專利名稱：具有防塵結(jié)構(gòu)的真空等離子腔室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種可有效降低真空等離子體腔室，尤其是等離子體刻蝕腔室，因密封圈老化而引入的塵粒的腔體構(gòu)造。
背景技術(shù)：
真空等離子腔室在半導(dǎo)體及TFT行業(yè)應(yīng)用非常普遍，設(shè)備包括成膜、刻蝕、干法剝離等裝置。真空腔室的構(gòu)造普遍如下圖I所示。其中，真空腔室由上下兩個(gè)腔體組成，在下腔體腔壁的中間有一凹槽，在凹槽中有一密封圈，當(dāng)上下兩個(gè)腔體壓合時(shí)，密封圈能起到很好的密封作用，如圖2所示。但是，當(dāng)密封圈使用一段時(shí)間后(尤其在高溫或等離子體環(huán)境下)，會(huì)產(chǎn)生較多塵粒。尤其當(dāng)腔室從大氣狀態(tài)切換成真空狀態(tài)時(shí)，在瞬間壓力變化的作用·下，老化的密封圈表面的塵粒非常容易進(jìn)入腔室。如果不對(duì)該密封圈進(jìn)行更換，密封圈老化產(chǎn)生的塵粒會(huì)進(jìn)入工藝腔室中，在后續(xù)工藝過程中，該塵粒會(huì)掉落在基板上，導(dǎo)致工藝過程中的缺陷，如刻蝕殘留等等。要解決該問題，目前普遍的做法是更換新的密封圈。而此時(shí)，老化發(fā)塵的密封圈仍然能起到密封的作用。但如果一旦密封圈老化發(fā)塵則隨即更換新的密封圈會(huì)大大增加設(shè)備保養(yǎng)過程中所需要的備件并縮短設(shè)備保養(yǎng)維護(hù)的周期，最終在人力、時(shí)間、備件等各方面都增加設(shè)備保養(yǎng)維護(hù)的成本。

實(shí)用新型內(nèi)容為此，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于現(xiàn)有的真空等離子腔室密封圈老化形成的塵粒污染腔室內(nèi)基板的問題，進(jìn)而提供一種真空等離子體腔室的防塵結(jié)構(gòu)。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型公開一種具有防塵結(jié)構(gòu)的真空等離子腔室，其包括上腔室和下腔室，所述上腔室和所述下腔室之間通過設(shè)置于所述下腔室上端面的密封槽內(nèi)的密封圈實(shí)現(xiàn)密封連接，所述下腔室的腔室內(nèi)壁上可拆卸連接有擋板，所述下腔室或所述上腔室的腔室內(nèi)壁上可拆卸連接有擋板，所述擋板的一部分板面貼合所述上腔室的內(nèi)壁，一部分板面貼合所述下腔室的內(nèi)壁。上述真空等離子腔室中，所述擋板與所述上腔室和所述下腔室貼合的板面的粗糙度Ra大于50微米，其靠近腔室內(nèi)的板面涂覆絕緣涂層。上述真空等離子腔室中，所述擋板與所述下腔室之間通過螺釘實(shí)現(xiàn)螺紋連接，所述螺釘?shù)目拷皇覂?nèi)的頭部涂覆絕緣涂層。上述真空等離子腔室中，所述下腔室與所述上腔室的內(nèi)腔為方形結(jié)構(gòu)，所述隔板的個(gè)數(shù)與所述下腔室/所述上腔室的邊數(shù)相同。上述真空等離子腔室中，所述擋板與所述上腔室和所述下腔室貼合的板面涂覆粗糙度Ra大于50微米的鋁制磨砂涂層，其靠近工藝腔室內(nèi)的板面涂覆Al2O3或/和Y2O3絕緣涂層。本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型的真空等離子腔室在下腔室上可拆卸連接一個(gè)可以防塵的擋板，該擋板的一部分板面貼合所述上腔室的內(nèi)壁，一部分板面貼合所述下腔室的內(nèi)壁，這樣老化的密封圈產(chǎn)生的塵粒在外力作用下向腔室內(nèi)側(cè)運(yùn)動(dòng)時(shí)，則能被該擋板擋住。其可以延長(zhǎng)密封圈使用壽命，降低設(shè)備保養(yǎng)維護(hù)成本的情況下，減少或消除密封圈發(fā)塵對(duì)工藝良率的影響，減少工藝缺陷。本實(shí)用新型的擋板與上腔室和下腔室貼合的板面的粗糙度Ra大于50微米，其可以加工成表面為凹凸不平的構(gòu)造或者涂覆鋁制涂層，其靠近腔室內(nèi)的板面涂覆絕緣涂層。這樣，密封圈產(chǎn)生的塵?？梢员晃?附住。同時(shí)，該擋板相對(duì)于腔室可拆卸連接，當(dāng)擋板吸附塵粒一定程度之后，可將擋板拆卸清洗塵粒。

為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中圖I是真空等離子腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是沿圖I虛線A處剖切的剖面圖；圖3是本實(shí)用新型的真空等離子腔室的剖視圖。圖中附圖標(biāo)記表示為I-上腔室，2下腔室，21密封槽，3-密封圈，4-擋板，5-螺釘。
具體實(shí)施方式
圖3為本實(shí)用新型公開的一種具有防塵結(jié)構(gòu)的真空等離子腔室，其包括上腔室I和下腔室2，所述上腔室I和所述下腔室2之間通過設(shè)置于所述下腔室2上端面的密封槽21內(nèi)的密封圈3實(shí)現(xiàn)密封連接，所述下腔室2的腔室內(nèi)壁上可拆卸連接有擋板4，所述擋板4的上端面高于所述下腔室4的上端面，其與所述上腔室I和所述下腔室2貼合的板面的粗糙度大于50微米，其靠近腔室內(nèi)的板面涂覆絕緣涂層。所述擋板4與所述下腔室2之間通過螺釘5實(shí)現(xiàn)螺紋連接，所述螺釘5的靠近腔室內(nèi)的頭部涂覆絕緣涂層。所述下腔室2與所述上腔室I的內(nèi)腔為長(zhǎng)方形，所述隔板4的個(gè)數(shù)與所述下腔室2/所述上腔室I的邊數(shù)相同。所述擋板4與所述上腔室I和所述下腔室2貼合的板面加工成表面為凹凸不平的構(gòu)造，其靠近工藝腔室內(nèi)的板面涂覆絕緣層材料，優(yōu)選的可以采用Al2O3或/和Y2O3材料等。作為另一種可以實(shí)施的方式，本實(shí)用新型的具有防塵結(jié)構(gòu)的真空等離子腔室中，所述擋板4與所述上腔室I可拆卸連接，這種情況下，所述擋板4的下端面要低于所述上腔室I的下端面。作為另一種可以實(shí)施的方式，所述擋板4與所述上腔室I和所述下腔室2貼合的板面涂覆粗糙度Ra大于50微米的鋁制磨砂涂層，如Ra為100微米，Ra為200微米等。顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求1.一種具有防塵結(jié)構(gòu)的真空等離子腔室，其包括上腔室(I)和下腔室(2)，所述上腔室(I)和所述下腔室(2)之間通過設(shè)置于所述下腔室(2)上端面的密封槽(21)內(nèi)的密封圈(3)實(shí)現(xiàn)密封連接，其特征在于 所述下腔室(2)或所述上腔室(I)的腔室內(nèi)壁上可拆卸連接有擋板(4)，所述擋板(4)的一部分板面貼合所述上腔室(I)的內(nèi)壁，一部分板面貼合所述下腔室(2)的內(nèi)壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有防塵結(jié)構(gòu)的真空等離子腔室，其特征在于 所述擋板(4)與所述上腔室(I)和所述下腔室(2)貼合的板面的粗糙度Ra大于50微米，其靠近腔室內(nèi)的板面涂覆絕緣涂層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的具有防塵結(jié)構(gòu)的真空等離子腔室，其特征在于 所述擋板(4 )與所述下腔室(2 )之間通過螺釘實(shí)現(xiàn)螺紋(5 )連接，所述螺釘(5 )頭部涂覆絕緣涂層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有防塵結(jié)構(gòu)的真空等離子腔室，其特征在于 所述下腔室(2)與所述上腔室(I)的內(nèi)腔為方形結(jié)構(gòu)，所述隔板(4)的個(gè)數(shù)與所述下腔室(2)、所述上腔室(I)的邊數(shù)相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有防塵結(jié)構(gòu)的真空等離子腔室，其特征在于 所述擋板(4)與所述上腔室(I)和所述下腔室(2)貼合的板面涂覆粗糙度Ra大于50微米的鋁制磨砂涂層，其靠近工藝腔室內(nèi)的板面涂覆Al2O3或/和Y2O3絕緣涂層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種具有防塵結(jié)構(gòu)的真空等離子腔室，其包括上腔室(1)和下腔室(2)，所述上腔室(1)和所述下腔室(2)之間通過設(shè)置于所述下腔室(2)上端面的密封槽(21)內(nèi)的密封圈(3)實(shí)現(xiàn)密封連接，所述下腔室(2)或所述上腔室(1)的腔室內(nèi)壁上可拆卸連接有擋板(4)，所述擋板(4)的一部分板面貼合所述上腔室(1)的內(nèi)壁，一部分板面貼合所述下腔室(4)的內(nèi)壁。該真空等離子腔室解決了密封圈老化形成的塵粒污染腔室內(nèi)基板的問題。
文檔編號(hào)H01J37/32GK202796847SQ20122042471
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月24日
發(fā)明者施露, 邱勇, 黃秀頎, 鐘立華, 習(xí)王峰 申請(qǐng)人:昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司