Pecvd處理裝置及在基板上進(jìn)行pecvd處理的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種PECVD處理裝置及在基板上進(jìn)行PECVD處理的方法，所述裝置包括：沉積盒以及設(shè)置在沉積盒內(nèi)的第一電極、第二電極；所述沉積盒內(nèi)部為處理腔，一進(jìn)口以及一出口分別設(shè)置在所述沉積盒的第一側(cè)壁以及第二側(cè)壁，一閥門設(shè)置在所述沉積盒的第三側(cè)壁上，所述出口設(shè)置在所述第二側(cè)壁一側(cè)與所述第三側(cè)壁相鄰；在處理腔內(nèi)部設(shè)置有第一電極，第一電極與RF電源連接，其一端與所述閥門的位置相對應(yīng)且與所述出口相鄰；還設(shè)置有一電極調(diào)節(jié)裝置，該電極調(diào)節(jié)裝置用于調(diào)節(jié)所述第一電極與所述第二電極之間的相對角度以使第一電極與第二電極之間的等離子體氣流均勻，消除因閥門和出口的設(shè)置使氣流偏移引起的厚度不均勻問題。
【專利說明】PECVD處理裝置及在基板上進(jìn)行PECVD處理的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示裝置制造領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種PECVD處理裝置及在基板上進(jìn)行PECVD處理的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)Process Chamber (化學(xué)氣相沉積法處理腔，以下簡稱PC)在進(jìn)行玻璃基板上TFT-LCD (薄膜晶體管顯示面板)的SiNx和ASi薄膜時(shí)，玻璃基板上沉積獲得的薄膜的不同區(qū)域厚度差異不能太大，否則TFT Device (薄膜晶體管器件)電性差異過大，會(huì)造成TFT-1XD顯示器不同區(qū)域的性能出現(xiàn)差異，如造成同一區(qū)域內(nèi)顏色具有差異的情況，從而造成顯示器的品質(zhì)下降，當(dāng)然，在沉積其它材料薄膜時(shí)，也存在膜厚不均的情況，也有可能會(huì)影響到顯示裝置的品質(zhì)。
[0003]如圖1所示為現(xiàn)有一種現(xiàn)有PECVD處理裝置，其Pump Port (泵出口 160)和Valve(閥門150)設(shè)置在同一側(cè)，這樣，造成了氣流偏向閥門150 —側(cè)，另外，閥門150前端的敞開區(qū)域151也會(huì)造成等離子氣體偏向閥門150 —側(cè)，由于以上原因，造成了玻璃基板180上靠近閥門150 —側(cè)的沉積材料的膜厚偏厚的現(xiàn)象。目前也有通過調(diào)整RF電源130在第一電極140的位置來改變電極板間的等離子體分布，以改變不同區(qū)域膜厚的均勻性(以下簡稱U%)，但該方式需要降溫而且需要把裝置的腔蓋(chamber lid)拆解，這樣費(fèi)時(shí)費(fèi)力，而且可能需要進(jìn)行反復(fù)調(diào)整才能成功，造成機(jī)臺的利用率低下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種效率高，均勻性好的PECVD處理裝置及在基板上進(jìn)行PECVD處理的方法。
[0005]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:一種PECVD處理裝置，包括:
[0006]沉積盒，設(shè)置有一處理腔，一進(jìn)口以及一出口分別設(shè)置在所述沉積盒的第一側(cè)壁以及第二側(cè)壁，一閥門設(shè)置在所述沉積盒的第三側(cè)壁上，所述出口設(shè)置在所述第二側(cè)壁一側(cè)與所述第三側(cè)壁相鄰；
[0007]第一電極，與電源連接，其一端與所述閥門的位置相對應(yīng)且與所述出口相鄰；
[0008]第二電極，與所述第一電極對置；
[0009]電極調(diào)節(jié)裝置，用于調(diào)節(jié)所述第一電極與所述第二電極之間的相對角度以使第一電極與第二電極之間的等離子體氣流均勻。
[0010]優(yōu)選的，所述電極調(diào)節(jié)裝置包括一直接支撐所述第二電極的支撐桿以及用于調(diào)節(jié)所述支撐桿角度的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。第二電極由于并未直接連接電源管道等結(jié)構(gòu)，因而對第二電極進(jìn)行調(diào)整可最大限度的簡化調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。
[0011]優(yōu)選的，所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包括一固定在所述支撐桿上的調(diào)節(jié)桿，所述調(diào)節(jié)桿的兩端分別設(shè)置有第一螺桿、第二螺桿以及用于鎖定所述第一螺桿、第二螺桿的螺母，所述第一螺桿、第二螺桿分別頂壓在所述沉積盒的壁面上；通過調(diào)節(jié)所述第一螺桿、第二螺桿可調(diào)節(jié)所述調(diào)節(jié)桿的角度進(jìn)而調(diào)整所述支撐桿的角度。通過第一及第二螺桿直接對支撐桿調(diào)整，這種結(jié)構(gòu)相對比較簡單，調(diào)節(jié)也比較方便，并且精度較高。
[0012]優(yōu)選的，所述電極調(diào)節(jié)裝置包括分別設(shè)置在所述第二電極兩端用于直接支撐的第一螺桿、第二螺桿以及用于鎖定所述第一螺桿、第二螺桿的螺母。這是另一種可行的實(shí)施例，通過雙螺桿直接支撐，并且可調(diào)節(jié)，精度比較高。
[0013]優(yōu)選的，所述電極調(diào)節(jié)裝置還設(shè)置有刻度。通過刻度實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)的量化，通過實(shí)施后可對不同膜厚進(jìn)行對應(yīng)的角度調(diào)節(jié)，從而不需要每次進(jìn)行調(diào)整。
[0014]一種在基板上進(jìn)行PECVD處理的方法，其中包括步驟:
[0015]S:調(diào)節(jié)沉積盒中第一電極與第二電極的相對角度，使第一電極與第二電極之間的等離子體氣流實(shí)現(xiàn)均勻。
[0016]優(yōu)選的，調(diào)節(jié)第一電極與第二電極的相對角度是通過對所述第二電極的角度進(jìn)行調(diào)整實(shí)現(xiàn)，所述第二電極上設(shè)置一電極調(diào)節(jié)裝置對所述第二電極的角度進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0017]優(yōu)選的，所述電極調(diào)節(jié)裝置包括一直接支撐所述第二電極的支撐桿以及用于調(diào)節(jié)所述支撐桿角度的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。
[0018]優(yōu)選的，其特征在于，所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包括一固定在所述支撐桿上的調(diào)節(jié)桿，所述調(diào)節(jié)桿的兩端分別設(shè)置有第一螺桿、第二螺桿以及用于鎖定所述第一螺桿、第二螺桿的螺母，所述第一螺桿、第二螺桿分別頂壓在所述沉積盒的壁面上；通過調(diào)節(jié)所述第一螺桿、第二螺桿可調(diào)節(jié)所述調(diào)節(jié)桿的角度進(jìn)而調(diào)整所述支撐桿的角度。
[0019]優(yōu)選的，所述電極調(diào)節(jié)裝置包括分別設(shè)置在所述第二電極兩端用于直接支撐的第一螺桿、第二螺桿以及用于鎖定所述第一螺桿、第二螺桿的螺母。
[0020]本發(fā)明由于在PECVD處理裝置上設(shè)置了電極調(diào)節(jié)裝置用以調(diào)節(jié)第一電極以及第二電極之間的相對角度，使得兩個(gè)電極之間的等離子體氣流在一定程度上趨于均勻化，從而使得沉積在玻璃基板上的薄膜厚度達(dá)到良好的均勻性，消除了因?yàn)殚y門以及出氣口的設(shè)置使氣流偏移引起的厚度不均勻問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是現(xiàn)有一種PECVD處理裝置的結(jié)構(gòu)簡圖，
[0022]圖2是本發(fā)明實(shí)施例一 PECVD處理裝置的結(jié)構(gòu)簡圖，
[0023]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一 PECVD處理裝置原理示意圖，
[0024]圖4是本發(fā)明實(shí)施例二 PECVD處理裝置的結(jié)構(gòu)簡圖。
[0025]其中:100、沉積盒，101、第一側(cè)壁，102、第二側(cè)壁，103、第三側(cè)壁，110、處理腔，120、進(jìn)口，130,RF電源，140、第一電極，150、閥門，151、敞開區(qū)域，160、出口，170、第二電極，180、玻璃基板，190、電極調(diào)節(jié)裝置，190a、調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，191、第一螺桿，192、第二螺桿，193、螺母，194、調(diào)節(jié)桿，195、支撐桿。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖和較佳的實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0027]實(shí)施例一
[0028]如圖2-3所示，提供了一種改進(jìn)的PECVD處理裝置，其包括:沉積盒100以及設(shè)置在沉積盒100內(nèi)的第一電極140、第二電極170。所述沉積盒100內(nèi)部為處理腔110，一進(jìn)口 120以及一出口 160分別設(shè)置在所述沉積盒100的第一側(cè)壁101以及第二側(cè)壁102，一閥門150設(shè)置在所述沉積盒100的第三側(cè)壁103上，所述出口 160設(shè)置在所述第二側(cè)壁102一側(cè)與所述第三側(cè)壁103相鄰，這樣以便于等離子氣體在處理腔110內(nèi)流動(dòng)順暢；在處理腔110內(nèi)部設(shè)置有第一電極140，第一電極140與RF電源130連接，其一端與所述閥門150的位置相對應(yīng)且與所述出口 160相鄰，閥門150的前端區(qū)域?yàn)槌ㄩ_設(shè)置的敞開區(qū)域151 ;在第一電極140的對立面設(shè)置有第二電極170，需要進(jìn)行材料沉積形成薄膜如需要形成SiNx和ASi薄膜時(shí)，可將玻璃基板180放置在第二電極170上，然后通入等離子氣體，進(jìn)行PECVD流程；第二電極170設(shè)置有一電極調(diào)節(jié)裝置190，該電極調(diào)節(jié)裝置用于調(diào)節(jié)所述第一電極140與所述第二電極170之間的相對角度以使第一電極140與第二電極170之間的等離子體氣流均勻，消除因閥門150和出口 160的設(shè)置使氣流偏移引起的厚度不均勻問題。如圖3所示，由于第二電極170的角度發(fā)生了變化，使得氣流產(chǎn)生了一定的偏移，這樣可對沉積膜層的厚度均勻性起到促進(jìn)的左右。
[0029]電極調(diào)節(jié)裝置190包括一直接支撐所述第二電極170的支撐桿195以及用于調(diào)節(jié)所述支撐桿195角度的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)190a。第二電極170由于并未直接連接電源管道等結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例將電極調(diào)節(jié)裝置190設(shè)置在第二電極上可最大限度的簡化調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)190a。當(dāng)然，也可以通過在第一電極140上設(shè)置調(diào)節(jié)裝置來實(shí)現(xiàn)對等離子氣流的控制。
[0030]本實(shí)施例中，所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)190a包括一固定在所述支撐桿195上的調(diào)節(jié)桿194，所述調(diào)節(jié)桿194的兩端分別設(shè)置有第一螺桿191、第二螺桿192以及用于鎖定所述第一螺桿191、第二螺桿192的螺母193，所述第一螺桿191、第二螺桿192分別頂壓在所述沉積盒100的壁面上；通過調(diào)節(jié)所述第一螺桿191、第二螺桿192可調(diào)節(jié)所述調(diào)節(jié)桿194的角度進(jìn)而調(diào)整所述支撐桿195的角度，而第二電極170也會(huì)發(fā)生角度變化。通過第一螺桿191及第二螺桿192直接對支撐桿195調(diào)整，這種結(jié)構(gòu)相對比較簡單，調(diào)節(jié)也比較方便，并且精度較高。
[0031]為了達(dá)到較高的精確度，也為了對不同膜厚要求的工藝進(jìn)行調(diào)整，可在電機(jī)調(diào)節(jié)裝置190上設(shè)置刻度，以實(shí)現(xiàn)量化調(diào)節(jié)，更加準(zhǔn)確方便。
[0032]實(shí)施例二
[0033]如圖4所示為本發(fā)明提供的另一種實(shí)施例，與實(shí)施例一不同在于，電極調(diào)節(jié)裝置190采用了不同的結(jié)構(gòu)形式，在本實(shí)施例中，電極調(diào)節(jié)裝置190包括分別設(shè)置在所述第二電極170兩端用于直接支撐的第一螺桿191、第二螺桿192以及用于鎖定所述第一螺桿191、第二螺桿192的螺母193。這種結(jié)構(gòu)通過雙螺桿直接支撐，并且可調(diào)節(jié)，精度比較高。
[0034]本發(fā)明同時(shí)提供一種在基板上進(jìn)行PECVD處理的方法，其中包括步驟S:調(diào)節(jié)沉積盒中第一電極與第二電極的相對角度，使第一電極與第二電極之間的等離子體氣流實(shí)現(xiàn)均勻。在該方法中，調(diào)節(jié)第一電極與第二電極的相對角度是通過對所述第二電極的角度進(jìn)行調(diào)整實(shí)現(xiàn)，所述第二電極上設(shè)置一電極調(diào)節(jié)裝置對所述第二電極的角度進(jìn)行調(diào)節(jié)。本方法的實(shí)現(xiàn)可通過上述實(shí)施例中所提供的裝置進(jìn)行。
[0035]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種PECVD處理裝置，其特征在于，包括: 沉積盒(100)，設(shè)置有一處理腔(110)，一進(jìn)口( 120)以及一出口( 160)分別設(shè)置在所述沉積盒(100)的第一側(cè)壁(101)以及第二側(cè)壁(102)，一閥門(150)設(shè)置在所述沉積盒(100)的第三側(cè)壁(103)上，所述出口( 160)設(shè)置在所述第二側(cè)壁(102) 一側(cè)與所述第三側(cè)壁(103)相鄰； 第一電極(140)，與電源(130)連接，其一端與所述閥門(150)的位置相對應(yīng)且與所述出口(160)相鄰； 第二電極(170),與所述第一電極(140)對置； 電極調(diào)節(jié)裝置(190)，用于調(diào)節(jié)所述第一電極(140)與所述第二電極(170)之間的相對角度以使第一電極(140)與第二電極(170)之間的等離子體氣流均勻。
2.如權(quán)利要求1所述的PECVD處理裝置，其特征在于，所述電極調(diào)節(jié)裝置(190)包括一直接支撐所述第二電極(170)的支撐桿(195)以及用于調(diào)節(jié)所述支撐桿(195)角度的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)(190a)。
3.如權(quán)利要求1所述的PECVD處理裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)(190a)包括一固定在所述支撐桿(195)上的調(diào)節(jié)桿(194)，所述調(diào)節(jié)桿(194)的兩端分別設(shè)置有第一螺桿(191)、第二螺桿(192)以及用于鎖定所述第一螺桿(191)、第二螺桿(192)的螺母(193)，所述第一螺桿(191)、第二螺桿(192)分別頂壓在所述沉積盒(100)的壁面上；通過調(diào)節(jié)所述第一螺桿(191)、第二螺桿(192)可調(diào)節(jié)所述調(diào)節(jié)桿(194)的角度進(jìn)而調(diào)整所述支撐桿(195)的角度。
4.如權(quán)利要求1所述的PECVD處理裝置，其特征在于，所述電極調(diào)節(jié)裝置(190)包括分別設(shè)置在所述第二電極(170)兩端用于直接支撐的第一螺桿(191)、第二螺桿(192)以及用于鎖定所述第一螺桿(191 )、第二螺桿(192)的螺母(193)。
5.如權(quán)利要求3或4任一所述的PECVD處理裝置，其特征在于，所述電極調(diào)節(jié)裝置還設(shè)置有刻度。
6.一種在基板上進(jìn)行PECVD處理的方法，其中包括步驟: S:調(diào)節(jié)沉積盒(100)中第一電極(140)與第二電極(170)的相對角度，使第一電極(140)與第二電極(170)之間的等離子體氣流實(shí)現(xiàn)均勻。
7.如權(quán)利要求6所述的在基板上進(jìn)行PECVD處理的方法，其特征在于，調(diào)節(jié)第一電極(140)與第二電極(170)的相對角度是通過對所述第二電極(170)的角度進(jìn)行調(diào)整實(shí)現(xiàn)，所述第二電極(170)上設(shè)置一電極調(diào)節(jié)裝置(190)對所述第二電極(170)的角度進(jìn)行調(diào)節(jié)。
8.如權(quán)利要求7所述的在基板上進(jìn)行PECVD處理的方法，其特征在于，所述電極調(diào)節(jié)裝置(190)包括一直接支撐所述第二電極(170)的支撐桿(195)以及用于調(diào)節(jié)所述支撐桿(195)角度的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)(190a)。
9.如權(quán)利要求8所述的在基板上進(jìn)行PECVD處理的方法，其特征在于，所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)(190a)包括一固定在所述支撐桿(195)上的調(diào)節(jié)桿(194)，所述調(diào)節(jié)桿(194)的兩端分別設(shè)置有第一螺桿(191 )、第二螺桿(192)以及用于鎖定所述第一螺桿(191 )、第二螺桿(192)的螺母(193)，所述第一螺桿(191)、第二螺桿(192)分別頂壓在所述沉積盒(100)的壁面上；通過調(diào)節(jié)所述第一螺桿(191)、第二螺桿(192)可調(diào)節(jié)所述調(diào)節(jié)桿(194)的角度進(jìn)而調(diào)整所述支撐桿(195)的角度。
10.如權(quán)利要求7所述的在基板上進(jìn)行PECVD處理的方法，其特征在于，所述電極調(diào)節(jié)裝置(190)包括分別 設(shè)置在所述第二電極(170)兩端用于直接支撐的第一螺桿(191 )、第二螺桿(192)以及用于鎖定所述第一螺桿(191)、第二螺桿(192)的螺母(193)。
【文檔編號】H01J37/32GK103745902SQ201310688131
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2013年12月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月16日
【發(fā)明者】劉鳳舉 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司