專利名稱：離子源和離子注入裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及生成帶狀(長條狀)離子束的離子源和具有該離子源的離子注入裝置。
背景技術(shù)：
近年來，進(jìn)行離子注入的基板(硅片、玻璃基板等)的尺寸正在朝著大型化的方向發(fā)展。為了應(yīng)對這樣的基板的大型化，正在對增大向基板照射的離子束的尺寸的技術(shù)進(jìn)行研究。作為增大向基板照射的離子束的尺寸的方法之一，可以考慮使生成離子束的離子源大型化。作為這種離子源，采用了在專利文獻(xiàn)I中記載的所謂的桶式離子源，該桶式離子源具有生成會切磁場的多個永磁體和多個燈絲。 專利文獻(xiàn)I :日本專利公開公報特開2000-315473號(圖I)在專利文獻(xiàn)I中記載的桶式離子源中，導(dǎo)入等離子體生成容器內(nèi)的生成離子束用的可電離氣體與由設(shè)置在等離子體生成容器內(nèi)的多個燈絲放出的電子碰撞，生成等離子體。另外，通過構(gòu)成與等離子體生成容器的開口部鄰接設(shè)置的引出電極系統(tǒng)的多個電極，從該等離子體引出離子束。在這種離子源中，燈絲的一部分(前端部)設(shè)置于在等離子體生成容器內(nèi)生成的等離子體中。長期設(shè)置在等離子體中的燈絲被等離子體內(nèi)的離子濺射，會急劇地變細(xì)。在該情況下，無法穩(wěn)定地供給電子，對在等離子體生成容器內(nèi)生成的等離子體的生成效率會產(chǎn)生不利影響。通常，希望從離子源長期而穩(wěn)定地供給離子束，但是，在因所述的濺射造成燈絲急劇變細(xì)的情況下，存在無法穩(wěn)定供給離子束的問題。另外，在縮短離子注入處理所需要的時間的情況下及在被稱為所謂的高劑量注入的注入大量離子的情況下，需要增大由離子源生成的離子束的束電流量(離子束的大電流化)。為了實現(xiàn)這樣的大電流化，可以考慮例如增大來自燈絲的電子的放出量，使生成的等離子體的濃度變大。但是，由于電子放出量的增大意味著使流過燈絲的電流量增大，會將燈絲加熱到更高的溫度，于是因加熱造成的燈絲的蒸發(fā)進(jìn)一步發(fā)展，導(dǎo)致燈絲變細(xì)。在專利文獻(xiàn)I的離子源中，如果增大流過燈絲的電流量，使離子束的束電流增大，則由于所述的因等離子體造成的對燈絲的濺射作用和因高溫造成的燈絲的蒸發(fā)作用疊加，存在在極短時間內(nèi)燈絲就消耗掉的問題。如果因燈絲的消耗導(dǎo)致燈絲斷線，則必須停止離子源進(jìn)行維護，所以裝置的運行率變差。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于所述的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種離子源和具有該離子源的離子注入裝置，與以往的離子源相比，燈絲(陰極)的斷線少，可以穩(wěn)定地生成大型及大電流的離子束。
本發(fā)明提供一種離子源，其包括多個等離子體生成容器；陰極，在各個等離子體生成容器內(nèi)至少設(shè)置有一個，向等離子體生成容器內(nèi)突出的前端部配置在不與等離子體接觸的位置；氣體流量調(diào)節(jié)器，與各個等離子體生成容器連接，分別調(diào)節(jié)導(dǎo)入各個等離子體生成容器內(nèi)的可電離氣體的流量；狹縫狀開口部，形成在各個等離子體生成容器上；引出電極，從所述狹縫狀開口部引出帶狀離子束，該帶狀離子束在與引出方向垂直的平面內(nèi)具有大體長方形的截面；以及磁場生成機構(gòu)，沿著所述狹縫狀開口部的長邊方向在各個等離子體生成容器內(nèi)產(chǎn)生磁場，其中，在從所述截面的短邊方向觀察從各個等離子體生成容器引出的所述帶狀離子束時，所述截面的長邊方向的至少一方的端部相互重疊。由于陰極的前端部設(shè)置在不與等離子體接觸的位置，所以可以大幅度地減輕等離子體對陰極的濺射。因此，陰極斷線的可能性變低，可以長時間地穩(wěn)定地生成離子束。另夕卜，即使在伴隨大電流化，流過陰極的電流量增加的情況下，由于等離子體的濺射作用的影響小，所以也不會產(chǎn)生陰極在極短時間內(nèi)消耗掉的問題。另外，從多個等離子體生成容器引出帶狀離子束，該離子束在與引出方向垂直的平面內(nèi)具有大體長方形的截面，在從該截面的短邊方向觀查所述帶狀離子束時，長邊方向上的至少一方的端部相互重疊，所以即使對于大型的基板，也可以與以往同樣地進(jìn)行應(yīng)對。 為了提高等離子體生成容器內(nèi)的等離子體生成效率，優(yōu)選的是，在所述狹縫狀開口部的長邊方向上設(shè)置有反射電極，該反射電極在所述等離子體生成容器內(nèi)與所述陰極相對配置。此外，優(yōu)選的是，所述磁場生成機構(gòu)設(shè)置有多個，所述磁場生成機構(gòu)針對規(guī)定數(shù)量的等離子體生成容器獨立地產(chǎn)生磁場。另一方面，優(yōu)選的是，所述磁場生成機構(gòu)在各個等離子體生成容器內(nèi)部產(chǎn)生共同的磁場。在該情況下，由于磁場生成機構(gòu)有一個即可，所以對應(yīng)地具有維護簡便的優(yōu)點。此外，本發(fā)明提供一種離子注入裝置，其包括如上所述的離子源；處理室，導(dǎo)入從各個等離子體生成容器引出的所述帶狀離子束；以及基板驅(qū)動機構(gòu)，沿與所述帶狀離子束交叉的方向移動所述基板，使得在所述處理室內(nèi)對所述帶狀離子束所照射的基板的整個面進(jìn)行離子注入處理。另一方面，本發(fā)明還提供一種離子注入裝置，其包括如上所述的離子源；分析電磁鐵，對從各個等離子體生成容器弓I出的所述帶狀離子束進(jìn)行質(zhì)量分析；分析狹縫，僅使通過了所述分析電磁鐵的帶狀離子束中的、包括所希望的離子的帶狀離子束通過；處理室，導(dǎo)入從各個等離子體生成容器引出的所述帶狀離子束；以及基板驅(qū)動機構(gòu)，沿與所述帶狀離子束交叉的方向移動所述基板，使得在所述處理室內(nèi)對所述帶狀離子束所照射的基板的整個面進(jìn)行離子注入處理。按照所述的離子注入裝置，通過分析電磁鐵對離子束進(jìn)行質(zhì)量分析，可以僅將包括所希望的離子種類的離子束向基板照射。另外，優(yōu)選的是，所述分析電磁鐵具有多個磁極對，該多個磁極對以在所述帶狀離子束的長邊方向上夾持從各個等離子體生成容器引出的所述帶狀離子束的方式相對設(shè)置，從各個等離子體生成容器引出的所述帶狀離子束在所述分析電磁鐵中通過的距離越長，構(gòu)成各個磁極對的磁極間的距離越寬。從各個等離子體生成容器引出的帶狀離子束在分析電磁鐵內(nèi)通過的路徑不同。在分析電磁鐵內(nèi)通過的距離越長，帶狀離子束的偏向量對應(yīng)地越大。因此，存在從各個等離子體生成容器引出的帶狀離子束通過分析電磁鐵后，所述帶狀離子束的束路徑交叉的問題。另外，如果各個帶狀離子束對基板的照射角度過于不同，則會導(dǎo)致對在基板上制造的器件的特性產(chǎn)生惡劣影響。與此相對，如以上所述的那樣，如果從各個等離子體生成容器引出的帶狀離子束在分析電磁鐵內(nèi)通過的距離越長，使構(gòu)成各磁極對的磁極之間的距離越大，則可以期待防止所述束路徑的交叉，從而可以防止對在基板上制造的器件的特性的惡劣影響。此外，優(yōu)選的是，在從所述離子源到所述處理室的路徑中配置有導(dǎo)電性部件，該導(dǎo)電性部件在電位上分離從各個等離子體生成容器引出的所述帶狀離子束通過的路徑。如果使用所述的導(dǎo)電性部件，則可以防止在通過相鄰的束路徑的一個離子束的周圍產(chǎn)生的空間電荷效應(yīng)引起的空間電位變化對另一個離子束造成影響的情況。此外，優(yōu)選的是，所述離子注入裝置還包括束電流測量器，該束電流測量器在所述處理室內(nèi)測量各個離子束的束電流密度分布。 如果包括所述的束電流測量器，則可以監(jiān)測測量結(jié)果，由此離子注入裝置的操作人員可以進(jìn)行下述操作改變離子注入裝置的各種參數(shù)，從而調(diào)整照射到基板上的各個帶狀離子束的束電流密度分布。另外，優(yōu)選的是，所述離子注入裝置還包括控制器，該控制器根據(jù)由所述束電流測量器測量到的測量結(jié)果，判斷將各個離子束的束電流密度分布合成的分布是否在所希望的范圍內(nèi)，并且在根據(jù)判斷結(jié)果判斷為將各個離子束的束電流密度分布合成的分布在所希望的范圍之外的情況下，對所述離子源的運轉(zhuǎn)參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。如果包括所述的控制器，則可以自動地將束電流密度分布調(diào)整到目標(biāo)值。與以往的離子源相比，本發(fā)明的燈絲(陰極)的斷線少，并可以穩(wěn)定地生成大型及大電流的離子束。


圖I表示在本發(fā)明的一個離子源中使用的等離子體生成容器的剖視圖。圖2表示從與Z方向相反一側(cè)觀察圖I的等離子體生成容器時的情形。圖3表示在本發(fā)明的離子源中使用的磁場生成機構(gòu)的一個例子。圖4表示在本發(fā)明的離子源中使用的磁場生成機構(gòu)的另一個例子。圖5表示在本發(fā)明的離子源中使用的引出電極的例子，圖5的(A)為相對于多個等離子體生成容器具有共同的引出開口的引出電極的例子，圖5的(B)為相對于多個等離子體生成容器具有各自的引出開口的引出電極的例子。圖6表示在本發(fā)明的離子源中使用的等離子體生成容器的配置例子，圖6的(A)為沿著Y方向配置、且在X方向上的位置相互不同的多個等離子體生成容器的配置例子，圖6的(B)為圖6的(A)所示的配置例子的變形例，圖6的(C)為沿著Y方向不規(guī)則地配置等離子體生成容器的例子。圖7表示在本發(fā)明的另一離子源中使用的等離子體生成容器的剖視圖。圖8表示本發(fā)明的一個離子注入裝置的俯視圖。圖9表示在本發(fā)明的離子注入裝置中使用的束電流測量器的一個例子。
圖10為與由束電流測量器測量到的束電流密度分布的調(diào)整相關(guān)的說明圖，圖10的(A)表示調(diào)整前的束電流密度分布，圖10的(B)表示調(diào)整后的束電流密度分布。圖11表示在本發(fā)明的離子注入裝置中使用的分析電磁鐵的一個例子，圖11的(A)表示從Z方向觀察分析電磁鐵內(nèi)部時的情形，圖11的(B)表示從X方向觀察分析電磁鐵時的情形。圖12表示在本發(fā)明的離子注入裝置中使用的遮蔽機構(gòu)的一個例子，圖12的(A)表示從Z方向觀察遮蔽機構(gòu)時的情形，圖12的(B)表示從Y方向觀察遮蔽機構(gòu)時的情形。圖13表示在本發(fā)明的離子注入裝置中使用的基板驅(qū)動機構(gòu)的一個例子。圖14表示在本發(fā)明的離子注入裝置中，在基板上照射離子束的情形。圖15表示本發(fā)明的另一離子注入裝置的俯視圖。 附圖標(biāo)記說明1、U11、U12、U21、U22、U31、U32、U41、U42......等離子體生成容器2......燈絲3......等離子體7……氣體流量調(diào)節(jié)器8......離子源11……狹縫狀開口部12......磁場生成機構(gòu)16......引出電極17......引出開口19......離子束20……分析電磁鐵21......分析狹縫23......基板24......基板驅(qū)動機構(gòu)31......導(dǎo)電性部件IM......離子注入裝置
具體實施例方式圖I中描繪了構(gòu)成本發(fā)明的一個離子源的等離子體生成容器I的剖視圖。X方向、Y方向和Z方向相互垂直相交于一點，Z方向為從等離子體生成容器I引出后述的離子束19的方向。在等離子體生成容器I的壁面上連接有氣體供給路5。在該氣體供給路5上通過閥9安裝有氣體源6，從該氣體源6供給成為離子束19的原料的可電離氣體。另外，在該氣體供給路5上設(shè)置有氣體流量調(diào)節(jié)器7 (質(zhì)量流量控制器)，由此調(diào)整從氣體源6向等離子體生成容器I提供的可電離氣體的供給量。在等離子體生成容器I的一個側(cè)面上，通過絕緣件10安裝有U形的燈絲2。在燈絲2的端子之間連接有燈絲電源Vf，該燈絲電源％可以調(diào)節(jié)在燈絲2中流動的電流量。該燈絲電源Vf通過電弧電源Va與等離子體生成容器I連接。
通過使電流流過燈絲2，對燈絲2進(jìn)行加熱，從燈絲2放出電子。在等離子體生成容器I內(nèi)部，通過后述的磁場生成機構(gòu)12沿圖示的箭頭的方向生成磁場B，沿著該磁場B，從燈絲2放出的電子在等離子體生成容器I內(nèi)部移動。該電子與供給到等離子體生成容器I內(nèi)部的可電離氣體碰撞，引起可電離氣體的電離，在等離子體生成容器I內(nèi)生成等離子體3。本發(fā)明的燈絲2的位于X方向上的前端部設(shè)置在不與等離子體3接觸的位置。由此，可以減輕等離子體3對燈絲2的濺射。在此，對于燈絲2的個數(shù)，雖然只描繪了一個，但是，也可以與以往的技術(shù)相同，設(shè)置多個燈絲2。在等離子體生成容器I的內(nèi)部，反射電極4設(shè)置在與燈絲2相對的位置。該反射電極4通過絕緣件10安裝在等離子體生成容器I上，以等離子體生成容器I為基準(zhǔn)電位，以使該反射電極4為負(fù)電位的方式連接電源VB。這樣，使反射電極4的電位為負(fù)電位，由此在從燈絲2放出的電子通過磁場B向反射電極4 一側(cè)移動時,可以將該電子向相反一側(cè)反射。其結(jié)果，可電離氣體和電子的碰撞概率得到提高，從而可以提高等離子體3的生成效率。另 夕卜，該反射電極4是用于提高等離子體3的生成效率的電極，并不是必須設(shè)置的電極。 另外，在此，使用電源Vb使反射電極4的電位為負(fù)電位，但是也可以不使用這樣的電源，而使反射電極4處于懸浮電位。在該情況下，因從燈絲2放出的電子與反射電極4碰撞，反射電極4帶負(fù)電，最終也可以將電子向燈絲2—側(cè)反射。另外，雖然在圖中未示出，但是也可以在燈絲2的背面一側(cè)設(shè)置反射電極。圖2中描繪了從與Z方向相反一側(cè)觀察圖I時的等離子體生成容器I的情形。如該圖2所示，在等離子體生成容器I的位于Z方向一側(cè)的側(cè)面上形成有狹縫狀開口部11，通過該狹縫狀開口部11，利用后述的引出電極16進(jìn)行離子束19的引出。在本發(fā)明中，通過多個等離子體生成容器I構(gòu)成離子源8。作為一個例子，在圖3中公開了下述的例子具有基本按照行列狀配置的四個等離子體生成容器Ull、U12、U21、U22。另外，各等離子體生成容器Ull、U12、U21、U22的結(jié)構(gòu)與參照圖I說明過的等離子體生成容器I的結(jié)構(gòu)相同。如參照圖I說明過的所示，在本發(fā)明的離子源8中設(shè)置有用于在等離子體生成容器I內(nèi)部生成磁場B的磁場生成機構(gòu)12。在圖3的例子中公開了下述的磁場生成機構(gòu)12的例子，即該磁場生成機構(gòu)12針對全部的四個等離子體生成容器U11、U12、U21、U22，在它們的內(nèi)部生成共同的磁場B。圖3所示的磁場生成機構(gòu)12包括大體口形的磁軛13，在該磁軛13內(nèi)配置有各等離子體生成容器U11、U12、U21、U22 ;以及一對磁極14，沿X方向從磁軛13向磁軛13的內(nèi)側(cè)區(qū)域(配置有各等離子體生成容器的一側(cè)的區(qū)域)突出，該一對磁極14相互相對地配置。在各磁極14上分別卷繞有線圈15，在各個線圈15上連接有圖中未示出的電源。例如，如果使電流流過各線圈15，以使位于紙面上側(cè)的磁極14為N極、位于紙面下側(cè)的磁極14為S極，則如圖所示，在各等離子體生成容器Ull、U12、U21、U22的內(nèi)側(cè)區(qū)域，生成共同的磁場B。在圖3的例子中，使用一個磁場生成機構(gòu)12在各等離子體生成容器U11、U12、U21、U22的內(nèi)側(cè)區(qū)域生成共同的磁場B，但是代替與此，如圖4所示，也可以設(shè)置多個等離子體生成機構(gòu)12。在圖4的例子中，在由等離子體生成容器U11、U12構(gòu)成的組以及由等離子體生成容器U21、U22構(gòu)成的組中分別設(shè)置有磁場生成機構(gòu)12。由于各磁場生成機構(gòu)12的結(jié)構(gòu)與通過前述的例子說明過的結(jié)構(gòu)相同，故在此省略對其的詳細(xì)說明，但是，在此，可以通過各個磁場生成機構(gòu)12對各等離子體生成容器獨立地產(chǎn)生磁場。另外，在圖4的例子中，針對由等離子體生成容器Ull、U12構(gòu)成的組生成磁場BI，與此相對，針對由等離子體生成容器U21、U22構(gòu)成的組生成磁場B2，但是，也可以使針對各等離子體生成容器產(chǎn)生的磁場相同。在圖4的例子中，將兩個等離子體生成容器作為一組，使一個磁場生成機構(gòu)12與該組相對應(yīng)，但是，也可以使一個磁場生成機構(gòu)12與各個等離子體生成容器相對應(yīng)。另外，也可以由兩個等離子體生成容器構(gòu)成一組，由三個等離子體生成容器構(gòu)成另一組。在該情況下，與前面的例子相同，針對每個組配置一個磁場生成機構(gòu)12。另外，在此，作為磁場生成機構(gòu)12使用了電磁鐵，但是代替與此，也可以使用永磁體。在該情況下，可以準(zhǔn)備兩個永磁體，以將相互不同的極性在X方向上相對配置的方式，來安裝配置在各個磁極14上就可以。在本發(fā)明的離子源8中設(shè)置有引出電極16，該引出電極16用于將離子束19從等離子體生成容器I引出。參照圖5對該引出電極16的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。在圖5的(A)、圖5 的(B)中描繪了在圖3和圖4中作為一個例子舉出的四個等離子體生成容器U11、U12、U21、U22和配置于其前方(Z方向一側(cè))的引出電極16。另外，在該圖中，用虛線表示各等離子體生成容器Ul I、U12、U21、U22及形成在等離子體生成容器上的狹縫狀開口部11。在該例子中，假定作為引出的離子束是具有正電荷的離子束。為此，在引出電極16上連接有在圖中沒有示出的電源，使得以各等離子體生成容器Ull、U12、U21、U22為基準(zhǔn)，使引出電極16的電位為負(fù)的電位。對引出電極16的結(jié)構(gòu)進(jìn)行具體說明。在圖5的(A)的例子中，在一個大的引出電極16上形成有兩個引出開口 17。各引出開口 17針對由等離子體生成容器Ull和離子體生成容器U12構(gòu)成的組以及由等離子體生成容器U21和離子體生成容器U22構(gòu)成的組而分別配置。在圖5的(A)中，針對兩個等離子體生成容器配置一個引出開口 17，但是，代替與此，如圖5的(B)所示，針對各個等離子體生成容器也可以分別設(shè)置引出開口 17。另外，雖然在此在圖中未示出，但是通過這樣的引出電極16的引出開口 17引出的離子束19是在與引出方向(Z方向)垂直的平面內(nèi)具有大體長方形的截面的帶狀離子束。在圖3 圖5中列舉了配置有四個等離子體生成容器的例子，但是，本發(fā)明的等離子體生成容器的配置不限于此。在圖6的(A) 圖6的(C)中列舉了構(gòu)成本發(fā)明的離子源8的等離子體生成容器的配置例子。本發(fā)明的特征在于，用與引出方向垂直的平面切斷從各等離子體生成容器引出的帶狀離子束，在此時的大體長方形的截面中，在從截面的短邊方向觀察各帶狀離子束時，截面的長邊方向的至少一方的端部相互重疊。通過形成這樣的結(jié)構(gòu)，即使在基板尺寸為大型尺寸的情況下，也可以與以往同樣地毫無問題地進(jìn)行離子注入處理。通過引出電極16引出的帶狀離子束19的大體長方形的截面基本等于形成在各等離子體生成容器上的狹縫狀開口部11的形狀。因此，可以如圖6的(A) 圖6的(C)所示的配置各等離子體生成容器。具體地說，在圖6的(A)中，在Y方向上配置在第奇數(shù)個的等離子體生成容器的組(由等離子體生成容器UlI、U12構(gòu)成的組、由等離子體生成容器U31、U32構(gòu)成的組)與在Y方向上配置在第偶數(shù)個的等離子體生成容器的組(由等離子體生成容器U21、U22構(gòu)成的組，由等離子體生成容器U41、U42構(gòu)成的組)在X方向上的位置不同。配置在第奇數(shù)個的等離子體生成容器的組與配置在第偶數(shù)個的等離子體生成容器的組在X方向上的位置配置成形成于在Y方向(相當(dāng)于用與引出方向垂直的平面切斷帶狀離子束時的大體長方形截面的短邊方向)上相鄰的等離子體生成容器上的狹縫狀開口部11在X方向(相當(dāng)于用與引出方向垂直的平面切斷帶狀離子束時的大體長方形的截面的長邊方向)上的至少一方的端部相互重疊。通過進(jìn)行這樣的配置，可以使得在從大體長方形截面的短邊方向觀察從各等離子體生成容器引出的帶狀離子束19時，大體長方形截面的長邊方向的至少一方的端部相互重疊。在圖6的(A)中表示了使第奇數(shù)個等離子體生成容器組和第偶數(shù)個等離子體生成容器組在X方向上的位置互相不同進(jìn)行配置的例子，但是，也可以如圖6的(B)所示進(jìn)行變形。在圖6的(B)中，配置成使在Y方向上配置在第一和第四的等離子體生成容器組(由等離子體生成容器Ull、U12構(gòu)成的組及由等離子體生成容器U41、U42構(gòu)成的組)與在Y方向上配置在第二和第三的等離子體生成容器組(由等離子體生成容器U21、U22構(gòu)成的組及由等離子體生成容器U31、U32構(gòu)成的組)在X方向上的位置不同。即使這樣地進(jìn)行配置，也可以實現(xiàn)與用圖6的(A)表示的例子相同的作用及效果。 此外，也可以如圖6的(C)所示，改變配置在Y方向上的各個等離子體生成容器組的結(jié)構(gòu)。在此，在Y方向上配置在第一和第二的等離子體生成容器的個數(shù)為一個，在Y方向上配置在第三的等離子體生成容器的個數(shù)為兩個。即使是該結(jié)構(gòu)，只要以下述方式進(jìn)行配置，則也可以實現(xiàn)與先前所示的圖6的(A)、圖6的⑶相同的效果，所述方式為從Y方向(相當(dāng)于用與引出方向垂直的平面切斷帶狀離子束時的大體長方形的截面的短邊方向)觀察時，形成在各等離子體生成容器Ul I、U21、U31、U32上的狹縫狀開口部11在X方向(相當(dāng)于用與引出方向垂直的平面切斷帶狀離子束時的大體長方形截面的短邊方向)上的至少一方的端部重疊。另外，當(dāng)然，等離子體生成容器的數(shù)量并不限于在此給出的數(shù)量。等離子體生成容器的數(shù)量只要是兩個以上即可。在圖7中記載的等離子體生成容器I的結(jié)構(gòu)中，圖7中記載的陰極部分與圖I中記載的結(jié)構(gòu)不同。在圖7的例子中，放出電子的陰極由旁熱式陰極18構(gòu)成。該結(jié)構(gòu)是作為旁熱式離子源公知的結(jié)構(gòu)。通過燈絲電源Vf使電流流過燈絲2，對燈絲2進(jìn)行加熱，由此放出電子。以下述方式連接陰極電源Vc，S卩當(dāng)以燈絲2為基準(zhǔn)電位時，使旁熱式陰極18的電位成為比燈絲2的電位更正的電位。通過該陰極電源Vc，將從燈絲2放出的電子拉向旁熱式陰極18，并沖撞旁熱式陰極18。如果電子沖撞旁熱式陰極18，則旁熱式陰極18被加熱，如果被加熱到某溫度，則從旁熱式陰極18放出電子。在放出電子之后生成等離子體3的方式與圖I的例子相同，因此在此省略對其的說明，用于放出電子的陰極也可以使用這樣的旁熱式陰極18。另外，在本發(fā)明中所述的等離子體生成容器內(nèi)部是指包括開口部的區(qū)域，在該開口部中配置有形成在等離子體生成容器中的旁熱式陰極18。圖8表示本發(fā)明的離子注入裝置頂?shù)睦印Ｔ诖?，為了簡化離子源8的圖示，省略了到此為止說明過的磁場生成機構(gòu)12、引出電極16等的圖示。另外，為了簡化以后的說明，作為多個等離子體生成容器的結(jié)構(gòu)，在此舉出了具有圖4所示的四個等離子體生成容器U11、U12、U21、U22中的兩個等離子體生成容器Ull、U21的結(jié)構(gòu)的例子。從各等離子體生成容器Ull、U21引出的離子束19中包含所希望的離子種類以外的離子。因此，為了僅使所希望的離子種類照射到基板23上，如以往以來所公知的，使用分析電磁鐵20和分析狹縫21進(jìn)行質(zhì)量分析。將經(jīng)過質(zhì)量分析的離子束19向配置在處理室22內(nèi)的束電流測量器25照射。在該束電流測量器25中，如后述的那樣，沿X方向進(jìn)行束電流密度分布的測量，該測量結(jié)果被作為信號S9向控制器26發(fā)送。在控制器26判斷束電流密度在所希望的范圍內(nèi)的情況下，將控制信號S7發(fā)送給支承基板23的基板驅(qū)動機構(gòu)24。接收到控制信號S7的基板驅(qū)動機構(gòu)24沿與離子束19交差的方向(在此為Y方向)驅(qū)動基板23，使得用兩個離子束19對基板23的整個面照射離子束19。另一方面，在控制器26判斷為束電流密度分布在規(guī)定范圍外的情況下，由控制器26將控制信號SI S4發(fā)送給離子源8，調(diào)整離子源8所具備的燈絲電源Vf、電弧電源\、質(zhì)量流量控制器7及陰極電源\等離子源的運轉(zhuǎn)參數(shù)的值。另外，除了進(jìn)行該運轉(zhuǎn)參數(shù)的調(diào)整以外，還在分析狹縫21的下游側(cè)(處理室22 —側(cè))配置部分地遮蔽各離子束19的遮蔽機構(gòu)27，利用該遮蔽機構(gòu)27進(jìn)行束電流密度分布的調(diào)整。另外，通過來自控制器26的控制信號S6對該遮蔽機構(gòu)27進(jìn)行控制，對沿圖示的箭頭方向移動的移動量進(jìn)行調(diào)整。另外，在調(diào)整束電流密度分布時，通過束電流測量器25監(jiān)測束電流密度分布。 從各等離子體生成容器Ull、U21引出的離子束19的路徑在從離子源8到處理室22之間，被具有網(wǎng)眼狀的孔的導(dǎo)電性部件31在電位上分離。另外，該導(dǎo)電性部件31例如由作為非磁性體的碳制成，并電氣接地。如果通過這樣的導(dǎo)電性部件31將兩個離子束19的束路徑在電位上分離，則可以防止因空間電荷效應(yīng)在一個離子束19的周圍產(chǎn)生的空間電位變化對另一個離子束19造成影響。另外，由于各離子束具有正電荷，如果過于接近，則相互排斥。但是，如果設(shè)置所述的導(dǎo)電性部件31，則由于在電位上被分離，所以可以使兩個離子束19接近配置，從而可以使離子注入裝置IM小型化，并可以使利用基板驅(qū)動機構(gòu)24對基板23的整個面進(jìn)行離子注入處理時的基板23的驅(qū)動范圍變窄。下面對構(gòu)成離子注入裝置IM的各部分進(jìn)行說明。圖9表示束電流測量器25的例子。在束電流測量器25中，沿X方向配置有多個在Y方向上長的法拉第杯40。該法拉第杯40以下述方式配置有多個，該方式為在Y方向上大到能夠覆蓋從各等離子體生成容器UlU U21引出的兩個離子束19的程度，并且在X方向上能夠覆蓋兩個離子束19的從一端到另一端。該束電流測量器25的測量結(jié)果表示在圖9中記載的束電流測量器25的紙面右偵U。在該測量結(jié)果中，縱軸表示在束電流測量器25上的位置，橫軸表示束電流密度的大小。如果著眼于各離子束19的束電流密度分布，則在離子束19的中央部附近的束電流密度大，伴隨向端部移動成為平緩的分布。在該例子中，從等離子體生成容器Ull和等離子體生成容器U21引出的各離子束19的X方向的端部在從Y方向觀察時重疊。該重疊的部分位于在測量結(jié)果中作為區(qū)域A所示的區(qū)域，在該區(qū)域中，各個離子束19的束電流密度分布如虛線所示的那樣，平緩地減小，但是在此，因各離子束19的電流密度重疊，所以測量到用實線記載的那樣的束電流密度分布。參照圖10的(A)、圖10的(B)，對用于獲得所希望的束電流密度分布的方法進(jìn)行簡單說明。在圖10的(A)中示出了由束電流測量器25測量到的束電流密度分布。在此，假定使用束電流密度的值為H土 a、X方向的寬度為W的離子束19向基板23注入離子。在該情況下，在圖示的區(qū)域C和區(qū)域D的區(qū)域中，束電流密度的值超出H+a的范圍。由此，必須減少該區(qū)域中的束電流密度。在該情況下，例如通過控制器26，控制燈絲電源Vf，使流過燈絲2的電流量減少。如果電流量減少，則等離子體3的濃度變小，所以從等離子體生成容器I引出的離子束19的束流減少。其結(jié)果是，如圖10的(B)所示的那樣，束電流密度分布整體減少，從而滿足在規(guī)定的范圍內(nèi)。在此，對調(diào)整燈絲電源Vf的控制例進(jìn)行了說明，但是，除此之外，也可以控制離子源8具備的電弧電源Vc、導(dǎo)入等離子生成容器中的氣體流量等。另外，可以考慮作為控制對象，預(yù)先確定順序，將該順序存儲于控制器26內(nèi)，按照規(guī)定的順序，對控制對象進(jìn)行控制。在該情況下，可以根據(jù)所希望的范圍和測量到的束電流密度分布的差來確定控制的順序。例如，在差值大的情況下，進(jìn)行適合于粗調(diào)整的參數(shù)(通過少的調(diào)整能使束電流密度分布變化大的參數(shù))調(diào)整，在差值小的情況下，進(jìn)行適合于精細(xì)調(diào)整的參數(shù)(即使在調(diào)整量大的情況下，束電流密度分布也幾乎不變化的參數(shù))調(diào)整，由此確定成為調(diào)整對象的運轉(zhuǎn)參數(shù)的順序。另一方面，也可以不配置控制器26，由離子注入裝置頂?shù)牟僮魅藛T通過手動進(jìn)行調(diào)整。在該情況下，可以考慮準(zhǔn)備反映束電流測量器25的測量結(jié)果的監(jiān)視器，操作人員邊 看該監(jiān)視器邊進(jìn)行調(diào)整，使得測量到的束電流密度分布進(jìn)入所希望的范圍內(nèi)。另外，作為束電流測量器25的結(jié)構(gòu)，也可以是不一起測量多個離子束19的結(jié)構(gòu)，而是對各個離子束19分別配置束電流測量器25，使得可以獨立地測量各個離子束19。在該情況下，只要之后將測量結(jié)果累加起來即可。圖11的⑷和圖11的(B)為圖8中記載的分析電磁鐵20的一個例子。圖11的(A)表不分析電磁鐵20的剖面的情形。分析電磁鐵20包括磁軛28,在磁軛28上設(shè)置有在X方向上的磁極間距(gap,間隙)不同的第一磁極對29和第二磁極對30。在Y方向上以覆蓋在X方向上相對配置的第一磁極對29和第二磁極對30的兩個磁極的方式卷繞有線圈15,在該例子中，生成從配置在紙面下側(cè)的各磁極對朝向配置在紙面上側(cè)的各磁極對的磁場。另外，第一磁極對29和第二磁極對30通過由馬達(dá)等構(gòu)成的磁極驅(qū)動機構(gòu)39，可以獨立地改變磁極間距。從圖8中記載的等離子體生成容器Ul I引出的離子束19通過第一磁極對29之間，同樣，從圖8中記載的等離子體生成容器U21引出的離子束19通過第二磁極對30之間。另夕卜，設(shè)置有導(dǎo)電性部件31，使得各離子束19的束路徑在Y方向上在電位上分離。從等離子體生成容器Ull、U21引出的離子束19的轉(zhuǎn)彎半徑，在所希望的離子種類和離子束的能量相同的情況下，在分析電磁鐵20處的轉(zhuǎn)彎半徑相同。雖然還依賴于分析電磁鐵20和基板23之間的距離等，但是，在轉(zhuǎn)彎半徑相同的情況下，存在各離子束19的路徑交叉的問題。此外，如果各離子束19向基板23入射的入射角度的差異變大，則會導(dǎo)致在基板上制造出的器件的特性因位置不同而有很大的不同。因此，優(yōu)選的是，使從各等離子體生成容器Ull、U21引出的離子束19的轉(zhuǎn)彎半徑不同，并盡可能地調(diào)整成使兩個離子束19的軌道平行。在圖8的情況下，由于各離子束19通過分析電磁鐵20沿順時針方向轉(zhuǎn)彎，所以在外側(cè)轉(zhuǎn)彎(位于圖11的(A)的Y方向一側(cè))的離子束19 (從等離子體生成容器Ull引出的離子束19)的轉(zhuǎn)彎半徑需要大于在內(nèi)側(cè)轉(zhuǎn)彎的另一個離子束19(從等離子體生成容器U21引出的離子束19)的轉(zhuǎn)彎半徑。在離子束19的離子種類和能量相同的情況下，對應(yīng)于使離子束19轉(zhuǎn)彎的磁場的強度，轉(zhuǎn)彎半徑不同。由于磁場的強度伴隨磁極間距的擴大而變?nèi)酰栽谠摾又?，第一磁極對29的磁極間距比第二磁極30的磁極間距更大。對于磁極間距的大小關(guān)系而言是如上所述的關(guān)系，但是，根據(jù)分析電磁鐵20和基板23的距離、在基板23上制造的器件的特性等各個條件來恰當(dāng)?shù)卦O(shè)定各磁極間距的間隔。這樣，通過使各個磁極間距不同，可以使由第一磁極對29產(chǎn)生的第一磁場B3小于由第二磁極對30產(chǎn)生的第二磁場B4，根據(jù)磁極間距的設(shè)定，可以使各離子束19的束路徑基本平行。在此，對于分析電磁鐵20，為了使在外側(cè)轉(zhuǎn)彎的離子束19的轉(zhuǎn)彎半徑大于在內(nèi)側(cè)轉(zhuǎn)彎的另一個離子束19的轉(zhuǎn)彎半徑，使用了在外側(cè)轉(zhuǎn)彎的離子束19通過的磁極間距大于另一個離子束19通過的磁極間距的表述，但是換言之，也可以如下述這樣進(jìn)行表述，即 離子束在分析電磁鐵20內(nèi)部通過的距離越長，形成在分析電磁鐵20中的各磁極之間的距離越大。即，在分析電磁鐵20內(nèi)部，越是通過外側(cè)的離子束19，在分析電磁鐵20內(nèi)通過的距尚越長。與此相對，在分析電磁鐵20內(nèi)部,越是通過內(nèi)側(cè)的尚子束19,在分析電磁鐵20內(nèi)通過的距離越短。因此，可以代替內(nèi)側(cè)、外側(cè)的表述，采用離子束19在分析電磁鐵20內(nèi)通過的距離這樣的表述。
磁極29和磁極30在Y方向上的寬度充分大于通過此處的離子束19在相同方向上的尺寸。另外，優(yōu)選的是，通過磁極之間的離子束19在Y方向上通過各磁極的中央部分。其原因在于存在下述問題在Y方向上配置在相鄰的磁極之間的磁極端部，因磁場之間干涉導(dǎo)致磁場分布產(chǎn)生形變，從而對離子束19的質(zhì)量分析造成障礙。由于該原因，所以優(yōu)選的是，如上所述那樣地設(shè)定磁極尺寸和通過磁極之間的離子束的通過位置。圖11的⑶表示從X方向觀察分析電磁鐵20時的情形。在該圖中，在分析電磁鐵20的內(nèi)側(cè)區(qū)域記載的單點劃線表示第一磁極對29和第二磁極對30的外形，實線表示所希望的離子束19的軌道。另外，虛線表示導(dǎo)電性部件31。如該圖所示，第一磁極對29的寬度和第二磁極對30的寬度分別沿離子束19的束路徑是相同的。另外，圖11的(B)中的X軸、Y軸、Z軸表示在分析電磁鐵20的出口(紙面右側(cè))的方向，在分析電磁鐵20內(nèi)部，除了 X軸的方向，Y軸、Z軸的方向是酌情改變的。在圖12的(A)、圖12的⑶中記載有圖8所記載的遮蔽機構(gòu)27的一個例子。如在此所示的，例如，遮蔽機構(gòu)27針對從各個等離子體生成容器U11、U21引出的離子束19獨立地配置。該遮蔽機構(gòu)27包括一對遮蔽部件34，該一對遮蔽部件34以在離子束19的短邊方向(Y方向)上夾持離子束19的方式相對配置，成對的遮蔽部件34沿離子束19的長邊方向(X方向)配置有多個。在各個遮蔽部件34上連接有支承軸33，該支承軸33通過遮蔽部件驅(qū)動機構(gòu)32可以沿圖示的箭頭的方向獨立地移動，由此遮蔽離子束19的一部分，從而調(diào)整束電流密度分布。作為遮蔽部件驅(qū)動機構(gòu)32可以考慮由下述機構(gòu)構(gòu)成，所述機構(gòu)為例如作為驅(qū)動源具有多個馬達(dá)，分別驅(qū)動各個支承軸33。圖12的(B)表示從Y方向觀查遮蔽機構(gòu)27時的情形。如該圖所示，多個遮蔽部件34以沿X方向在Z方向上的位置交替不同的方式呈之字形配置。如果進(jìn)行這樣的配置，則可以沿著X方向的整個區(qū)域無間斷地調(diào)整離子束19的電流密度分布。圖13表示圖8中記載的基板驅(qū)動機構(gòu)24的一個例子?；弪?qū)動機構(gòu)24包括支承基板23的基板保持架38，該基板保持架38的下方端面(位于X方向一側(cè)的端面)和從下方端面沿Z方向延伸設(shè)置的下方端部由四個旋轉(zhuǎn)體37支承。支承基板保持架38的下方端面的兩個旋轉(zhuǎn)體37以能夠沿圖示的箭頭的方向旋轉(zhuǎn)的方式由安裝于設(shè)在處理室22上的支承臺41上的支承軸36支承。支承基板保持架38的下方端部的Z方向一側(cè)的旋轉(zhuǎn)體37以能夠沿圖示的箭頭方向旋轉(zhuǎn)的方式由設(shè)置于處理室22上的支承軸36支承。另一方面，支承下方端部的、與Z方向相反一側(cè)的旋轉(zhuǎn)體37通過真空密封件35固定在設(shè)置于處理室22的外側(cè)的驅(qū)動源42 (馬達(dá))的轉(zhuǎn)動軸43上，通過驅(qū)動源42使轉(zhuǎn)動軸43旋轉(zhuǎn)，由此，該旋轉(zhuǎn)體37與轉(zhuǎn)動軸43成為一體地沿圖示的箭頭的方向旋轉(zhuǎn)。由此，可以使基板保持架38沿Y方向移動。另外，雖然省略了圖示，但是具有所述四個旋轉(zhuǎn)體37的基板保持架38的支承機構(gòu)沿Y方向設(shè)置有多個。圖14表示從各等離子體生成容器Ull、U21引出的離子束19照射到基板23上的情形?；?3沿Y方向在與兩個離子束19交叉的方向(在該例子中為Y方向)上移動，由此實現(xiàn)向基板23的整個面注入離子。其它的變形例在圖8的例子中，等離子體生成容器Ull和等離子體生成容器U21在Z方向上的位 置相同。在該情況下，從各等離子體生成容器引出的離子束19到照射到基板上的束路徑的距離不同。如果束路徑的距離不同，則由于各離子束19受到的空間電荷效應(yīng)的影響不同，所以導(dǎo)致照射到基板23上的離子束19的形狀產(chǎn)生差異。另外，在圖8的例子中，等離子體生成容器的個數(shù)為兩個，但是，在Y方向上配置的等離子體生成容器的數(shù)量越增加，各離子束19的束輸送距離的差異越大。如果照射到基板23上的離子束19的形狀基本相同，則可以容易地對各離子束19的束電流密度分布進(jìn)行控制。其原因在于可以期待利用調(diào)整一個離子束的電流密度分布獲得的結(jié)果，對另外的離子束的電流密度分布進(jìn)行調(diào)整。因此，如圖15所示，通過使各等離子體生成容器U11、U21的離子束19的在行進(jìn)方向上的位置不同，使得離子束19從各等離子體生成容器Ull、U21到照射到基板23的距離LI、L2成為相同的距離。如果采用這樣的結(jié)構(gòu)，則可以使從各等離子體生成容器U11、U21引出的離子束19的形狀在對基板23照射的位置基本相同。除了所述的內(nèi)容以外，顯然，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，也可以進(jìn)行各種改進(jìn)和變形。
權(quán)利要求
1.一種離子源，其特征在于包括 多個等離子體生成容器； 陰極，在各個等離子體生成容器內(nèi)至少設(shè)置有一個，向等離子體生成容器內(nèi)突出的前端部配置在不與等離子體接觸的位置； 氣體流量調(diào)節(jié)器，與各個等離子體生成容器連接，分別調(diào)節(jié)導(dǎo)入各個等離子體生成容器內(nèi)的可電離氣體的流量； 狹縫狀開口部，形成在各個等離子體生成容器上； 引出電極，從所述狹縫狀開口部引出帶狀尚子束，該帶狀尚子束在與引出方向垂直的平面內(nèi)具有大體長方形的截面；以及 磁場生成機構(gòu)，沿著所述狹縫狀開口部的長邊方向在各個等離子體生成容器內(nèi)產(chǎn)生磁場，其中， 在從所述截面的短邊方向觀察從各個等離子體生成容器引出的所述帶狀離子束時，所述截面的長邊方向的至少一方的端部相互重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的離子源，其特征在于，在所述狹縫狀開口部的長邊方向上設(shè)置有反射電極，該反射電極在所述等離子體生成容器內(nèi)與所述陰極相對配置。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的離子源，其特征在于，所述磁場生成機構(gòu)設(shè)置有多個，所述磁場生成機構(gòu)針對規(guī)定數(shù)量的等離子體生成容器獨立地產(chǎn)生磁場。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的離子源，其特征在于，所述磁場生成機構(gòu)在各個等離子體生成容器內(nèi)部產(chǎn)生共同的磁場。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的離子源，其特征在于，所述磁場生成機構(gòu)在各個等離子體生成容器內(nèi)部產(chǎn)生共同的磁場。
6.一種離子注入裝置，其特征在于包括 如權(quán)利要求I至5中任一項所述的離子源； 處理室，導(dǎo)入從各個等離子體生成容器弓I出的所述帶狀離子束；以及基板驅(qū)動機構(gòu)，沿與所述帶狀離子束交叉的方向移動所述基板，使得在所述處理室內(nèi)對所述帶狀離子束所照射的基板的整個面進(jìn)行離子注入處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的離子注入裝置，其特征在于，在從所述離子源到所述處理室的路徑中配置有導(dǎo)電性部件，該導(dǎo)電性部件在電位上分離從各個等離子體生成容器引出的所述帶狀離子束通過的路徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的離子注入裝置，其特征在于，所述離子注入裝置還包括束電流測量器，該束電流測量器在所述處理室內(nèi)測量各個離子束的束電流密度分布。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的離子注入裝置，其特征在于，所述離子注入裝置還包括控制器，該控制器根據(jù)由所述束電流測量器測量到的測量結(jié)果，判斷將各個離子束的束電流密度分布合成的分布是否在所希望的范圍內(nèi)，并且在根據(jù)判斷結(jié)果判斷為將各個離子束的束電流密度分布合成的分布在所希望的范圍之外的情況下，對所述離子源的運轉(zhuǎn)參數(shù)進(jìn)行調(diào)整
10.一種離子注入裝置，其特征在于包括 如權(quán)利要求I至5中任一項所述的離子源； 分析電磁鐵，對從各個等離子體生成容器弓I出的所述帶狀離子束進(jìn)行質(zhì)量分析；分析狹縫，僅使通過了所述分析電磁鐵的帶狀離子束中的、包括所希望的離子的帶狀離子束通過； 處理室，導(dǎo)入從各個等離子體生成容器引出的所述帶狀離子束；以及 基板驅(qū)動機構(gòu)，沿與所述帶狀離子束交叉的方向移動所述基板，使得在所述處理室內(nèi)對所述帶狀離子束所照射的基板的整個面進(jìn)行離子注入處理。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的離子注入裝置，其特征在于， 所述分析電磁鐵具有多個磁極對，該多個磁極對以在所述帶狀離子束的長邊方向上夾持從各個等離子體生成容器引出的所述帶狀離子束的方式相對設(shè)置， 從各個等離子體生成容器引出的所述帶狀離子束在所述分析電磁鐵中通過的距離越長，構(gòu)成各個磁極對的磁極間的距離越寬。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的離子注入裝置，其特征在于，在從所述離子源到所述處理室的路徑中配置有導(dǎo)電性部件，該導(dǎo)電性部件在電位上分離從各個等離子體生成容器引出的所述帶狀離子束通過的路徑。
13.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的離子注入裝置，其特征在于，所述離子注入裝置還包括束電流測量器，該束電流測量器在所述處理室內(nèi)測量各個離子束的束電流密度分布。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的離子注入裝置，其特征在于，所述離子注入裝置還包括束電流測量器，該束電流測量器在所述處理室內(nèi)測量各個離子束的束電流密度分布。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的離子注入裝置，其特征在于，所述離子注入裝置還包括控制器，該控制器根據(jù)由所述束電流測量器測量到的測量結(jié)果，判斷將各個離子束的束電流密度分布合成的分布是否在所希望的范圍內(nèi)，并且在根據(jù)判斷結(jié)果判斷為將各個離子束的束電流密度分布合成的分布在所希望的范圍之外的情況下，對所述離子源的運轉(zhuǎn)參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的離子注入裝置，其特征在于，所述離子注入裝置還包括控制器，該控制器根據(jù)由所述束電流測量器測量到的測量結(jié)果，判斷將各個離子束的束電流密度分布合成的分布是否在所希望的范圍內(nèi)，并且在根據(jù)判斷結(jié)果判斷為將各個離子束的束電流密度分布合成的分布在所希望的范圍之外的情況下，對所述離子源的運轉(zhuǎn)參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
全文摘要
本發(fā)明提供離子源和離子注入裝置，與以往的離子源相比，燈絲(陰極)的斷線少、能穩(wěn)定生成大型及大電流的離子束。離子源(8)包括具有狹縫狀開口部(11)及向內(nèi)部突出的前端部配置在不與等離子體(3)接觸的位置的至少一個陰極(2)的多個等離子體生成容器(U11～U42)；沿狹縫狀開口部(11)的長邊方向在各等離子體生成容器(U11～U42)中產(chǎn)生磁場的磁場生成機構(gòu)(12)；通過狹縫狀開口部(11)引出截面形狀為大體長方形的帶狀離子束(19)的引出電極(6)。在從大體長方形截面的短邊方向看時，從各等離子體生成容器(U11～U42)引出的帶狀離子束(19)在大體長方形截面的長邊方向上的一方的端部相互重疊。
文檔編號H01J37/317GK102832094SQ20121005313
公開日2012年12月19日 申請日期2012年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月15日
發(fā)明者山下貴敏 申請人:日新離子機器株式會社