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      一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法及裝置的制作方法

      文檔序號(hào):2925122閱讀:416來源:國知局
      專利名稱:一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法及裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種提高離子阱性能的方法及裝置,尤其是一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法及裝置。
      背景技術(shù)
      多級(jí)質(zhì)譜分析是離子阱質(zhì)譜儀的一項(xiàng)重要功能,在涉及物質(zhì)結(jié)構(gòu)分析的基因組學(xué)、蛋白組學(xué)以及制藥等領(lǐng)域中具有舉足輕重的地位。同時(shí),多級(jí)質(zhì)譜分析功能是離子阱質(zhì) 譜儀相對(duì)于其他質(zhì)譜儀的優(yōu)勢(shì)之一。多級(jí)質(zhì)譜分析過程如下首先通過對(duì)目標(biāo)離子(或母離子)進(jìn)行隔離,然后通過碰撞誘導(dǎo)解離(Collision Induced Dissociation,CID)使母離子裂解,裂解后得到的碎片離子被稱為子離子。子離子還可進(jìn)行相同的隔離和CID過程。通過對(duì)離子CID后得到的碎片離子就可以分析出離子的結(jié)構(gòu),獲得更大量的信息。目前,離子阱理論已非常成熟,這里只簡(jiǎn)要介紹與CID有關(guān)的理論。對(duì)于一個(gè)徑向半徑為A、軸向半徑為Ztl的三維離子講,其穩(wěn)定圖參數(shù)az和qz定義如下
      權(quán)利要求
      1.一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法,所述離子阱包括端電極;其特征在于 對(duì)離子進(jìn)行CID的過程中,施加在所述端電極上的電壓信號(hào)包含兩個(gè)或兩個(gè)以上的頻率成分,其中具有處于[(f_l) kHz,(f+l)kHz]內(nèi)的頻率成分,f是要進(jìn)行CID的離子的共振頻率;所述電壓信號(hào)是頻率隨時(shí)間變化的掃頻信號(hào),該掃頻信號(hào)的起始頻率和終止頻率可設(shè)定。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法,其特征在于所述電壓信號(hào)可通過對(duì)白噪聲信號(hào)進(jìn)行帶通濾波得到。
      3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法,其特征在于在所述電壓信號(hào)中,頻率成分是離散的。
      4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法,其特征在于在CID過程中,所述掃頻信號(hào)出現(xiàn)兩次或兩次以上。
      5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法,其特征在于頻率隨時(shí)間變化的關(guān)系是線性或非線性的。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法,其特征在于當(dāng)頻率隨時(shí)間變化的關(guān)系是非線性時(shí),對(duì)每一個(gè)頻率成分設(shè)置時(shí)間權(quán)重。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的方法,其特征在于與離子的共振頻率相等概率高的頻率成分的時(shí)間權(quán)重比其它頻率成分要大。
      8.一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置,所述離子阱包括端電極,所述裝置包括 信號(hào)發(fā)生器,信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生的電壓信號(hào)施加到所述端電極上;所述電壓信號(hào)包括兩個(gè)或兩個(gè)以上頻率成分,其中具有處于[(f-l)kHz,(f+l)kHz]內(nèi)的頻率成分,f是要進(jìn)行CID的離子的共振頻率; 所述電壓信號(hào)是頻率隨時(shí)間變化的掃頻信號(hào),該掃頻信號(hào)的起始頻率和終止頻率可設(shè)定。
      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置,其特征在于在所述電壓信號(hào)中,頻率成分是離散的。
      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置,其特征在于在CID過程中,所述掃頻信號(hào)出現(xiàn)兩次或兩次以上。
      11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置,其特征在于頻率隨時(shí)間變化的關(guān)系是線性或非線性的。
      12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置,其特征在于當(dāng)頻率隨時(shí)間變化的關(guān)系是非線性時(shí),對(duì)每一個(gè)頻率成分設(shè)置時(shí)間權(quán)重。
      13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置,其特征在于與離子的共振頻率相等概率高的頻率成分的時(shí)間權(quán)重比其它頻率成分要大。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離(CID)性能的方法,所述離子阱包括端電極;特點(diǎn)是對(duì)離子進(jìn)行CID的過程中,施加在所述端電極上的電壓信號(hào)包含多個(gè)頻率成分,其中具有處于[(f-1)kHz,(f+1)kHz]內(nèi)的頻率成分,f(kHz)是要進(jìn)行CID的離子的共振頻率,所述電壓信號(hào)是一個(gè)包含某個(gè)頻率范圍內(nèi)的所有頻率成分的寬頻信號(hào),也可以是一個(gè)頻率隨時(shí)間變化的掃頻信號(hào)。本發(fā)明還提供了一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置。本發(fā)明可消除空間電荷效應(yīng)或射頻束縛電壓波動(dòng)等帶來的影響,提高了CID效率和重復(fù)性。
      文檔編號(hào)H01J49/42GK102751162SQ20121017341
      公開日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
      發(fā)明者其他發(fā)明人請(qǐng)求不公開姓名, 劉立鵬, 吳先偉, 吳文明, 朱文明, 甘劍勤, 邱明, 鄭毅 申請(qǐng)人:聚光科技(杭州)股份有限公司
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