感應耦合等離子體裝置、分光分析裝置以及質量分析裝置制造方法
【專利摘要】提供感應耦合等離子體裝置、分光分析裝置以及質量分析裝置。感應耦合等離子體裝置大幅降低等離子氣體的消耗量。作為解決手段，該感應耦合等離子體裝置具有：圓筒形狀的罩，其與等離子體炬是分離的，具有足夠包圍到生成等離子體火焰的前端部的高度，該罩外嵌地配置在等離子體炬上；以及校正氣體導入機構，其將用于校正等離子氣體的流路的校正氣體導入到在罩的內(nèi)表面和等離子體炬的外管的外表面之間形成的間隙部。
【專利說明】感應耦合等離子體裝置、分光分析裝置以及質量分析裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明主要涉及作為激勵源或者離子源來使用的感應耦合等離子體(以下，稱作ICP)裝置，尤其是涉及大幅降低等離子氣體的使用量的ICP裝置。
【背景技術】
[0002]ICP裝置被用作發(fā)射光譜分析的激勵源或者以在等離子體中產(chǎn)生的離子為對象的質量分析裝置的離子源。以往，該ICP裝置具有由石英玻璃或者陶瓷制造的多重管結構構成的等離子體炬。
[0003]圖7示出了 ICP發(fā)射光譜分析(ICP-OES)裝置，示出了現(xiàn)有的ICP裝置的用途的一例。等離子體炬32是同心的三重管結構，由中央的試樣導入管321 (將試樣與載氣一起導入到等離子體內(nèi))、在該試樣導入管的外周具有的輔助氣體管322 (通過輔助氣體管端部使等離子體上升)以及在該輔助氣體管的外周具有的等離子氣體管323構成。此外，在試樣導入管321的上部被等離子氣體管323包圍的區(qū)域是被稱作生成等離子體的等離子體室的部分。此外，在感應線圈312和等離子體用氣體管323之間存在罩30。該罩30用于防止在感應線圈312和等離子氣體之間發(fā)生的放電。因此，罩通常存在于感應線圈312圍繞等離子體炬的區(qū)域。
[0004]另一方面，ICP裝置通常使用昂貴的氬和氦作為等離子氣體。過去，為了穩(wěn)定地得到等離子體火焰，等離子氣體的消耗量需要每分鐘15?20升左右。因此正在進行研究，以抑制成為ICP裝置的運行成本增加的重要因素的、等離子氣體的大量消耗。
[0005]例如，提出了以下技術:在等離子體炬中，使等離子氣體的噴管區(qū)域變小，使等離子氣體管的外側間壁比載氣用氣體管長而形成與空氣的屏蔽件，此外，在該三重管的等離子氣體管的外側使冷卻氣體用的筒體圍成同心狀，使冷卻氣體以旋轉方式流入，從而既使等離子氣體筒體進行冷卻而不會融化，又使等離子體火焰形成得較長而提高靈敏度(專利文獻I)。此外，在用于質量分析的ICP裝置中，通過形成所述屏蔽件，使等離子氣體的噴管的區(qū)域變小而不減少等離子氣體的流量，由此抑制等離子氣體的消耗量。在該情況下，通過使在同心的三重管中的等離子氣體管和輔助氣體管之間形成的噴管寬度減半來使流量變成大約一半的量(非專利文獻I)。
[0006]現(xiàn)有技術文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本特開2003-194723號公報(圖8)
[0009]非專利文獻
[0010]非專利文獻1:分析化學vol.52，N0.8，pp.559-568，2003年，日本分析化學會
【發(fā)明內(nèi)容】
[0011]但是，第一，在加長等離子體用氣體管而具有屏蔽效果、避免空氣卷入到等離子體火焰的情況下，當由于析出物附著于與等離子體火焰相對的內(nèi)表面而無法進行測光時、或者當由于熱的影響而在該等離子體用氣體管的部分產(chǎn)生破裂時，需要更換各等離子體炬，不但產(chǎn)生繁瑣作業(yè)，還產(chǎn)生由于等離子體炬的昂貴而導致的不經(jīng)濟的問題。
[0012]第二，為了解決上述問題而采用具有包圍等離子體火焰的程度的長度且相對于等離子體炬獨立的圓筒型的罩，也會產(chǎn)生在點燃等離子體時發(fā)生異常放電的新問題。
[0013]為了同時解決上述第一和第二問題，本發(fā)明的ICP裝置的特征在于，具有:導入試樣的試樣導入部；等離子體炬，其為由載氣用的內(nèi)管、輔助氣體用的中間管以及等離子氣體用的外管構成的同心的三重管結構，在一端部具有內(nèi)管的氣體導入部、中間管的氣體導入部以及外管的氣體導入部，另一端部為開口狀態(tài)；圓筒形狀的罩，其與等離子體炬是分離的，具有足夠包圍到生成的等離子體火焰的前端部的高度，且該罩外嵌地配置在所述等離子體炬上；感應線圈，其以包圍等離子體火焰形成的、在等離子體炬的開口端附近的等離子體生成區(qū)域的方式，外嵌地配置在罩上；氣體控制部，其控制載氣、輔助氣體以及等離子氣體；以及校正氣體導入機構，其將用于校正等離子氣體的流路的校正氣體導入到在罩的內(nèi)表面和外管的外表面之間形成的間隙部。
[0014]此外，在本發(fā)明的ICP裝置中，所述校正氣體導入機構具有噴出校正氣體的毛細管，該毛細管的噴出側端部配置為朝向罩的固定側端部的間隙部?；蛘?，所述校正氣體導入機構具有校正氣體用的流路，該流路沿著等離子體炬的氣體導入部側的間隙部的一部分或者全部而配置，且沿著該間隙部的部分的一部分或者全部為開口狀態(tài)。
[0015]此外，在本發(fā)明的ICP裝置中，所述毛細管或者所述流路使導入校正氣體一側的端部與從氣體控制部的連接到外管的氣體流路的中途分支的氣體流路連接，使得校正氣體與等離子氣體的增減聯(lián)動地增/減。
[0016]此外，罩的特征在于具有一個或者多個用于測光的槽或者孔。
[0017]此外，本發(fā)明的ICP裝置用于分光分析裝置或者質譜法裝置。
[0018]根據(jù)本發(fā)明，使用單獨的屏蔽件(罩)來消除等離子體發(fā)光裝置中的、空氣卷入到等離子體火焰的情況，并且，通過采用獨立的等離子氣體的校正機構，能夠改善等離子體的點燃性，并能夠在不損害靈敏度和精度的情況下使等離子氣體的消耗量減半。因此，能夠提供具有高經(jīng)濟性的等離子體發(fā)光裝置。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0019]圖1是本發(fā)明的第I實施例的ICP裝置的整體概略圖。
[0020]圖2是本發(fā)明的第I實施例的ICP裝置的主要部件的概略圖。
[0021]圖3是本發(fā)明的第2實施例的ICP裝置的整體概略圖。
[0022]圖4 Ca)是本發(fā)明的第2實施例的ICP裝置的主要部件的概略圖。
[0023]圖4 (b)是從圖4 Ca)的b方向觀察到的校正氣體導入機構的概略圖。
[0024]圖4 (C)是圖4 (a)的B — B’剖視圖。
[0025]圖5 Ca)是本發(fā)明的ICP裝置的罩的概略圖。
[0026]圖5 (b)是本發(fā)明的ICP裝置的罩的另一概略圖。
[0027]圖6 (a)是示出本發(fā)明的氣體路徑的例子的圖。
[0028]圖6 (b)是示出本發(fā)明的另一氣體路徑的圖。
[0029]圖7是使用現(xiàn)有的ICP裝置的ICP分光發(fā)光裝置的整體概略圖。[0030]標號說明
[0031]10A、10B、30 罩；
[0032]11,31等離子體生成部；
[0033]12、32等離子體炬；
[0034]13、33試樣導入部；
[0035]14等離子體炬支撐部件；
[0036]15A、15B校正氣體導入部
【具體實施方式】
[0037]以下，參照附圖，對本發(fā)明的等離子體發(fā)光裝置進行說明。
[0038]圖1和圖3是本發(fā)明的第I實施例的ICP裝置的整體概略圖。
[0039]本實施方式的ICP裝置大體由等離子體生成部11、試樣導入部13、等離子體炬12、罩10A、等離子體炬支撐部件14以及校正氣體導入部15A構成，并以JISK0116 (發(fā)射光譜分析通則)規(guī)定的ICP裝置為基礎。
[0040]等離子體生成部11通過使氬等等離子氣體P以及霧化而載置于載氣CA的試樣134流過等離子體炬12，并向配置在罩IOA的外側的感應線圈112施加高頻電壓，來生成等離子體。
[0041]試樣導入部13具有吸取試樣的噴霧器132、用于吸取的管133以及霧化室131，將試樣134與氬等載氣CA —起通過試樣用氣體管121導入到生成的等離子體內(nèi)部。
[0042]等離子體炬12是同心的三重管結構，并構成為:用于與氬(Ar)氣體等載氣CA —起導入的試樣134的試樣導入管(內(nèi)管)121位于其中心，在其外側有用于控制等離子體的上下位置的輔助氣體管(中間管)122圍著，再外側有用于讓等離子體用氣體流過的等離子氣體管(外管)123圍著。
[0043]此外，罩IOA外嵌地配置在等離子體用氣體管122的外側。目的在于防止如下情況:當在試樣用氣體管121上部點燃等離子體時，因卷入來自外側的空氣而導致等離子體火焰的不穩(wěn)定以及因來自空氣的發(fā)光導致測定靈敏度的下降。為此，罩IOA能夠使用圓筒狀的石英玻璃管，并構成為相對于等離子體用氣體管123形成有預定的間隙d。
[0044]等離子體炬支撐部件14由基底部141和固定部142構成。固定部142使等離子體炬與基底部141以分離或者部分聯(lián)結的方式釋放/固定。
[0045]校正氣體導入部15A是為了產(chǎn)生沿與等離子氣體P的流動方向相同的方向噴出的噴出氣流而被設置的，以防止尤其在等離子氣體P的流量小時成為點燃等離子體時的異常放電的原因的、等離子氣體在罩IOA和等離子氣體管123的開口端部之間的間隙d的滯留。由此，能夠基于小量的等離子氣體P來點燃等離子體。
[0046](實施例1)
[0047]以下，對圖1的ICP裝置進行詳細說明。
[0048]等離子體炬12是石英玻璃制的，且為如下所述的同心三重管結構:試樣導入管(內(nèi)管)121、輔助氣體管(中間管)122以及等離子氣體管(外管)123的各自的開口端部的外徑分別為7mm、17mm、20mm。此外,其壁厚在各部位均為大約1.0mm,且試樣導入管的開口徑縮小到2ιηηιφ以下。此外，在豎立的情況下，各氣體管的開口端部的位置以越靠外側則越高的方式錯開成階梯狀。
[0049]該等離子體炬12的固定是通過等離子體炬支撐部件14的基底部141和裝卸用固定具142的夾持來進行的。在該情況下，固定具142可以沿著等離子體炬12的外側的圓形狀向基底部14按壓來進行固定，也可以將其左右中的任意一個設為合頁狀而以單側打開的方式來進行開閉。進而，等離子氣體P被導入等離子體用氣體管123的內(nèi)側并從其下部起形成螺旋流，從開口端部流出。
[0050]此外，等離子氣體P為了抑制消耗而降低流量，由此，從開口端部噴出的噴出速度也下降。因此，對于與在等離子體用氣體管123的內(nèi)表面和輔助氣體管122的外表面之間形成的等離子氣體P的通路的出口對應的間隙端部，也可以進行調(diào)整以減小其寬度。由此，即使在抑制了等離子氣體的流量的情況下，也能夠進行調(diào)整，使得流速不下降，從而能夠穩(wěn)定地得到預定高度的等離子體火焰。另外，在本實施例中，等離子氣體P采用氬氣。
[0051]接下來，對本發(fā)明的ICP裝置中使用的罩進行說明。該罩IOA是外嵌在等離子體炬12上的圓筒狀的石英玻璃(內(nèi)徑21mm，壁厚1.3mm)。因而，間隙d由與等離子體炬12的尺寸之間的關系決定，為約0.5mm。
[0052]與圖7所示的現(xiàn)有的罩30相比，該罩IOA具有如下特征:獨立于單純圓筒形狀的等離子體炬；以及，突出到設有感應線圈112的區(qū)域的上部。通常，將感應線圈的端部配置為與作為等離子體用氣體管的外管的開口端部對齊，使得感應線圈作用于等離子體生成部11的區(qū)域，因此，它們的端部的上方十多mm左右被罩包圍。首先，該被包圍的長度被設為空氣不會卷入到等離子體火焰的穩(wěn)定的范圍，在本實施例中是20_左右。此外，如下述那樣，通過獨立于等離子體炬，具有能夠容易裝卸地僅更換罩的效果。
[0053]另外，該罩IOA如下進行固定:在構成設置在基底部14的上部的下述校正氣體導入機構15A的毛細管支撐部件151a的一端部，設置有沿著等離子體炬的外側的圓形形成的延伸部，使罩IOA與所述延伸部上的導軌嵌合。在該情況下,可以在罩IOA的固定端側圓周上設置槽101，并與在毛細管支撐部件151a上設置的凸部154a吻合。由此，能夠容易地定位罩IOA的圓周位置。
[0054]該罩IOA的主要效果在于防止在等離子氣體P的流量下降(例如每分鐘IOL以下)時產(chǎn)生的如下情況:在等離子體炬12的開口端部，由于等離子氣體P的噴出流速的下降而導致空氣卷入到開口周圍。因此，通過罩IOA包圍與等離子體火焰的高度相應的區(qū)域，由此，實現(xiàn)更有效的、能夠降低等離子氣體P的消耗量的、經(jīng)濟的測定。此外，如上所述，罩IOA與等離子體炬12是相互獨立的，因而能夠分別獨立進行更換。尤其是具有如下效果:在罩的與等離子體火焰相對的內(nèi)表面，有時會由于析出物導致白濁化或者由于熱等產(chǎn)生破裂，在這些情況下，僅通過更換低成本的罩就能夠應對。
[0055]另外，如上所述，感應線圈112與外管的開口端部對齊位置而外嵌地配置在罩IOA上，從而作用于等離子體生成部11的區(qū)域。
[0056]接下來，對本發(fā)明的ICP裝置具有的校正氣體導入機構15A進行說明。
[0057]校正氣體C具有如下作用:在點燃等離子體時，防止等離子氣體P的一部分卷入并滯留在罩IOA和等離子體炬12的開口端部之間的間隙d，并且將滯留的氣體校正回等離子氣體本來的流路。該等離子氣體的滯留在點燃等離子體時會引起異常放電，成為得到穩(wěn)定的等離子體火焰的障礙。此外，該狀況僅通過等離子氣體P的流量調(diào)整是無法消除的。
【發(fā)明者】為了在利用了罩IOA的結構中得到穩(wěn)定的等離子體火焰，反復進行了深度研究，采用了該校正氣體導入機構15A。校正氣體C從固定端(下)側朝向另一端(上)側導入到在所述的罩IOA的內(nèi)表面和等離子體炬12的外表面之間形成的間隙d。
[0058]如圖1所示，該機構由固定在基底部14的上部的毛細管支撐部件151a、用于導入校正氣體C的毛細管152a以及按壓毛細管的緊固件153a構成。圖2示出與罩IOA和校正氣體導入機構15A的配置相關的立體圖。采用的毛細管的內(nèi)徑為0.75mm。此外，毛細管被固定成:利用在所述罩IOlA的固定端側的圓周上設置的槽101，使毛細管的前端朝向該槽101。該方向只要是使校正氣體從槽101流入到間隙d內(nèi)的方向即可，由于調(diào)整流量而允許方向具有一定程度的偏差。為了高效地導入校正氣體，優(yōu)選沿著等離子氣體的流動方向。此夕卜，為了形成螺旋流，可以沿著間隙d調(diào)整毛細管前端的朝向。此外，毛細管可以采用使用上柔軟方便的、PTFE (聚四氟乙烯)等。在圖1中，毛細管配置為相對于基底部14的平面方向以45度朝向上方。
[0059]本發(fā)明的ICP裝置所用的氣體是等離子體炬12所涉及的載氣CA、輔助氣體A、等離子氣體P以及校正氣體C。這些氣體使用了氬氣。此外，校正氣體C只要校正在間隙d的開口端部的氣體滯留即可，可以伴隨等離子氣體P的增減而同樣地增減。因此，如圖6 (a)所示，氣體的導入路徑采用如下結構:如以往那樣，通過I個氣體控制系統(tǒng)導入載氣CA、輔助氣體A以及等離子氣體P，并且，采用等離子氣體P的支管來導入校正氣體C。由此，能夠使校正氣體C與等離子氣體P的增減聯(lián)動。另外，校正氣體C的流量能夠通過支管的內(nèi)徑或者簡易的手動流量計等預先進行調(diào)整。
[0060]此外，不需要單獨地控制校正氣體C的流量，裝置上也不需要控制部或閥等附帶設備。因此，能夠簡潔且低成本地提供高效的裝置結構。
[0061]另外，如圖6 (b)所示，也可以利用別的系統(tǒng)來控制校正氣體C。在該情況下，不具有之前所述的效果，但是，在能夠利用昂貴的氬以外的廉價氣體作為校正氣體C這方面是有意義的。例如，可以利用氣泵來送入空氣。
[0062]此外，雖未圖示，但是可以導入腔室氣體路徑，該腔室氣體路徑用于在點燃等離子體時，利用在上述的氣體路徑以外暫且使用的氣體來置換系統(tǒng)內(nèi)部的氣體。
[0063]在本發(fā)明所涉及的采用圖6 Ca)的氣體路徑的ICP裝置中，讓感應線圈112在頻率27.12MHz、輸出功率1.2kff的條件下產(chǎn)生高頻能量，使氬氣在先頭的開始點燃等離子體時的條件下流動數(shù)十秒之后，利用點火器形成火種，接著導入載氣CA，確認等離子體成為圈狀，然后等待等離子體穩(wěn)定數(shù)秒，切換到通常運轉時的等離子氣體流量。在該情況下，關于開始點燃等離子體時的氬氣流量，相對于等離子氣體P每分鐘20L的設定，作為其支管的校正氣體C由于毛細管152a而成為每分鐘0.3L以下。此外，通常運轉時的等離子氣體P和校正氣體C的流量分別為每分鐘8L和0.1L以下。其結果是，能夠在試樣導入管121的上部形成測光高度十多mm的等離子體，從而得到從點燃時開始在測定期間內(nèi)一直穩(wěn)定的等離子體火焰。此時的等離子氣體流量在上述條件下，與作為現(xiàn)有的ICP裝置中的等離子氣體流量的每分鐘15?20L相比，能夠在保持同等程度以上的靈敏度的情況下大致減半。因此，確定具有高經(jīng)濟性。
[0064](實施例2)
[0065]接下來，對與實施例1不同的校正氣體導入機構15B進行說明。另外，由于除校正氣體導入機構以外的部分與實施例1是共同的，因而符號相同。
[0066]圖3示出:作為本發(fā)明的ICP裝置，在流路部件151b的罩IOB的固定端(下)側具有沿著間隙d的圓周設置的校正氣體C的噴管152b，替代導入校正氣體C的實施例1的校正氣體導入機構15A的毛細管。圖4 (a)通過立體圖示出噴管152b的路徑。圖4 (b)示出從圖4 Ca)的b方向(正上方)觀察時的氣體路徑。圖4 (C)示出在圖4 Ca)的B_B’剖面的等離子氣體管123的外周面和罩IOB的內(nèi)周面之間形成的間隙d與噴管152b的位置關系。此處，在罩IOB的圓周中的半周處設置噴管，但是也可以在全周設置，或者也可以沿著其圓周間隔地設置多個孔。此外，關于氣體流路，可以在基底部14制作貫通孔，只要能夠形成噴管152b，也可以改造毛細管來使用。此外，為了容易對罩IOB進行定位，也可以與實施例I相同地在罩IOB的固定端側設置槽101。
[0067]通過該結構，能夠使等離子體炬12的開口端部的氣體不會滯留而得到與實施例1相同的結果，示出了相同的效果。
[0068]本發(fā)明的ICP裝置能夠用于ICP發(fā)射光譜分析(ICP-OES)裝置或者ICP質量分析裝置(ICP-MS )。另外，也能夠用于此外的利用等離子體發(fā)光的裝置。
[0069]此外，當從等離子體的橫方向進行測光時，在罩IOA和IOB中，能夠在測光部附近具有槽102-L以及102-R中的至少一方。由此，即使在罩的內(nèi)表面發(fā)生白濁的情況下，也能夠不妨礙測光。該用于測光的槽也可以是孔，只要是能夠防止空氣對等離子體火焰的影響的范圍，則其形狀可以是任意的。
[0070]此外，等離子氣體不限于氬，也能夠利用氮、氦等。
[0071]此外，本發(fā)明的ICP裝置能夠通過在現(xiàn)有的ICP裝置上組裝作為其主要部件的本發(fā)明的罩以及校正氣體導入機構來提供。這使得無須廢棄已有的裝置就能夠享受本發(fā)明的效果，因而在該方面具有經(jīng)濟性。
[0072]如上所述，本發(fā)明的ICP裝置利用圓筒管狀的長罩消除了降低等離子氣體的消耗量時的副作用(因空氣卷入等離子體導致的等離子體火焰的不穩(wěn)定)，并且，也消除了使用該罩時的副作用(因等離子體炬和罩導致的等離子氣體的部分停滯所引起的點燃等離子體時的異常放電)，其結果是，能夠大幅降低長時間運轉時的等離子氣體的消耗量。
[0073]因此，與以往相比，能夠提供經(jīng)濟性非常優(yōu)越的ICP裝置。
[0074]另外，本發(fā)明的實施方式不限于上述記載內(nèi)容，在不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)，能夠進行增減、改良和變更。
【權利要求】
1.一種感應耦合等離子體裝置，其特征在于，該感應耦合等離子體裝置具有: 導入試樣的試樣導入部， 等離子體炬，其為由載氣用的內(nèi)管、輔助氣體用的中間管以及等離子氣體用的外管構成的同心的三重管結構，在一端部具有所述內(nèi)管的氣體導入部、所述中間管的氣體導入部以及所述外管的氣體導入部，另一端部為開口狀態(tài)； 圓筒形狀的罩，其與所述等離子體炬是分離的，具有足夠包圍到生成的等離子體火焰的前端部的高度，且該罩外嵌地配置在所述等離子體炬上； 感應線圈，其以包圍所述等離子體火焰形成的、在所述等離子體炬的開口端附近的等離子體生成區(qū)域的方式，外嵌地配置在所述罩上； 氣體控制部，其控制所述載氣、所述輔助氣體以及所述等離子氣體；以及校正氣體導入機構，其將用于校正所述等離子氣體的流路的校正氣體導入到在所述罩的內(nèi)表面和所述外管的外表面之間形成的間隙部。
2.根據(jù)權利要求1所述的感應耦合等離子體裝置，其中， 所述罩在被支撐在基底部上的開口端部的圓周上的一部分，具有連通其圓筒的內(nèi)外部的槽，其中，所述基底部支撐固定所述罩， 所述基底部在與所述罩的固定側的圓筒端部相接的線上的一部分具有能夠與所述槽吻合的凸部，該凸部成為配置時的基準。
3.根據(jù)權利要求1所述的感應耦合等離子體裝置，其中， 所述校正氣體導入機構具有噴出所述校正氣體的毛細管， 該毛細管的噴出側端部配置為朝向所述罩的固定側端部的所述間隙部。
4.根據(jù)權利要求3所述的感應耦合等離子體裝置，其中， 所述毛細管的噴出側端部從所述罩的固定側的端部側面朝向所述槽。
5.根據(jù)權利要求1所述的感應耦合等離子體裝置，其中， 所述校正氣體導入機構具有所述校正氣體用的流路， 該流路沿著所述等離子體炬的氣體導入部側的所述間隙部的一部分或者全部而配置，且沿著該間隙部的部分的一部分或者全部為開口狀態(tài)。
6.根據(jù)權利要求3所述的感應耦合等離子體裝置，其中， 所述毛細管使導入所述校正氣體的一側的端部與從所述氣體控制部的連接到所述外管的氣體流路的中途分支的氣體流路連接，使得所述校正氣體與所述等離子氣體的增減聯(lián)動地增減。
7.根據(jù)權利要求5所述的感應耦合等離子體裝置，其中， 所述流路使導入所述校正氣體的一側的端部與從所述氣體控制部的連接到所述外管的氣體流路的中途分支的氣體流路連接，使得所述校正氣體與所述等離子氣體的增減聯(lián)動地增減。
8.根據(jù)權利要求3所述的感應耦合等離子體裝置，其中， 所述毛細管具有與所述等離子氣體不同的氣體控制部，所述校正氣體與所述等離子氣體是不同的氣體。
9.根據(jù)權利要求5所述的感應耦合等離子體裝置，其中， 所述流路具有與所述等離子氣體不同的氣體控制部， 所述校正氣體與所述等離子氣體是不同的氣體。
10.根據(jù)權利要求1所述的感應耦合等離子體裝置，其中， 所述罩在與固定到所述基底部的固定側相反的一側的端部或其附近，具有一個或者多個用于測光的槽或者孔。
11.一種分光分析裝置，其中， 該分光分析裝置具有權利要求1所述的感應耦合等離子體裝置。
12.—種質量分析裝置，其中， 該質量分析裝置具有權利要求1所`述的感應耦合等離子體裝置。
【文檔編號】H01J49/10GK103515184SQ201310261620
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年6月27日 優(yōu)先權日:2012年6月27日
【發(fā)明者】松澤修, 赤松憲一, 中野信男, 一宮豐, 田邊英規(guī), 夏井克己 申請人:日本株式會社日立高新技術科學