用于質(zhì)量分析的方法和設(shè)備的制作方法
【專利摘要】在此提供一種質(zhì)量分析的方法和一種質(zhì)譜儀，其中一個(gè)批次的離子積累在一個(gè)質(zhì)量分析器中；使用鏡像電流檢測來檢測該質(zhì)量分析器中所積累的該批次離子以便提供一個(gè)檢測到的信號；基于使用來自該質(zhì)量分析器中所積累的一個(gè)先前批次的離子的鏡像電流檢測所獲得的一個(gè)先前檢測到的信號使用一種算法來控制該質(zhì)量分析器中所積累的該批次離子中的離子數(shù)目；其中該算法的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)是基于使用位于該質(zhì)量分析器外部的一個(gè)獨(dú)立檢測器所獲得的離子電流或電荷的一個(gè)測量值進(jìn)行調(diào)整的。
【專利說明】用于質(zhì)量分析的方法和設(shè)備
發(fā)明領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及質(zhì)譜法領(lǐng)域，并且具體地說采用離子的鏡像電流檢測的質(zhì)譜法，如使用FT-1CR室和靜電阱(包括靜電軌道阱)的FT質(zhì)譜法。
_2] 發(fā)明背景
[0003]許多類型的質(zhì)譜儀采用離子的鏡像電流檢測。這類譜儀通常采用所檢測的鏡像電流的傅里葉(Fourier)變換來產(chǎn)生頻譜和/或質(zhì)譜，因此得名傅里葉變換質(zhì)譜法(FTMS)。這類質(zhì)譜儀典型地采用離子捕獲裝置，使用這些離子捕獲裝置需要控制離子阱中的離子群以便限制空間電荷效應(yīng)。
[0004]顯然，在FTMS中希望在質(zhì)量分析器中積累盡可能多的離子以便改進(jìn)所收集的數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)狀況。然而，這一點(diǎn)與以下事實(shí)沖突:存在由空間電荷效應(yīng)引起的在更高離子濃度下的飽和。這些空間電荷效應(yīng)限制質(zhì)量分辨率并且影響質(zhì)量精確度，從而導(dǎo)致質(zhì)量并且甚至強(qiáng)度的不正確指定。
[0005]積累在一個(gè)離子阱內(nèi)的總離子豐度可以通過如在US5，107, 109和W02005/093782中針對RF線性阱詳細(xì)描述的自動(dòng)增益控制(AGC)來進(jìn)行控制。首先，在一個(gè)已知的時(shí)間周期上積累離子并且進(jìn)行快速的總離子豐度測量。獲悉時(shí)間周期和阱中的總離子豐度允許選擇隨后離子填充的適當(dāng)填充時(shí)間以便在該阱中產(chǎn)生最優(yōu)離子豐度。
[0006]已經(jīng)提出了多種另外的方式來控制阱內(nèi)的離子群。例如，對于如在US5，572，022和US6，600, 154中所描述的RF離子阱來說，已經(jīng)提出恰在分析掃描之前包括一個(gè)預(yù)掃描以便提供一個(gè)反饋用于自動(dòng)地控制用于將離子引入到阱中供分析掃描用的選通或填充時(shí)間。還已經(jīng)提出了使用如US5，559，325中的眾多的預(yù)掃描的外推用于類似的目的。在W003/019614中所披露的另一種方法中，已經(jīng)提出了使用具有三重的四極桿安排的靜電計(jì)型檢測器來測量傳輸模式中的離子通量用于確定隨后的分析掃描的填充時(shí)間。在FT-1CR的情況下，已經(jīng)在US6，555，814中提出了一種方法，該方法包括將離子預(yù)先捕獲在一個(gè)外部積累裝置中，隨后在電子倍增器上進(jìn)行檢測。
[0007]在FTMS的情況下，該儀器可以被配置成使用鏡像電流檢測用于測定進(jìn)入到質(zhì)量分析器中的離子電荷。在轉(zhuǎn)移至FT質(zhì)量分析器之前，這些離子典型地首先被捕獲在一個(gè)注入裝置(如一個(gè)線性阱)中，并且可以使用在該質(zhì)量分析器中所測定的離子電流以使得該注入裝置中的離子數(shù)目被控制以便避免其中的空間電荷效應(yīng)。例如，這種方法(在一些情況下連同接口連接的線性阱中的自動(dòng)增益控制(AGC) —起)用于來自賽默飛世爾科技有限公司(Thermo Fisher Scientif ic)的許多Orbitrap?靜電講儀器中，其中短持續(xù)時(shí)間的預(yù)掃描("AGC預(yù)掃描”)用于離子電流的估算。
[0008]希望改進(jìn)FTMS中離子數(shù)目測量的精確度，尤其是使用鏡像電流檢測。
[0009]發(fā)明綜沭
[0010]針對這個(gè)背景，本發(fā)明在一方面提供一種質(zhì)量分析的方法，該方法包括:
[0011]在一個(gè)質(zhì)量分析器中積累一個(gè)批次的離子；
[0012]使用鏡像電流檢測來檢測在該質(zhì)量分析器中所積累的該批次離子，以便提供一個(gè)檢測到的信號；
[0013]其中該方法包括基于使用來自該質(zhì)量分析器中所積累的一個(gè)先前批次的離子的鏡像電流檢測所獲得的一個(gè)先前檢測到的信號使用一種算法來控制該質(zhì)量分析器中所積累的該批次離子中的離子數(shù)目；并且
[0014]其中該方法包括基于使用位于該質(zhì)量分析器外部的一個(gè)獨(dú)立檢測器所獲得的離子電流或電荷的一個(gè)測量值來調(diào)整該算法的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。
[0015]本發(fā)明在另一方面提供一種質(zhì)譜儀，該質(zhì)譜儀包括:
[0016]一個(gè)質(zhì)量分析器，包括用于使用鏡像電流檢測來檢測來自該分析器中所積累的一個(gè)批次的離子的一個(gè)信號的多個(gè)檢測電極；
[0017]一個(gè)位于該質(zhì)量分析器外部的獨(dú)立檢測器，該獨(dú)立檢測器用于測量還未被注入到該質(zhì)量分析器中的離子的離子電流；以及
[0018]一個(gè)控制安排，其可操作來基于使用來自該質(zhì)量分析器中所積累的一個(gè)先前批次的離子的鏡像電流檢測所獲得的一個(gè)先前檢測到的信號使用一種算法來控制該質(zhì)量分析器中所積累的該批次離子中的離子數(shù)目，其中該算法的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)是基于使用該獨(dú)立檢測器所獲得的離子電流或電荷的一個(gè)測量值可調(diào)整的。該質(zhì)譜儀優(yōu)選包括用于將離子注入到該質(zhì)量分析器中的一個(gè)注入裝置以便在該質(zhì)量分析器中積累該批次離子；
[0019]本發(fā)明在仍然另一方面中提供一種測定一個(gè)質(zhì)量分析器中所存儲的離子的總電荷的方法，該方法包括:
[0020]在該分析器中積累一個(gè)批次的離子；
[0021]使用鏡像電流檢測來檢測在該分析器中所積累的該批次離子，以便提供一個(gè)檢測到的信號；并且
[0022]基于使用鏡像電流檢測所獲得的檢測到的信號來測定在該分析器中所積累的該批次離子中離子的總電荷；
[0023]其中該方法包括基于使用位于該分析器外部的一個(gè)獨(dú)立檢測器所獲得的離子電流或電荷的一個(gè)測量值來調(diào)整所測定的離子的總電荷。
[0024]本發(fā)明被設(shè)計(jì)用于應(yīng)用于在其中使用離子的鏡像電流檢測的質(zhì)量分析器，例如FTMS分析器。該鏡像電流檢測器需要進(jìn)行校準(zhǔn)以便在預(yù)掃描中測量離子的絕對數(shù)目。這可以通過測量因用于將離子注入到該FT分析器中的注入裝置(如一個(gè)線性阱)中離子數(shù)目增加而由該注入裝置的飽和所引起的飽和效應(yīng)來間接地進(jìn)行。例如，在Orbitrap? FT質(zhì)量分析器的情況下，該信號傾向于越來越慢地增加直到它達(dá)到飽和。使用這些觀察到的飽和效應(yīng)，可以校準(zhǔn)該儀器以使得它以線性測量方案進(jìn)行操作。然而，這種校準(zhǔn)是依賴于該儀器的傳輸和性能的，這是所不希望的。例如，它取決于從線性阱至軌道阱分析器的傳輸和該儀器內(nèi)選通離子束的質(zhì)量、供給至該線性阱注入裝置的RF的線性度和透鏡設(shè)置以及其他因素。實(shí)驗(yàn)已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，雖然這種校準(zhǔn)在大多數(shù)情況下起作用，但是存在以下情況:預(yù)掃描可能提供錯(cuò)誤的結(jié)果。例如，這可能在以下情況下發(fā)生:如果檢測到的信號快速衰減或展示出一個(gè)節(jié)拍結(jié)構(gòu)(例如對于大量蛋白質(zhì)來說)，或如果存在僅具有一些強(qiáng)峰的一種極端復(fù)雜的矩陣(如例如在蛋白質(zhì)組學(xué)領(lǐng)域中發(fā)生的)。此外，一個(gè)低分辨率預(yù)掃描中的接近相鄰峰可能會(huì)相互干擾。在這類情況下，AGC預(yù)掃描可能不能夠精確測定離子數(shù)目。
[0025]本發(fā)明實(shí)現(xiàn)比單獨(dú)使用鏡像電流檢測更精確地測量該質(zhì)量分析器中所存儲的一個(gè)批次的離子的總電荷(或總離子含量)，例如，它實(shí)現(xiàn)使用來自該質(zhì)量分析器的鏡像電流檢測所獲得的一個(gè)先前檢測到的信號以更高精確度用于控制在積累一個(gè)后續(xù)批次的離子中所使用的填充或注入時(shí)間；該先前檢測到的信號可以是來自一個(gè)短的預(yù)掃描抑或全長分析掃描。本發(fā)明通過使用來自一個(gè)獨(dú)立檢測器(如一個(gè)電荷測量裝置)的積分離子電流(總離子電荷)的絕對測量值有效地調(diào)整來自該鏡像電流檢測的測量值來實(shí)現(xiàn)總離子電荷測定中的這種改進(jìn)，從該獨(dú)立檢測器可以獲得該先前批次中的這些離子的總電荷(因此總離子含量)的更精確的測定。本發(fā)明因此仍然使用來自該鏡像電流檢測的測量值，該測量值例如包括有用的質(zhì)譜信息，但是該測量值通過使用來自一個(gè)獨(dú)立檢測器的離子電流的更精確的測量值進(jìn)行調(diào)整。有利地，由該獨(dú)立檢測器進(jìn)行的測量可以偶爾而不是針對每個(gè)分析掃描進(jìn)行。本發(fā)明因此實(shí)現(xiàn)使用一種增強(qiáng)的自動(dòng)增益控制(AGC)來控制多個(gè)后續(xù)批次的離子的離子含量。本發(fā)明通過采用一種算法來控制該質(zhì)量分析器中所積累的一個(gè)后續(xù)批次的離子中的離子數(shù)目來實(shí)施該改進(jìn)，該算法是基于使用該質(zhì)量分析器中的鏡像電流檢測所獲得的一個(gè)先前檢測到的信號，其中該算法的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)是基于使用一個(gè)獨(dú)立檢測器所獲得的離子電流或電荷的一個(gè)測量值進(jìn)行調(diào)整的。
[0026]如在以下所更詳細(xì)地描述，可以另外出于質(zhì)譜儀中的其他有益用途的目的(如優(yōu)化和診斷目的)采用該獨(dú)立檢測器。
[0027]本發(fā)明涉及采用離子的鏡像電流檢測的質(zhì)譜法，如FT質(zhì)譜法。該質(zhì)量分析器因此包括多個(gè)檢測電極以便檢測由該質(zhì)量分析器中離子的振蕩所誘導(dǎo)的一個(gè)鏡像電流。本發(fā)明特別適用于在其中具有捕獲體積的質(zhì)量分析器，其中這些離子可以被捕獲并且優(yōu)選以一種頻率振蕩，該頻率取決于這些離子的質(zhì)-荷比并且可以使用鏡像電流檢測來進(jìn)行檢測。該質(zhì)量分析器典型地是一個(gè)捕獲質(zhì)量分析器，尤其是一個(gè)FT質(zhì)量分析器，其中優(yōu)選的實(shí)例是FT-1CR室和靜電阱，包括(例如)靜電軌道阱。在多個(gè)更優(yōu)選的實(shí)施例中，該質(zhì)量分析器是一個(gè)靜電軌道阱，其中離子基本上沿一個(gè)軸線在一個(gè)靜電場中進(jìn)行諧振蕩，同時(shí)繞沿該軸線對準(zhǔn)的一個(gè)內(nèi)部電極進(jìn)行軌道運(yùn)動(dòng)，如來自賽默飛世爾科技有限公司的Orbitrap?質(zhì)量分析器。Orbitrap?質(zhì)量分析器的詳細(xì)信息可以在美國專利號5，886，346中找到。該質(zhì)量分析器最優(yōu)選地是具有沿一個(gè)軸線安排的一個(gè)內(nèi)部電極和沿該軸線間隔開并且圍繞該內(nèi)部電極的兩個(gè)外部檢測電極的一個(gè)靜電軌道阱。使用這類分析器，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)該分析器中用于自動(dòng)增益控制(AGC)的預(yù)掃描用于測定總離子電荷的已知用途可能提供錯(cuò)誤的結(jié)果。例如，雖然不受任何理論束縛，但據(jù)信這可能在以下情況下發(fā)生:如果該檢測到的信號快速衰減或展示出節(jié)拍結(jié)構(gòu)(例如對于大量蛋白質(zhì)來說)，或如果存在僅具有一些強(qiáng)峰的一種極端復(fù)雜的矩陣(如例如在蛋白質(zhì)組學(xué)領(lǐng)域中發(fā)生的)。在這類情況下，AGC預(yù)掃描可能不能夠精確測定離子的數(shù)目。本發(fā)明解決了這種缺點(diǎn)。
[0028]然而，一般來說，并且在不違背以上的情況下，該質(zhì)量分析器可以是選自以下組的任何分析器=FT-1CR室、靜電阱(具有開放或閉合類型)、靜電軌道阱(如Orbitrap?分析器)、RF離子阱(如3D離子阱或線性離子阱)、飛行時(shí)間(TOF)質(zhì)量分析器等等。
[0029]這些離子可以是正離子抑或負(fù)離子，并且可以是單電荷的抑或多電荷的。
[0030]從在該質(zhì)量分析器中使用鏡像電流檢測檢測到的信號，可以由此獲得一個(gè)質(zhì)譜，典型地使用傅里葉變換。本發(fā)明優(yōu)選包括控制該質(zhì)量分析器中積累的一個(gè)批次的離子中的離子數(shù)目(即離子含量)以便獲得一個(gè)分析質(zhì)譜(分析掃描)。[0031]本發(fā)明包括針對給定的檢測時(shí)間(先前檢測時(shí)間或測試注入時(shí)間)使用鏡像電流檢測來檢測先前檢測到的信號。該先前檢測時(shí)間可以基本上與用于在分析掃描中檢測該批次離子的檢測時(shí)間相同(例如在該先前檢測信號是來自一個(gè)先前分析掃描的情況下)，或經(jīng)常優(yōu)選小于其(例如在該先前檢測信號是來自所謂的短的預(yù)掃描的情況下)。在一些情況下，有可能該先前檢測時(shí)間大于用于在該分析掃描中檢測該批次離子的檢測時(shí)間，例如當(dāng)使用一個(gè)先前分析掃描來提供該先前檢測到的信號并且該先前分析掃描具有比后續(xù)分析掃描更長的檢測時(shí)間時(shí)。當(dāng)該先前掃描本身是一個(gè)分析掃描時(shí)，那么可以通過不進(jìn)行預(yù)掃描來節(jié)省時(shí)間。
[0032]短的預(yù)掃描的重復(fù)頻率可以是與分析掃描的重復(fù)頻率相同或小于其，典型地相同。例如，短的預(yù)掃描可以在每個(gè)分析掃描之前進(jìn)行。
[0033]優(yōu)選地，該算法中所使用的先前檢測到的信號是來自該質(zhì)量分析器中前一個(gè)批次的離子的檢測到的信號。例如，在使用短的預(yù)掃描的情況下，就在每個(gè)分析掃描之前進(jìn)行短的預(yù)掃描。這在當(dāng)這些條件如在快速色譜法中快速變化時(shí)是有用的，例如不穩(wěn)定的電離或脈沖離子解吸方法。
[0034]在一些實(shí)施例中，本發(fā)明可以在一個(gè)分析掃描中使用鏡像電流檢測來檢測一個(gè)批次的離子與在一個(gè)短的預(yù)掃描中使用鏡像電流檢測來檢測一個(gè)批次的離子之間交替，其中該方法可以使用該算法以便基于一個(gè)先前短的預(yù)掃描(優(yōu)選地，前一短的預(yù)掃描)針對每個(gè)分析掃描控制該質(zhì)量分析器中所積累的離子的數(shù)目。
[0035]在一些其他實(shí)施例中，本發(fā)明可以基于一個(gè)先前分析掃描使用該算法來針對一個(gè)后續(xù)分析掃描控制該質(zhì)量分析器中所積累的離子的數(shù)目。
[0036]在又其他實(shí)施例中，對于一些分析掃描來說，本發(fā)明可以基于一個(gè)先前短的預(yù)掃描使用該算法來控制該質(zhì)量分析器中所積累的離子的數(shù)目，并且對于其他分析掃描來說，該方法可以基于一個(gè)先前分析掃描使用該算法來控制該質(zhì)量分析器中所積累的離子的數(shù)目。
[0037]該先前檢測到的信號優(yōu)選地用于測定該分析器中該先前批次中的這些離子的總離子含量(或離子數(shù)目)。所測定的總離子含量然后可以用于該算法中以便控制該質(zhì)量分析器中隨后所積累的離子的數(shù)目。優(yōu)選地，該算法中所使用的先前檢測到的信號和相關(guān)的測定的總離子含量是來自該質(zhì)量分析器中前一個(gè)批次的離子的那些。
[0038]該算法優(yōu)選確定用于將離子注入到該質(zhì)量分析器中的一個(gè)注入裝置的設(shè)置。具體地說，該算法優(yōu)選地確定用于控制一個(gè)注入裝置中所存儲的離子的數(shù)目的設(shè)置，這些存儲的離子是用于注入到該質(zhì)量分析器中的?？梢园ㄒ慌_計(jì)算機(jī)的控制安排優(yōu)選地控制該注入裝置并且因此使用該算法改變用于該注入裝置的設(shè)置。該算法可以確定用于將離子注入到該注入裝置中的注入時(shí)間(目標(biāo)注入時(shí)間)和/或用于將離子注入到該注入裝置中的目標(biāo)離子脈沖數(shù)目，由此來控制該注入裝置中所積累的離子的數(shù)目并且因此控制該質(zhì)量分析器中隨后積累的離子的數(shù)目。填充有控制數(shù)目的離子的注入裝置隨后典型地通過將在其中所包括的所有離子注入(優(yōu)選地作為一個(gè)脈沖)到該質(zhì)量分析器中來倒空。對于某些類型的質(zhì)譜儀來說，由該算法所確定的控制的注入時(shí)間可以是用于將這些離子注入到該質(zhì)量分析器中的時(shí)間。
[0039]該算法、并且因此注入到該注入裝置(或質(zhì)量分析器)中的離子的目標(biāo)注入時(shí)間和/或脈沖數(shù)目可以是基于(即該算法的參數(shù)可以包括):在該質(zhì)量分析器中使用鏡像電流檢測所獲得的先前檢測到的信號(尤其是從其測定的總離子含量或電荷)、進(jìn)入到該注入裝置(或質(zhì)量分析器)中的先前批次離子的已知注入時(shí)間和/或脈沖數(shù)目以及該注入裝置(或質(zhì)量分析器)中離子的所希望的或目標(biāo)最大數(shù)目(因此目標(biāo)總離子含量或電荷)。這些量通常根據(jù)以下等式相關(guān):
[0040]IT 目標(biāo)= (TIC 目標(biāo)/TIC先前 RITmj
[0041]其中ITw是針對目標(biāo)離子數(shù)目的離子的目標(biāo)注入時(shí)間和/或脈沖數(shù)目，TICw是針對該目標(biāo)離子數(shù)目的每單位時(shí)間的目標(biāo)總信號(總離子電流或電荷)，TICm^該先前批次(例如來自一個(gè)預(yù)掃描)的每單位時(shí)間的總信號，并且IT5w是該先前批次(例如預(yù)掃描)的離子的已知注入時(shí)間和/或脈沖數(shù)目。 [0042]該注入裝置(或質(zhì)量分析器)中離子的所希望的或目標(biāo)最大數(shù)目優(yōu)選地是低于將會(huì)在該注入裝置(或質(zhì)量分析器)中引起顯著空間電荷效應(yīng)的離子的數(shù)目。該注入裝置(或質(zhì)量分析器)中離子的所希望的最大數(shù)目優(yōu)選地是改進(jìn)所收集的數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)同時(shí)避免空間電荷效應(yīng)的離子的最佳數(shù)目。典型地，該注入裝置具有比該質(zhì)量分析器低的空間電荷容量，并且正是該注入裝置的填充應(yīng)被控制以便避免過度填充它。這是例如，對于具有一個(gè)彎曲的線性阱(C-阱)作為注入裝置的靜電軌道阱質(zhì)量分析器來說的情況。
[0043]該算法包括至少一個(gè)參數(shù)，該參數(shù)可以基于從該獨(dú)立檢測器所獲得的離子電流或電荷的測量值進(jìn)行調(diào)整。例如，該算法優(yōu)選地是基于以上等式的一種修改:
[0044]IT目標(biāo)=(TIC目標(biāo)/TIC先前)*IT先前*C
[0045]其中C是校準(zhǔn)系數(shù)，該校準(zhǔn)系數(shù)使用來自該獨(dú)立檢測器的測量值進(jìn)行調(diào)整。例如，C根據(jù)從該獨(dú)立檢測器所測量的總離子電流或電荷的比率(I ?1與TICmj)進(jìn)行縮放，其中對于一種校準(zhǔn)混合物來說C=l。這個(gè)系數(shù)還可以包括對目標(biāo)信號和該儀器的參數(shù)的信賴。
[0046]使用從該獨(dú)立檢測器所獲得的離子電流或電荷的測量值調(diào)整該一個(gè)或多個(gè)算法參數(shù)優(yōu)選地包括使用鏡像電流檢測所獲得的先前檢測到的信號的校準(zhǔn)。該算法的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)(例如以上等式中的系數(shù)C)的調(diào)整可以包括縮放先前檢測到的信號(尤其是從其測定的總離子含量)。該算法的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的調(diào)整可以包括以從該獨(dú)立檢測器所測定的總離子含量與從該先前檢測到的信號所測定的總離子含量的比率縮放從該先前檢測到的信號所測定的總離子含量。因此，從該獨(dú)立檢測器所測定的總離子含量是用于定義一個(gè)因子，從該鏡像電流檢測所測定的總離子含量應(yīng)該以該因子來擴(kuò)大或縮小。因此，該先前檢測到的信號的測量值和使用該獨(dú)立檢測器所獲得的離子電流或電荷的測量值可以各自用于確定該質(zhì)量分析器中先前批次的離子的總離子含量，其中該算法將這兩個(gè)測量值都考慮在內(nèi)。因此，與W003/019614中的方法不同，本發(fā)明中的一個(gè)靜電計(jì)檢測器不用于在每個(gè)分析掃描之前代替預(yù)掃描，而是用于(例如偶爾)定義一個(gè)因子，在FTMS中從使用鏡像電流檢測的一個(gè)掃描測定的總離子含量以該因子放大或縮小。
[0047]該質(zhì)量分析器中所積累的離子的數(shù)目可以針對一個(gè)選擇的質(zhì)量范圍進(jìn)行控制。也就是說，該控制安排可以是可操作的以便將該質(zhì)量分析器中所積累的該批次離子中的離子數(shù)目控制在一個(gè)選擇的質(zhì)量范圍中。因此，可以針對該質(zhì)量分析器中先前批次中的所有離子、或僅針對該先前批次中一個(gè)選擇的質(zhì)量范圍中的離子測定總離子含量，例如使用該檢測到的信號中的質(zhì)譜信息。例如，源自該檢測到的信號的所選擇的質(zhì)量范圍中的質(zhì)量峰的峰值強(qiáng)度可以用于測定那個(gè)質(zhì)量范圍中的離子的總含量。此類信息可以用于控制在一個(gè)后續(xù)掃描中注入到該質(zhì)量分析器中的在所選擇的質(zhì)量范圍中的離子的數(shù)目，尤其是當(dāng)在該注入裝置上游的質(zhì)量選擇器用于僅選擇所選擇的質(zhì)量范圍中的離子用于注入時(shí)。例如，從先前批次中所有離子測定的總離子電荷或含量可以通過所選擇的質(zhì)量范圍中的離子的總峰值強(qiáng)度與該批次中的所有離子的總峰值強(qiáng)度的比率進(jìn)行縮放，從而獲得所選擇的質(zhì)量范圍中的離子的離子含量。這個(gè)比率還可以用于縮放由該獨(dú)立檢測器測量的總離子電荷或含量以便獲得所選擇的質(zhì)量范圍中的這些離子的絕對離子電荷或含量，該絕對離子電荷或含量然后可以用于調(diào)整該算法中的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。
[0048]本發(fā)明因此可以包括利用來自該先前檢測到的信號的質(zhì)譜信息。例如，本發(fā)明可以包括基于從一個(gè)先前檢測到的信號測定的在所選擇的質(zhì)量范圍中的離子的總離子含量使用一種算法來將該質(zhì)量分析器中所積累的離子的數(shù)目控制在所選擇的質(zhì)量范圍中；并且基于使用該獨(dú)立檢測器所獲得的在所選擇的質(zhì)量范圍中的離子的離子電流或電荷的測量值來調(diào)整該算法的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。離子的所選擇的質(zhì)量范圍可以借助于位于該質(zhì)量分析器上游的一個(gè)質(zhì)量選擇器來進(jìn)行選擇。
[0049]本發(fā)明因此可以用于串聯(lián)質(zhì)譜法卿MS2)或具有甚至更高級數(shù)的質(zhì)譜(即MSn)。在這類情況下，使用來自一個(gè)先前檢測到的信號的質(zhì)譜信息，該先前檢測到的信號可以用于該算法中以便確定針對小于該先前批次中的離子的總質(zhì)量范圍的有限的選擇質(zhì)量范圍待注入的目標(biāo)注入時(shí)間和/或脈沖的數(shù)目。例如，基于先前更寬或完全質(zhì)量掃描的分析，更小質(zhì)量范圍的離子可能是一個(gè)后續(xù)掃描所希望的，如用于在該后續(xù)掃描中在質(zhì)量分析器中分析這些碎片離子之前在碰撞或反應(yīng)室中使這些所選擇的更小質(zhì)量范圍的離子碎裂。
[0050]有利地，使用該獨(dú)立檢測器測量離子電流或電荷的頻率可以小于從該質(zhì)量分析器中的多個(gè)批次離子獲得檢測到的信號的頻率。然而，有可能以與從該質(zhì)量分析器中的多個(gè)批次離子獲得檢測到的信號的(例如，多個(gè)分析掃描的)頻率相同的或相當(dāng)?shù)念l率使用該獨(dú)立檢測器進(jìn)行離子電流或電荷的測量。典型地，使用該獨(dú)立檢測器的離子電流或電荷的測量可以偶爾進(jìn)行，即不如從該質(zhì)量分析器中的多個(gè)批次離子獲得檢測到的信號那么頻繁。該獨(dú)立檢測器可以例如以與復(fù)雜混合物中的含量變化的典型時(shí)間相對應(yīng)的測量之間的周期使用，優(yōu)選地每I至10、更優(yōu)選地每2至10秒。優(yōu)選地，使用獨(dú)立檢測器測量離子電流或電荷是與使用鏡像電流檢測檢測該質(zhì)量分析器中所積累的一個(gè)批次的離子同時(shí)進(jìn)行的。
[0051]可以使用該獨(dú)立檢測器針對一個(gè)預(yù)設(shè)周期(積分周期)來測量和積分離子電流或電荷以便獲得總離子電荷(或含量)的測量值，例如與用于該注入裝置(或質(zhì)量分析器)中所積累的先前批次的離子的注入周期相同的周期，或另一個(gè)預(yù)設(shè)積分周期，或直到滿足另一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，例如直到離子電流的積分測量值已經(jīng)達(dá)到預(yù)設(shè)限值。
[0052]在一個(gè)優(yōu)選的安排中，可以將這些離子作為脈沖而不是連續(xù)地傳輸至該獨(dú)立檢測器。然后對由該獨(dú)立檢測器所測量的脈沖的電荷進(jìn)行積分。在一個(gè)這種安排中，注入裝置(如C-阱)可以將離子不是以連續(xù)的而是以脈沖的方式傳輸至該獨(dú)立檢測器。因此，該注入裝置優(yōu)選地是可操作來將離子在不同時(shí)間脈沖至該質(zhì)量分析器和該獨(dú)立檢測器。雖然對于相同信噪比來說導(dǎo)致更長的測量時(shí)間，但是脈沖檢測允許同時(shí)掃描該儀器的其他裝置，如上游裝置(如透鏡)上的RF、多極離子導(dǎo)向器或多極質(zhì)量過濾器。它還可以允許該注入裝置如C-阱中的任何存儲相關(guān)效應(yīng)的模擬(例如不想要的群集的分解)。[0053]控制安排優(yōu)選地包括用于控制離子注入裝置和該光譜儀的其他部件的操作的一臺計(jì)算機(jī)。例如，該控制安排可以控制該注入裝置的離子填充時(shí)間以便避免過載該注入裝置，尤其是當(dāng)該注入裝置是一個(gè)離子阱并且注入時(shí)間和/或離子脈沖的數(shù)目用于在該阱中積累該批次離子用于隨后注入到該質(zhì)量分析器中時(shí)。
[0054]這些離子典型地是在一個(gè)離子源中從一種樣品產(chǎn)生的，該離子源可以是任何適合的離子源，例如，電噴射、MALD1、AP1、等離子體源、電子電離、化學(xué)電離等等?？梢允褂枚嘤谝粋€(gè)離子源。這些離子可以是待分析的任何適合類型的離子，例如小和大有機(jī)分子、生物分子、DNA、RNA、蛋白質(zhì)、肽、其片段等。這些離子典型地被傳輸至用于將離子注入到質(zhì)量分析器中的一個(gè)注入裝置。
[0055]該注入裝置可以包括一個(gè)離子存儲裝置如一個(gè)離子阱，優(yōu)選地一個(gè)線性離子阱并且尤其是一個(gè)彎曲的線性離子阱(C-阱)。該離子阱可以用于在注入到質(zhì)量分析器中之前冷卻這些離子。該注入裝置優(yōu)選地被配置用于將離子從該注入裝置脈沖提取(S卩)到該質(zhì)量分析器。在注入到一個(gè)靜電軌道阱質(zhì)量分析器中的情況下的一種適合的離子注入裝置的一個(gè)實(shí)例是一種彎曲的線性阱(C阱)，如例如W02008/081334中所描述的。因此，該方法優(yōu)選地包括在一個(gè)離子源中產(chǎn)生離子，將這些離子傳輸至一個(gè)注入裝置并且將這些離子(優(yōu)選地作為一個(gè)脈沖)注入到質(zhì)量分析器，從而在該質(zhì)量分析器中積累一個(gè)批次的離子。該注入裝置優(yōu)選地具有一個(gè)軸線并且可操作來將離子從該注入裝置與該軸線正交地噴射至該質(zhì)量分析器或?qū)㈦x子從該注入裝置軸向地噴射至該獨(dú)立檢測器。
[0056]該獨(dú)立檢測器在此意指獨(dú)立于該質(zhì)量分析器的一個(gè)檢測器，即該檢測器位于該質(zhì)量分析器的外部并且像這樣它獨(dú)立于該質(zhì)量分析器和它的鏡像電流檢測。該獨(dú)立檢測器優(yōu)選地是一個(gè)絕對離子檢測器。該獨(dú)立檢測器優(yōu)選地是一個(gè)電荷測量裝置。該電荷測量裝置優(yōu)選地提供一個(gè)絕對離子數(shù)目測量。該電荷測量裝置優(yōu)選地包括一個(gè)靜電計(jì)。雖然在此可能描述了一個(gè)單個(gè)獨(dú)立檢測器的使用，但是應(yīng)理解可以使用多個(gè)獨(dú)立檢測器。例如，雖然可能描述了一個(gè)單個(gè)靜電計(jì)的使用，但是應(yīng)理解可以使用多個(gè)靜電計(jì)。靜電計(jì)具有用作一種絕對離子檢測器的足夠的長期穩(wěn)定性和線性度。該靜電計(jì)可以是用于測量質(zhì)譜儀中的離子的電荷的任何裝置。該靜電計(jì)可以包括，例如，一個(gè)離子收集器如一個(gè)收集板、或一個(gè)法拉第杯(faraday cup)、或其他類似裝置以便收集離子，該離子收集器連接至一個(gè)高增益電荷靈敏放大器，該高增益電荷靈敏放大器優(yōu)選地具有約IO11V/庫侖或更高的增益。該靜電計(jì)可以包括一個(gè)二次電子發(fā)生器。另外適合類型的靜電計(jì)包括倍增電極、次級電子倍增器(SEM)、通道倍增器SEM、微通道和微球SEM、電荷耦合裝置、電荷注入裝置、雪崩二極管、具有轉(zhuǎn)換成光子接著光電倍增器的SEM等等。該靜電計(jì)優(yōu)選地可以測量低至IpA的離子電流。
[0057]優(yōu)選地，該獨(dú)立檢測器位于用于將離子注入到質(zhì)量分析器中的一個(gè)注入裝置的下游。該獨(dú)立檢測器優(yōu)選地位于一個(gè)軸線上，這些離子可以沿該軸線傳輸通過注入裝置，從而到達(dá)電荷測量裝置。因此當(dāng)需要時(shí)，這些離子可以沿該軸線傳輸通過該注入裝置以便到達(dá)該獨(dú)立檢測器。該獨(dú)立檢測器優(yōu)選地位于一個(gè)軸線的末端，這些離子可以沿該軸線傳輸。
[0058]該軸線優(yōu)選地是在該注入裝置是細(xì)長的方向上的一個(gè)軸線。這類實(shí)施例中的注入裝置優(yōu)選地是一個(gè)離子阱，尤其是一個(gè)線性阱并且最尤其是一個(gè)彎曲的線性離子阱，當(dāng)需要時(shí)離子可以通過該注入裝置軸向地傳輸至該獨(dú)立檢測器并且當(dāng)需要時(shí)離子可以從該注入裝置正交地被提取至該質(zhì)量分析器。一個(gè)離子阱在軸向傳輸與正交傳輸模式之間的這種操作是本領(lǐng)域已知的。
[0059]可替代地，該獨(dú)立檢測器可以離軸定位，即偏離這些離子可以沿其傳輸通過該注入裝置的軸線。在那種情況下，當(dāng)需要時(shí)這些離子可以被離子光學(xué)部件引導(dǎo)(例如偏轉(zhuǎn))離軸以便到達(dá)該獨(dú)立檢測器。在這類實(shí)施例(并且確實(shí)一些其他實(shí)施例)中，該獨(dú)立檢測器、或至少這些偏轉(zhuǎn)離子光學(xué)部件可以位于該注入裝置的上游。
[0060]在某些實(shí)施例中，該獨(dú)立檢測器可以位于一個(gè)碰撞室的下游，該碰撞室進(jìn)而是位于用于將離子注入至該質(zhì)量分析器中的一個(gè)注入裝置的下游。
[0061]該設(shè)備可以在該注入裝置的上游或下游包括一個(gè)或多個(gè)另外的離子光學(xué)裝置、離子阱和/或質(zhì)量選擇器。例如，該設(shè)備可以有利地在該注入裝置的上游包括一個(gè)四極或多極質(zhì)量選擇器或過濾器用于質(zhì)量選擇被傳輸至該注入裝置的這些離子。因此，當(dāng)需要時(shí)，僅具有有限的質(zhì)荷比(m/z)范圍的離子可以被傳輸至該注入裝置用于在該質(zhì)量分析器中的后續(xù)檢測。該設(shè)備可以有利地包括一個(gè)碰撞室，優(yōu)選地在該注入裝置的下游。該碰撞室可以是用于處理這些離子，例如通過經(jīng)由用該碰撞室中的一種碰撞氣體進(jìn)行碰撞來使這些離子碎裂來處理。在該碰撞室中處理離子之后，可以將這些離子返回上游至該注入裝置用于將這些處理過的離子注入至該質(zhì)量分析器。
[0062]發(fā)明詳沭
[0063]為了更全面地理解本發(fā)明，現(xiàn)在將參考附圖通過舉例來更詳細(xì)地描述不同的實(shí)施例，其中:
[0064]圖1示意性地示出用于進(jìn)行本發(fā)明的方法的質(zhì)譜儀的一個(gè)實(shí)施例；并且
[0065]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的一種示例性方法中的步驟的示意性流程圖。
[0066]圖3示出使用自動(dòng)增益控制(AGC)的現(xiàn)有技術(shù)方法所獲得的HeLa樣品的LC-MS質(zhì)量色譜圖。
[0067]圖4示出使用本發(fā)明的方法所獲得的HeLa樣品的LC-MS質(zhì)量色譜圖。
[0068]參見圖1，示出一個(gè)質(zhì)譜儀2，其中離子是在一個(gè)離子源(未示出)中從一種樣品產(chǎn)生的，該離子源可以是一種常規(guī)的離子源如電噴射。離子可以作為如在電噴射中該離子源中的連續(xù)流、或以如MALDI源中的脈沖方式產(chǎn)生。在該離子源中進(jìn)行電離的樣品可以來自一種接口連接的儀器如一種液相色譜儀(未圖示)。這些離子穿過加熱的毛細(xì)管4 (典型地保持在320°C下)，由僅RF S-透鏡6 (RF振幅O至350Vpp，被設(shè)定成質(zhì)量相關(guān)的)轉(zhuǎn)移，并且穿過S-透鏡出射透鏡8 (典型地保持在25V下)。離子束中的這些離子接著傳輸通過一個(gè)注入f IatapolelO和一個(gè)彎曲的f latapolel2,這些f Iatapole是僅RF裝置以便傳輸這些離子，RF振幅被設(shè)定成質(zhì)量相關(guān)的。這些離子然后穿過一對透鏡(二者都是質(zhì)量相關(guān)的，其中內(nèi)透鏡14典型地在約4.5V下，并且外透鏡16典型地在約-100V下)并且進(jìn)入一個(gè)質(zhì)量分辨四極18。
[0069]四極18DC偏移典型地是4.5V。四極18的差分RF和DC電壓被控制來傳輸離子(僅RF模式)抑或選擇用于根據(jù)馬提厄(mathieu)穩(wěn)定性圖通過施加RF和DC進(jìn)行傳輸?shù)木哂刑囟╩/z的離子。應(yīng)理解，在其他實(shí)施例中，代替質(zhì)量分辨四極18，一個(gè)僅RF四極或多極可以用作一個(gè)離子導(dǎo)向器，但是該光譜儀將缺乏在分析之前質(zhì)量選擇的能力。在仍然其他實(shí)施例中，可以采用一個(gè)替代的質(zhì)量分辨裝置代替四極18，如一個(gè)線性離子阱、磁性扇區(qū)或一個(gè)飛行時(shí)間分析器。這種質(zhì)量分辨裝置可以用于質(zhì)量選擇和/或離子碎裂?；氐剿镜膶?shí)施例，傳輸通過四極18的離子束通過一個(gè)四極出射透鏡20 (典型地保持在-35至OV下，電壓被設(shè)定成質(zhì)量相關(guān)的)從該四極退出并且由一個(gè)剖開透鏡22接通和斷開。然后這些離子被轉(zhuǎn)移通過一個(gè)轉(zhuǎn)移多極24 (僅RF，RF振幅被設(shè)定成質(zhì)量相關(guān)的)并且收集在一個(gè)彎曲的線性離子阱(C-阱)26中。該C-阱在軸向方向上是細(xì)長的(從而界定一個(gè)阱軸線)，這些離子在該方向上進(jìn)入該阱。C-阱出射透鏡28上的電壓可以這樣設(shè)定，其方式為使得離子不能穿過并且由此被存儲在C-阱26內(nèi)。類似地，在已經(jīng)達(dá)到進(jìn)入該C-阱中的所希望的離子填充時(shí)間(或離子脈沖數(shù)目，例如使用MALDI)之后，C-阱入射透鏡30上的電壓被設(shè)定為使得離子不能排出該阱并且離子不再注入到該C-阱中。入射離子束的更精確的選通是由剖開透鏡22提供的。這些離子是通過以已知方式施加RF電壓至該阱的彎曲桿上來被徑向地捕獲在該C-阱中。
[0070]存儲在C-阱26內(nèi)的離子可以通過脈沖DC至該C-阱來被正交地噴射至該阱的軸線(正交噴射)以便用于將這些離子注入(在這種情況下經(jīng)由Z-透鏡32和偏轉(zhuǎn)器33)到質(zhì)量分析器34中，該質(zhì)量分析器在這種情況下是一個(gè)靜電軌道阱，并且更確切地說是由賽默飛世爾科技有限公司制造的一個(gè)Orbitrap? FT質(zhì)量分析器。軌道阱34包括沿該軌道阱軸線拉長的一個(gè)內(nèi)部電極40和圍繞該內(nèi)部電極40并且在其間界定一個(gè)捕獲體積的分開的一對外部電極42、44，離子被捕獲在該捕獲體積中并且通過繞內(nèi)部電極40旋轉(zhuǎn)進(jìn)行振蕩，內(nèi)部電極40被施加一個(gè)捕獲電壓同時(shí)沿該阱的軸線來回振蕩。該對外部電極42、44用作檢測電極以便檢測由該捕獲體積中的這些離子的振蕩所誘導(dǎo)的一個(gè)鏡像電流并且由此提供一個(gè)檢測到的信號。這些外部電極42、44因此構(gòu)成該系統(tǒng)的一個(gè)第一檢測器。這些外部電極42、44典型地用作差分對的檢測電極并且被聯(lián)接至一個(gè)差分放大器(未圖示)的對應(yīng)輸入端，該差分放大器進(jìn)而形成一個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)采集系統(tǒng)(未圖示)的一部分以便接收該檢測到的信號。該檢測到的信號可以使用傅里葉變換進(jìn)行處理以便獲得一個(gè)質(zhì)譜。
[0071]質(zhì)譜儀2進(jìn)一步在C-阱26的下游包括一個(gè)碰撞或反應(yīng)室50。C-阱26中所收集的離子可以作為一個(gè)脈沖正交地噴射至質(zhì)量分析器34而無需進(jìn)入碰撞或反應(yīng)室52或這些離子可以被軸向地傳輸至該碰撞或反應(yīng)室用于在將這些處理過的離子返回至C-阱用于隨后正交噴射至該質(zhì)量分析器之前進(jìn)行處理。在那種情況下C-阱出射透鏡28被設(shè)置成允許離子進(jìn)入碰撞或反應(yīng)室50并且離子可以通過該C-阱與該碰撞或反應(yīng)室之間的適當(dāng)?shù)碾妷禾荻?例如該碰撞或反應(yīng)室可以針對正離子偏移至負(fù)電位)被注入到該碰撞或反應(yīng)室中。碰撞能量可以通過這個(gè)電壓梯度進(jìn)行控制。碰撞或反應(yīng)室50包括一個(gè)多極52以便容納這些離子。碰撞或反應(yīng)室50例如可以用一種碰撞氣體進(jìn)行加壓以便實(shí)現(xiàn)其中的離子的碎裂(碰撞誘導(dǎo)的解離)，或可以包含反應(yīng)性離子的源用于其中的離子的電子轉(zhuǎn)移解離(ETD)。通過設(shè)定適當(dāng)?shù)碾妷褐烈粋€(gè)碰撞室出射透鏡54來防止這些離子軸向離開碰撞或反應(yīng)室50。在碰撞或反應(yīng)室50的另一端處的C-阱出射透鏡28還用作碰撞或反應(yīng)室50的一個(gè)入射透鏡并且可以被設(shè)定成當(dāng)需要時(shí)離子在該碰撞或反應(yīng)室中經(jīng)受處理時(shí)防止它們離開。在其他實(shí)施例中，碰撞或反應(yīng)室50可以具有它們自己的單獨(dú)入射透鏡。在碰撞或反應(yīng)室50中處理之后，室50的電位可以偏移以便將離子噴射回至該C-阱中(該C-阱出射透鏡28被設(shè)定成允許這些離子返回至該C-阱)用于存儲，例如可以提高室50的電壓偏移以便將正離子噴射回至該C-阱。因此存儲在該C-阱中的這些離子然后可以被注入到如之前所描述的質(zhì)量分析器34中。
[0072]質(zhì)譜儀2進(jìn)一步包括一個(gè)靜電計(jì)60，該靜電計(jì)位于碰撞或反應(yīng)室50的下游并且可以由離子束通過碰撞室出射透鏡54中的一個(gè)孔口 62到達(dá)。靜電計(jì)60可以是一個(gè)收集板抑或法拉第杯并且連接至一個(gè)高增益電荷靈敏放大器，該高增益電荷靈敏放大器典型地具有約IO11V/庫侖的增益。然而，應(yīng)理解在其他實(shí)施例中靜電計(jì)60可以是另一種類型的電荷測量裝置。優(yōu)選地，該靜電計(jì)具有差分類型，該類型降低來自附近的其他電源的噪聲拾取。該靜電計(jì)的第一輸入端被安排成接收來自該離子源的電流或電荷，而另一個(gè)輸入端被安排成具有與該第一輸入端相似的電容、尺寸以及取向，但是完全不接收離子電流或電荷。靜電計(jì)60因此構(gòu)成該系統(tǒng)的一個(gè)第二檢測器，該第二檢測器獨(dú)立于該第一檢測器，即質(zhì)量分析器34的鏡像電流檢測電極42、44。在一些實(shí)施例中，碰撞或反應(yīng)室50可能不存在，在這種情況下靜電計(jì)60優(yōu)選地位于C-阱的下游、C-阱出射透鏡28的后面。
[0073]應(yīng)理解，離子束穿過該光譜儀和在該質(zhì)量分子器中的路徑是在如本領(lǐng)域已知的適當(dāng)抽空的條件下，其中不同水平的真空適合于該光譜儀的不同部分。
[0074]質(zhì)譜儀2是在一個(gè)控制單元的控制下，如一個(gè)適當(dāng)編程的計(jì)算機(jī)(未圖示)，該控制單元控制不同部件的操作并且，例如，設(shè)定待施加至這些不同部件上的電壓，并且該控制單元接收和處理來自不同部件(包括這些檢測器)的數(shù)據(jù)。該計(jì)算機(jī)被配置成使用根據(jù)本發(fā)明的一種算法來確定用于將離子注入至該C-阱中供分析掃描用以便在其中實(shí)現(xiàn)所希望的離子含量(即離子的數(shù)目)的這些設(shè)定(例如注入時(shí)間或離子脈沖的數(shù)目)，該所希望的離子含量避免空間電荷效應(yīng)，同時(shí)優(yōu)化從該分析掃描所收集的數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)。
[0075]作為圖1中所示的安排的替代方案，該靜電計(jì)可以離軸定位，即偏離這些離子沿其傳輸通過該C-阱的軸線。在那種情況下，當(dāng)需要時(shí)這些離子可以被離子光學(xué)部件引導(dǎo)(例如偏轉(zhuǎn))離軸以便到達(dá)該靜電計(jì)。在這類實(shí)施例中，該靜電計(jì)、或至少這些偏轉(zhuǎn)的離子光學(xué)部件可以位于該C-阱的上游。作為一個(gè)實(shí)例，選通透鏡22的一個(gè)板可以用于此。
[0076]參見圖2，示出根據(jù)本發(fā)明的一種示例性方法中的多個(gè)步驟的示意性流程圖，該示例性方法在下文進(jìn)行更詳細(xì)地描述并且可以使用圖1中所示的光譜儀進(jìn)行。在步驟101中，在離子源中產(chǎn)生離子。所產(chǎn)生的離子然后任選地用質(zhì)量選擇使用四極18以便選擇所希望的質(zhì)量范圍的離子而被傳輸至C-阱26，在步驟102中這些離子被存儲在該C-阱中。該C-阱典型地針對設(shè)定時(shí)間填充有離子，其中使用連續(xù)的離子源，如電噴射；或填充有設(shè)定數(shù)目的離子脈沖，其中使用脈沖的離子源，如一個(gè)MALDI源，即以上等式中的參數(shù)ITmjij該C-阱的填充條件是由該光譜儀的控制安排進(jìn)行設(shè)定和控制的。
[0077]這些存儲的離子從C-阱26噴射并且作為一個(gè)脈沖注入到Orbitrap?質(zhì)量分析器34中。Orbitrap?質(zhì)量分析器典型地具有比該C-阱更大的空間電荷容量。該C-阱的填充因此應(yīng)被控制以便避免過度填充該C-阱，從而導(dǎo)致如在以下更詳細(xì)地描述的空間電荷效應(yīng)。
[0078]在步驟103中，使用鏡像電流檢測來檢測該質(zhì)量分析器中所積累的該批次離子，即在檢測電極42、44上，以便獲得一個(gè)檢測到的信號，將該檢測到的信號反饋至該控制安排的計(jì)算機(jī)。該檢測到的信號可以用于在步驟109中使用傅里葉變換來產(chǎn)生一個(gè)質(zhì)譜，并且這是在步驟103中的鏡像電流檢測構(gòu)成一個(gè)分析掃描的情況下進(jìn)行的。如果步驟103中的鏡像電流檢測僅進(jìn)行一個(gè)短的預(yù)掃描，那么可能不需要來自它的一個(gè)質(zhì)譜。[0079]在步驟104中，該質(zhì)量分析器中的這些離子的總電荷是由該計(jì)算機(jī)從步驟103中所獲得的檢測到的信號確定的，即確定以上等式中的參數(shù)TICmjij在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，這是通過將在一個(gè)(S/N)閾值之上的所有信號加在一起并且使用一個(gè)轉(zhuǎn)換系數(shù)(在校準(zhǔn)期間確定的或基于該前置放大器的特性設(shè)定一個(gè)先驗(yàn))轉(zhuǎn)換成電荷。在步驟105中，該計(jì)算機(jī)在一種算法中使用該確定的總離子電荷以便計(jì)算在其之后待積累在該質(zhì)量分析器中的進(jìn)入到該C-阱中的一個(gè)后續(xù)批次的離子的目標(biāo)注入時(shí)間或脈沖數(shù)目，即以上等式中的參數(shù)IT 該算法使用來自步驟104的當(dāng)前批次的離子的因此確定的總離子電荷TIC5fclJ和在步驟102中所使用的該當(dāng)前批次的離子的進(jìn)入至該C-阱中的已知設(shè)定注入時(shí)間或脈沖的數(shù)目ITmj(輸入106)，以便確定該C-阱的設(shè)置如待用于一個(gè)分析掃描的一個(gè)后續(xù)批次的離子的進(jìn)入至該C-阱的目標(biāo)注入時(shí)間或目標(biāo)脈沖數(shù)目IT 這些設(shè)置是在實(shí)現(xiàn)該C-阱中避免空間電荷效應(yīng)的所希望的或目標(biāo)總離子電荷(因此離子的數(shù)目)(輸入107)、即以上等式中的參數(shù)TIC@#的基礎(chǔ)上確定的。該算法還使用包括來自該獨(dú)立檢測器、靜電計(jì)60的積分離子電流(離子電荷)的測量值的信息輸入108，即參數(shù)Ifcit5來自該獨(dú)立靜電計(jì)的積分離子電流的測量值調(diào)整從該鏡像電流檢測所確定的總離子電荷，該調(diào)整是通過將它縮放至由該靜電計(jì)測量的絕對總離子電荷(積分離子電流)，即通過使用以上等式中的系數(shù)C來進(jìn)行的。由該獨(dú)立靜電計(jì)進(jìn)行的離子電流或電荷的測量可以周期性地進(jìn)行并且典型地不如分析掃描那么頻繁。由該獨(dú)立靜電計(jì)進(jìn)行的離子電流或電荷的測量優(yōu)選地是在一個(gè)分析掃描過程中進(jìn)行的。對于該靜電計(jì)測量來說，例如，在離子已經(jīng)被注入至該分析器中供一個(gè)分析掃描用之后，該C-阱和碰撞室50被設(shè)定用于傳輸，以使得來自該離子源的離子被引導(dǎo)至該靜電計(jì)60上，并且針對設(shè)定時(shí)間周期或脈沖數(shù)目(積分周期)測量積分離子電流(離子電荷)，例如與用于通過鏡像電流檢測確定該總離子電荷的該離子批次的已知注入時(shí)間相同的周期或脈沖數(shù)目。然而，可以使用一個(gè)不同的積分周期，只要它是已知的，以使得可以獲得對應(yīng)于進(jìn)入至該C-阱中的已知注入時(shí)間或脈沖數(shù)目的積分離子電流(離子電荷)。該積分周期典型地具有約10至200ms、優(yōu)選20至IOOms的數(shù)量級。對應(yīng)于該積分離子電流(離子電荷)的該離子批次的絕對總離子電荷因而是從該靜電計(jì)測量獲得用于該算法中的輸入108。
[0080]該方法然后使用步驟105中所確定的目標(biāo)注入時(shí)間或脈沖數(shù)目用于控制步驟110中進(jìn)入至該C-阱中的一個(gè)后續(xù)批次的離子的注入，從而在C-阱中存儲避免空間電荷效應(yīng)但優(yōu)化數(shù)據(jù)收集的所希望的或目標(biāo)數(shù)目的離子。隨后，這些存儲的所希望的或目標(biāo)數(shù)目的離子從該C-阱噴射并且注入至該質(zhì)量分析器中用于在一個(gè)分析掃描中的檢測。
[0081]在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，該C-阱可以將離子以不是連續(xù)的而是脈沖的方式傳輸至該靜電計(jì)。雖然對于相同信噪比導(dǎo)致更長的測量時(shí)間，但它允許同時(shí)掃描該儀器的其他裝置，如透鏡6上的RF或多極12或四極18。它還可以允許模擬該C-阱中的任何存儲相關(guān)的效應(yīng)(例如不想要的群集的分解)。
[0082]應(yīng)理解在該方法中，多個(gè)批次的離子可以以在此所描述的方式在碰撞或反應(yīng)室50中碎裂，作為MS2或MSn實(shí)驗(yàn)的一部分。
[0083]應(yīng)理解參見圖1所描述的光譜儀和參見圖2所描述的方法僅是本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方式的實(shí)例?？梢宰龀霰景l(fā)明的以上實(shí)施例的許多變化形式，同時(shí)仍落在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
[0084]靜電計(jì)60還可以適用于以下方面:[0085]1.用于光譜儀在注入裝置(例如C-阱)之前的優(yōu)化和表征，尤其是與質(zhì)量過濾器18組合，其中來自離子源的離子電流或電荷用作優(yōu)化的判據(jù)。例如，在所示的實(shí)施例中，C-阱26和碰撞或反應(yīng)室50可以被設(shè)定用于軸向傳輸以使得這些離子直接傳輸通過該系統(tǒng)至靜電計(jì)60以便用于測量該離子束的離子電流或電荷。該離子電流或電荷可以例如使用靜電計(jì)60進(jìn)行監(jiān)測，同時(shí)優(yōu)化該質(zhì)譜儀的不同部件的操作參數(shù)，尤其是該C-阱的上游。
[0086]2.用于光譜儀從該注入裝置(例如C-阱)至該質(zhì)量分析器(例如Orbitrap?)的優(yōu)化和表征，尤其是使用良好定義的校準(zhǔn)混合物。從該離子源所測量的離子電流或電荷(使用該靜電計(jì))與該質(zhì)量分析器軌道阱分析器中所檢測的信噪比之間的比率可以用作優(yōu)化和表征的判據(jù)。此外，該C-阱可以將離子不是以連續(xù)的而是以脈沖的方式傳輸至該靜電計(jì)，從而提供任何存儲相關(guān)的效應(yīng)的指示，如碎裂、離子損失或可能在錯(cuò)誤的情況下發(fā)生的差別待遇。
[0087]3.用于估計(jì)復(fù)雜混合物的“分形”?！胺中巍北幻枋鰹樵趲缀趺總€(gè)強(qiáng)質(zhì)量峰附近具有許多較小峰的該混合物的特性，其中這些較小峰各自依次具有在附近的眾多較小峰。這類混合物在FTMS中產(chǎn)生復(fù)雜的干涉效應(yīng)并且因此不能從單獨(dú)FTMS檢測可靠地量化。作為結(jié)果，空間電荷效應(yīng)的補(bǔ)償不能可靠地進(jìn)行，從而導(dǎo)致該儀器的外部質(zhì)量精確度的損失。分形可以被測量為靜電計(jì)上的總離子電流或電荷與如由鏡像電流檢測所檢測的總離子電流或電荷的比率。該比率越高，該因子對于該儀器的質(zhì)量精確度越重要。
[0088]4.用于測量該注入裝置(例如C-阱)和/或該碰撞或反應(yīng)室中所存儲的質(zhì)量選擇的離子的絕對離子數(shù)目用于診斷目的。
[0089]以上方法可以借助于包括一個(gè)質(zhì)量分析器和一個(gè)獨(dú)立檢測器如一個(gè)靜電計(jì)的質(zhì)譜儀進(jìn)行實(shí)施。
[0090]如以上所描述，本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)軌道阱系統(tǒng)的分析性能和空間電荷容量的充分利用。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，在一個(gè)典型的軌道阱儀器中，注入到該C-阱中的離子的數(shù)目需要進(jìn)行控制。離子電流的測量先前是經(jīng)由專用的AGC-預(yù)掃描(其記錄非常短的瞬態(tài))進(jìn)行抑或它可以通過使用所謂的掃描至掃描AGC (其使用先前分析掃描的第一短部分)進(jìn)行。從這個(gè)短的瞬態(tài)采集所得到的離子電流可以用于計(jì)算下一個(gè)分析掃描的注入時(shí)間。然而，在一些極少的情況下，離子的數(shù)目可能由于這個(gè)短的瞬態(tài)采集的低分辨率和較低的信號響應(yīng)而被低估。這在多電荷離子和在該噪聲閾值之下的密集峰時(shí)尤其如此。為了證實(shí)這種效應(yīng)，進(jìn)行了一個(gè)實(shí)驗(yàn)，其中最大注入時(shí)間被設(shè)定為非典型地高。圖3示出含有部分消化的蛋白質(zhì)的HeLa樣品和包括柱洗滌部分的60分鐘梯度LC色譜圖。接近運(yùn)行結(jié)束時(shí)，在62與72分鐘之間的保留時(shí)間處，信號被抑制。來自這個(gè)部分的單譜(中間軌跡)示出將不會(huì)在該短AGC-預(yù)掃描中被分辨并且因此將會(huì)被低估的多電荷物質(zhì)。第二譜(更低軌跡)示出三分鐘的平均值，此處部分消化的蛋白質(zhì)變得可見，從而示出也不能通過該AGC-預(yù)掃描的短的采集而被看到的離子，這導(dǎo)致了離子電流的進(jìn)一步低估。在這種情況下，用于該分析掃描的注入時(shí)間將會(huì)太長，從而引起該C-阱的過度填充，該過度填充導(dǎo)致抑制效應(yīng)。有效的變通辦法以前是降低AGC目標(biāo)并且將最大注入時(shí)間小心地設(shè)定至每個(gè)樣品類別的專用水平。
[0091]為了改進(jìn)該AGC控制方案的分析穩(wěn)健性，使用本發(fā)明的方法和與圖1中所示的那個(gè)類似的設(shè)備的C-阱電荷檢測用于每5至10秒對AGC結(jié)果進(jìn)行監(jiān)測。在這種方法中，在LC運(yùn)行過程中，電荷檢測操作與軌道阱采集平行發(fā)生(即同時(shí)地)。雖然該軌道阱中的分析掃描仍然在被采集，但是一些C-阱注入液被噴射至電荷收集器(靜電計(jì))以便測量該C-阱電荷。從這來計(jì)算總離子電流(TIC)并且將其與通過短的瞬態(tài)AGC掃描所觀察到的TIC進(jìn)行比較。如果需要，將注入時(shí)間下調(diào)以防止該C-阱過度填充。這個(gè)測量避免所描述的信號抑制。使用C-阱電荷檢測來重復(fù)HeLa運(yùn)行并且它的色譜圖在圖4中示出。為了通過使得更接近C-阱空間電荷上限來突出該效應(yīng)，對于這個(gè)實(shí)驗(yàn)來說，AGC目標(biāo)被設(shè)定至3e6。柱洗滌過程中的抑制現(xiàn)在被消除。該譜現(xiàn)在示出可以用于進(jìn)一步確認(rèn)的一些分析物峰。
[0092]在此術(shù)語質(zhì)量意指質(zhì)量或質(zhì)荷比(m/z)。還應(yīng)理解鏡像電流檢測檢測對應(yīng)于多個(gè)質(zhì)量或m/z值的多個(gè)頻率。因此，在此提及質(zhì)量、質(zhì)譜等還涵蓋頻率中的特征，該特征是質(zhì)量術(shù)語的代表。
[0093]如在此所用，包括權(quán)利要求在內(nèi)，除非上下文另外說明，否則在此術(shù)語的單數(shù)形式應(yīng)當(dāng)理解為包括復(fù)數(shù)形式，并且反之亦然。例如，除非上下文另外說明，否則在此包括權(quán)利要求中的單數(shù)引用，如“一種”或“一個(gè)”是指“一個(gè)或多個(gè)”。
[0094]貫穿本說明書的描述和權(quán)利要求，詞語“包括(comprise)”、“包含(including)”、“具有(having)”以及“含有(contain)”以及這些詞語的變化形式(例如“包括(comprising)”和“包括(comprises)”等等)意指“包括但不限于”，并且不旨在(并且不會(huì))排除其他部件。
[0095]應(yīng)當(dāng)理解的是，可以做出本發(fā)明的以上實(shí)施例的變化形式，同時(shí)仍落在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。除非另有說明，否則本說明書中披露的每個(gè)特征可以由服務(wù)于相同、等同或類似目的替代特征來代替。因此，除非另有說明，否則所披露的每個(gè)特征只是一個(gè)一般系列的等同或類似特征中的一個(gè)實(shí)例。
[0096]使用在此提供的任何一個(gè)以及全部實(shí)例、或示例性語言(“例如”、“如”、“舉例而言”以及相似語言)，僅旨在更好地說明本發(fā)明并且不表示對本發(fā)明的范圍進(jìn)行限制，除非另外要求。本說明書中的任何語言都不應(yīng)當(dāng)被理解為是在指示:任何未提出權(quán)利要求的元件是對本發(fā)明的實(shí)踐至關(guān)重要的。
[0097]本說明書中描述的任何步驟可以按照任意順序來進(jìn)行或同時(shí)進(jìn)行，除非另有說明或背景要求。
[0098]本說明書中所披露的所有特征可以任意組合形式而組合，除了這類特征和/或步驟中的至少一些相互推斥的組合。具體地說，本發(fā)明的優(yōu)選特征應(yīng)用于本發(fā)明的所有方面并且可以以任意組合形式來使用。同樣，非本質(zhì)的組合中所描述的特征可以獨(dú)立使用(不進(jìn)行組合)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于質(zhì)量分析的方法，包括: 在一個(gè)質(zhì)量分析器中積累一個(gè)批次的離子； 使用鏡像電流檢測來檢測該質(zhì)量分析器中所積累的該批次離子，以便提供一個(gè)檢測到的信號； 其中該方法包括基于一個(gè)先前檢測到的信號使用一種算法來控制該質(zhì)量分析器中所積累的該批次離子中的離子數(shù)目，該先前檢測到的信號是使用來自該質(zhì)量分析器中所積累的一個(gè)先前批次的離子的鏡像電流檢測所獲得；并且 其中該方法包括基于使用位于該質(zhì)量分析器外部的一個(gè)獨(dú)立檢測器所獲得的離子電流或電荷的一個(gè)測量值來調(diào)整該算法的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該獨(dú)立檢測器包括一個(gè)靜電計(jì)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該靜電計(jì)包括一個(gè)收集板或法拉第杯。
4.如權(quán)利要求2或3所述的方法，其中該靜電計(jì)是一個(gè)差分靜電計(jì)以便降低噪聲拾取，該靜電計(jì)包括兩個(gè)輸入端，其中一個(gè)輸入端接收該離子電流或電荷并且另一個(gè)輸入端不接收該離子電流或電荷。
5.如以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中該質(zhì)量分析器是一個(gè)傅里葉變換質(zhì)量分析器。
6.如以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中該質(zhì)量分析器是選自下組=FT-1CR室、靜電阱、靜電軌道阱以及RF離子阱。
7.如以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中該檢測到的信號是在一個(gè)檢測時(shí)間期間獲得并且該先前檢測到的信號是在一個(gè)先前檢測時(shí)間期間獲得，其中該先前檢測時(shí)間的持續(xù)時(shí)間比該檢測時(shí)間的持續(xù)時(shí)間短。
8.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其中該檢測到的信號是在一個(gè)檢測時(shí)間期間獲得并且該先前檢測到的信號是在一個(gè)先前檢測時(shí)間期間獲得，其中該先前檢測時(shí)間的持續(xù)時(shí)間與該檢測時(shí)間的持續(xù)時(shí)間基本上相同。
9.如以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中該算法的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的調(diào)整包括以如從該獨(dú)立檢測器所測定的總離子含量與如從該先前檢測到的信號所測定的總離子含量的比率來縮放從該先前檢測到的信號所測定的總離子含量。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該總離子含量是針對一個(gè)選擇的質(zhì)量范圍進(jìn)行測定的。
11.如以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中多個(gè)離子被脈沖至該獨(dú)立檢測器。
12.如以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中這些離子從一個(gè)離子注入裝置被積累在該質(zhì)量分析器中。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中該注入裝置包括一個(gè)線性離子阱。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該注入裝置包括一個(gè)彎曲的線性離子阱。
15.如權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的方法，其中控制該質(zhì)量分析器中所積累的該批次離子中的離子數(shù)目控制或避免該注入裝置中的空間電荷效應(yīng)。
16.如權(quán)利要求12至15中任一項(xiàng)所述的方法，其中該算法確定用于將多個(gè)離子注入到該注入裝置中的一個(gè)目標(biāo)注入時(shí)間和/或用于將多個(gè)離子注入到該注入裝置中的一個(gè)目標(biāo)離子脈沖數(shù)目以便由此控制該質(zhì)量分析器中所積累的離子的數(shù)目。
17.如以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中使用該獨(dú)立檢測器測量離子電流或電荷的頻率小于從該質(zhì)量分析器中的多個(gè)批次離子獲得多個(gè)檢測到的信號的頻率。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中使用該獨(dú)立檢測器的離子電流或電荷的測量之間的周期是從I至10秒。
19.如以上權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中使用該獨(dú)立檢測器測量離子電流或電荷是與使用鏡像電流檢測來檢測該質(zhì)量分析器中所積累的一個(gè)批次的離子同時(shí)進(jìn)行的。
20.一種質(zhì)譜儀，包括: 一個(gè)質(zhì)量分析器，包括用于使用鏡像電流檢測來檢測來自該分析器中所積累的一個(gè)批次的離子的一個(gè)信號的多個(gè)檢測電極； 一個(gè)位于該質(zhì)量分析器外部的獨(dú)立檢測器，該獨(dú)立檢測器用于測量還未被注入到該質(zhì)量分析器中的多個(gè)離子的一個(gè)離子電流；以及 一個(gè)控制安排，該控制安排可操作來基于一個(gè)先前檢測到的信號使用一種算法來控制該質(zhì)量分析器中所積累的該批次離子中的離子數(shù)目，該先前檢測到的信號是使用來自該質(zhì)量分析器中所積累的一個(gè)先前批次的離子的鏡像電流檢測所獲得，其中該算法的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)是基于使用該獨(dú)立檢測器所獲得的離子電流或電荷的一個(gè)測量值可調(diào)整的。
21.如權(quán)利要求20所述的質(zhì)譜儀，其中該獨(dú)立檢測器包括一個(gè)靜電計(jì)。
22.如權(quán)利要求21所述的質(zhì)譜儀，其中該靜電計(jì)包括一個(gè)收集板或法拉第杯。
23.如權(quán)利要求21或22所述的質(zhì)譜儀，其中該靜電計(jì)是一個(gè)差分靜電計(jì)以便降低噪聲拾取，該靜電計(jì)包括兩個(gè)輸入端，其中一個(gè)輸入端接收該離子電流或電荷并且另一個(gè)輸入端不接收該離子電流 或電荷。
24.如權(quán)利要求20至23中任一項(xiàng)所述的質(zhì)譜儀，其中該質(zhì)量分析器是一個(gè)傅里葉變換質(zhì)量分析器。
25.如權(quán)利要求20至24中任一項(xiàng)所述的質(zhì)譜儀，其中該質(zhì)量分析器是選自下組:FT-1CR室、靜電阱、靜電軌道阱以及RF離子阱。
26.如權(quán)利要求20至25中任一項(xiàng)所述的質(zhì)譜儀，其中該控制安排是可操作的以便將該質(zhì)量分析器中所積累的該批次離子中的離子數(shù)目控制在一個(gè)選擇的質(zhì)量范圍中。
27.如權(quán)利要求20至26中任一項(xiàng)所述的質(zhì)譜儀，進(jìn)一步包括在該質(zhì)量分析器上游的一個(gè)質(zhì)量選擇器。
28.如權(quán)利要求20至27中任一項(xiàng)所述的質(zhì)譜儀，進(jìn)一步包括一個(gè)注入裝置用于將離子注入到該質(zhì)量分析器中以便在該質(zhì)量分析器中積累該批次離子。
29.如權(quán)利要求28所述的質(zhì)譜儀，其中該注入裝置包括一個(gè)線性離子阱。
30.如權(quán)利要求28或29中任一項(xiàng)所述的質(zhì)譜儀，其中該注入裝置包括一個(gè)彎曲的線性離子阱。
31.如權(quán)利要求28至30中任一項(xiàng)所述的質(zhì)譜儀，其中該注入裝置是可操作的以便將多個(gè)離子以脈沖形式噴射至該質(zhì)量分析器和該獨(dú)立檢測器。
32.如權(quán)利要求28至31中任一項(xiàng)所述的質(zhì)譜儀，其中該注入裝置具有一條軸線并且是可操作的以便將多個(gè)離子從該注入裝置與該軸線正交地噴射至該質(zhì)量分析器或?qū)⒍鄠€(gè)離子從該注入裝置軸向地噴射至該獨(dú)立檢測器。
33.如權(quán)利要求28至32中任一項(xiàng)所述的質(zhì)譜儀，其中該獨(dú)立檢測器是位于該注入裝置的下游。
34.如權(quán)利要求28至33中任一項(xiàng)所述的質(zhì)譜儀，其中該控制安排是可操作的以便控制該質(zhì)量分析器中所積累的該批次離子中的離子數(shù)目以控制或避免該注入裝置中的空間電荷效應(yīng)。
35.如權(quán)利要求28至34中任一項(xiàng)所述的質(zhì)譜儀，其中該算法確定用于將多個(gè)離子注入到該注入裝置中的一個(gè)目標(biāo)注入時(shí)間和/或用于將多個(gè)離子注入到該注入裝置中的一個(gè)目標(biāo)離子脈沖數(shù)目。
36.如權(quán)利要求20至35中任一項(xiàng)所述的質(zhì)譜儀，進(jìn)一步包括一個(gè)反應(yīng)室或碰撞室。
37.一種測定一個(gè)質(zhì)量分析器中所存儲的離子的總電荷的方法，該方法包括: 在該分析器中積累一個(gè)批次的離子； 使用鏡像電流檢測來檢測在該分析器中所積累的該批次離子，以便提供一個(gè)檢測到的信號；并且 基于使用鏡像電流檢測所獲得的檢測到的信號來測定在該分析器中所積累的該批次離子中離子的總電荷； 其中該方法包括基于使用位于該分析器外部的一個(gè)獨(dú)立檢測器所獲得的離子電流或電荷的一個(gè)測量值來調(diào)整所測定的離子的總電荷。
【文檔編號】H01J49/42GK103548111SQ201280024256
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2012年5月18日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月20日
【發(fā)明者】J-P·哈奇爾德, O·蘭格, U·弗勒利希, A·外格豪斯, A·霍洛彌夫, A·馬卡洛夫 申請人:塞莫費(fèi)雪科學(xué)（不來梅）有限公司