用于在等離子處理室內(nèi)防止等離子不受限制故障發(fā)生的方法和裝置制造方法
【專利摘要】用于顯著地減少和/或防止等離子不受限制故障發(fā)生的方法和裝置，包括利用介電防護(hù)結(jié)構(gòu)防護(hù)在室部件之間并沿RF電流路徑存在的間隙、利用介電防護(hù)結(jié)構(gòu)遮蔽尖銳部件結(jié)構(gòu)、以及將相鄰等離子限制環(huán)對(duì)之間的間隙保持為小于該等離子的所述最壞情況德拜長(zhǎng)度中的一種或多種。
【專利說(shuō)明】用于在等離子處理室內(nèi)防止等離子不受限制故障發(fā)生的方法和裝置
本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?00780021251.6、申請(qǐng)日為2007年6月8日、發(fā)明名稱為“用于在等離子處理室內(nèi)防止等離子不受限制故障發(fā)生的方法和裝置”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
【背景技術(shù)】
[0001]在基板，例如半導(dǎo)體基板或諸如使用于平板顯示器制造的玻璃平板的處理中，經(jīng)常運(yùn)用等離子。作為在等離子室中基板處理的一部分，例如，在一系列步驟中處理基板，其中材料被有選擇地去除(蝕刻)和沉積，以在其上形成電氣部件。
[0002]在基于ExelanTM等離子處理系統(tǒng)平臺(tái)(可從Fremont, CA的Lam Research公司獲得)的一個(gè)示例性室實(shí)施中，采用RF能量在期望的等離子保持區(qū)域(即等離子處理室內(nèi)為基板處理目的而存在有等離子的區(qū)域)內(nèi)引發(fā)和保持等離子。在等離子處理過(guò)程中，RF回流可能通過(guò)例如上部電極從等離子保持區(qū)域內(nèi)導(dǎo)走。在該示例性的實(shí)施中，該RF回流穿過(guò)室頂，并經(jīng)室內(nèi)襯的橫向RF帶以及下部接地斗，然后回至懸臂孔內(nèi)表面，由此在限制環(huán)外部傳導(dǎo)。沿該復(fù)雜的路徑，該RF回流穿過(guò)結(jié)合相鄰RF室部件(或元件)的多個(gè)界面。
[0003]在典型地用于機(jī)械加工的部件的情況下，很多RF室部件具有匹配表面、接口、因加工或容差考慮而導(dǎo)致的間隙或尖銳邊緣。當(dāng)相鄰的RF室部件匹配到一起時(shí)，這些尖銳角或表面本身形成間隙，從而形成對(duì)RF電流的高阻抗障礙。
[0004]不希望局限于理論，確信在某些情況下，該高阻抗可導(dǎo)致橫跨間隙產(chǎn)生高電壓。如果該電壓足夠高，則可橫跨該間隙產(chǎn)生火花或電弧。在很多情況下，該電弧現(xiàn)象可導(dǎo)致噴射入環(huán)繞氣體空間(一個(gè)或多個(gè))內(nèi)的帶電粒子，例如電子或離子。該氣體空間環(huán)繞很多RF室部件，但不設(shè)置于期望在處理過(guò)程中產(chǎn)生和保持等離子的等離子產(chǎn)生區(qū)域內(nèi)，但是在某些條件下仍可在室運(yùn)行過(guò)程中被導(dǎo)通，并引發(fā)和/或保持等離子。因此，該不期望的帶電粒子的注入可導(dǎo)致在環(huán)繞這些間隙的氣體空間內(nèi)不期望的等離子的引發(fā)，即使這些氣體空間不位于上述期望的等離子產(chǎn)生區(qū)域內(nèi)(例如，大致上由上部電極、下部電極、和環(huán)繞的限制環(huán)限定的區(qū)域)。
[0005]當(dāng)這些不期望的引發(fā)故障中的一種發(fā)生時(shí)，等離子室據(jù)稱將遭受等離子不受限制故障(plasma un-confinement event),它是對(duì)基板處理環(huán)境和當(dāng)前待處理基板而言極不期望出現(xiàn)的情況，并可能會(huì)導(dǎo)致對(duì)室硬件部件、尤其是對(duì)靜電卡盤的損壞。
[0006]應(yīng)當(dāng)注意到，不同的RF室可能具有不同的部件或設(shè)計(jì)，并且RF電流可能在不同的室中具有不同路徑。不考慮不同RF室的特殊性，很多室中的RF電流趨向于穿過(guò)多個(gè)RF室部件，并趨向于偶發(fā)地遭受類似的與間隙相關(guān)的電弧現(xiàn)象和不期望的等離子引發(fā)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]在一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及一種等離子處理系統(tǒng)，其具有配置為用于處理基板的等離子處理室。該系統(tǒng)包括多個(gè)部件，該多個(gè)部件中的至少兩個(gè)部件設(shè)置為以一種匹配配置形式彼此鄰近，使得在該兩個(gè)部件之間存有間隙。該間隙沿該處理過(guò)程中的RF電流路徑存在。該處理系統(tǒng)還包括介電防護(hù)結(jié)構(gòu)，其配置為在該處理過(guò)程中，防護(hù)該間隙的至少部分不受該等離子處理室內(nèi)的環(huán)繞氣體空間影響。
[0008]在另一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及一種等離子處理系統(tǒng)，其具有配置為用于處理基板的等離子處理室。該等離子處理系統(tǒng)包括多個(gè)部件，該部件中的至少一個(gè)具有沿在該處理過(guò)程中的RF路徑存在的尖銳部件結(jié)構(gòu)。該處理系統(tǒng)還包括介電防護(hù)結(jié)構(gòu)，其配置為在該處理過(guò)程中，防護(hù)該尖銳部件結(jié)構(gòu)中的至少部分不受該等離子處理室內(nèi)的環(huán)繞氣體空間影響。
[0009]在另一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā)明涉及一種用于配置用于處理基板的等離子處理室的方法，該等離子處理室內(nèi)具有多個(gè)限制環(huán)。該方法包括為在所述處理過(guò)程中于所述等離子處理室內(nèi)產(chǎn)生的等離子確定最壞情況德拜長(zhǎng)度。該方法進(jìn)一步包括執(zhí)行調(diào)整該多個(gè)限制環(huán)中個(gè)別一些之間的間隙以及增加至少一個(gè)附加限制環(huán)中的至少一種，以確保任何一對(duì)相鄰限制環(huán)之間的間隙大于所述最壞情況德拜長(zhǎng)度。
[0010]本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)將會(huì)結(jié)合附圖，在以下本發(fā)明的具體描述中更詳細(xì)地說(shuō)明。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]在附圖中，本發(fā)明以示例而非限制的形式說(shuō)明，并且其中類似的參考標(biāo)號(hào)代表類似的元件，并且其中:
[0012]圖1根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，顯示了設(shè)置于等離子處理室外部區(qū)域內(nèi)的介電蓋和限制環(huán)的橫截面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]以下將結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體描述。在以下描述中，闡明了多個(gè)具體細(xì)節(jié)，以提供對(duì)本發(fā)明透徹的理解。但是，明顯地，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，本發(fā)明可以不具有一些或所有該具體細(xì)節(jié)而被實(shí)施。在其它情況下，未描述熟知的處理步驟和
/或結(jié)構(gòu)。
[0014]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，提供了用于顯著地減少和/或防止等離子不受限制故障發(fā)生的技術(shù)和裝置。如上述討論，確信等離子室設(shè)計(jì)和/或結(jié)構(gòu)的某些方面可導(dǎo)致電弧的產(chǎn)生，導(dǎo)致在期望的等離子保持區(qū)域外部引發(fā)等離子。如早先所提及，發(fā)明人在此確信，當(dāng)相鄰室部件的匹配表面之間的間隙沿RF電流路徑(例如，RF電流回路)存在時(shí)，該間隙成為產(chǎn)生電弧現(xiàn)象的一個(gè)因素。在電弧發(fā)生過(guò)程中出現(xiàn)的火花導(dǎo)致不期望的電荷或能量注入，其可導(dǎo)致帶電粒子的產(chǎn)生和/或噴射入環(huán)繞氣體空間內(nèi)。
[0015]另一個(gè)導(dǎo)致不期望的等離子引發(fā)的因素確信為沿RF電流路徑存在的尖銳室部件邊緣或角。這些尖銳的幾何結(jié)構(gòu)趨向于聚集電場(chǎng)，并在某些情況下導(dǎo)致在環(huán)繞氣體空間內(nèi)不期望的帶電粒子的產(chǎn)生。
[0016]還確信，該偶發(fā)不受限制等離子故障也可由帶來(lái)等離子密度浪涌(surge)的瞬時(shí)不穩(wěn)定故障所導(dǎo)致。這些等離子密度浪涌可能由多種原因引起，例如RF發(fā)生器浪涌。不考慮在等離子密度內(nèi)產(chǎn)生這些瞬時(shí)浪涌的原因，確信通過(guò)合適地配置和/或減少相鄰等離子限制環(huán)之間的空間，可增強(qiáng)對(duì)等離子的限制。[0017]本發(fā)明的實(shí)施方式旨在關(guān)注上述等離子不受限制的一個(gè)或多個(gè)原因。為解決涉及電弧的不期望的等離子引發(fā)問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，提供了一種介電防護(hù)結(jié)構(gòu)(例如蓋或護(hù)套)，其可防護(hù)沿RF電流路徑存在的相鄰室部件之間的間隙免受環(huán)繞氣體空間(一個(gè)或多個(gè))影響。大體而言，可依必要提供一個(gè)或多個(gè)護(hù)套或蓋，以提供防護(hù)功能。參考圖1，其顯示了示例性等離子處理室的相關(guān)部分，圖中顯示了介電護(hù)套102，其防護(hù)該示例性室實(shí)施內(nèi)的間隙104和間隙106不受鄰近間隙104和間隙106的相鄰環(huán)繞氣體空間的影響。在圖1的示例性實(shí)施中，間隙104存在于外部電極110 (例如，其可由硅形成)和安裝板112之間的界面處。盡管外部電極110和安裝板112可匹配安裝到一起(例如，通過(guò)合成橡膠粘結(jié))，但在相鄰的匹配表面內(nèi)仍存有小的間隙。類似地，間隙106存在于安裝板112和上部室結(jié)構(gòu)114 (例如，其由鋁形成)之間。
[0018]確信，當(dāng)RF電流沿室部件表層或表面?zhèn)鲗?dǎo)時(shí)，間隙例如間隙104可形成對(duì)RF電流的高阻抗障礙，導(dǎo)致橫跨該間隙產(chǎn)生電勢(shì)差，并且，在某些情況下，導(dǎo)致由電弧表征的放電現(xiàn)象產(chǎn)生。
[0019]護(hù)套102可由介電材料形成(例如無(wú)機(jī)絕緣體材料)，并防護(hù)該間隙不受相鄰環(huán)繞氣體空間影響。以此種方式，即使橫跨間隙104和/或間隙106產(chǎn)生電弧，在電弧形成過(guò)程中所產(chǎn)生的火花不受環(huán)繞氣體空間影響，從而防止在環(huán)繞氣體空間內(nèi)不期望的帶電粒子的產(chǎn)生和/或噴注，和/或不期望的等離子的引發(fā)。
[0020]在一個(gè)實(shí)施方式中，護(hù)套102由石英形成，但也可采用其它合適的介電材料，例如礬土(如氧化鋁)、氮化硅等。只要護(hù)套102大體上是不導(dǎo)電的，護(hù)套102可由任何與在RF室內(nèi)實(shí)施的等離子處理相容的材料制成。盡管圖1顯示了單個(gè)的護(hù)套，但多個(gè)護(hù)套和/或蓋也是可能的。另外，防護(hù)RF作用間隙免受環(huán)繞氣體空間影響的介電蓋可具有不同于護(hù)套的幾何形狀。
[0021]護(hù)套102顯示為具有支架132，當(dāng)安裝板112固定(例如，螺栓固定)到上部室結(jié)構(gòu)114時(shí)，支架132位于安裝板112和上部室結(jié)構(gòu)114之間。在組裝過(guò)程中，護(hù)套102可圍繞外部電極110/安裝板112結(jié)構(gòu)設(shè)置，從而支架132抵靠在于安裝板112內(nèi)形成的肩上。然后，該包括外部電極110、安裝板112、和護(hù)套102的結(jié)構(gòu)緊固到上部室結(jié)構(gòu)114，使護(hù)套102位于安裝板112和上部室結(jié)構(gòu)114之間。從參考箭頭140的方向上看，沒(méi)有緊固件結(jié)構(gòu)(例如螺釘頭)的暴露部分存在于護(hù)套102內(nèi)，從而減小了污染誘發(fā)(contamination trapping)的可能性和/或避免了可能在等離子處理過(guò)程中導(dǎo)致火花產(chǎn)生的尖銳結(jié)構(gòu)(例如螺釘頭)的出現(xiàn)。關(guān)鍵在于，護(hù)套102(以及提供的防護(hù)RF作用界面之間間隙不受環(huán)繞氣體空間影響的蓋)可以構(gòu)成為當(dāng)被安裝于該室之內(nèi)時(shí)，這些護(hù)套和蓋本身不導(dǎo)致電弧形成。
[0022]如上所述，沿RF電流路徑的尖銳部件結(jié)構(gòu)(邊緣或角)可能會(huì)具有集中電場(chǎng)的效果，其導(dǎo)致在環(huán)繞氣體空間內(nèi)不期望的帶電粒子的產(chǎn)生和/或不期望的等離子的引發(fā)。作為本文采用的術(shù)語(yǔ)，尖銳部件結(jié)構(gòu)表示在多個(gè)部件之間的部件或結(jié)合部，其具有這樣的形狀，相對(duì)于其它部件結(jié)構(gòu)該形狀具有增強(qiáng)的集中電場(chǎng)的能力，從而使得在環(huán)繞氣體空間內(nèi)發(fā)生不期望的帶電粒子的產(chǎn)生和/或不期望的等離子的引發(fā)。參考圖1，接地斗(groundbucket)152的尖銳角150可能會(huì)集中電場(chǎng),使得在環(huán)繞氣體空間內(nèi)發(fā)生不期望的帶電粒子的產(chǎn)生和/或不期望的等離子的引發(fā)。需要注意的是，這是一種不同于上述RF作用間隙的不受限制等離子引發(fā)機(jī)制，因?yàn)樵诮?50處不存在間隙。[0023]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，提供由介電材料(例如不導(dǎo)電絕緣體材料)形成的介電角-遮蔽蓋(corner-draping cover)以防護(hù)該尖銳部件結(jié)構(gòu)不受環(huán)繞氣體空間影響。該角_遮蔽蓋在圖1的不例中顯不為角_遮蔽蓋160。角-遮蔽蓋160包括一個(gè)邊緣，其在圖1中垂直向下延伸并遮蔽角150，從而形成角150的連續(xù)介電防護(hù)。在一個(gè)實(shí)施方式中，角-遮蔽蓋160由石英形成，但也可采用其它合適的介電材料，例如礬土(如，氧化鋁)、氮化硅等。只要角-遮蔽蓋160大體上是不導(dǎo)電的，角-遮蔽蓋160可由任何與在RF室內(nèi)實(shí)施的等離子處理相容的材料制成。
[0024]注意到并非必須由單片的材料形成角-遮蔽蓋160，以覆蓋接地斗152的所有RF作用表面。在圖1的示例中，因?yàn)榻拥囟返拇怪眰?cè)邊不暴露于期望的等離子保持區(qū)域190內(nèi)的等離子，所以接地斗152的垂直側(cè)邊可依需要利用由不同或相同介電材料形成的其它蓋遮蔽。邊緣的提供和/或該兩個(gè)蓋的交疊部分允許使用多片(例如，兩片)的蓋，這降低了制造成本，因?yàn)椴⒉恍枰髩K且形狀復(fù)雜的蓋。在一個(gè)示例性的實(shí)施中，接地斗152的垂直側(cè)邊利用蓋162覆蓋，蓋162可例如由塑料材料形成，例如無(wú)定形聚醚酰亞胺(通常通過(guò)名稱Ultem被熟知)。只要蓋162大體上是不導(dǎo)電的，蓋162可由任何在等離子處理過(guò)程中，與在RF室內(nèi)實(shí)施的等離子處理相容和/或與沿接地斗的垂直側(cè)壁所存在情況相容的材料制成。蓋162和角-遮蔽蓋160可如圖1所示交疊，以提供對(duì)RF作用角和/或接地斗152的RF作用表面的完全遮蓋。
[0025]如上所述，發(fā)明人在此確信該偶發(fā)不受限制等離子故障也可由帶來(lái)等離子密度浪涌的瞬時(shí)不穩(wěn)定故障所導(dǎo)致。進(jìn)一步地，不考慮在等離子密度內(nèi)瞬時(shí)不穩(wěn)定所產(chǎn)生的具體原因，確信可通過(guò)在相鄰等離子限制環(huán)之間合適的間隔而增強(qiáng)等離子限制。
[0026]大致而言，減小相鄰等離子限制環(huán)之間的間隔(在某些情形下，可能需要用額外的限制環(huán)對(duì)現(xiàn)有室進(jìn)行改裝)允許限制環(huán)組180在期望的等離子保持區(qū)域190內(nèi)限制等離子，即使是在等離子密度浪涌產(chǎn)生時(shí)。但不希望局限于理論，確信，例如，即使該瞬時(shí)等離子密度浪涌多達(dá)四倍地增加，但相鄰限制環(huán)間隔二分之一的減小，即可使該限制環(huán)組令人滿意地限制等離子。通過(guò)經(jīng)驗(yàn)地確定相鄰限制環(huán)之間的最優(yōu)間隔，偶發(fā)等離子不受限制故障的發(fā)生將會(huì)顯著地減少和/或消除。
[0027]在一個(gè)實(shí)施方式中，相鄰等離子限制環(huán)之間的間隔(由變量S表示)尺寸設(shè)計(jì)為: S<DL(ffC) 方程 1.[0028]在方程I中，DLac)表示等離子的最差情況德拜長(zhǎng)度(worst case Debyelength),即在最差情況等離子密度浪涌下等離子的德拜長(zhǎng)度。盡管給定的等離子可通過(guò)不同方式被量化，但德拜長(zhǎng)度是用于量化等離子的最熟知方法之一，并可用于計(jì)算任何等離子。關(guān)于德拜長(zhǎng)度的進(jìn)一步信息可在多種等離子參考文獻(xiàn)中找到，例如包括Introduction to Plasma Physics, Goldston&Rutherford(1997), Institute of PhysicsPublishing, Philadelphia, PA,其合并入此處作為參考。
[0029]通過(guò)經(jīng)驗(yàn)或理論地為給定的等離子處理室確定最差情況等離子密度(甚至通過(guò)專業(yè)有素的猜測(cè))，可獲取德拜長(zhǎng)度，然后將其用于方程中以確定相鄰等離子限制環(huán)之間理想的間隔。在一個(gè)實(shí)施方式中，相鄰限制環(huán)間隔的減小，應(yīng)當(dāng)與從期望等離子保持區(qū)域190內(nèi)滿意地排出副產(chǎn)品氣體的需要相平衡。過(guò)緊的間隔可能會(huì)不當(dāng)?shù)胤恋K副產(chǎn)品氣體的去除，從而負(fù)面地影響基板處理。如果，例如，室間隔192允許，則可引入具有相應(yīng)環(huán)內(nèi)間隙的附加的限制環(huán)，以導(dǎo)出副產(chǎn)品氣流。在一個(gè)實(shí)施方式中，最優(yōu)的相鄰限制環(huán)間隔表示這樣的距離，即該距離可顯著地減少或消除等離子不受限制故障的發(fā)生，同時(shí)未不當(dāng)?shù)赜绊憣?duì)從等離子處理室滿意地排出副產(chǎn)品氣體的要求?？捎纱讼鄳?yīng)地配置限制環(huán)的數(shù)量。
[0030]由以上描述可以理解，本發(fā)明的實(shí)施方式可有利地減少和/或防止等離子不受限制故障的發(fā)生。通過(guò)利用介電防護(hù)結(jié)構(gòu)遮蔽一個(gè)或多個(gè)部件的表面、間隙或角，該一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式可減少和/或防止不期望的帶電粒子進(jìn)入環(huán)繞該一個(gè)或多個(gè)部件的氣體空間內(nèi)。通過(guò)減小等離子限制環(huán)之間的間隔，該一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式可增強(qiáng)對(duì)等離子密度浪涌的等離子限制。其結(jié)果是，等離子處理可更穩(wěn)定和/或被更好地控制。
[0031]應(yīng)當(dāng)注意到，可在給定的等離子處理室內(nèi)采用上述技術(shù)(B卩，間隙覆蓋、角-遮蔽覆蓋、和相鄰限制環(huán)間隔減小)中一個(gè)、兩個(gè)或所有三個(gè)的任何組合。另外，盡管說(shuō)明了具體的室部件以利于討論，但應(yīng)當(dāng)理解這些技術(shù)可以被單獨(dú)或結(jié)合地調(diào)整，以沒(méi)有限制地遮蔽可能導(dǎo)致等離子不受限制故障發(fā)生的任何RF作用間隙或角或邊緣或突出部分。另外，應(yīng)當(dāng)注意，盡管本發(fā)明通過(guò)Exelan?平臺(tái)進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明的實(shí)施方式可適用于任何等離子處理室，包括電容耦合室、電感耦合室、微波室等。
[0032]盡管本發(fā)明已通過(guò)多個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但可具有落入本發(fā)明范圍內(nèi)的變形、置換、和等同方式。例如，盡管圖1討論了用于遮蔽間隙和角的介電蓋，但也可采用其它手段，例如介電涂層。還應(yīng)當(dāng)注意到，具有實(shí)施本發(fā)明方法和裝置的多種備選方式。因此意在將該說(shuō)明書解釋為包括落入本發(fā)明真正精神和范圍內(nèi)的所有該變形、置換、和等同方式。
【權(quán)利要求】
1.一種用于配置等離子處理室以防止在基板處理過(guò)程中等離子不受限制事件在被限制的等離子保持區(qū)域之外發(fā)生的方法，其中所述被限制的等離子保持區(qū)域由一組設(shè)置在室間隙內(nèi)的、圍繞電極的底部的限制環(huán)限定，所述方法包括: 為在所述處理過(guò)程中于所述等離子處理室內(nèi)產(chǎn)生的等離子確定最壞情況德拜長(zhǎng)度；以及 執(zhí)行調(diào)整任何一對(duì)相鄰限制環(huán)之間的間隔以及增加至少一個(gè)附加限制環(huán)中的至少一種，該執(zhí)行包括， 確保所述任何一對(duì)相鄰限制環(huán)之間的間隔小于為所述處理室內(nèi)產(chǎn)生的等離子確定的所述最壞情況德拜長(zhǎng)度，以基本上防止所述等離子不受限制事件發(fā)生，以及確保所述間隔提供用于將副產(chǎn)品氣體從所述等離子保持區(qū)域排出的路徑， 其中所述最壞情況德拜長(zhǎng)度根據(jù)經(jīng)驗(yàn)確定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述執(zhí)行表示所述調(diào)整所述間隔和所述增加所述至少一個(gè)附加限制環(huán)兩者。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述執(zhí)行表示所述調(diào)整所述間隔而非所述增加所述至少一個(gè)附加限制環(huán)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述執(zhí)行表示所述增加所述至少一個(gè)附加限制環(huán)而非所述調(diào)整所述間隔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括: 確定易于在所述被限制的·等離子保持區(qū)域之外引發(fā)等離子的條件，其中該條件沿射頻(RF)電流路徑存在；以及 利用介電防護(hù)結(jié)構(gòu)防護(hù)所述條件的至少部分不受環(huán)繞氣體空間影響。
6.一種用于配置等離子處理室以防止在基板處理過(guò)程中等離子不受限制事件在被限制的等離子保持區(qū)域之外發(fā)生的方法，其中所述被限制的等離子保持區(qū)域由一組設(shè)置在室間隙內(nèi)的、圍繞電極的底部的限制環(huán)限定，所述方法包括: 為在所述處理過(guò)程中于所述等離子處理室內(nèi)產(chǎn)生的等離子確定最壞情況德拜長(zhǎng)度；以及 執(zhí)行調(diào)整任何一對(duì)相鄰限制環(huán)之間的間隔以及增加至少一個(gè)附加限制環(huán)中的至少一種，該執(zhí)行包括， 確保所述任何一對(duì)相鄰限制環(huán)之間的間隔小于為所述處理室內(nèi)產(chǎn)生的等離子確定的所述最壞情況德拜長(zhǎng)度，以基本上防止所述等離子不受限制事件發(fā)生，以及確保所述間隔提供用于將副產(chǎn)品氣體從所述等離子保持區(qū)域排出的路徑； 確定相鄰室部件的配合表面之間的間隙，所述間隙沿射頻(RF)電流路徑存在；以及利用介電防護(hù)結(jié)構(gòu)防護(hù)所述間隙的至少部分不受所述等離子處理室內(nèi)的環(huán)繞氣體空間影響。
7.一種用于配置等離子處理室以防止在基板處理過(guò)程中等離子不受限制事件在被限制的等離子保持區(qū)域之外發(fā)生的方法，其中所述被限制的等離子保持區(qū)域由一組設(shè)置在室間隙內(nèi)的、圍繞電極的底部的限制環(huán)限定，所述方法包括: 為在所述處理過(guò)程中于所述等離子處理室內(nèi)產(chǎn)生的等離子確定最壞情況德拜長(zhǎng)度；以及執(zhí)行調(diào)整任何一對(duì)相鄰限制環(huán)之間的間隔以及增加至少一個(gè)附加限制環(huán)中的至少一種，該執(zhí)行包括， 確保所述任何一對(duì)相鄰限制環(huán)之間的間隔小于為所述處理室內(nèi)產(chǎn)生的等離子確定的所述最壞情況德拜長(zhǎng)度，以基本上防止所述等離子不受限制事件發(fā)生，以及確保所述間隔提供用于將副產(chǎn)品氣體從所述等離子保持區(qū)域排出的路徑； 確定沿著射頻(RF)電流路徑的具有尖銳部件結(jié)構(gòu)的室部件；以及利用介電防護(hù)結(jié)構(gòu)防護(hù)所述尖銳部件結(jié)構(gòu)的至少部分不受所述等離子處理室內(nèi)的環(huán)繞氣體空 間影響。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK103854946SQ201310595115
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2007年6月8日 優(yōu)先權(quán)日:2006年6月8日
【發(fā)明者】安德烈亞斯·菲舍爾, 拉金德爾·德辛德薩 申請(qǐng)人:朗姆研究公司