)接合部26ρ中的、與接合部電鍍用布線部28連接的部分除去。這樣，也可以將安裝部25及接合部26的至少某個(gè)的、與電鍍用布線部連接的部分除去。在發(fā)光元件模塊基板IlOd中，也通過(guò)將電鍍用布線與安裝部25及接合部26之間分?jǐn)?、將電鍍用布線與安裝部25及接合部26電隔斷，來(lái)將安裝部25及接合部26從層疊板10的周緣IOe電隔斷。這樣，用于電解電鍍的電鍍用布線部的被除去的部分是任意的。并且，安裝部25及接合部26的、與電鍍用布線部連接的部分、且被除去的部分的位置及形狀是任意的。在發(fā)光元件模塊基板IlOa IlOd中，也能夠得到具有高反射率且高接合性、與端部的電絕緣性良好的安裝部25及接合部26的發(fā)光元件模塊基板。圖10是例示有關(guān)第一實(shí)施方式的另一發(fā)光元件模塊基板的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。即，圖10是圖9(a)的10Α1-10Α2線剖視圖。如圖10所示，在發(fā)光元件模塊基板IlOa中，電鍍用布線部(例如接合部電鍍用布線部28)的周緣IOe側(cè)的部分 被除去，電鍍用布線部(例如接合部電鍍用布線部28)的內(nèi)側(cè)部殘留。在殘留的電鍍用布線部的一部分的、層疊板10的周緣IOe側(cè)的端部(例如接合部電鍍用布線部28的端部28e)，基底層21露出。在本具體例中，設(shè)有中間層22，在殘留的電鍍用布線部一部分的、層疊板10的周緣IOe側(cè)的端部(例如接合部電鍍用布線部28的端部28e)，基底層21及中間層22露出。此外，雖然沒(méi)有圖示，但同樣在殘留的電鍍用布線的一部分的、層疊板10的周緣IOe側(cè)的端部(例如安裝電鍍用布線部27的端部27e)，基底層21露出。在本具體例中，基底層21及中間層22露出。這樣，在發(fā)光元件模塊基板IlOa中，在金屬層20的至少一部分的側(cè)面，基底層21露出。同樣，在發(fā)光兀件模塊基板IlOb IlOd中，在金屬層20的至少一部分的側(cè)面,基底層21露出。這樣，在本實(shí)施方式中，銀層23通過(guò)電解電鍍形成，金屬層20中的、用于電解電鍍的電鍍用布線部的至少一部分在電解電鍍后被除去，所以在金屬層20的至少一部分的側(cè)面，基底層21露出。另外，在將銀層23通過(guò)非電解電鍍等的方法形成的情況下，沒(méi)有設(shè)置電鍍用布線，所以基底層21的上表面及側(cè)面被中間層22覆蓋，中間層22的上表面及側(cè)面被銀層23覆蓋。因此，在金屬層20的側(cè)面，基底層21不露出。(第二實(shí)施方式)第二實(shí)施方式是使用有關(guān)實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板110的發(fā)光元件模塊210。有關(guān)本實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊210的結(jié)構(gòu)是已經(jīng)對(duì)圖2(a)及圖2(b)所說(shuō)明那樣的。即，發(fā)光元件模塊210具備有關(guān)實(shí)施方式的某種發(fā)光元件模塊基板(例如發(fā)光元件模塊基板IlOUlOa IlOd的至少某個(gè))。以下，設(shè)為使用發(fā)光元件模塊基板110的情況進(jìn)行說(shuō)明。發(fā)光元件模塊210如對(duì)圖2(a)及圖2(b)所說(shuō)明的那樣，還具備安裝在發(fā)光元件模塊基板110的安裝部25上的發(fā)光元件50、和將發(fā)光元件50與接合部26電連接的接合布線51。發(fā)光元件50采用例如使用氮化物類(lèi)半導(dǎo)體的LED元件等。接合布線51使用金、銀、鋁及銅的某種、或含有它們的兩種以上的合金等。圖11是例示有關(guān)第二實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊的結(jié)構(gòu)的電路圖。如圖11所示，在有關(guān)本實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊210中，多個(gè)發(fā)光元件50通過(guò)接合布線51串聯(lián)及并聯(lián)連接。在本具體例中，使用16個(gè)發(fā)光元件50，采用4串聯(lián)及4并聯(lián)的電路結(jié)構(gòu)。但是，本實(shí)施方式并不限定于此，發(fā)光元件50的數(shù)量及采用的電路結(jié)構(gòu)是任意的。如對(duì)圖2(a)及圖2(b)所說(shuō)明的那樣，發(fā)光元件模塊210可以還具備覆蓋發(fā)光元件50的至少一部分的波長(zhǎng)變換層60。波長(zhǎng)變換層60將從發(fā)光元件50釋放的發(fā)光光吸收，釋放具有與發(fā)光光波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)的光。波長(zhǎng)變換層60通過(guò)例如涂布等的方法形成。由此，例如能夠得到白色光。但是，本實(shí)施方式并不限定于此，波長(zhǎng)變換層60也可以根據(jù)需要而設(shè)置、省略。例如，作為在使用LED元件等的照明裝置(也包括背燈等)中得到白色發(fā)光的方法，有例如使用分別發(fā)光藍(lán)色、綠色及紅色的3種發(fā)光元件50 (例如LED元件)的方法，也可以將該方法用在發(fā)光元件模塊210中。此外，作為得 到白色發(fā)光的方法，有將例如藍(lán)色發(fā)光的發(fā)光元件50 (例如LED元件)、與黃色及橙色發(fā)光的至少某個(gè)熒光體組合的方法，也可以將該方法用在發(fā)光元件模塊210 中。此外，作為得到白色發(fā)光的方法，有將例如紫外線發(fā)光的發(fā)光元件50 (LED元件)、與例如分別發(fā)光藍(lán)色、綠色及紅色的3種熒光體組合的方法，也可以將該方法用在發(fā)光元件模塊210中。如上所述，在使用熒光體的情況下，設(shè)置波長(zhǎng)變換層60。另外，在使用LED元件的照明中，根據(jù)需要的光束，例如在發(fā)光元件模塊基板上搭載多個(gè)LED元件。在發(fā)光元件模塊基板上搭載LED元件的方法例如有將包括LED元件的封裝體通過(guò)焊接等安裝到發(fā)光元件模塊基板上的方法，以及將LED元件的芯片直接通過(guò)引線接合等安裝到發(fā)光元件模塊基板上的方法(C0B結(jié)構(gòu))等。在有關(guān)本實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊210中，通過(guò)采用COB結(jié)構(gòu)，與前者的方法相t匕，能夠以更高的密度，實(shí)現(xiàn)更高的亮度。另外，在發(fā)光元件模塊210中，通過(guò)在安裝在發(fā)光元件模塊基板110上的多個(gè)發(fā)光元件50 (LED元件)之上涂布混合了熒光體的樹(shù)脂而設(shè)置波長(zhǎng)變換層60，例如能夠?qū)崿F(xiàn)期望的色溫的照明。此外，不僅是白色，能夠得到任意的顏色的光。在LED元件中，輸入的電能中的一部分被轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽?，另一部分被作為熱消耗。因此，LED元件的溫度在動(dòng)作中上升。如果LED元件成為高溫，則例如LED元件的劣化發(fā)展，壽命變短。進(jìn)而，如已經(jīng)說(shuō)明那樣，LED元件在低溫時(shí)發(fā)光效率較高，在高溫時(shí)發(fā)光效率下降。因此，在使用LED元件的照明裝置中，熱對(duì)策是重要的，對(duì)于發(fā)光元件模塊基板110要求散熱性足夠高。在有關(guān)實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板110及使用它的發(fā)光元件模塊210中，通過(guò)在發(fā)光元件50所安裝的層疊板10中使用襯底金屬板11，能夠?qū)崿F(xiàn)較高的散熱性，能夠?qū)崿F(xiàn)較高的發(fā)光效率和良好的壽命。在發(fā)光元件模塊210中，從電涌等的電壓導(dǎo)致的LED元件的破壞的防止、以及產(chǎn)品的安全性的方面看，要求關(guān)于基本絕緣的性能是足夠的。例如，在使用發(fā)光元件模塊210的的照明裝置中，例如在將照明裝置組裝完成后，對(duì)作為充電部的點(diǎn)燈電路和作為非充電部的器具主體施加耐電壓，根據(jù)能否充分承受該電壓來(lái)評(píng)價(jià)關(guān)于基本絕緣的性能。另外，耐電壓的值根據(jù)照明裝置的輸入電壓而不同，輸入電壓越高，則要求針對(duì)越高的耐電壓的基本絕緣。例如，在使用發(fā)光元件模塊210的照明裝置中，一般要求IkV以上的耐電壓。在有關(guān)實(shí)施方式的發(fā)光兀件模塊基板110及發(fā)光兀件模塊210中，由于安裝部25及接合部26被從層疊板10的周緣IOe電隔斷，所以能夠?qū)崿F(xiàn)IkV以上的耐電壓。(第三實(shí)施方式)圖12是例示有關(guān)第三實(shí)施方式的照明裝置的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖。如圖12所示，有關(guān)本實(shí)施方式的照明裝置310具備有關(guān)實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊210、和與包含在發(fā)光元件模塊210中的發(fā)光元件模塊基板110的襯底金屬板11連接的散熱部件321。散熱部件321使用例如鋁壓鑄體等金屬材料。另外，在襯底金屬板11 (層疊板10)向散熱部件321的安裝中，可以采用例如使用安裝部13的螺釘固定等方法。但是，本實(shí)施方式并不限定于此，安裝的方法是任意的。在本實(shí)施方式中，通過(guò)散熱部件 321與襯底金屬板11熱連接，由發(fā)光元件50產(chǎn)生的熱經(jīng)由襯底金屬板11被高效率地傳遞給散熱部件321，散熱性較高。另外，本具體例的照明裝置是電燈泡型的照明裝置，但照明裝置的形態(tài)是任意的，例如也可以采用下照燈型及小型氪氣型等的形態(tài)，此外，例如也可以在背燈或頂燈等照明裝置中使用。有關(guān)本實(shí)施方式的照明裝置310通過(guò)采用使用有關(guān)實(shí)施方式的發(fā)光元件模塊基板110的發(fā)光元件模塊210，能夠?qū)崿F(xiàn)高反射率且高接合性、與端部的電絕緣性良好的安裝部及接合部，實(shí)現(xiàn)具有高效率、低耗電、高可靠性及高動(dòng)作穩(wěn)定性的照明裝置。以上，參照具體例對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明。但是，本實(shí)用新型并不限定于這些具體例。例如，即使本領(lǐng)域的技術(shù)人員對(duì)于包含在發(fā)光元件模塊基板中的層疊板、襯底金屬板、絕緣層、金屬層、銀層、基底層、中間層、電鍍用布線部及阻焊層等、包含在發(fā)光元件模塊中的發(fā)光元件、布線及波長(zhǎng)變換層等、以及包含在照明裝置中的散熱部件等的各部分的具體的結(jié)構(gòu)的形狀、尺寸、材質(zhì)、配置關(guān)系等施加了各種變更的結(jié)構(gòu)，只要本領(lǐng)域的技術(shù)人員從公知的范圍中適當(dāng)選擇而能夠同樣實(shí)施本實(shí)用新型、得到同樣的效果，就包含在本實(shí)用新型的范圍中。此外，將各具體例的某兩個(gè)以上的部分在技術(shù)上可行的范圍中組合的結(jié)構(gòu)也只要包含本實(shí)用新型的主旨就包含在本實(shí)用新型的技術(shù)范圍中。除此以外，作為本實(shí)用新型的實(shí)施方式而基于上述發(fā)光元件模塊基板、發(fā)光元件模塊及照明裝置、由本領(lǐng)域的技術(shù)人員適當(dāng)進(jìn)行設(shè)計(jì)變更而實(shí)施并得到的全部的發(fā)光元件模塊基板、發(fā)光元件及照明裝置也只要包含本實(shí)用新型的主旨就包含在本實(shí)用新型的技術(shù)范圍中。除此以外，需要了解的是，在本實(shí)用新型的技術(shù)思想的范疇中，如果是本領(lǐng)域的技術(shù)人員則能夠想到各種變更例及修正例，關(guān)于這些變更例及修正例也屬于本實(shí)用新型的范圍。說(shuō)明了本實(shí)用新型的一些實(shí)施方式，但這些實(shí)施方式是作為例子提示的，并不意味著限定實(shí)用新型的范圍。這些新的實(shí)施方式能夠以其他各種形態(tài)實(shí)施，在不脫離實(shí)用新型的主旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種省略、替代、變更。這些實(shí)施方式及其變形包含在實(shí)用新型的范圍及主旨中，并且包含 在權(quán)利要求書(shū)中記載的實(shí)用新型和其等價(jià)的范圍中。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光元件模塊基板，其特征在于，具備層疊板，包括襯底金屬板和設(shè)在上述襯底金屬板之上的絕緣層；以及金屬層，是設(shè)在上述絕緣層之上的金屬層，具有發(fā)光元件所安裝的安裝部和與上述發(fā)光元件電連接的布線所接合的接合部；上述金屬層包括通過(guò)電解電鍍形成的銀層，該銀層是上述安裝部及上述接合部的至少某個(gè)的最上層；上述安裝部及上述接合部被從上述層疊板的周緣電隔斷。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件模塊基板，其特征在于，上述金屬層中的、用于上述電解電鍍的電鍍用布線部的至少一部分被除去。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件模塊基板，其特征在于，上述金屬層還包括設(shè)在上述銀層與上述絕緣層之間的基底層。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件模塊基板，其特征在于，上述金屬層還包括設(shè)在上述基底層與上述銀層之間的中間層。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件模塊基板，其特征在于，在上述金屬層的至少一部分的側(cè)面，上述基底層露出。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件模塊基板，其特征在于，還具備光反射性的絕緣層，設(shè)置在上述絕緣層的上表面中的沒(méi)有設(shè)置上述金屬層的部分上。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件模塊基板，其特征在于，上述銀層的厚度是I微米以上。
8.一種發(fā)光元件模塊基板，其特征在于，具備層疊板，包括襯底金屬板和設(shè)在上述襯底金屬板之上的絕緣層；以及金屬層，是設(shè)在上述絕緣層之上的金屬層，具有發(fā)光元件所安裝的安裝部和與上述發(fā)光元件電連接的布線所接合的接合部；上述金屬層包括厚度為I微米以上的銀層，該銀層是上述安裝部及上述接合部的至少某個(gè)的最上層；上述安裝部及上述接合部被從上述層疊板的周緣電隔斷。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件模塊基板，其特征在于，上述金屬層還包括設(shè)在上述銀層與上述絕緣層之間的基底層。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光元件模塊基板，其特征在于，上述金屬層還包括設(shè)在上述基底層與上述銀層之間的中間層。
11.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光元件模塊基板，其特征在于，在上述金屬層的至少一部分的側(cè)面，上述基底層露出。
12.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件模塊基板，其特征在于，還具備光反射性的絕緣層，設(shè)置在上述絕緣層的上表面中的沒(méi)有設(shè)置上述金屬層的部分上。
13.一種發(fā)光元件模塊，其特征在于，具備發(fā)光元件模塊基板，包括層疊板，包括襯底金屬板和設(shè)在上述襯底金屬板之上的絕緣層；金屬層，是設(shè)在上述絕緣層之上的金屬層，具有發(fā)光元件所安裝的安裝部和與上述發(fā)光元件電連接的布線所接合的接合部；發(fā)光元件，安裝在上述發(fā)光元件模塊基板的上述安裝部上；以及布線，將上述發(fā)光元件與上述接合部電連接；上述金屬層包括通過(guò)電解電鍍形成的銀層，該銀層是上述安裝部及上述接合部的至少某個(gè)的最上層；上述安裝部及上述接合部被從上述層疊板的周緣電隔斷。
14.一種照明裝置，其特征在于，具備發(fā)光元件模塊和散熱部件；所述發(fā)光元件模塊包括發(fā)光元件模塊基板，包括層疊板，包括襯底金屬板和設(shè)在上述襯底金屬板之上的絕緣層；金屬層，是設(shè)在上述絕緣層之上的金屬層，具有發(fā)光元件所安裝的安裝部和與上述發(fā)光元件電連接的布線所接合的接合部；發(fā)光元件，安裝在上述發(fā)光元件模塊基板的上述安裝部上；以及布線，將上述發(fā)光元件與上述接合部電連接；所述散熱部件熱連接在上述襯底金屬板上；上述金屬層包括通過(guò)電解電鍍形成的銀層，該銀層是上述安裝部及上述接合部的至少某個(gè)的最上層；上述安裝部及上述接合部被從上述層疊板的周緣電隔斷。
15.一種發(fā)光元件模塊，其特征在于，具備發(fā)光元件模塊基板，包括層疊板，包括襯底金屬板和設(shè)在上述襯底金屬板之上的絕緣層；金屬層，是設(shè)在上述絕緣層之上的金屬層，具有發(fā)光元件所安裝的安裝部和與上述發(fā)光元件電連接的布線所接合的接合部；發(fā)光元件，安裝在上述發(fā)光元件模塊基板的上述安裝部上；以及布線，將上述發(fā)光元件與上述接合部電連接；上述金屬層包括厚度為I微米以上的銀層，該銀層是上述安裝部及上述接合部的至少某個(gè)的最上層；上述安裝部及上述接合部被從上述層疊板的周緣電隔斷。
16.一種照明裝置，其特征在于，具備發(fā)光元件模塊和散熱部件；所述發(fā)光元件模塊包括發(fā)光元件模塊基板，包括層疊板，包括襯底金屬板和設(shè)在上述襯底金屬板之上的絕緣層；金屬層，是設(shè)在上述絕緣層之上的金屬層，具有發(fā)光元件所安裝的安裝部和與上述發(fā)光元件電連接的布線所接合的接合部；發(fā)光元件，安裝在上述發(fā)光元件模塊基板的上述安裝部上；以及布線，將上述發(fā)光元件與上述接合部電連接；所述散熱部件熱連接在上述襯底金屬板上；上述金屬層包括厚度為I微米以上的銀層，該銀層是上述安裝部及上述接合部的至少某個(gè)的最上層；上述安裝部及上述接合部被從上述層疊板的周緣電隔斷。
專(zhuān)利摘要根據(jù)實(shí)施方式，提供一種具備層疊板和金屬層的發(fā)光元件模塊基板。上述層疊板包括襯底金屬板和設(shè)在上述襯底金屬板之上的絕緣層。上述金屬層設(shè)在上述絕緣層之上。上述金屬層具有發(fā)光元件所安裝的安裝部和與上述發(fā)光元件電連接的布線所接合的接合部。上述金屬層包括通過(guò)電解電鍍形成的銀層，該銀層是上述安裝部及上述接合部的至少某個(gè)的最上層。上述安裝部及上述接合部被從上述層疊板的周緣電隔斷。
文檔編號(hào)F21Y101/02GK202905785SQ20119000004
公開(kāi)日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2011年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月31日
發(fā)明者八甫谷明彥, 泉昌裕, 三瓶友廣 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝, 東芝照明技術(shù)株式會(huì)社