等離子體處理裝置及氦氣管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種等離子體處理裝置，包括：一連接盤，位于反應腔室下部，其包括第一氣體通道；一靜電卡盤，設置于連接盤之上，其包括第二氣體通道和一直流電極；一氦氣管，其一端外接一氦氣源，另一端自反應腔室底面伸入與連接盤底面連接，并與第一氣體通道連通，用于向靜電卡盤與晶圓之間通入氦氣；一下電極，設置于連接盤之中，其外接一射頻電源；其中，氦氣管至少在位于反應腔室底面與連接盤底面之間的一部內(nèi)設有多個支管，支管沿氦氣管長度方向延伸。其使氦氣管中的氦氣不會在射頻功率的作用下電離成等離子體，進而不會腐蝕氦氣管，提高了氦氣管使用壽命，增加了等離子體處理裝置的穩(wěn)定性，并避免了對晶圓的污染。
【專利說明】等離子體處理裝置及氦氣管

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體加工制造設備，更具體地說，涉及一種等離子體處理裝置及氦氣管。

【背景技術】
[0002]半導體加工領域的等離子體處理工藝是在一反應腔室中進行，反應腔室底部和頂部分別設置有下電極和上電極，下電極連接至少一射頻電源，上電極接地，視頻電源在上、下電極之間施加射頻功率使反應腔室中形成射頻電場，向反應腔室中導入由多種原料氣體混合成的制程氣體后，制程氣體在射頻電場的作用下電離產(chǎn)生等離子體，并與待加工的晶圓進行等離子體反應。
[0003]晶圓由靜電卡盤(Electro Static Chuck,簡稱ESC)來固定、支撐。靜電卡盤設置于反應腔室中，其采用靜電引力的方式，而非機械方式來吸附晶片。
[0004]在等離子體處理工藝中，為防止晶圓過熱，常采用氦氣來通入靜電卡盤與晶圓之間，以帶走晶圓上的熱量。
[0005]如圖1所示，現(xiàn)有技術中一等離子體處理裝置包括反應腔室、靜電卡盤10、連接盤20和氦氣管30，靜電卡盤10表面為一絕緣層，其內(nèi)部鋪設有一直流電極11，通過外接一直流電源12，而產(chǎn)生靜電吸附力，將待處理晶圓40吸附于靜電卡盤10上表面，靜電卡盤10還設有自底部貫通至頂部的氣體通道；連接盤20位于靜電卡盤10下方，其內(nèi)部鋪設有下電極21，其通過一射頻匹配裝置22連接到一射頻電源23上，向反應腔室中施加射頻功率，反應腔室中的制程氣體在射頻功率作用下轉變?yōu)榈入x子體，與晶圓40進行等離子體反應，連接盤20也設有自底部貫通至頂部的氣體通道并與靜電卡盤10中的氣體通道連通，此外，連接盤20中還可能設有冷卻液流道與傳感器等。氦氣管30內(nèi)部通有氦氣，其從反應腔室底面50伸入，與連接盤20中的氣體通道連通，從而可將氦氣通入到靜電卡盤10與晶圓40之間，用來帶走晶圓40上的熱量。
[0006]上述等離子體處理裝置中，氦氣管30在反應腔室底面50與連接盤20底面之間的一段管路直接處于射頻功率的作用下，其內(nèi)部的氦氣在射頻功率作用下會電離或被擊穿而產(chǎn)生等離子體，等離子體與氦氣管30的管壁材料發(fā)生反應，對管壁產(chǎn)生了腐蝕效果，同時，還在氦氣管中產(chǎn)生了一些雜質(zhì)顆粒，可能給晶圓帶來污染。
[0007]因此，避免氦氣管中的氦氣在射頻功率的作用下被擊穿而產(chǎn)生等離子體，是本發(fā)明需要解決的技術問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種等離子體處理裝置，其采用的氦氣管具有防止氦氣被擊穿的結構。
[0009]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術方案如下:
[0010]一種等離子體處理裝置，用于對放置于反應腔室中的晶圓進行等離子體處理工藝，包括:一連接盤，位于反應腔室下部，其包括第一氣體通道，第一氣體通道自連接盤底部貫穿至頂部；一靜電卡盤，設置于連接盤之上，其包括第二氣體通道和一直流電極，第二氣體通道自靜電卡盤底部貫穿至頂部并與第一氣體通道連通，直流電極外接一直流電源將晶圓吸附于靜電卡盤上表面；一氦氣管，其一端外接一氦氣源，另一端自反應腔室底面伸入與連接盤底面連接，并與第一氣體通道連通，用于向靜電卡盤與晶圓之間通入氦氣；一下電極，設置于連接盤之中，其外接一射頻電源，用于向反應腔室施加射頻功率；其中，氦氣管至少在位于反應腔室底面與連接盤底面之間的一部內(nèi)設有多個支管，支管沿氦氣管長度方向延伸。
[0011]優(yōu)選地，氦氣自如下通路中的至少一種通入靜電卡盤與晶圓之間:至少一支管內(nèi)部；支管之間的間隙；以及支管與氦氣管內(nèi)壁之間的間隙。
[0012]優(yōu)選地,氦氣管內(nèi)氦氣的間隙距離為0.5mm-1.5mm,氦氣氣壓為10_30Torr。
[0013]優(yōu)選地，氦氣自至少一支管內(nèi)部通入靜電卡盤與晶圓之間，氦氣管的內(nèi)徑為0.5-lcm,支管的內(nèi)徑為0.5-1.5mm。
[0014]優(yōu)選地，支管的數(shù)目為2至10根。
[0015]優(yōu)選地，各支管內(nèi)徑相同，均勻分布于氦氣管中。
[0016]優(yōu)選地，支管管壁厚度為0.1-0.5mm。
[0017]本發(fā)明還公開了一種氦氣管，與等離子體反應腔室配合使用，反應腔室下部設有一連接盤，連接盤之上設有一靜電卡盤用于吸附晶圓，氦氣管自反應腔室底面伸入與連接盤底面連接，并通過連接盤與靜電卡盤中的氣體通道向靜電卡盤與晶圓之間通入氦氣，其中，氦氣管至少在位于反應腔室底面與連接盤底面之間的一部內(nèi)設有多個支管，支管沿氦氣管長度方向延伸。
[0018]本發(fā)明提供的等離子體處理裝置，在氦氣管內(nèi)設置了多個支管，從支管內(nèi)或支管與氦氣管內(nèi)壁之間的間隙通入氦氣，從而減小了氦氣管中氦氣的間隙距離，根據(jù)帕邢定律，其相應地提高了氦氣的擊穿電壓，使氦氣管中的氦氣不會在射頻功率的作用下電離成等離子體，進而不會腐蝕氦氣管，提高了氦氣管使用壽命，增加了等離子體處理裝置的穩(wěn)定性，同時不會在氦氣管中產(chǎn)生雜質(zhì)顆粒，避免了對晶圓的污染。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1示出現(xiàn)有技術中一等離子體處理裝置結構示意圖；
[0020]圖2示出本發(fā)明第一實施例的等離子體處理裝置結構示意圖；
[0021]圖3示出本發(fā)明第一實施例的等離子體處理裝置中氦氣管結構示意圖；
[0022]圖4示出本發(fā)明第二實施例的等離子體處理裝置中氦氣管結構示意圖；
[0023]圖5示出本發(fā)明第三實施例的氦氣管結構示意圖；
[0024]圖6示出氦氣與氬氣的擊穿電壓與氣體間隙距離和氣壓乘積的關系曲線圖。

【具體實施方式】
[0025]下面結合附圖，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步的詳細說明。
[0026]本發(fā)明第一實施例提供的等離子體處理裝置，與現(xiàn)有技術中等離子體處理裝置具有類似的部件連接關系，如圖2、并結合圖1所示，其包括反應腔室、靜電卡盤10、連接盤20和氦氣管30，靜電卡盤10和連接盤20疊放于反應腔室下部。靜電卡盤10表面為一絕緣層，其內(nèi)部鋪設有一直流電極11，通過外接一直流電源12，而產(chǎn)生靜電吸附力，將待處理晶圓40吸附于靜電卡盤10上表面；靜電卡盤10自底部至頂部貫通設有第二氣體通道13，第二氣體通道13在靜電卡盤10上表面形成多個出氣口 131 ;靜電卡盤10下方設有連接盤20，連接盤20中鋪設有下電極21，其通過一射頻匹配裝置22連接到一射頻電源23上，射頻電源23通過下電極21施加射頻功率，反應腔室中的制程氣體在射頻功率作用下轉變?yōu)榈入x子體，與晶圓40進行等離子體反應；連接盤20自底部至頂部貫通設有第一氣體通道24，第一氣體通道24上端與第二氣體通道13連通，下端連通氦氣管30。
[0027]其中，射頻功率可為3000-11000W，射頻電源23頻率可為400KHz_60MHz之間任意值，例如可為13.56MHz ο
[0028]根據(jù)上述實施例，具體地，氦氣源36通過一閥門352連接至壓力流量控制單元34，壓力流量控制單元34再通過另一閥門351連接至氦氣管30 —端，壓力流量控制單元34用于控制氦氣管30中氦氣的壓力與流量,通常使氦氣管30中氣壓保持為10-30Torr。
[0029]氦氣管30另一端自反應腔室底面50伸入反應腔室中，通過連接件33與連接盤20底面密接，并與連接盤20中的第一氣體通道24連通，從而通過第一氣體通道24以及靜電卡盤10中的第二氣體通道13，由靜電卡盤10上表面設有的多個出氣口 131，將氦氣噴出至靜電卡盤10與其吸附的晶圓之間。
[0030]可以理解，反應腔室底面50接地，連接盤20內(nèi)部鋪設有連接射頻電源的下電極21，氦氣管30在反應腔室底面50與連接盤20底面之間的管路部分處于射頻功率的作用范圍內(nèi)。
[0031]為避免氦氣管30中的氦氣在射頻功率的作用下被擊穿,根據(jù)本發(fā)明上述實施例，結合圖3所示，在氦氣管30中設有多個支管301、302、303、304(為方便起見，圖2中僅顯示2個支管)，由固設于氦氣管30內(nèi)部的一塞子32支撐，各支管301、302、303、304分離設置并沿氦氣管30長度方向延伸，可與氦氣管30整體的長度一致，也可僅與氦氣管30中處于射頻功率作用下的一部分管路長度一致，即至少應在氦氣管30位于反應腔室底面50與連接盤20底面之間的管路內(nèi)延伸分布。氦氣管30中在支管301、302、303、304外部形成間隙區(qū)域310。氦氣自該4個支管301、302、303、304內(nèi)部通入靜電卡盤10和晶圓40之間，也可僅從其中任一個或任多個支管內(nèi)部通入。
[0032]該4個支管的內(nèi)徑可以相同，也可以不同，支管內(nèi)徑的取值范圍為0.5-1.5mm。氦氣管30的內(nèi)徑取值范圍為0.5-lcm。各支管301、302、303、304可均勻分布于氦氣管30中，也可以不均勻分布。
[0033]本領域技術人員理解,帕邪定律(Paschen law)表征均勻電場氣體間隙擊穿電壓、間隙距離和氣壓間關系的定律，其由F.帕邢根據(jù)平行平板電極的間隙擊穿試驗結果得出。表達為:擊穿電壓U (千伏)是間隙距離d (厘米)和氣壓P (托)乘積的函數(shù)。應用湯森擊穿條件以及電離系數(shù)與間隙距離d和氣壓P乘積的關系式，可以求出氣體的擊穿電壓公式:
[0034]U=B.P.d/In [A.P.d/In (1+1/ Y )]
[0035]該公式中，A和B通常是常數(shù)。Y為離子撞擊陰極時所發(fā)生的電子發(fā)射的過程系數(shù)。帕邢定律在一定Pd (即間隙距離d和氣壓P乘積)范圍內(nèi)有效。
[0036]圖6示出根據(jù)帕邢定律，氦氣和氬氣兩種氣體的擊穿電壓U與氣體間隙距離d和氣壓P乘積Pd的關系曲線圖,擊穿電壓U單位為伏特，Pd單位為Torr.cm,曲線A對應于氦氣的表現(xiàn)，曲線B對應于氬氣的表現(xiàn)。從圖中可看出，當氦氣的Pd值位于l-2T0rr.cm之間時，其擊穿電壓最低。欲提高氣體的擊穿電壓使氣體難以被擊穿或電離，可減小Pd值使其落入曲線左端近乎垂直的曲線段。
[0037]對于氦氣而言，當其Pd值減小到ITorr.cm以下時,氦氣的擊穿電壓明顯提高。而在等離子體處理裝置中，氦氣管30中通入的氦氣，其氣壓P通常需要在一較固定的范圍內(nèi)取值，因而，為減小氦氣的Pd值，本發(fā)明采用了減少氦氣間隙距離d的思想。
[0038]現(xiàn)有技術中采用的氦氣管30，其內(nèi)徑為0.5-lcm，在其內(nèi)部通入氦氣后，氦氣的間隙距離為0.5-lcm。
[0039]根據(jù)本發(fā)明上述實施例,氦氣管30內(nèi)氦氣氣壓為10_30Torr，氦氣管30中設有4個支管301、302、303、304，氦氣自上述支管內(nèi)部通入靜電卡盤10與晶圓40之間。支管內(nèi)徑的取值范圍為0.5-1.5_，相應地，氦氣的間隙距離即為0.5-1.5_。例如，氦氣管內(nèi)徑為0.5cm，支管內(nèi)徑為0.5mm，相比于現(xiàn)有技術，氦氣的間隙距離d明顯減小，在氦氣氣壓P不變(例如為1Torr)的情況下，Pd值也由5Torr.cm明顯減小至0.5Torr.cm,根據(jù)圖4示出的氦氣與氬氣的擊穿電壓與氣體間隙距離和氣壓乘積的關系曲線圖，氦氣的擊穿電壓明顯提聞。
[0040]可以理解，氦氣管30中支管數(shù)目不限于4根，而可為任意多根，優(yōu)選為2至10根。
[0041]進一步地，各支管內(nèi)徑相同、規(guī)格統(tǒng)一；支管管壁厚度可為0.1-0.5mm。氦氣管30及支管301、302、303、304可由介電材料制成，包括但不限于聚四氟乙烯材料。
[0042]進一步地，靜電卡盤10上表面的多個出氣口 13呈均勻分布、例如呈環(huán)形分布于靜電卡盤10上表面，氦氣自這些出氣口 13中噴出至靜電卡盤10與晶圓40之間。
[0043]本發(fā)明上述第一實施例，以設于氦氣管30內(nèi)部的、管徑較小的多個支管通入氦氣，提高了氦氣的擊穿電壓，從而使氦氣管中的氦氣不會在射頻功率的作用下電離成等離子體，進而不會腐蝕氦氣管，提高了氦氣管使用壽命，增加了等離子體處理裝置的穩(wěn)定性，同時不會在氦氣管30中產(chǎn)生雜質(zhì)顆粒，避免了對晶圓40的污染。
[0044]根據(jù)本發(fā)明第二實施例的等離子體處理裝置，氦氣管30與等離子體處理裝置其他部件連接關系同上述第一實施例中相同，結合圖2所示，氦氣管30 —端通過閥門351連接壓力流量控制單元40，隨后經(jīng)由閥門352連接氦氣源36 ;氦氣管30另一端自反應腔室底面50伸入反應腔室中，通過連接件33與連接盤20底面密接，并通過連接盤20中的第一氣體通道24、靜電卡盤10中的第二氣體通道13，由靜電卡盤10上表面的多個出氣口 131，將氦氣送入靜電卡盤10與其吸附的晶圓之間。
[0045]具體地，該氦氣管30內(nèi)部包括4個支管301、302、303、304，各支管301、302、303、304相互接觸，并與氦氣管30內(nèi)壁接觸，如圖4所示。支管301、302、303、304至少在氦氣管30位于反應腔室底面50與連接盤20底面之間的管路內(nèi)延伸分布，也可在氦氣管30中延伸更長的長度，從而可以保證氦氣管30處于射頻功率作用下的管路部分，其內(nèi)部均分布有上述支管 301、302、303、304。
[0046]支管301、302與氦氣管30內(nèi)壁圍成了一個截面形狀不規(guī)則的間隙312，支管301、302、303、304又圍成了一個截面形狀不規(guī)則的間隙311，類似的，還可形成其他截面形狀不規(guī)則的間隙。氦氣自間隙50、51形成的管路通入靜電卡盤10與晶圓40之間，也即從支管之間的間隙以及支管與氦氣管30內(nèi)壁之間的間隙通入靜電卡盤10與晶圓40之間；氦氣也可僅從管路50通入，或僅從管路51通入；氦氣還可同時從間隙50、51形成的管路、以及支管 301、302、303、304 內(nèi)部通入。
[0047]具體地，氦氣管30的內(nèi)徑為0.5-lcm，氦氣管30內(nèi)氦氣氣壓為1Torr。支管301、302,303,304的內(nèi)徑為0.5-1.5mm。支管的管壁厚度為0.1-0.5mm，材料可為聚四氟乙烯或類似介電材料。
[0048]相比于現(xiàn)有技術，氦氣管30中氦氣的間隙距離從0.5-lcm被明顯減小，從而使氦氣的間隙距離d和氣壓P乘積Pd明顯減小，當減小至圖6中曲線A左端部對應的Pd值的時候，根據(jù)圖6示出的氦氣與氬氣的擊穿電壓與氣體間隙距離和氣壓乘積的關系曲線圖，氦氣的擊穿電壓明顯提高。
[0049]可以理解，氦氣管內(nèi)支管的數(shù)目不限于4根，可為4-8根。各支管可以與氦氣管內(nèi)壁接觸，也可以不接觸。
[0050]進一步地，各支管內(nèi)徑相同、規(guī)格統(tǒng)一；各支管可在氦氣管30的橫截面上呈均勻分布。
[0051]該第二實施例提供的等離子體處理裝置，其氦氣管中的氦氣具有較高的擊穿電壓，從而不會在射頻功率的作用下被擊穿成等離子體而腐蝕氦氣管，提高了氦氣管使用壽命，同時不會在氦氣管中產(chǎn)生雜質(zhì)顆粒，避免了對晶圓的污染。
[0052]本發(fā)明第三實施例提供一種氦氣管，其與等離子體反應腔室配合使用。其中，反應腔室下部設有一連接盤，連接盤之上設有一靜電卡盤用于吸附晶圓，氦氣管自反應腔室底部伸入并與連接盤底面連接，通過連接盤與靜電卡盤中的氣體通道向靜電卡盤與晶圓之間通入氦氣。
[0053]具體地，如圖5所示，氦氣管30內(nèi)部設有多片隔膜32，可呈水平或垂直分布，在氦氣管30徑向方向上，隔膜兩端分別固接于氦氣管30內(nèi)壁不同側，在氦氣管30長度方向上，每片隔膜32隨氦氣管30的長度方向延伸；在相鄰的隔膜32之間、以及在隔膜32與氦氣管30內(nèi)壁之間形成了多個間隙33，這些間隙33在長度方向延伸后形成了多個支管結構，氦氣可自這些支管中的任意一個或任意多個通入。上述隔膜結構應至少設置在氦氣管30位于反應腔室底面與連接盤底面之間的一段管路內(nèi)。
[0054]進一步地,支管內(nèi)氦氣間隙距離為0.5mm-1.5mm,氦氣氣壓為10_30Torr。
[0055]在該第三實施例提供的氦氣管中，氦氣具有較高的擊穿電壓，從而不易被擊穿，提高了氦氣管的使用壽命。
[0056]可以理解，氦氣管中的支管截面可為圓形、矩形或其他的規(guī)則或不規(guī)則形狀；同時，本發(fā)明的思想并不限于上述結構的氦氣管，只要采用可使氦氣管中氦氣間隙距離明顯減小的結構，均應視為不脫離本發(fā)明思想的變形設計，從而落入本發(fā)明的保護范圍。
[0057]以上所述的僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述實施例并非用以限制本發(fā)明的專利保護范圍，因此凡是運用本發(fā)明的說明書及附圖內(nèi)容所作的等同結構變化，同理均應包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
【權利要求】
1.一種等離子體處理裝置，用于對放置于反應腔室中的晶圓進行等離子體處理工藝，包括: 一連接盤，位于所述反應腔室下部，其包括第一氣體通道，所述第一氣體通道自所述連接盤底部貫芽至頂部; 一靜電卡盤，設置于所述連接盤之上，其包括第二氣體通道和一直流電極，所述第二氣體通道自所述靜電卡盤底部貫穿至頂部并與所述第一氣體通道連通，所述直流電極外接一直流電源將所述晶圓吸附于所述靜電卡盤上表面； 一氦氣管，其一端外接一氦氣源，另一端自所述反應腔室底面伸入與所述連接盤底面連接，并與所述第一氣體通道連通，用于向所述靜電卡盤與晶圓之間通入氦氣； 一下電極，設置于所述連接盤之中，其外接一射頻電源，用于向所述反應腔室施加射頻功率; 其中，所述氦氣管至少在位于所述反應腔室底面與連接盤底面之間的一部內(nèi)設有多個支管，所述支管沿所述氦氣管長度方向延伸。
2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述氦氣自如下通路中的至少一種通入所述靜電卡盤與晶圓之間: 至少一所述支管內(nèi)部； 所述支管之間的間隙；以及 所述支管與氦氣管內(nèi)壁之間的間隙。
3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述氦氣管內(nèi)氦氣的間隙距離為 0.5mm-1.5mm,気氣氣壓為 10_30Torr。
4.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述氦氣自至少一所述支管內(nèi)部通入所述靜電卡盤與晶圓之間，所述氦氣管的內(nèi)徑為0.5-lcm，所述支管的內(nèi)徑為0.5-1.Smnin
5.如權利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述支管的為2至10根。
6.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述氦氣自所述支管之間的間隙以及所述支管與氦氣管內(nèi)壁之間的間隙通入所述靜電卡盤與晶圓之間，所述氦氣管的內(nèi)徑為0.5-lcm,所述支管的內(nèi)徑為0.5-1.5mm。
7.如權利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述支管的數(shù)目為4至8根。
8.如權利要求1至7中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，各所述支管內(nèi)徑相同，均勻分布于所述氦氣管中。
9.如權利要求8所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述支管管壁厚度為0.1-0.Smnin
10.如權利要求9所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述支管由介電材料制成。
11.如權利要求1至7中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述靜電卡盤上表面的絕緣層上均勻分布有多個孔隙，所述孔隙與所述氦氣管聯(lián)通，所述氦氣自所述孔隙中噴出。
12.如權利要求1至7中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述射頻功率為 3000-11000W。
13.如權利要求12所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述射頻電源頻率的取值范圍為400KHz至60MHz。
14.一種氦氣管，與等離子體反應腔室配合使用，所述反應腔室下部設有一連接盤，所述連接盤之上設有一靜電卡盤用于吸附晶圓，所述氦氣管自所述反應腔室底面伸入與所述連接盤底面連接，并通過所述連接盤與靜電卡盤中的氣體通道向所述靜電卡盤與晶圓之間通入氦氣，其中，所述氦氣管至少在位于所述反應腔室底面與連接盤底面之間的一部內(nèi)設有多個支管，所述支管沿所述氦氣管長度方向延伸。
15.如權利要求14所述的氦氣管，其特征在于，所述氦氣管內(nèi)氦氣間隙距離為0.5mm-1.5mm,所述氦氣自自如下通路中的至少一種通入所述靜電卡盤與晶圓之間: 至少一所述支管內(nèi)部； 所述支管之間的間隙；以及 所述支管與氦氣管內(nèi)壁之間的間隙。
【文檔編號】H01J37/32GK104377105SQ201310356306
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2013年8月15日 優(yōu)先權日:2013年8月15日
【發(fā)明者】周旭升, 徐朝陽, 陳妙娟 申請人:中微半導體設備(上海)有限公司