專利名稱：一種新型場發(fā)射陰極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新型場發(fā)射陰極。
背景技術(shù)：
隨著科技的發(fā)展和進(jìn)步，場發(fā)射顯示技術(shù)得到了極大關(guān)注，尤其是場發(fā)射陰極的結(jié)構(gòu)和性能成為研究的熱點(diǎn)，雖然目前市場上的場發(fā)射陰極種類繁多，但是目前的場發(fā)射陰極還存在著各種缺點(diǎn)和不足。因此，尋找一種制備工藝簡單、成本低廉、性能良好的場發(fā)射陰極成為亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種新型場發(fā)射陰極，該場發(fā)射陰極包括基板、設(shè)置在基板上的氧化鋅納米線陣列。有益效果本發(fā)明制備的氧化鋅納米線陣列經(jīng)過光譜分析，顯示納米結(jié)構(gòu)有序，而且該方法工藝要求簡單，制造成本低。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。實(shí)施例1該基板為普通玻璃，在玻璃基板上形成Zn材料薄膜，對Zn材料薄膜進(jìn)行熱處理后冷卻從而形成場發(fā)射陰極。實(shí)施例2 該基板為二氧化硅基板，在二氧化硅基板上形成Zn材料薄膜，對Zn材料薄膜進(jìn)行熱處理后冷卻從而形成場 發(fā)射陰極。實(shí)施例3該基板為硅基板，在硅基板上形成Zn材料薄膜，對Zn材料薄膜進(jìn)行熱處理后冷卻從而形成場發(fā)射陰極。
權(quán)利要求
1.一種新型場發(fā)射陰極，其包括基板，在基板上形成Zn材料薄膜，對Zn材料薄膜進(jìn)行熱處理后冷卻從而形成場發(fā)射陰極。
2.如權(quán)利要求1所述的陰極，其中，基板為普通玻璃、二氧化硅基板、硅基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種新型場發(fā)射陰極，其包括基板，在基板上形成Zn材料薄膜，對Zn材料薄膜進(jìn)行熱處理后冷卻從而形成場發(fā)射陰極。其中，基板為普通玻璃、二氧化硅基板、硅基板。
文檔編號H01J29/04GK103065915SQ201210583060
公開日2013年4月24日 申請日期2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月27日
發(fā)明者李崗, 國欣鑫, 張曉輝 申請人:青島艾德森能源科技有限公司