一種等離子處理裝置的等離子處理方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種等離子處理裝置的等離子處理方法，所述等離子處理裝置包括一個反應(yīng)腔，反應(yīng)腔內(nèi)包括一個基座，具有不同射頻頻率輸出的多個射頻電源施加射頻電場到所述反應(yīng)腔內(nèi)，所述多個射頻電源中至少一個脈沖射頻電源輸出具有多個狀態(tài)，所述處理方法包括：匹配頻率獲取步驟和脈沖處理步驟，在匹配頻率獲取步驟中切換脈沖射頻電源的輸出狀態(tài)使反應(yīng)腔具有脈沖處理步驟中會出現(xiàn)的多個阻抗。調(diào)節(jié)可變頻射頻電源的輸出頻率使之與出現(xiàn)的阻抗匹配，存儲該調(diào)節(jié)后的多個輸出頻率為多個匹配頻率，在后續(xù)的脈沖處理步驟中以存儲的多個匹配頻率來之間匹配快速切換的阻抗。
【專利說明】一種等離子處理裝置的等離子處理方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種等離子處理方法及等離子處理裝置，更具體地，涉及一種用于給等離子處理裝置供應(yīng)射頻功率的射頻電源及射頻電源的控制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有半導體加工中廣泛采用等離子加工設(shè)備對半導體晶圓(wafer)進行加工，獲得微觀尺寸的半導體器件及導體連接。等離子設(shè)備常見的有電容耦合型(CCP)和電感耦合型(ICP)的反應(yīng)腔，這些設(shè)備一般具有兩個射頻電源，其中一個用來電離通入反應(yīng)腔內(nèi)的反應(yīng)氣體使之產(chǎn)生等離子體，另一個射頻電源用來控制入射到晶圓表面的離子能量。
[0003]如圖1所示的等離子處理裝置包括反應(yīng)腔100，反應(yīng)腔內(nèi)包括一個基座22，基座內(nèi)包括一個下電極。下電極上方包括一個待處理基片固定裝置如靜電夾盤21，晶圓20固定在靜電夾盤21上表面。圍繞靜電夾盤和晶圓的還包括一個邊緣環(huán)10。反應(yīng)腔100內(nèi)與基座相對的上方還包括一個氣體噴淋頭11，氣體噴淋頭連接到氣源110，用于向反應(yīng)腔內(nèi)均勻的供氣。氣體噴淋頭內(nèi)還作為上電極與基座內(nèi)的下電極相對形成電容耦合。一個第一射頻電源31通過匹配器I電連接到下電極，一個第二射頻電源32通過匹配器2電連接到下電極，第一和第二射頻 電源都具有固定的射頻頻率。由于等離子體的阻抗是會隨著等離子體內(nèi)氣壓、射頻功率和等離子體濃度等參數(shù)的變化而變化的，所以需要持續(xù)的調(diào)節(jié)輸入功率的參數(shù)和阻抗以最小化反射功率。在等離子處理過程中第一和第二射頻電源31，32均向下電極供電，匹配器1，2分別通過內(nèi)部的可動部件調(diào)節(jié)阻抗參數(shù)以最小化射頻反射功率。同樣也可以調(diào)節(jié)射頻功率源31或31的頻率以更快的調(diào)節(jié)輸入阻抗。但是上述調(diào)節(jié)匹配器1，2中的阻抗需要機械部件(如機械驅(qū)動的可變電容或可變電感)移動來實現(xiàn)。此外最小化反射功率時上述機械部件在任意方向移動然后根據(jù)反饋的反射功率值來控制機械部件進一步移動到合適的位置，所以這個掃匹配器描阻抗或射頻電源頻率的過程耗時很長，達到秒級，如大于I秒。
[0004]現(xiàn)在很多等離子加工流程需要用到脈沖式等離子加工技術(shù)，在部分加工時段的射頻電源不是持續(xù)供電的而是開通-關(guān)閉的交替進行或者高功率-低功率射頻交替進行，其輸出功率的波形呈脈沖式故稱脈沖式等離子加工。交替的頻率一般是在500Hz-500KHZ左右，而且開通-關(guān)閉的占空比也是可以調(diào)整的可以是在10%-90%范圍內(nèi)根據(jù)需要設(shè)定。這樣每次開通、關(guān)閉或者高功率、低功率切換都會造成反應(yīng)腔內(nèi)阻抗迅速變化，而且每次變化的時間都是毫秒甚至微秒級的，上述情況采用匹配電路或者射頻電源中的自動頻率調(diào)諧(Auto frequency tuning)由于反應(yīng)時間遠不能達到毫秒級,所以均不能達到在脈沖式等離子加工的需求。
[0005]因此基于上述原因，業(yè)界需要一種能夠用現(xiàn)有硬件或者只對現(xiàn)有硬件條件作簡單調(diào)整就能實現(xiàn)在脈沖式等離子加工時實現(xiàn)快速的阻抗匹配。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種提供適用于脈沖式等離子加工的一種等離子處理裝置的等離子處理方法。
[0007]本發(fā)明通過提供一種等離子處理裝置的等離子處理方法，所述等離子處理裝置包括一個反應(yīng)腔，反應(yīng)腔內(nèi)包括一個基座，基座上固定待處理基片，還包括具有不同射頻頻率輸出的多個射頻電源施加射頻電場到所述反應(yīng)腔內(nèi)，所述多個射頻電源為脈沖射頻電源，所述處理方法包括:
[0008]匹配頻率獲取階段和脈沖處理階段，所述匹配頻率獲取階段包括:
[0009]第一匹配頻率獲取步驟:調(diào)節(jié)第一脈沖射頻電源的輸出為第一輸出狀態(tài)，第二脈沖射頻電源輸出為第三輸出狀態(tài)，使反應(yīng)腔內(nèi)具有第一阻抗，調(diào)節(jié)第二脈沖射頻電源中的變頻元件，獲得第一匹配頻率以匹配所述第一阻抗；第二匹配頻率獲取步驟:調(diào)節(jié)所述第一脈沖射頻電源的輸出為第二輸出狀態(tài)，第二脈沖射頻電源輸出為第四輸出狀態(tài)使反應(yīng)腔內(nèi)具有第二阻抗，調(diào)節(jié)第二脈沖射頻電源中的變頻元件，獲得第二匹配頻率以匹配所述第二阻抗；
[0010]所述脈沖處理階段包括:第一處理步驟:設(shè)定所述第一脈沖射頻電源輸出具有第一輸出狀態(tài)，同時設(shè)定所述第二脈沖射頻電源的輸出為第三輸出狀態(tài)且具有第一匹配頻率；第二處理步驟:設(shè)定所述第一脈沖射頻電源輸出具有第二功率輸出狀態(tài)，同時設(shè)定所述第二脈沖射頻電源的輸出為第四輸出狀態(tài)且具有第二匹配頻率其特征在于所述匹配頻率獲取階段中的第一或第二匹配頻率獲取步驟的時間小于IOOms且大于脈沖處理階段中的第一或第二處理步驟的時間。
[0011]所述脈沖處理階段中第一或第二處理步驟的時間小于10ms。
[0012]所述第一脈沖射頻電源的第一輸出狀態(tài)具有第一功率輸出，第二輸出狀態(tài)具有第二功率輸出，其中第一功率輸出大于第二功率，其中第二功率輸出也可以為零。
[0013]第一、二匹配頻率獲取脈沖步驟中，第二脈沖射頻電源輸出功率可以與第一脈沖射頻電源同步的在不同輸出功率間切換也可以具有相同輸出功率。
[0014]第一脈沖射頻電源輸出頻率小于第二脈沖射頻電源輸出頻率。如第一脈沖射頻電源輸出頻率小于13MHz，第二脈沖射頻電源輸出頻率大于13MHz。
[0015]本發(fā)明提供另一個事實例:一種等離子處理裝置的等離子處理方法，所述等離子處理裝置包括一個反應(yīng)腔，反應(yīng)腔內(nèi)包括一個基座，基座上固定待處理基片，具有不同射頻頻率輸出的多個射頻電源施加射頻電場到所述反應(yīng)腔內(nèi)，一個控制系統(tǒng)控制所述多個射頻電源，所述多個射頻電源為脈沖射頻電源，所述處理方法包括:所述控制系統(tǒng)發(fā)送進入匹配頻率獲取階段的信號到所述多個射頻電源，在匹配頻率獲取階段中第一射頻電源以第一脈沖頻率輸出射頻功率，使所述輸出射頻功率在第一功率和第二功率之間切換，第二射頻電源以第一脈沖頻率同步的調(diào)節(jié)輸出頻率，獲得與所述第一功率和第二功率輸出對應(yīng)的第一和第二匹配頻率；
[0016]獲得第一和第二匹配頻率后，所述控制系統(tǒng)發(fā)送進入脈沖處理階段的信號到所述多個射頻電源，在脈沖處理階段中第一射頻電源以第二脈沖頻率輸出射頻功率，使所述輸出射頻功率在第一功率和第二功率之間切換，第二射頻電源同步以第二脈沖頻率同步的在第一和第二匹配頻率間切換；其中第一脈沖頻率小于第二脈沖頻率。
[0017]其中第一脈沖射頻率大于60Hz小于IOOOHz,第二脈沖頻率大于60Hz小于500KHz。匹配頻率獲取階段中第二射頻電源輸出恒定的功率。
[0018]采用本發(fā)明能夠更快的實現(xiàn)射頻輸出功率的切換以及更快的獲得脈沖處理階段相應(yīng)的匹配頻率，提供整體的加工速度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯:
[0020]圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的所述等離子處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的高頻和低頻電源輸出功率和功率匹配示意圖；
[0022]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的高頻和低頻電源輸出功率和功率匹配示意圖；
[0023]圖4示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的高頻和低頻電源輸出功率和功率匹配示意圖。
【具體實施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步的詳細說明。圖1中所述的第一射頻電源31、第二射頻電源32其中一個是低頻射頻功率源，一個是高頻射頻電源。高頻射頻電源的頻率大于13MHz，如30MHz、60MHz等，低頻射頻電源的頻率小于13MHz如2MHz，下面以第一射頻電源31為高頻射頻電源，第二射頻電源32為低頻射頻電源為例來說明本發(fā)明方法。
[0025]如圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)的高頻和低頻電源輸出功率和功率匹配示意圖；在等離子加工過程中首先要點燃等離子體，然后可能經(jīng)過一些過渡步驟進入主要的等離子加工步驟。這個方法在模仿多個不同的阻抗狀態(tài)時由于采用傳統(tǒng)的連續(xù)型射頻發(fā)生器，所以切換速度很慢，達到秒級，如大于I秒。采用連續(xù)型射頻發(fā)生器在第一輸出功率時如圖2中高頻電源輸出曲線可知，在初始階段通過自動頻率調(diào)諧(AFT)功能獲得匹配頻率后，不能直接切換到下一個阻抗狀態(tài)，還需要為切換到下一個功率輸出狀態(tài)準備，比如需要準備下一階段的升功率等。所以整個阻抗狀態(tài)(CWl)維持時間很長要達到I秒以上，同樣的第二阻抗狀態(tài)也是需要同樣多的時間。在阻抗狀態(tài)比較多時，比如高頻射頻電源31，和低頻射頻電源32分別具有不同輸出功率，甚至還具有一個第三射頻電源時，不同射頻電源不同功率輸出狀態(tài)的組合會有很多種。如果每個組合狀態(tài)需要花I秒以上的話，要在匹配頻率獲取步驟耗費大量時間，然后再進入正式的脈沖等離子處理階段。所以該現(xiàn)有技術(shù)雖然能夠?qū)崿F(xiàn)對脈沖式等離子處理的匹配但是處理效率有待改進。
[0026]本發(fā)明相對現(xiàn)有技術(shù)，除了功率輸出采用脈沖式電源如低頻射頻電源32是選用脈沖式電源以外，進行匹配的射頻電源，如高頻射頻電源31也選用脈沖式電源。脈沖式電源相對傳統(tǒng)的連續(xù)式電源的差別是，脈沖式射頻電源內(nèi)部包括適應(yīng)脈沖式功率輸出(快速的高低功率輸出切換)的硬件和軟件設(shè)置。在不同功率輸出切換工程中本發(fā)明所述的脈沖式射頻電源可以瞬間實現(xiàn)輸出功率的切換，而現(xiàn)有技術(shù)由于硬件的限制需要大于IOOms的時間來從第一輸出功率轉(zhuǎn)換到第二輸出功率。如圖2所示在CWl轉(zhuǎn)換到CW2中雖然圖中顯示功率輸出是瞬間切換的，實際上的曲線是傾斜的，比如從1000W切換到4000W實際需要2秒以上的時間。其它功率數(shù)值之間的切換如1000W到OW也至少需要幾百毫秒。此外在采用脈沖式電源時控制整個反應(yīng)腔100內(nèi)設(shè)備運行的控制系統(tǒng)只要發(fā)送進入脈沖式輸出階段的信號即可，脈沖式射頻電源會自己根據(jù)指令自行輸出脈沖式功率。而現(xiàn)有技術(shù)由于采用傳統(tǒng)的連續(xù)式射頻電源，所以需要控制系統(tǒng)發(fā)出每個脈沖起始和結(jié)束的信號，控制系統(tǒng)要發(fā)出這些信號需要經(jīng)過一定時間的運算和延時才能送到連續(xù)式射頻電源，如100-300ms的延時。由于信號延時的存在所以，傳統(tǒng)連續(xù)式射頻電源無法快速的切換輸出功率或頻率，所以本發(fā)明的兩個射頻電源均采用脈沖式射頻射頻電源。脈沖式射頻電源中包括一個存儲裝置能夠存儲至少兩種輸出狀態(tài)，每個輸出狀態(tài)包括不同的功率輸出或者頻率輸出，在接到控制系統(tǒng)的指令輸出狀態(tài)進行脈沖式切換時，直接根據(jù)存儲的信息輸出脈沖式射頻電場到等離子反應(yīng)器。采用兩個或多個脈沖式射頻電源可以減少上述功率轉(zhuǎn)換和信號延時造成的時間浪費，能夠更快的實現(xiàn)射頻輸出功率的切換。
[0027]在進入后續(xù)的脈沖等離子處理前，首先進入匹配頻率獲取階段。在匹配頻率獲取階段中高頻射頻電源31和低頻射頻電源32可以輸出高低不同的功率，模仿在后續(xù)脈沖處理階段會出現(xiàn)的阻抗狀態(tài)。比如脈沖處理階段會出現(xiàn)高頻射頻功率源31輸出功率高，低頻射頻功率源32輸出功率低的狀態(tài)，在多個匹配頻率獲取步驟S31、S32中相應(yīng)的設(shè)置同樣功率輸出的狀態(tài)，然后調(diào)節(jié)聞頻射頻電源31的頻率獲得最佳的匹配頻率，最終獲得能夠匹配不同狀態(tài)的匹配頻率。在脈沖處理階段時直接用獲得的不同匹配頻率的高速切換來實現(xiàn)對高速脈沖處理狀態(tài)的匹配。比如在低頻射頻電源32 (2MHz)輸出功率分別在高功率輸出和低功率輸出時，高頻射頻電源31 (60MHz)經(jīng)過匹配獲得對應(yīng)兩個不同階段的匹配頻率分別為59.5MHz和58.9MHz。隨后，在后續(xù)的脈沖處理階段中，高頻射頻電源31直接用所獲得的這兩個匹配頻率實現(xiàn)對低頻射頻電源不同功率輸出狀態(tài)(如圖3中步驟S41和S42)的快速匹配。在使用本發(fā)明方法后，如圖3中高頻電源反射功率的圖形所示，可以顯著的減少反射功率。在低頻射頻電源輸出功率按脈沖頻率切換時，高頻射頻電源31的輸出功率基本維持不變，如保持輸出功率為1000W，或者前后兩個階段中的功率輸出變化小于5%，最好是相同。如圖4所示本發(fā)明另一實施例，高頻射頻電源31的輸出功率也可以是與低頻射頻電源32同步作脈沖切換，輸出高功率射頻和低功率射頻，比如是在1000W和800W之間切換。圖4中高頻射頻電源的輸出功率在S31和S32步驟中功率切換時間，可以與低頻射頻電源32的功率切換時間同步也可以有一定延時。雖然高頻射頻電源31屬于脈沖射頻電源，可以快速的切換輸出狀態(tài)，但是本發(fā)明需要精確模擬后續(xù)脈沖處理階段的阻抗狀態(tài)，所以高頻射頻電源31仍然保持近似的功率輸出。如圖3中高頻電源反射功率曲線所示，在采用本發(fā)明方法后，高頻射頻功率在保持輸出功率為1000W情況下，高頻射頻電源處測得的不同脈沖處理步驟S41和S42的反射功率分別為6W和40W遠小于輸出功率，所以匹配的效果很好。
[0028]本發(fā)明的控制系統(tǒng)在點燃等離子后，發(fā)送進入匹配頻率獲取階段的信號到第一脈沖射頻電源31和第二脈沖射頻電源32，第二脈沖射頻電源32輸出以第一脈沖頻率高低變化的射頻功率，第一脈沖射頻電源31輸出功率基本不變，其輸出頻率通過調(diào)節(jié)內(nèi)部變頻原件來調(diào)節(jié)，最終第一射頻電源的31獲得匹配第二射頻電源32不同輸出狀態(tài)的多個匹配頻率。在獲得多個匹配頻率后，控制系統(tǒng)發(fā)送進入脈沖處理階段的信號到第一脈沖射頻電源31和第二脈沖射頻電源32，第二脈沖射頻電源32以第二脈沖頻率輸出脈沖型射頻電場到等離子處理腔處理基片，第一脈沖射頻電源31的輸出頻率同步的以第二脈沖頻率在所述獲得的匹配頻率之間切換，其中脈沖處理階段的第二脈沖頻率大于匹配頻率獲取階段中的第一脈沖頻率?，F(xiàn)有技術(shù)中控制系統(tǒng)在第一匹配頻率獲取步驟(圖3中S31)和第二匹配頻率獲取步驟(圖3中S32)甚至更多的匹配頻率獲取步驟中都分別要發(fā)送控制命令，使射頻電源根據(jù)指令輸出脈沖式的電場到反應(yīng)腔，每一次輸出功率的脈沖變化都需要控制系統(tǒng)發(fā)送一次，增加了控制系統(tǒng)的復雜性，而且由于命令傳輸過程中延時的存在造成更多的時間浪費。本發(fā)明中由于本身是脈沖型射頻電源，所以控制系統(tǒng)只需發(fā)送一次信號，脈沖射頻電源就能自動完成多個脈沖的輸出，同時另一個脈沖式射頻電源完成匹配頻率的獲取，多個脈沖的時間總和(t3 )也只是毫秒級，大大節(jié)約了時間。
[0029]本發(fā)明在匹配頻率獲取步驟中包括多個匹配頻率獲取步驟，如圖3所示每個匹配頻率獲取步驟如S31、S32的時間很短，呈脈沖狀，其頻率可以是60Hz-1000Hz，即使多個匹配頻率獲取脈沖所用時間的和t3也遠小于現(xiàn)有技術(shù)中多個匹配頻率獲取步驟的時間(tl+t2)，其中每個脈沖步驟S31、S32的時間長度可以是100us-100ms，最佳的為lms-lOms，只有現(xiàn)有技術(shù)中所需時間的l/10(Tl/1000，所以即使需要很多個脈沖來匹配，其所需時間也很短，不會影響整體的處理效率。
[0030]在后續(xù)正式脈沖式等離子處理階段中，低頻射頻功率以脈沖頻率(60Ηζ-500ΚΗζ )進行高低輸出功率的切換，其中高輸出功率大于低輸出功率的2倍。低輸出功率也可以是零，也就是脈沖式等離子處理可以處于等離子點燃和熄滅的交替中。在低頻射頻電源32的輸出功率高低切換時，同步地，高頻射頻電源的輸出功率也根據(jù)加工需要設(shè)定數(shù)值，其中高頻射頻電源31的輸出頻率在所述獲得的至少兩個匹配頻率之間切換。
[0031]與之相反的，高頻射頻電源31的輸出在高低輸出功率間脈沖式切換，低頻射頻電源32進行頻率切換，匹配不同的阻抗狀態(tài)也屬于本發(fā)明思想的另一個實施例。兩個射頻電源同時進行脈沖式切換也可以應(yīng)用本發(fā)明方法，先用多個匹配頻率獲取脈沖模仿后續(xù)會出現(xiàn)的阻抗狀態(tài)，獲得相應(yīng)的匹配脈沖，在隨后的脈沖處理階段中直接用獲得的匹配頻率來快速匹配不同的阻抗。包括第三個或者更多脈沖信號時也可以適用本發(fā)明方法，只是需要設(shè)置更多匹配頻率獲取步驟來匹配更多不同的阻抗狀態(tài)。
[0032]以上對本發(fā)明的具體實施例進行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子處理裝置的等離子處理方法，所述等離子處理裝置包括一個反應(yīng)腔，反應(yīng)腔內(nèi)包括一個基座，基座上固定待處理基片，還包括具有不同射頻頻率輸出的多個射頻電源施加射頻電場到所述反應(yīng)腔內(nèi)，所述多個射頻電源為脈沖射頻電源，所述處理方法包括: 匹配頻率獲取階段和脈沖處理階段， 所述匹配頻率獲取階段包括: 第一匹配頻率獲取步驟:調(diào)節(jié)第一脈沖射頻電源的輸出為第一輸出狀態(tài)，第二脈沖射頻電源輸出為第三輸出狀態(tài)，使反應(yīng)腔內(nèi)具有第一阻抗，調(diào)節(jié)第二脈沖射頻電源中的變頻元件，獲得第一匹配頻率以匹配所述第一阻抗； 第二匹配頻率獲取步驟:調(diào)節(jié)所述第一脈沖射頻電源的輸出為第二輸出狀態(tài)，第二脈沖射頻電源輸出為第四輸出狀態(tài)使反應(yīng)腔內(nèi)具有第二阻抗，調(diào)節(jié)第二脈沖射頻電源中的變頻元件，獲得第二匹配頻率以匹配所述第二阻抗； 所述脈沖處理階段包括: 第一處理步驟:設(shè)定所述第一脈沖射頻電源輸出具有第一輸出狀態(tài)，同時設(shè)定所述第二脈沖射頻電源輸出為第三輸出狀態(tài)且具有第一匹配頻率； 第二處理步驟:設(shè)定所述第一脈沖射頻電源輸出具有第二功率輸出狀態(tài)，同時設(shè)定所述第二脈沖射頻電源輸出為第四輸出狀態(tài)且具有第二匹配頻率 其特征在于所述匹配頻率獲取階段中的第一或第二匹配頻率獲取步驟的時間小于IOOms且大于脈沖處理階段中的第一或第二處理步驟的時間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述脈沖處理階段中第一或第二處理步驟的時間小于10ms。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第一脈沖射頻電源的第一輸出狀態(tài)具有第一功率輸出，第二輸出狀態(tài)具有第二功率輸出，其中第一功率輸出大于第二功率輸出。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于其中第二功率輸出為零。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第一、二匹配頻率獲取脈沖步驟中，第三輸出狀態(tài)中的輸出功率大于等于第四輸出狀態(tài)中的輸出功率。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第一脈沖射頻電源輸出頻率小于第二脈沖射頻電源輸出頻率。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于所述第一脈沖射頻電源輸出頻率小于13MHz，第二脈沖射頻電源輸出頻率大于13MHz。
8.一種等離子處理裝置的等離子處理方法，所述等離子處理裝置包括一個反應(yīng)腔，反應(yīng)腔內(nèi)包括一個基座，基座上固定待處理基片，具有不同射頻頻率輸出的多個射頻電源施加射頻電場到所述反應(yīng)腔內(nèi)，一個控制系統(tǒng)控制所述多個射頻電源，所述多個射頻電源為脈沖射頻電源，所述處理方法包括: 所述控制系統(tǒng)發(fā)送進入匹配頻率獲取階段的信號到所述多個射頻電源，在匹配頻率獲取階段中第一射頻電源以第一脈沖頻率輸出射頻功率，使所述輸出射頻功率在第一功率和第二功率之間切換，第二射頻電源以第一脈沖頻率同步的調(diào)節(jié)輸出頻率，獲得與所述第一功率和第二功率輸出對應(yīng)的第一和第二匹配頻率； 獲得第一和第二匹配頻率后，所述控制系統(tǒng)發(fā)送進入脈沖處理階段的信號到所述多個射頻電源，在脈沖處理階段中第一射頻電源以第二脈沖頻率輸出射頻功率，使所述輸出射頻功率在第一功率和第二功率之間切換，第二射頻電源同步以第二脈沖頻率同步的在第一和第二匹配頻率間切換； 其中第一脈沖頻率小于第二脈沖頻率。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述第一脈沖射頻率大于60Hz小于1000Hz，第二脈沖頻率大于60Hz小于500KHz。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述匹配頻率獲取階段中第二射頻電源輸出恒定的功率。
【文檔編號】H01J37/32GK103943448SQ201310017595
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年1月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月17日
【發(fā)明者】葉如彬, 倪圖強, 崔強 申請人:中微半導體設(shè)備(上海)有限公司