專利名稱：磁控管的葉片和耦合環(huán)組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁控管的葉片和耦合環(huán)組件，該磁控管用于微波爐，以便在爐中產(chǎn)生電磁波來烹調(diào)食物。
一般的磁控管如

圖1所示，它是一種二極管，包括燈絲1(稱之為陰極)和陽極圓筒2(稱之為陽極結(jié)構(gòu));所述燈絲1可被直接加熱并沿二極管的軸向設(shè)置于其中央部位;陽極圓筒2設(shè)置在二極管的內(nèi)圓周上并帶有徑向延伸的一組葉片10，這些葉片環(huán)繞著陰極徑向向外間隔設(shè)置。
此外，磁控管還包括一個磁路，此磁路包括磁軛3，磁鐵4和磁極5，所述磁路將磁通量加在燈絲1和陽極圓筒2之間形成的有效空間內(nèi)。磁控管輸出部分包括天線引入線6，天線密封件7，天線陶瓷件8以及天線罩9，用來將傳遞到陽極圓筒的微波能量發(fā)射到磁控管的外部。輻射部分包括一組輻射翅11，它們設(shè)置在陽極圓筒的外圓周和磁軛的內(nèi)圓周之間，以便輻射高溫熱，所述高溫熱產(chǎn)生于熱離子與陽極圓筒的葉片10之間的碰撞;輻射部分還包括一個濾波電路，用來防止產(chǎn)生于有效空間的無用高頻分量回流到動力源。
按照磁控管的這種結(jié)構(gòu)，當燈絲1通電后，由燈絲發(fā)射的熱離子作擺線運動，因為它們受到在葉片10和燈絲1之間激發(fā)的電場和由磁路中的磁極5加在燈絲1和陽極圓筒2之間的空間內(nèi)的磁通量的力的作用。這些被加速的熱離子便產(chǎn)生微波能，微波能被傳遞到葉片10。然后傳遞到葉片的微波能通過輸出部分的天線引入線6發(fā)射到磁控管的外部以加熱置放在微波爐內(nèi)的食物。
在現(xiàn)有技術(shù)的磁控管中，設(shè)置在陽極圓筒2的內(nèi)圓周的徑向延伸葉片10通過上、下耦合環(huán)20，21相互連接，上、下耦合環(huán)20，21具有矩形橫截面，分別與葉片上、下側(cè)形成的矩形凹口10a和10b相結(jié)合，如圖2所示。
更具體地說，將上、下耦合環(huán)20，21與葉片10連接的工藝過程包括在銅板上沖壓出具有矩形橫截面的耦合環(huán)，然后進行表面鍍銀;在每個葉片10的上、下側(cè)作出矩形凹口10a和10b;通過組裝葉片的夾具將葉片和上、下耦合環(huán)放置在陽極圓筒2內(nèi)它們的組裝位置上;在葉片和陽極圓筒之間的連接區(qū)域內(nèi)放置釬焊材料;將裝配好的組件放置在加熱爐中在大約800～900℃下進行加熱而使釬焊材料熔化，從而在陽極圓筒和葉片之間以及葉片和上、下耦合環(huán)之間的連接區(qū)域內(nèi)進行焊接而形成一整體。
在現(xiàn)有技術(shù)中，由于葉片凹口和耦合環(huán)的橫截面是矩形的，這就要求凹口和耦合環(huán)精確地加工，從而保證凹口和耦合環(huán)之間相互精確地接合。加工上稍有誤差都會在組裝時產(chǎn)生問題。例如，如果由于加工誤差使凹口和耦合環(huán)之間的間隙加大，就會導致不良或有缺陷的釬焊連接。特別是陽極圓筒2的內(nèi)徑和葉片10的鄰近端之間的接觸面，上耦合環(huán)20的外徑φ2和葉片的上凹口10a的垂直面之間的接觸面，以及下耦合環(huán)21的內(nèi)徑φ1和葉片下凹口10b的垂直面之間的接觸面，如果這些接觸面超出公差范圍而使它們之間間隙增大，就會導致組件不良或有缺陷的釬焊。為了防止這樣的釬焊缺陷，公差范圍就要求在 5/100 ～ 8/100 毫米范圍以內(nèi)，這就要求昂貴精確的模具和精確的加工操作，從而導致制造成本的增高。
為了防止上述的釬焊缺陷，陽極圓筒2，葉片10和上、下耦合環(huán)20，21的接合部分在加工時要求達到壓入配合的尺寸精度，在組裝時還要仔細安排，因此，這是一種復雜、冗長的工作，導致生產(chǎn)率的降低。
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點，按照本發(fā)明所制成的磁控管的葉片和耦合環(huán)組件，即使在所述部件之間的接觸面上產(chǎn)生加工誤差，也不會產(chǎn)生釬焊缺陷。
為了完成上述目的，本發(fā)明的一個實施例提供了磁控管葉片和耦合環(huán)組件，該組件包括徑向設(shè)置在陽極圓筒內(nèi)圓周上的一組葉片，每一葉片在其上、下側(cè)分別有帶一斜面的凹口;上、下耦合環(huán)，分別與上、下凹口接合，每一耦合環(huán)在其一側(cè)面有一斜面，這樣，每一耦合環(huán)具有梯形的截面;耦合環(huán)和凹口的斜面在部件之間提供了較長的接觸面，這樣就防止了在部件之間不良的釬焊。
附圖簡要說明如下
圖1為常規(guī)磁控管的橫截面圖;
圖2為磁控管的陽極結(jié)構(gòu)的橫截面圖，示出了現(xiàn)有技術(shù)中上、下耦合環(huán)與葉片的連接方式;
圖3與圖2相似，但示出了按照本發(fā)明上、下耦合環(huán)與葉片的連接方式。
下面結(jié)合圖3中所示實施例對本發(fā)明予以詳細說明。圖3中顯示出按照本發(fā)明上、下耦合環(huán)與葉片的連接方式。
在本發(fā)明中，上述的部件是磁控管的一部分，它們的工作性質(zhì)與現(xiàn)有技術(shù)中相應(yīng)部件是一樣的。但是上、下耦合環(huán)的外形以及與耦合環(huán)相互接合的葉片的上、下凹口的外形與現(xiàn)有技術(shù)中的不一樣。在圖3中，與現(xiàn)有技術(shù)中相同的部件使用與圖1、圖2中相同的參考標號，對部件的作用也不再重復說明了。
按照本發(fā)明，在上耦合環(huán)20的外徑部分設(shè)置一個斜面20a，在下耦合環(huán)21的內(nèi)徑部分設(shè)置一個斜面21a，從而使上、下耦合環(huán)20，21具有梯形的截面。此外，葉片10上用以裝上耦合環(huán)20，21的凹口10a和10b分別加工有斜面30a和30b，它們與耦合環(huán)上的斜面20a和21a之間存在著互補關(guān)系。上、下耦合環(huán)的斜面20a和21a以及凹口的斜面30a和30b的傾斜角度最好約為45°～70°。
按照這樣的結(jié)構(gòu)，當在部件之間進行釬焊時，由于上、下耦合環(huán)和葉片凹口都具有一斜面，即使在部件加工上出現(xiàn)誤差，這些誤差也可被所述的斜面所補償，使所述部件彼此之間相互保持緊密接觸，這樣就防止了不良釬焊的產(chǎn)生。
由于加工誤差很容易由斜面得到補償，因此，總能使部件相互之間保持緊密接觸。這樣就不必要采用昂貴精密的加工工藝，也能保證上、下耦合環(huán)與葉片的精確接合，消除了不良釬焊的產(chǎn)生，降低了成本，提高了生產(chǎn)率。
以上結(jié)合最佳實施例對本發(fā)明作了敘述，應(yīng)當指出，在不背離權(quán)利要求中所限定的本發(fā)明的構(gòu)思和范圍下，可以在具體細節(jié)上進行修改和改變。
權(quán)利要求
1.磁控管葉片和耦合環(huán)組件，包括沿陽極圓筒內(nèi)圓周徑向設(shè)置的一組葉片，每一葉片在其上、下側(cè)帶有凹口，每一凹口有一斜面；與所述上、下凹口接合的上、下耦合環(huán)，每一耦合環(huán)在其一側(cè)面有一斜面，所述斜面與所述上、下凹口的所述斜面之間成互補關(guān)系。
2.如權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述耦合環(huán)和所述凹口的所述斜面的傾斜角度在45°～70°范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于微波爐或類似產(chǎn)品的磁控管的葉片和耦合環(huán)的組件，該組件包括沿陽極圓筒的內(nèi)圓周徑向設(shè)置的一組葉片，每一葉片的上、下側(cè)設(shè)有凹口，每一凹口有一斜面；與葉片的上、下凹口相互接合的上、下耦合環(huán)，每一耦合環(huán)在其一側(cè)面帶有斜面，從而使耦合環(huán)具有梯形橫截面。當在耦合環(huán)和葉片之間進行釬焊時，斜面會補償由于加工帶來的誤差，從而防止部件不良的釬焊，部件的尺寸控制也比較容易，使得制造成本下降，生產(chǎn)率提高。
文檔編號H01J23/02GK1073802SQ9211285
公開日1993年6月30日 申請日期1992年11月7日 優(yōu)先權(quán)日1991年11月9日
發(fā)明者樸哲洙 申請人:株式會社金星社