用于晶圓的icp刻蝕裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種用于晶圓的ICP刻蝕裝置，包括腔體、下電極和托盤，所述的腔體側(cè)壁上開設支撐槽，所述的下電極一端設置于支撐槽內(nèi)部，所述的下電極上部設有一圓形托盤，下電極沿托盤周緣設有限位凸塊，所述的圓形托盤表面環(huán)形排列若干用于放置晶圓的容置槽，容置槽深0.6～1mm，本實用新型在用于晶圓刻蝕時具有更好的效果，并且使用壽命更長，即使在生產(chǎn)過程中由于刻蝕而造成容置槽變淺，也可以通過機床銑至原來的深度。
【專利說明】用于晶圓的ICP刻蝕裝置
[【技術(shù)領域】]
[0001]本實用新型涉及一種晶圓刻蝕裝置，具體涉及一種用于晶圓的ICP刻蝕裝置。
[【背景技術(shù)】]
[0002]晶圓(wafer)是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能的集成電
收女口
蹄廣口口。
[0003]晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護層，因此在制作前必須進行化學刻蝕和表面清洗。其中刻蝕一般采用ICP (Inductively Coupled Plasma)刻蝕，即反應耦合等離子體刻蝕，是一種非常重要的半導體干法刻蝕技術(shù)。當氣體以等離子體形式存在時，它具備兩個特點:一方面等離子體中的這些氣體化學活性比常態(tài)下時要強很多，根據(jù)被刻蝕材料的不同，選擇合適的氣體，就可以更快地與材料進行反應，實現(xiàn)刻蝕去除的目的；另一方面，還可以利用電場對等離子體進行引導和加速，使其具備一定能量，當其轟擊被刻蝕物的表面時，會將被刻蝕物材料的原子擊出，從而達到利用物理上的能量轉(zhuǎn)移來實現(xiàn)刻蝕的目的。因此，干法刻蝕是晶圓片表面物理和化學兩種過程平衡的結(jié)果。
[
【發(fā)明內(nèi)容】
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[0004]為了使ICP更好的用于晶圓的刻蝕，并且為了能夠增加刻蝕設備的壽命，提供一種用于晶圓的ICP刻蝕裝置，其結(jié)構(gòu)如下:
[0005]包括腔體、下電極和托盤，其特征在于所述的腔體側(cè)壁上開設支撐槽，所述的下電極一端設置于支撐槽內(nèi)部，所述的下電極上部設有一圓形托盤，下電極沿托盤周緣設有限位凸塊，所述的圓形托盤表面環(huán)形排列若干用于放置晶圓的容置槽，容置槽深0.6?1_。
[0006]上述ICP刻蝕裝置還具有如下優(yōu)化結(jié)構(gòu):
[0007]所述的限位凸塊優(yōu)選為與所述下電極螺紋連接的螺絲。
[0008]所述的托盤優(yōu)選為碳化硅托盤。
[0009]本實用新型在用于晶圓刻蝕時具有更好的效果，并且使用壽命更長，即使在生產(chǎn)過程中由于刻蝕而造成容置槽變淺，也可以通過機床銑至原來的深度。
[【專利附圖】

【附圖說明】]
[0010]圖1位本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖中1.腔體2.支撐槽3.托盤4.容置槽5.限位凸塊6.下電極。
[【具體實施方式】]
[0012]下面通過具體實施例對本實用新型做進一步說明，下述實施例僅僅是為清楚地說明本實用新型所作的舉例，而并非是對本實用新型的實施方式的限定，對于所屬領域的普通技術(shù)人員來說，在本實用新型內(nèi)容說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動，這里無需對所有的實施方式予以例舉。
[0013]實施例1
[0014]本實施例的ICP刻蝕裝置包括腔體、下電極和碳化硅托盤，其特征在于所述的腔體側(cè)壁上開設支撐槽，所述的下電極一端設置于支撐槽內(nèi)部，所述的下電極上部設有一圓形托盤，下電極沿托盤周緣設有限位凸塊，限位凸塊為與所述下電極螺紋連接的螺絲，所述的圓形托盤表面環(huán)形排列若干用于放置晶圓的容置槽，容置槽深0.6?1_。
【權(quán)利要求】
1.一種用于晶圓的ICP刻蝕裝置，包括腔體、下電極和托盤，其特征在于所述的腔體側(cè)壁上開設支撐槽，所述的下電極一端設置于支撐槽內(nèi)部，所述的下電極上部設有一圓形托盤，下電極沿托盤周緣設有限位凸塊，所述的圓形托盤表面環(huán)形排列若干用于放置晶圓的容置槽，容置槽深0.6?1_。
2.如權(quán)利要求1所述的ICP刻蝕裝置，其特征在于所述的限位凸塊為與所述下電極螺紋連接的螺絲。
3.如權(quán)利要求1所述的ICP刻蝕裝置，其特征在于所述的托盤為碳化硅托盤。
【文檔編號】H01J37/04GK203503601SQ201320614157
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】林宇杰, 董慶安, 楊輝, 吳偉 申請人:上海博恩世通光電股份有限公司