專利名稱：高壓靜噪濾波器及采用該濾波器的磁控管裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于微波器件的高壓靜噪濾波器及配用這種高壓靜噪濾波器的磁控管裝置。


圖10是一個(gè)底面圖，它表示配用一個(gè)傳統(tǒng)高壓靜噪濾波器1的一個(gè)磁控管的有關(guān)部分。圖中，心柱端頭5a和5b分別與部分繞成線圈的導(dǎo)線2a和2b連接，以防止基波噪聲和高次諧波噪聲從磁控管的各個(gè)心柱端頭5a和5b泄漏。除了與各個(gè)心柱端頭5a和5b相連的端部30a和30b之外，導(dǎo)線2a和2b沿其整個(gè)長度方向涂有一絕緣材料。在作為扼流圈4a和4b的線圈部分，導(dǎo)線2a和2b涂有絕緣層1a和1b。在各個(gè)導(dǎo)線2a和2b的另一線圈部分3a和3b，在前述絕緣層1a和1b上形成由斜陰影線表示的導(dǎo)電層34a和34b。在線圈部分3a和3b的端部31a和31b，導(dǎo)線2a和2b僅有絕緣層1a和1b，其端部連接到各個(gè)緊固接頭(端頭)7a和7b，后者連接到一個(gè)微波源6。線圈部分3a和3b分別收容于筒狀導(dǎo)體8a和8b。導(dǎo)電層34a和34b與各個(gè)筒狀導(dǎo)體8a和8b的內(nèi)壁電接觸，線圈部分3a和3b機(jī)械地固定于各個(gè)筒狀導(dǎo)體8a和8b。圖10為了示出線圈部分3a和3b，僅表示該筒狀導(dǎo)體8a和8b的截面。筒狀導(dǎo)體8a和8b收容于樹脂殼體16a和16b。在樹脂殼體16a和16b內(nèi)，用絕緣樹脂材料11充填收容線圈部分3a和3b的筒狀導(dǎo)體8a和8b、端部31a和31b以及緊固接頭7a和7b與端部31a和31b之間的接頭。筒狀導(dǎo)體8a和8b通過接地板9與濾波器殼體10電連接。
此種結(jié)構(gòu)的高壓靜噪濾波器中，在導(dǎo)線2a和2b的外表面上形成的絕緣層1a和1b對高壓靜噪濾波器的耐壓性能具有重要的影響。尤其是，線圈部分3a和3b的端頭區(qū)域1E和1F有時(shí)候在導(dǎo)電層34a和34b的端部附近，可能承受異常增加的電場強(qiáng)度，該增加的電場強(qiáng)度趨于使靠近導(dǎo)電層端部的絕緣被破壞。防止絕緣被破壞，需要提高導(dǎo)電材料2a和2b之絕緣層1a和1b的耐壓性能。不幸的是，耐壓性能的提高又要求絕緣層1a和1b有很厚的厚度。而絕緣層1a和1b厚度的增加將導(dǎo)致線圈部分3a和3b尺寸的增大。結(jié)果不僅導(dǎo)致高壓靜噪濾波器的尺寸增大，而且還減低了線圈部分3a和3b的外表面與導(dǎo)線2a和2b之間的電容量。由此，使靜噪濾波器的性能遭到嚴(yán)重劣化。
鑒于上述，本發(fā)明旨在不增加絕緣層1a和1b的厚度而減小前述導(dǎo)電層端部附近電場的密度，由此改善高壓靜噪濾波器的耐壓性能。本發(fā)明是經(jīng)過實(shí)驗(yàn)研究以及在許多實(shí)驗(yàn)例子基礎(chǔ)上進(jìn)行研制而作出的。
根據(jù)本發(fā)明的一種高壓靜噪濾波器，它包括用以產(chǎn)生電感分量的線圈狀導(dǎo)線，用以產(chǎn)生在導(dǎo)線表面上所形成之電容分量的絕緣層，以及通過噴鍍或沉積金屬材料在至少一部分絕緣層上所形成的導(dǎo)電層。電容分量通過導(dǎo)線、絕緣層和導(dǎo)電層產(chǎn)生。
高壓靜噪濾波器進(jìn)一步包括高耐壓層，它包括半導(dǎo)體層或絕緣體層，高耐壓層至少在介于絕緣層的外表面與導(dǎo)電層之間的導(dǎo)電層端部附近形成。
由此將減小導(dǎo)電層端部附近的電場密度。結(jié)果，絕緣層的耐壓性能得到了改善，其可靠性加強(qiáng)。此外，絕緣層的厚度減小，由此而提供一種成本低、體積小的的高壓靜噪濾波器。
根據(jù)本發(fā)明的高壓靜噪濾波器的另一方面，包括導(dǎo)電層的線圈狀導(dǎo)線被收容于筒狀導(dǎo)體內(nèi)。
由于線圈狀導(dǎo)線收容于筒狀導(dǎo)體內(nèi)，在絕緣層外表面上形成的導(dǎo)電層與筒狀導(dǎo)體的內(nèi)壁接觸，由此形成了多個(gè)接觸部分。結(jié)果，導(dǎo)電層與接地板在電連接到接地板的整個(gè)筒狀導(dǎo)體，以低阻抗相互連接，該導(dǎo)電層的電位較低，導(dǎo)電層端部附近的電場密度進(jìn)一步減小。因此，線圈狀導(dǎo)線的絕緣層的耐壓性能得到顯著改善，形成更高的可靠性。在根據(jù)本發(fā)明的高壓靜噪濾波器的另一方面，所述半導(dǎo)體層包括一種電阻率為10-4至106Ωm范圍的材料。
通過將電阻率為10-4至106Ωm范圍的半導(dǎo)體層作為高耐壓層，可以減小導(dǎo)電層端部附近的電場強(qiáng)度。
根據(jù)本發(fā)明的高壓靜噪濾波器的另一方面，前述絕緣體包括聚酰亞胺樹脂材料。
通過形成聚酰亞胺樹脂材料的高耐壓層，減小導(dǎo)電層端部附近的電場強(qiáng)度。
根據(jù)本發(fā)明的高壓靜噪濾波器的另一方面，前述絕緣體包括硅樹脂材料。
通過形成硅樹脂材料的高耐壓層，減小導(dǎo)電層端部附近的電場強(qiáng)度。
根據(jù)本發(fā)明的磁控管裝置，它配用一種高壓靜噪濾波器，包括產(chǎn)生電感分量的線圈狀導(dǎo)線，在導(dǎo)線表面上形成電容分量的絕緣層，部分形成于絕緣層上的導(dǎo)電層，以及一個(gè)高耐壓層，后者包括至少在介于絕緣層的外表面與導(dǎo)電層之間的導(dǎo)電層端部附近所形成的半導(dǎo)體層或絕緣體層。
由于配用了耐壓性能得到改善的高壓靜噪濾波器，本發(fā)明的磁控管裝置的可靠性得以改善，該靜噪濾波器的特點(diǎn)在于，在介于絕緣層外表面與導(dǎo)電層之間的線圈狀導(dǎo)線的導(dǎo)電層端部附近，形成高耐壓層。
根據(jù)本發(fā)明的磁控管裝置的另一方面，該磁控管裝置配用了一種高壓靜噪濾波器，其中，具有絕緣層和導(dǎo)電層的線圈狀導(dǎo)線被收容于筒狀導(dǎo)體內(nèi)。
通過將線圈狀導(dǎo)線收容于筒狀導(dǎo)體內(nèi)，高壓靜噪濾波器的耐壓性能可以得到顯著的改善，配用此種高壓靜噪濾波器的磁控管裝置，其可靠性得到顯著改善。
圖1是一個(gè)頂平面圖，表示根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的一個(gè)高壓靜噪濾波器的有關(guān)部分；圖2A是一個(gè)頂平面圖，表示本發(fā)明的高壓靜噪濾波器的線圈部分；圖2B是沿圖2Ab-b線的截面圖；圖2C是沿圖2Ac-c線的截面圖；圖3A是一個(gè)截面圖，表示本發(fā)明的高壓靜噪濾波器的導(dǎo)線材料；圖3B是一個(gè)截面圖，表示傳統(tǒng)高壓靜噪濾波器的導(dǎo)線材料；圖4是一個(gè)曲線圖，表示圖3A和3b所示各個(gè)導(dǎo)線材料外表面的場強(qiáng)分布；圖5是一個(gè)曲線圖，表示本發(fā)明的高壓靜噪濾波器和傳統(tǒng)高壓靜噪濾波器的電場強(qiáng)度性能；圖6是一個(gè)頂平面圖，表示根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的一個(gè)高壓靜噪濾波器的有關(guān)部分；圖7是沿圖6VII-VII線的截面圖；圖8是一個(gè)曲線圖，表示本發(fā)明的高壓靜噪濾波器的電阻與耐壓之間的關(guān)系；圖9是一個(gè)前視截面圖，表示根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施例的磁控管裝置，該裝置配用了本發(fā)明的高壓靜噪濾波器；圖10是一個(gè)截面圖，表示配用傳統(tǒng)高壓靜噪濾波器的磁控管裝置的有關(guān)部分。
以下將參照圖1至圖9詳細(xì)描述本發(fā)明的較佳實(shí)施例。
第一實(shí)施例圖1是一個(gè)頂平面圖，表示根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的一個(gè)高壓靜噪濾波器。圖中，用以產(chǎn)生一個(gè)阻抗之電感分量的導(dǎo)線2a和2b，由直徑為1至2毫米的銅線或鋁線制成。導(dǎo)線2a和2b具有粗陰影線所示部分剝除了絕緣體護(hù)套的裸導(dǎo)線，它與未圖示的磁控管的心柱端頭連接。導(dǎo)線2a和2b涂上由熱阻樹脂材料，例如氟樹脂組成的厚度為30至500微米，較佳地為300微米左右的絕緣層。其它材料，諸如聚酰亞胺樹脂、硅樹脂或類似的材料也可同樣采用，由此構(gòu)成護(hù)套線29a和29b。扼流圈4a和4b由繞成外徑為10至20毫米線圈、長度為15至25毫米的護(hù)套線29a和29b制成。扼流圈4a和4b分別在其中空部分收容如鐵氧體制成的鐵心4C和4b。線圈部分3a和3b由從扼流圈4a和4b端部4E和4F延伸的護(hù)套線組成，其外徑比扼流圈4a和4b的大。在線圈部分3a和3b，護(hù)套線29a和29b具有進(jìn)一步在熱阻護(hù)套上形成的導(dǎo)電層34a和34b，該熱阻材料類似于上述樹脂，諸如氟樹脂。通過噴鍍或沉積包括鋅、焊接料、銅、銀板之類至少一類金屬材料，形成導(dǎo)電層34a和34b。圖1所示交叉陰影線表示其上形成導(dǎo)電層34a和34b的護(hù)套線29a和29b部分。通過前述的導(dǎo)線2a和2b、護(hù)套33a和33b以及導(dǎo)電層34a和34b形成電容器。
圖2A是圖1所示線圈部分3b的側(cè)視圖。除了線圈部分3a按與線圈部分3b相反的方向(按對稱形式)繞制外，線圈部分3a具有與線圈部分3b相同的形狀和尺寸。因此，對圖2A至2C所示線圈部分3b的描述同樣適用于線圈部分3a。因此，圖2A至2C所示線圈部分3a之組件的標(biāo)號旁附有線圈部分3b相同之組件的標(biāo)號。
圖2B是沿圖2Ab-b線的邊界區(qū)域12a和12b的端部1C和1D的截面圖，該端部與護(hù)套線29a和29b連續(xù)。如圖2B所示，端部1C和1D具有雙層結(jié)構(gòu)，其中，導(dǎo)線2a和2b的外表面外套絕緣層的護(hù)套33a和33b。絕緣層較佳地用氟樹脂，但其它材料諸如聚酰亞胺樹脂、硅樹脂或類似的材料也同樣可用。護(hù)套33a和33b的外表面分別包覆高耐壓層35a和35b。
圖2C是沿圖2Ac-c線的端部區(qū)域1E和1F的截面圖。圖2中，端部區(qū)域1E和1F具有三重結(jié)構(gòu)，其中，圍繞導(dǎo)線2a和2b的護(hù)套33a和33b的預(yù)定部分(即除了端部之外的部分)的外表面包覆高耐壓層35a和35b，高耐壓層的外表面的預(yù)定部分(即除了端部之外)分別包覆導(dǎo)電層34a和34b。
跨過邊界部分12a和12b，包括由交叉陰影線所示的端部1C和1D，以及圖1所示線圈部分3a和3b的端部區(qū)域1E和1F，高耐壓層35a和35b在護(hù)套線29a和29b的護(hù)套33a和33b上形成，如圖2A、2b和2C所示。
高耐壓層35a和35b由諸如聚酰亞胺、硅或類似樹脂材料制成的半導(dǎo)體層或絕緣層組成。半導(dǎo)體層具有中等量值的電阻率，介于絕緣材料與導(dǎo)電材料之間，較佳地電阻率為10-4至106Ωm。較佳的半導(dǎo)體層材料的例子包括黃鐵礦、鍺、氧化銅、硒和類似的材料。
將此種材料粉化并與絕緣材料混合，形成一種薄膜或套管。所形成的薄膜或套管纏繞或套在護(hù)套線29a和29b的護(hù)套33a和33b的外表面上，由此形成半導(dǎo)體層作為高耐壓層35a和35b。在將聚酰亞胺樹脂材料用作絕緣材料作為高耐壓層35a和35b的情況下，實(shí)際上是將聚酰亞胺薄膜繞在護(hù)套線的護(hù)套上。另外，在采用硅樹脂材料的情況下，實(shí)際上是將硅樹脂套管套在護(hù)套上，或?qū)⒐韬康阶o(hù)套線的護(hù)套上。
在鄰近線圈部分3a和3b的端接部1C和1D的端接區(qū)域1E和1F，通過噴鍍前述較軟的金屬材料諸如鋅，而在高耐壓層35a和35b上形成導(dǎo)電層34a和34b。同樣，也可以采用其它材料諸如焊料或類似的材料。這樣，端接區(qū)域就形成如此的結(jié)構(gòu)，其中，護(hù)套線29a和29b的護(hù)套33a和33b包覆高耐壓層35a和35b，并進(jìn)一步包覆導(dǎo)電層34a和34b諸如鋅或焊料。在從線圈部分3a和3b延伸到緊固接頭7a和7b的邊界區(qū)域32a和32b上也分別形成高耐壓層35a和35b。同端接區(qū)域1E和1F相同，線圈部分3a和3b另一端的端接區(qū)域3C和3D也分別具有護(hù)套33a和33b、高耐壓層35a和35b以及導(dǎo)電層34a和34b。
圖1中，位于線圈部分3a和3b各個(gè)端接部3C和3D的導(dǎo)電層34a和34b，通過導(dǎo)體14諸如焊料連接到接地板9。線圈部分3a和3b收容于圖1以截面形式所示的樹脂殼體16a內(nèi)。線圈部分3a和3b的邊界區(qū)域32a和32b收容于圖1以截面形式所示的樹脂殼體16b內(nèi)。線圈部分3a和3b的端子12E和12F連接到經(jīng)樹脂殼體16b延伸突出殼體16b外的各個(gè)緊固接頭7a和7b。樹脂殼體16a和16b的內(nèi)部充填絕緣樹脂材料11，諸如環(huán)氧樹脂。因此，從端接部1C和1D至端子12E和12F與緊固接頭7a和7b之間的連接點(diǎn)部分都與絕緣樹脂11封密。
根據(jù)本發(fā)明，由于端接區(qū)域1E、1F、3C和3D均為最有可能產(chǎn)生電場密度，由此最易受到絕緣擊穿，故使線圈部分3a和3b的端接區(qū)域1E和1F以及3C和3D形成上述的三層結(jié)構(gòu)。
圖4表示根據(jù)本發(fā)明的圖3A所示的線材40與采用雙層結(jié)構(gòu)的圖3B所示的傳統(tǒng)線材41之間的比較結(jié)果。線材以直線延伸。線材40用于本發(fā)明，其中，線圈部分3a和3b的端接區(qū)域1E采用三層結(jié)構(gòu)。圖3A所示的線材40中，在直徑為1.4毫米的銅導(dǎo)電材料2a的外表面上形成0.3毫米厚的氟樹脂護(hù)套33a。沿導(dǎo)線長度方向在20毫米范圍內(nèi)，在護(hù)套33a的外表面上形成0.2毫米厚的聚酰亞胺薄膜42作為高耐壓層35a，導(dǎo)線的中心線P通過20毫米范圍的中間延伸。此外，在中心線P向右延伸的區(qū)域內(nèi)形成0.1毫米厚的焊料層，作為導(dǎo)電層34a。該項(xiàng)試驗(yàn)產(chǎn)生了一種可喜的結(jié)果，使大約20毫米長的聚酰亞胺薄膜有助于改善絕緣層的耐壓性能。
另一方面，圖3B所示的傳統(tǒng)線材41包括在中心線P右側(cè)區(qū)域形成的導(dǎo)電層34a，但不包括用作高耐壓層的聚酰亞胺薄膜42。線材41的其它部分按與圖3A所示線材40之相同的方式制成。
至于圖3A和3b所示的線材40和41，假定將一個(gè)3000V至7000V的交流電壓跨接在導(dǎo)電材料2a與導(dǎo)電層34a之間，通過有限元法計(jì)算護(hù)套33a外表面的場強(qiáng)。圖4用曲線表示該計(jì)算結(jié)果。圖4中，橫坐標(biāo)上的數(shù)字示出從表示零(中)點(diǎn)的中心線P沿線材40和41的兩側(cè)距離?？v坐標(biāo)上的數(shù)字表示場強(qiáng)計(jì)算值。圖4中實(shí)線所示為本發(fā)明的線材40，其中心點(diǎn)P處的場強(qiáng)約為4600V/m，離中心點(diǎn)P兩側(cè)30毫米處的場強(qiáng)約為3100V/m。相反，點(diǎn)劃線所示為傳統(tǒng)的線材41，其中心點(diǎn)P處的場強(qiáng)約為7000V/m，離中心點(diǎn)P兩側(cè)30毫米處的場強(qiáng)約為3200V/m，該3200V/m的場強(qiáng)與線材40的相應(yīng)場強(qiáng)無明顯區(qū)別。由圖可見，在場強(qiáng)達(dá)到峰值的中心點(diǎn)P附近的場強(qiáng)，本發(fā)明的線材40遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)的線材41?？梢?，本發(fā)明的線材40明顯地減低了電場密度。
以下的試驗(yàn)是根據(jù)圖1所示實(shí)施例的高壓靜噪濾波器進(jìn)行的。圖2C所示導(dǎo)線2a和2b、護(hù)套33a和33b、高耐壓層35a和35b、以及導(dǎo)電層34a和34b按與圖3A所示相同的方式構(gòu)成。圖1中，將一個(gè)高壓發(fā)生器15跨接在緊固接頭7a和7b與接地板9之間，以施加一個(gè)從5KV至18KV的交流電壓。該項(xiàng)試驗(yàn)是對10個(gè)樣品進(jìn)行的，每個(gè)樣品包括如高耐壓層35a和35b、半導(dǎo)體層、聚酰亞胺薄膜或硅樹脂套管。圖5用曲線表示對產(chǎn)生絕緣擊穿的護(hù)套33a和33b進(jìn)行的電壓測量。圖5中，點(diǎn)表示各個(gè)樣品的絕緣擊穿電壓(KV)。與連通點(diǎn)的垂直線交叉的短橫線表示每個(gè)樣品組絕緣擊穿電壓的平均值。圖5示出無高耐壓層35a和35b的傳統(tǒng)靜噪濾波器的所有10個(gè)樣品，其絕緣擊穿電壓為7KV至10KV，平均擊穿電壓值約為9KV。至于包括用半導(dǎo)體層作為高耐壓層的本發(fā)明實(shí)施例的樣品，其絕緣擊穿電壓的平均值約為14KV。包含聚酰亞胺薄膜和硅樹脂套管的樣品，其絕緣擊穿電壓的平均值分別為16KV和14KV。從上述結(jié)果可見，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的高壓靜噪濾波器與傳統(tǒng)的高壓靜噪濾波器相比，其絕緣擊穿電壓提高了50％以上。尤其是，采用聚酰亞胺薄膜的高壓靜噪濾波器，其耐壓性能取得了極大的改善，絕緣擊穿電壓提高了70％以上。
第二實(shí)施例圖6是根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的一個(gè)高壓靜噪濾波器的頂平面圖。圖6中，扼流圈4a和4b以及線圈部分3a和3b用與圖1所示第一個(gè)實(shí)施例的相同方式構(gòu)成。第二個(gè)實(shí)施例與第一個(gè)實(shí)施例的不同之處在于，線圈部分3a和3b分別收容于筒狀導(dǎo)體8a和8b內(nèi)。圖7是沿圖6VII-VII線的截面圖。如圖7所示，線圈部分3a和3b收容于各個(gè)筒狀導(dǎo)體8a和8b內(nèi)，與各個(gè)筒狀導(dǎo)體8a和8b的內(nèi)壁保持緊密接觸。因此，線圈部分3a和3b外表面上由較軟金屬形成的導(dǎo)電層34a和34b，由于導(dǎo)電層的柔軟度，與筒狀導(dǎo)體8a和8b的內(nèi)壁保持充分的接觸，由此與筒狀導(dǎo)體建立了優(yōu)良的電接觸。圖1中，筒狀導(dǎo)體8a和8b連同線圈部分3a和3b的導(dǎo)電層34a和34b，通過導(dǎo)體14諸如焊料連接到位于端接區(qū)域3C和3D的接地板9。如圖6和圖7所示，分別收容線圈部分3a和3b的筒狀導(dǎo)體8a和8b收容于樹脂殼體16a和16b內(nèi)，按與第一個(gè)實(shí)施例相同的方式，將絕緣樹脂材料11模制成線圈部分和筒狀導(dǎo)體。
類似于本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例，對根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的高壓靜噪濾波器也進(jìn)行了試驗(yàn)。通過高壓發(fā)生器15將一個(gè)交流高壓分別施加到緊固接頭7a和7b與接地板9兩端，測量護(hù)套線29a和29b的護(hù)套33a和33b的絕緣擊穿電壓。圖8用曲線表示測量結(jié)果。圖中，用橫坐標(biāo)畫出電阻，通過圖6所示跨接在接地板9與線圈部分3a和3b之端接區(qū)域1E和1F之間的電阻計(jì)測量該電阻。第一個(gè)實(shí)施例呈現(xiàn)的電阻為0.15至0.2歐姆，而第二個(gè)實(shí)施例呈現(xiàn)的電阻更小，為0.05至0.1歐姆。這是因?yàn)?，線圈部分3a和3b的導(dǎo)電層34a和34b在多個(gè)接觸部位與筒狀導(dǎo)體8a和8b的內(nèi)壁接觸。圖8中，高壓發(fā)生器15的電壓用縱坐標(biāo)畫出。測量結(jié)果表明，第一個(gè)實(shí)施例的絕緣擊穿發(fā)生在11至16KV的電壓范圍，而第二個(gè)實(shí)施例的絕緣擊穿發(fā)生在17至22KV的電壓范圍。故在耐壓性能方面，第二個(gè)實(shí)施例比第一個(gè)實(shí)施例取得了更大的改善。電阻越小意味著耐壓性能改善越大。其原因如下由于由軟金屬形成的導(dǎo)電層34a和34b在多個(gè)接觸部位與筒狀導(dǎo)體8a和8b的內(nèi)壁接觸，故隨著電阻的減小，導(dǎo)電層34a和34b的電位也減低。導(dǎo)電層電位的減低還導(dǎo)致趨于產(chǎn)生電場密度的端接區(qū)域1E和1F的電位減低。這就進(jìn)一步導(dǎo)致電場密度的減低，導(dǎo)致耐壓性能的改善。
第三實(shí)施例圖9所示第三個(gè)實(shí)施例，是配用本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例高壓靜噪濾波器25的一個(gè)磁控管裝置的截面圖。該實(shí)施例的磁控管裝置中，磁控管13包括例如由涂釷鎢制成的螺旋形陰極17、例如由銅制成的圓柱形陽極18、由磁性材料例如鐵制成的一對極片19a和19b、陶瓷支承件20、用以發(fā)射微波的天線21以及包括心柱端5a和5b的心柱22。它還進(jìn)一步配備了外磁路部分，包括用以在磁控管部分13外面產(chǎn)生磁場的永久磁鐵23a和23b，以及軛鐵24。軛鐵24配置一個(gè)濾波器殼體10，諸如由導(dǎo)電材料制成。該濾波器殼體10收容了根據(jù)第一個(gè)實(shí)施例的高壓靜噪濾波器25。該高壓靜噪濾波器25的導(dǎo)線2a和2b分別與心柱端頭5a和5b連接。圖9是一個(gè)截面圖，其中僅僅示出兩個(gè)扼流圈4a和4b以及兩個(gè)線圈部分3a和3b中的各一個(gè)，它們相對圖平面是垂直設(shè)置的。第一個(gè)實(shí)施例的高壓靜噪濾波器25可以由第二個(gè)實(shí)施例的替代。通過采用第一或第二個(gè)實(shí)施例的高壓靜噪濾波器，可以獲得優(yōu)良的耐壓性能，根據(jù)該實(shí)施例的磁控管裝置可以獲得優(yōu)良的耐壓性能和較長的壽命。
盡管本發(fā)明是根據(jù)所述較佳實(shí)施例描述的，但這種描述并不視為一種限制。在閱讀了上述內(nèi)容后，對本發(fā)明所屬領(lǐng)域的熟練人員來說，其各種替換和修改無疑將變得很清楚。因此，所附權(quán)利要求書被視為覆蓋了本發(fā)明精神和范圍內(nèi)的各種替換和修改。
權(quán)利要求
1.一種高壓靜噪濾波器，其特征在于包括用以產(chǎn)生阻抗之電感分量的線圈狀導(dǎo)線；在所述導(dǎo)線表面上形成，用以產(chǎn)生該阻抗之電容分量的絕緣層；在所述絕緣層一部分上形成的導(dǎo)電層；以及至少在所述導(dǎo)電層端部的附近區(qū)域形成的具有半導(dǎo)體或絕緣體的高耐壓層，其至少一部分介于所述絕緣層的外表面與所述導(dǎo)電層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的高壓靜噪濾波器，其特征在于，具有所述絕緣層和所述導(dǎo)電層的線圈狀導(dǎo)線，通過其收容于一筒狀導(dǎo)體而予以固定。
3.如權(quán)利要求1所述的高壓靜噪濾波器，其特征在于，所述半導(dǎo)體具有10-4至106Ωm的電阻率。
4.如權(quán)利要求1所述的高壓靜噪濾波器，其特征在于，所述絕緣體包括聚酰亞胺樹脂材料。
5.如權(quán)利要求1所述的高壓靜噪濾波器，其特征在于，所述絕緣體包括硅樹脂材料。
6.一種包括高壓靜噪濾波器的磁控管裝置，其特征在于包括用以產(chǎn)生阻抗之電感分量的線圈狀導(dǎo)線；在所述導(dǎo)線表面上形成，用以產(chǎn)生該阻抗之電容分量的絕緣層；在所述絕緣層一部分上形成的導(dǎo)電層；以及至少在所述導(dǎo)電層端部的附近區(qū)域形成的具有半導(dǎo)體或絕緣體的高耐壓層，其至少一部分介于所述絕緣層的外表面與所述導(dǎo)電層之間。
7.如權(quán)利要求6所述的包括高壓靜噪濾波器的磁控管裝置，其特征在于，具有所述絕緣層和導(dǎo)電層的線圈狀導(dǎo)線收容于一個(gè)筒狀導(dǎo)體內(nèi)。
全文摘要
用于磁控管裝置的一種高壓靜噪濾波器，包括一個(gè)線圈，其導(dǎo)線包覆一絕緣層，另一個(gè)線圈的導(dǎo)線的絕緣層上形成一導(dǎo)電層，該兩個(gè)線圈相互串接。兩個(gè)線圈的連接部位具有三層結(jié)構(gòu)，其中，在導(dǎo)電層端部附近形成具有半導(dǎo)體或絕緣體的高耐壓層，它介于絕緣層的外表面與導(dǎo)電層之間。
文檔編號H01J23/00GK1169062SQ9710994
公開日1997年12月31日 申請日期1997年3月27日 優(yōu)先權(quán)日1996年3月27日
發(fā)明者落合宏, 平石水市, 吉原正訓(xùn), 中野康信 申請人:松下電子工業(yè)株式會社