專利名稱：適用于高質(zhì)量顯示器的等離子顯示板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于顯示器等裝置中的等離子顯示板及其制作方法，特別涉及適用于高質(zhì)量顯示器的等離子顯示板。
近年來，在人們對以高清晰度為首的高質(zhì)量的大畫面電視機的期望值不斷增加的過程中，在稱為陰極射線管、液晶顯示器(下面簡稱為LCD)、等離子顯示板(下面簡稱為PDP)的各種顯示器領(lǐng)域中，人們正在開發(fā)與之相對應(yīng)的顯示器。
過去雖然作為電視機中的顯示器而廣泛使用的陰極射線管具有優(yōu)良的解像度、圖像質(zhì)量，但是在長度和重量會隨著圖像尺寸的加大而增加的方面，上述陰極射線管不適合40英寸以上的大畫面。
等離子顯示板則可適合上述情況。另外，雖然液晶顯示器具有耗電量較小、驅(qū)動電壓也較低的優(yōu)良性能，但是為了制作大畫面，技術(shù)上存在有困難，另外其視角也受到限制。
與此相對，等離子顯示板即使在長度較小的情況下仍可實現(xiàn)大畫面，目前人們已經(jīng)開發(fā)出了40英寸級的產(chǎn)品。
雖然等離子顯示板大體上劃分為直流型(DC型)與交流型(AC型)，但是目前適合大尺寸的AC型成為主流。


圖1為已有的交流面放電型等離子顯示板的一個例子的主要部分的透視圖。
在圖1中，標號101表示前面玻璃基板(前面板)，標號105表示后面玻璃基板(后面板)，其為由堿石灰玻璃構(gòu)成的基板。
在前面玻璃基板101的表面上設(shè)置有顯示電極102，在其上覆蓋有可使電容器工作的電介質(zhì)層103，此外還覆蓋有由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的電介質(zhì)保護層104。
另一方面，在后面玻璃基板105上設(shè)置有尋址電極106，在其上覆蓋有電介質(zhì)層107，在其上設(shè)置有隔壁108與熒光體層109，在隔壁108的間隙中以密封方式充入放電氣體，從而構(gòu)成放電空間110。
顯示電極102與尋址電極106普遍采用銀電極或Cr-Cu-Cr電極等，銀電極可通過印刷法很容易形成。
在人們對顯示器的高質(zhì)量的要求不斷增加的過程中，人們希望等離子顯示板也具有細微的單元結(jié)構(gòu)。
比如，按照已有的NTSC，單元的數(shù)量為640×480，在40英寸級中，單元間距為0.43mm×1.29mm，1個單元的面積約為0.55mm2，在全規(guī)格的高清晰度電視機的像素水平中，像素數(shù)量為1920×1125，42英寸級的單元間距為0.15mm×0.45mm，1個單元的面積為0.072mm2這樣小。
如果單元結(jié)構(gòu)很微小，則不僅放電電極(顯示電極)之間的間距較小，而且由于放電空間也較窄，如果要確保電介質(zhì)層中的電容器的容量剛好與已有的相同，還必需相對已有技術(shù)，使電介質(zhì)層的膜厚更薄。
但是，由于電介質(zhì)層中所采用的玻璃(氧化鉛系玻璃或氧化鉍系玻璃)中的用于電極的金屬材料的潤濕性較差，這樣很難在這些電極上均勻并且較薄地涂敷電介質(zhì)層，從而會產(chǎn)生絕緣強度的問題。特別是，由于在銀電極的場合，與Cr-Cu-Cr電極等相比較，電極表面上的凹凸部較大，這樣很難在電極上均勻并且較薄地涂敷電介質(zhì)層，從而絕緣強度的問題也會很嚴重。
為了對付上述的問題，在JP特開昭62-194225號文獻中描述了一種技術(shù)，即在形成有電極的基板上，在形成電介質(zhì)層之前涂敷SiO2或Al2O3，從而在電極與電介質(zhì)層之間形成中間膜，由此可均勻并且較薄地涂敷電介質(zhì)層。
在上述文獻中描述了具體的中間膜的形成方法，即通過旋轉(zhuǎn)鍍膜法或浸漬法，按照500～10000的厚度涂敷二氧化硅液，對其進行焙燒，另外上述文獻還指出上述中間膜的成形方法還可采用通過蒸鍍法或濺射法涂敷中間膜材料。
雖然可期望通過上述的技術(shù)，一定程度地提高耐絕緣性，但是人們希望獲得可進一步提高上述特性的方法。
另外，在制作具有圖1所示結(jié)構(gòu)的等離子顯示板時，一般在由堿石灰玻璃構(gòu)成的玻璃基板上按順序形成電極、電介質(zhì)、隔壁等，但是在其每一步驟中，采用的是涂敷材料、并對其焙燒的方法。
比如，電介質(zhì)層103按照下述方式形成(比如參照JP平7-105855號文獻)，該方式為按照20～30μm的厚度，涂敷下述的氧化鉛系玻璃材料，并對其進行焙燒，上述氧化鉛系玻璃材料由氧化鉛(PbO)、氧化硼(B2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁(Al2O3)構(gòu)成，其具有較低的熔點(熔點為500～600℃)，其熱膨脹系數(shù)為80～83×(10-7/℃)。
此外，隔壁也按照下述方式形成，該方式為通過絲網(wǎng)印刷法等涂敷玻璃材料，并對其進行焙燒。
但是，如果玻璃基板的厚度較小，則在對電極、隔壁、電介質(zhì)層、熒光體層等進行焙燒(熱處理溫度為500～600℃)時，則玻璃基板會受到熱變形的作用，從而會產(chǎn)生開裂，或在玻璃基板中產(chǎn)生翹曲或收縮。此外，由于材料的熱膨脹系數(shù)的差異而造成的熱變形的作用，還會產(chǎn)生電介質(zhì)層或隔壁容易出現(xiàn)裂縫的問題。于是，當(dāng)電介質(zhì)層中產(chǎn)生裂縫時，會使絕緣強度降低。
因此，玻璃基板必需采用一定厚度的基板，為此在制作大型的等離子顯示板的場合，會產(chǎn)生重量很大的問題。
比如在42英寸級的場合，玻璃基板的尺寸約為97cm×57cm左右，但是為了防止產(chǎn)生翹曲或收縮，玻璃基板的厚度設(shè)定在2.6～2.8mm的范圍內(nèi)。
當(dāng)上述玻璃的比重為2.49g/cm3，其厚度為2.7mm時，則前面與后面玻璃的重量約為7.4Kg，包括電路的板的重量會超過10Kg(比如，顯示與圖象，1996年14卷，96～98頁)。
考慮到上述的問題，人們還開發(fā)了具有較高變形點的玻璃基板[比如，PD-200旭ガラス(株)制變形點為570℃左右]，如果采用該產(chǎn)品，則可使由熱處理步驟而造成的玻璃基板的變形(翹曲或收縮)降低(比如，顯示與圖象，1996年14卷，99～100頁)。
但是，上述PD-200的玻璃的比重為2.77g/cm3，大于堿石灰玻璃的比重2.49g/cm3。此外，其拉伸彈性模量大于堿石灰玻璃，其熱膨脹系數(shù)為84×10-7/℃，與堿石灰玻璃沒有差別。于是，實際上即使采用上述具有較高變形點的玻璃，仍不能期望獲得較低板重量的很大效果(參照電子顯示論壇97，1997年4月16～18，6～8頁)。
本發(fā)明的第1目的在于提供一種等離子顯示板及其制造方法，該等離子顯示板即使在形成較薄的電介質(zhì)層的情況下，仍很難產(chǎn)生絕緣破壞，從而即使在具有較微小的單元結(jié)構(gòu)的等離子顯示板的情況下，仍可確保高亮度和高可靠性。
此外，本發(fā)明的第2目的在于提供一種等離子顯示板及其制造方法，該等離子顯示板即使在相對已有技術(shù)，玻璃基板的厚度薄的情況下，仍可防止在制造等離子顯示板時玻璃基板產(chǎn)生開裂和彎曲，或電介質(zhì)層和隔壁產(chǎn)生裂縫。
上述第1目的是通過下述方式實現(xiàn)的，該方式為在等離子顯示板中，在前面板或后面板的表面的銀電極上涂敷電介質(zhì)層時，首先以下述的層覆蓋銀電極表面，該層的厚度在0.1～10μm的范圍內(nèi)、其由“在表面形成有氫氧根的金屬氧化物”構(gòu)成，之后在其上涂敷電介質(zhì)層。
在這里，上述“在表面形成有氫氧根的金屬氧化物”為ZnO、ZrO2、MgO、TiO2、SiO2、Al2O3、Cr2O3等，其可采用CVD法，以0.1～2μm的范圍的較薄地涂敷于電極的表面上。
按照上述方式，通過CVD法形成的金屬氧化物層具有良好的電極潤濕性(緊密度良好)、并且致密。此外，由于在層的表面形成氫氧根，還與構(gòu)成電介質(zhì)層的材料的氧化鉛系玻璃或氧化鉍系玻璃具有良好的潤濕性(比如，參照色材69卷9號1996年P(guān)55～63)于是，即使在其表面具有凹凸部的銀電極上，仍可較薄且良好地形成均勻致密的電介質(zhì)層，從而即使在電介質(zhì)層的厚度相對已有技術(shù)較薄，而設(shè)定在小于15μm的情況下，仍可獲得難于產(chǎn)生絕緣破壞的效果。
于是按照上述結(jié)構(gòu)，可使電介質(zhì)層的厚度減小，降低放電電壓，提高板的亮度，并且可提高板的可靠性。
此外，上述第1目的還可通過下述方式實現(xiàn)，該方式為在等離子顯示板中，在于前面板或后面板的表面的金屬電極上涂敷電介質(zhì)層時，首先對該金屬電極的表面進行氧化處理，形成金屬氧化膜，在其上涂敷電介質(zhì)層。
再有，上述第1目的也可通過下述方式實現(xiàn)，該方式為在等離子顯示板中，在于前面板或后面板的表面的電極上涂敷電介質(zhì)層時，采用真空處理法通過金屬氧化物形成該電介質(zhì)層，或采用等離子噴鍍法形成上述電介質(zhì)層。
在這里，所謂“真空處理法”是指在真空狀態(tài)下形成薄膜的方法，具體來說指CVD、濺射、或蒸鍍等方式。
即使在此過程中，如果通過CVD法形成金屬氧化物層，則仍可在電極上形成較薄的并且無氣泡等缺陷的電介質(zhì)層。
另外，如果通過真空處理法或噴鍍法形成電介質(zhì)層，由于無需下述的對電介質(zhì)層進行焙燒的步驟，而該步驟對于通過已有的印刷法形成電介質(zhì)層的場合是必需的，則不會產(chǎn)生對電介質(zhì)層進行焙燒而造成板的翹曲或開裂現(xiàn)象，另外還可實現(xiàn)第2目的。此外，即使在通過噴鍍法形成隔壁的場合，由于無需對隔壁進行焙燒，從而也可實現(xiàn)第2目的。
還有，在上述的等離子顯示板中，如果用于前面板和后面板的玻璃基板的材料采用其堿成分按重量計在6.5％以下的硼硅酸玻璃，特別采用其變形點在535℃以上、熱膨脹系數(shù)在51×10-7/℃以下的硼硅酸玻璃，則即使在板的厚度設(shè)定在比已有技術(shù)還小的2mm以下的情況下，在制造等離子顯示板時，由于幾乎不會出現(xiàn)在焙燒時產(chǎn)生的玻璃基板的開裂等損傷，從而對第2目的來說可獲得更好的效果。
本發(fā)明的上述及其它目的、優(yōu)點和特征容易從下面的結(jié)合附圖進行的描述中得出，該附圖表示本發(fā)明的實施形式。
圖1為已有的交流面放電型等離子顯示板的一個例子的主要部分的透視圖；圖2為本發(fā)明實施形式的交流面放電型等離子顯示板的主要部分的透視圖；圖3為沿圖2中的X-X線的剖面圖；圖4為沿圖2中的Y-Y線的剖面圖；圖5為采用光敏抗蝕劑法形成放電電極的步驟的說明圖；圖6為形成金屬氧化物層與保護層時用的CVD裝置的示意圖；圖7A，圖7B分別為第3實施形式的等離子顯示板的前面板的剖面圖；圖8A，圖8B分別為第4實施形式的等離子顯示板的前面板的剖面圖；圖9A，圖9B分別為第5實施形式的等離子顯示板的概略剖面圖；圖10為第5實施形式中形成電介質(zhì)層和隔壁時用的等離子噴鍍裝置的示意圖。
下面對本發(fā)明實施形式進行說明。圖2為本實施形式的交流面放電型等離子顯示板的主要部分的透視圖，圖3為沿圖2中的X-X線的剖面圖，圖4為沿圖2中的Y-Y線的剖面圖。
另外，雖然在這些附圖中，為了便于說明僅僅示出3個單元，但是實際上等離子顯示板按照下述構(gòu)成，該方式為設(shè)置有多個可發(fā)出紅(R)、綠(G)、藍(B)中的每一種顏色的光的單元。
如上述每個附圖所示，該等離子顯示板按照下述方式構(gòu)成，該方式為在前面玻璃基板(前面板)11的上面以對置方式粘接有前面板10，在后面玻璃基板(后面板)21的表面上粘接有后面板20，在該前面板10中設(shè)置有由銀構(gòu)成的放電電極(顯示電極)12、金屬氧化物層13a及電介質(zhì)玻璃層13，在上述后面板20中設(shè)置有尋址電極22、金屬氧化物層23a、電介質(zhì)玻璃層23、隔壁24、紅、綠、藍中的每一種顏色的熒光體層25，在位于前面板10與后面板20之間形成的放電空間30內(nèi)密封有放電氣體，該等離子顯示板按照下述方式制作。
前面板10的制作前面板10按照下述方式形成，該方式為在前面玻璃基板11的表面上呈帶狀形成放電電極(顯示電極)12，在其上通過CVD法形成金屬氧化物層13a。在其上采用其介質(zhì)常數(shù)ε大于10的玻璃材料形成電介質(zhì)玻璃層13，另外在電介質(zhì)玻璃層13的表面上形成保護層14。
下面參照圖5對通過光敏抗蝕劑法形成放電電極12的步驟進行說明。
首先，在前面玻璃基板11的表面上涂敷厚度為5μm的光敏抗蝕劑(圖中的步驟II)。
僅僅對上述光敏抗蝕劑中要形成放電電極的部位進行曝光(圖中的步驟III)。之后，對其進行顯影處理，將光敏抗蝕劑中經(jīng)曝光的部分去除(圖中的步驟IV)。
通過絲網(wǎng)印刷法，將銀電極用漿料埋入上述玻璃基板11上的除去抗蝕劑的部分(圖中的步驟V)。
經(jīng)干燥后，采用剝離液等方式僅僅將抗蝕劑剝離掉。之后，通過對所涂敷的Ag焙燒，形成銀電極(放電電極)12(圖中的步驟VI)。
(金屬氧化物層、電介質(zhì)玻璃層、保護層的形成)。
下面參照圖6對借助CVD法形成金屬氧化物層的方法進行說明。
圖6為形成金屬氧化物層13a，23a與保護層14時用的CVD裝置的示意圖。
該CVD裝置可進行熱CVD與等離子體CVD中的任何一種，在CVD裝置主體45中設(shè)置有加熱部46，該加熱部46對玻璃基板47(形成有圖2放電電極12，電介質(zhì)層13的前面玻璃基板11)進行加熱，通過排氣裝置49可降低CVD裝置主體45內(nèi)部的壓力。另外在CVD裝置主體45中設(shè)置有用于產(chǎn)生等離子的高頻電源48。
氬氣高壓儲存瓶41a、]41b通過氣化器(起泡器)42、43，將作為載體的氬(Ar)氣供給CVD裝置主體45。
在氣化器42中作為用于形成金屬氧化物層的原料的金屬螯合物或烷氧化物化合物以加熱的方式儲存，通過氬氣高壓儲存瓶41a將氬氣吹入，可使上述金屬原料產(chǎn)生蒸發(fā)，從而將其送入CVD裝置主體45中。
作為儲存于氣化器42中的化合物的具體例子可采用乙酰丙酮鋅(ZincAcetylacetone)[Zn(C5H7O2)2]、乙酰丙酮鋯(Ziron Acetylacetone)[Zr(C5H7O2)4]、乙酰丙酮鎂(Magnesium Acetylacetone)[Mg(C5H7O2)2]、乙酰丙酮鈦(Titanium Acetylacetone)[Ti(C5H7O2)4]、四乙氧基硅烷(TEOS)[Si(O·C2H5)4]、二新戊?；淄殇X(Aluminum Dipivaloyl Metane)[Al(C11H19O2)3]、乙酰丙酮鋁(Aluminum Acetylacetone)[Al(C5H7O2)3]、乙酰丙酮鉻(Chromium Acetylacetone)[Cr(C5H7O2)3]。
另一方面，在氣化器43中儲存有作為用于形成保護層的原料的鎂化合物。作為該材料的具體例子，即可采用乙酰丙酮鎂(Magnesium Acetylacetone)[Mg(C5H7O2)2]、環(huán)戊二烯基鎂(Cyclotentadienyl Magnesium)[Mg(C5H5O2)2]。
氧氣高壓儲存瓶44將作為反應(yīng)氣體的氧氣[O2]供給CVD裝置主體45。
在采用上述CVD裝置、通過熱CVD法形成金屬氧化物層13a的場合，以形成有電極的面作為頂面將玻璃基板47放置在加熱部46上，將其加熱到規(guī)定溫度(250℃)，并且通過排氣裝置49降低反應(yīng)容器內(nèi)部的壓力(數(shù)十個Torr)。
另外。在氣化器42中將構(gòu)成原料的金屬螯合物(或烷氧化物化合物)加熱到規(guī)定氣化溫度，同時從氬氣高壓儲存瓶送入氬氣。另外，與此同時從氧氣高壓儲存瓶44供給氧氣。
由此送入CVD裝置主體45內(nèi)部的螯合物(或烷氧化物化合物)與氧氣發(fā)生反應(yīng)，從而在設(shè)置有玻璃基板47的電極的表面上形成金屬氧化物層13a。
另一方面，在采用CVD裝置、通過等離子CVD法形成金屬氧化物層13a的場合，雖然可采用與上述熱CVD場合相同的操作，但是也可通過驅(qū)動高頻電源48施加高頻電場(13.56MHz)，在CVD裝置主體45內(nèi)部產(chǎn)生等離子體，同時形成金屬氧化物層13a。
按照上述方式，可形成由下述金屬氧化物構(gòu)成的金屬氧化物層13a，該金屬氧化物為氧化鋅(ZnO，ZrO2)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鉻(Cr2O3)，但是由于當(dāng)采用熱CVD法或等離子CVD法時，金屬氧化物會在玻璃基板與電極表面上緩慢地形成，這樣即使在電極的表面為凹凸?fàn)畹那闆r下，仍可沿表面的凹凸部形成致密的金屬氧化物層13a。于是，由于上述金屬氧化物層13a還與作為放電電極12的材料的Ag具有良好的粘接性以及潤濕性，從而不會在膜中產(chǎn)生氣泡等缺陷。
另外，由于上述金屬氧化物具有在其表面上形成氫氧根的性質(zhì)，這樣在金屬氧化物層13a的表面會形成氫氧根。因此，在其上形成的電介質(zhì)玻璃層13具有良好的潤濕性。
另外，最好上述金屬氧化物層13a的厚度在0.1～10μm的范圍，其中以0.1～2μm的較薄范圍為最佳。此外上述金屬氧化物層13a最好按照膜為非結(jié)晶結(jié)構(gòu)(非晶形)的方式形成。
之后，在上述金屬氧化物層13a上形成由其介質(zhì)常數(shù)ε大于10的玻璃材料構(gòu)成的電介質(zhì)玻璃層13。
上述玻璃材料可采用氧化鉛系玻璃或氧化鉍系玻璃等材料。
作為氧化鉛系玻璃的成分，例如可采用氧化鉛(PbO)、氧化硼(B2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)的混合物，作為氧化鉍系玻璃的成分，例如可采用氧化鉍(Bi2O3)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化鈣(CaO)的混合物。
另外，如果在上述玻璃成分中添加TiO2，則可進一步提高介質(zhì)常數(shù)ε。
在這里，如果所添加的TiO2的量按重量計超過5％，則可顯著提高介質(zhì)常數(shù)ε，另外可以很容易使介質(zhì)常數(shù)ε超過13(參照下面的表1)，但是由于當(dāng)TiO2的含量按重量計超過10％時，電解質(zhì)玻璃層的透光率會降低，因此最好TiO2的含量按重量計在5～10％的范圍內(nèi)。
上述電介質(zhì)玻璃層13可通過下述方式形成，將上述的玻璃材料粉末與有機粘接劑混合，形成電介質(zhì)玻璃漿料，通過絲網(wǎng)印刷法在金屬氧化物層13a的表面上涂敷上述漿料，對其進行焙燒(燃燒溫度比如為540℃)。
按照上述方式，由于放電電極12由金屬氧化物層13a覆蓋，在其表面上形成有氫氧根，這樣玻璃具有良好的潤濕性，從而即使在其上很薄地涂敷電介質(zhì)玻璃層的情況下，幾乎不會在膜中產(chǎn)生氣泡等缺陷，可形成平直的電介質(zhì)玻璃層。
在本實施形式中，電介質(zhì)玻璃層13的厚度小于已有技術(shù)中的厚度，該層13的厚度小于15μm。之所以是這樣做是因為由于按照下面所描述的方式，電介質(zhì)玻璃層13的厚度越小，則提高板的亮度和降低放電電壓的效果越好，這樣當(dāng)絕緣強度在未降低的范圍內(nèi)時，盡可能使上述層13的厚度較薄。
當(dāng)顯示電極12的面積設(shè)定為S，電介質(zhì)玻璃層13的厚度設(shè)定為d，電介質(zhì)玻璃層13的介質(zhì)常數(shù)設(shè)定為ε，電介質(zhì)玻璃層13上的電荷設(shè)定為Q時，則顯示電極12與尋址電極22之間的靜電電容C按下述公式1表示公式1C＝εS/d另外當(dāng)顯示電極12與尋址電極22之間所施加的電壓設(shè)定為V、顯示電極12上的電介質(zhì)玻璃層13上所積累的電荷設(shè)定為Q時，則V與Q之間滿足下述公式公式2V＝dQ/εS(但是由于放電空間在放電過程中，處于等離子狀態(tài)，從而形成導(dǎo)電體)在上述公式1中，如果厚度d減小，則靜電電容C增加，在上述公式2中，如果厚度d減小，則放電電壓V降低。
也就是說，通過減小電介質(zhì)玻璃層的厚度，可提高電容量，并降低放電電壓。
之后采用CVD法(熱CVD法或等離子CVD法)，在電介質(zhì)玻璃層13上形成由氧化鎂構(gòu)成的保護層14。
即，采用上述CVD裝置通過與上述金屬氧化物層的形成方法相同的方法，使用氣化器43中的原料形成由氧化鎂(MgO)構(gòu)成的保護層。
由此，形成沿(100)面定向(還包括(200)面定向或(300)面定向)，或(110)面定向的氧化鎂構(gòu)成的保護層。
后面板20的制作首先，按照與形成上述放電電極12相同的光敏抗蝕劑法，在后面玻璃基板21的表面上形成尋址電極22。
之后，與前面板10中的場合相同，在其上，通過CVD法形成金屬氧化物層23a，接著，在其上通過絲網(wǎng)印刷法涂敷與電介質(zhì)玻璃層13相同的玻璃，對其進行焙燒，從而形成電介質(zhì)玻璃層23。
然后，在電介質(zhì)玻璃層23上按照規(guī)定的間距設(shè)置玻璃形成的隔壁24。
之后，在由隔壁24所分隔形成的每個空間內(nèi)分別設(shè)置紅色(R)熒光體、綠色(G)熒光體、藍色(B)熒光體中的一種，從而形成熒光體層25，雖然每種顏色R、G、B的熒光體一般可采用等離子顯示板中所采用的熒光體，但是在這里其采用下述的熒光體。
紅色熒光體(YxGd1-x)BO3Eu3+綠色熒光體Zn2SiO4Mn藍色熒光體BaMgAl10O17Eu2+或BaMgAl14O23Eu2+通過粘接前面板10和后面板20制作等離子顯示板采用密封用玻璃，對按照上述方式制作的前面板10和后面板20粘接，對由隔壁24分隔開的放電空間30內(nèi)部抽真空，使其保持較高的真空度(8×10-7Torr)，之后以規(guī)定的壓力在上述空間內(nèi)部按照密封方式充入規(guī)定成分的放電氣體，從而形成等離子顯示板。
此外，在本實施形式中，等離子顯示板中的單元尺寸按照下述方式設(shè)定，該方式為其適合用于40英寸的高清晰度電視機，隔壁24的間距小于0.2mm，放電電極12的電極之間的間距小于0.1mm。
還有，雖然以密封方式充入的放電氣體的成分為過去所采用的He…Xe系，但是為了提高單元的發(fā)光亮度，Xe的含量按體積計在5％以上，密封充入壓力在500～760Torr的范圍內(nèi)。
由于按照上述方式制成的等離子顯示板中的電介質(zhì)玻璃層13的厚度較小，故放電電壓降低，在動作時作用于板的每個組成部位上的負荷減小。
再有，每個電極(顯示電極12與尋址電極22)與電介質(zhì)玻璃層13，23是通過金屬氧化物層13a，23a以致密方式連接成的結(jié)構(gòu)，這樣很少會在電介質(zhì)玻璃層13，23中產(chǎn)生氣泡。
于是，由于即使在電介質(zhì)玻璃層13的厚度較薄的情況下，絕緣強度仍較高，從而即使在反復(fù)使用的情況下，仍可長期維持較高的板的亮度或較低的放電電壓的良好的初期性能，可使等離子顯示板具有良好的可靠性。
另外，雖然在本實施形式中，給出的是在前面板10和后面板20兩側(cè)形成金屬氧化物層、并在其上形成電介質(zhì)玻璃層的例子，但是也可在前面板10或后面板20一側(cè)采用上述方式。此外，在于后面板20一側(cè)未形成電介質(zhì)玻璃層的等離子顯示板中，可僅僅在前面板10一側(cè)采用上述方式。
還有，由于本來在銀電極上很難較薄地形成電介質(zhì)玻璃層，而采用CVD法形成金屬氧化物層的效果較好，本實施形式是針對銀電極的場合對放電電極12和尋址電極22進行描述的，但是在Cr-Cu-Cr電極等的場合，可按照同樣方式實施。
此外，雖然在本實施形式中，在玻璃基板11，21的一個整個側(cè)面上涂敷金屬氧化物層13a，23a，但是也可僅僅在電極12，22表面附近涂敷上述金屬氧化物層，并且可產(chǎn)生相同的效果。
(第2實施形式)本實施形式的等離子顯示板雖然與第1實施形式的相同，但是未設(shè)置有電介質(zhì)玻璃層13，23，并且金屬氧化物層13a，23a同時用作電介質(zhì)層。
即，在該等離子顯示板中，雖然金屬氧化物層13a，23a具有電介質(zhì)層的性能，但是如果金屬氧化物層13a，23a過薄，則難于發(fā)揮電介質(zhì)層的作用，從而金屬氧化物層13a，23a的厚度設(shè)定在3～50μm的范圍內(nèi)。最好，上述厚度設(shè)定在3～6μm的范圍內(nèi)。
上述金屬氧化物除了可采用第1實施形式中所列舉的氧化鋯、氧化鋅、氧化鈦、氧化鋁、氧化硅、氧化鎂、氧化鉻以外，還可采用氧化鉍、氧化銫、氧化銻等。
此外，放電電極與尋址電極可首選上述的銀電極或Cr-Cu-Cr電極，一般可采用等離子顯示板中所采用的金屬電極。
按照本實施形式，如果通過CVD法形成由金屬氧化物構(gòu)成的電介質(zhì)層，則即使對于具有凹凸部的電極表面，仍可形成致密并且均勻的層。
于是，如果采用上述方法，即使在電介質(zhì)層的厚度設(shè)定在3～6μm的范圍內(nèi)，從而小于已有的厚度(20～30μm)的情況下，仍可形成其中的膜無缺陷的電介質(zhì)層，這樣很難產(chǎn)生絕緣破壞。
另外，在按照已有的方式，通過涂敷電介質(zhì)玻璃材料之后對其焙燒，從而形成電介質(zhì)層的場合，采用的是其燃燒溫度不過高的，包括氧化鋅的玻璃，但是如果按照本實施形式，采用的是金屬氧化物層13a，23a同時用作電介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)，從而可形成不含有氧化鉛的電介質(zhì)層。
還有，由于金屬氧化物層13a，23a是通過所謂的CVD的真空法形成的，這樣可在無需焙燒的步驟的情況下形成電介質(zhì)層。于是，即使在所采用的玻璃基板較薄的情況下，在對電介質(zhì)層進行焙燒時，仍減少由于熱變形作用而造成的玻璃基板翹曲或開裂的現(xiàn)象。
再有，按照上述方式，在通過CVD法形成同時用作電介質(zhì)層的金屬氧化物層后，也可通過CVD法再在該金屬氧化物層的表面上形成氧化鎂保護層。在此場合，如果采用在第1實施形式中所描述的CVD裝置，連續(xù)地形成同時用作電介質(zhì)層的金屬氧化物層和保護層，則由于在不與外部大氣相接觸的狀態(tài)下形成兩層邊界面，這樣可形成高質(zhì)量的保護層。
表1(A)
表1(B)
*試樣編號No.13，24為比較例根據(jù)第1實施形式和第2實施形式，形成表1所示的等離子顯示板。
No.1～8，No.12和No.14～20是根據(jù)第1實施形式的實施例，放電電極和尋址電極為銀電極。No.9～11和No.21，22為根據(jù)第2實施形式的實施例，放電電極和尋址電極為Cr-Cu-Cr電極。
如表1所示，No.1～8和No.12中的等離子顯示板是采用由PbO-B2O3-SiO2-TiO2-Al2O3系的玻璃形成電介質(zhì)玻璃層13，23的。其介質(zhì)常數(shù)ε隨著玻璃成分的不同，而在10～20的范圍內(nèi)變化。此外，電介質(zhì)玻璃層13，23的厚度設(shè)定在5～14μm的范圍內(nèi)。
放電氣體為其Xe的含量按體積計為5％的He-Xe系混合氣體，其是在600Torr的密封壓力下以密封方式充入的。
No.14～20中的等離子顯示板中的電介質(zhì)玻璃層13和電介質(zhì)玻璃層23為Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2-CaO-TiO2系玻璃，其介質(zhì)常數(shù)ε設(shè)定在12～24的范圍內(nèi)。此外，放電氣體采用其中的Xe含量按體積計為7％的He-Xe系混合氣體，其是在600Torr的密封壓力下以密封方式充入的。
No.1～24中的全部等離子顯示板共同采用下述的條件。
對于熒光體層，藍色熒光體采用BaMgAl10O17Eu2+，綠色熒光體采用Zn2SiO4Mn，紅色熒光體采用(YxCd1-x)BO3Eu3+粒子(平均粒徑為2.0μm)。
單元尺寸與42英寸的高清晰度電視機用的顯示器相對應(yīng)，隔壁24的高度為0.15mm，隔壁24的間距(單元間距)為0.15mm，放電電極12中的電極間距離為0.05mm。
MgO保護層14通過等離子CVD法形成，其原料采用乙酰丙酮鎂(MagnesiumAcetylacetone)[Mg(C5H7O2)2]。
等離子CVD法的條件是氣化器的溫度為125℃，玻璃基板47的加熱溫度為250℃。氬氣的流量為1L/分，氧氣的流量為2L/分，上述氣體在玻璃基板47上流動的時間為1分鐘，壓力降低到10Torr，以300W的功率施加13.56MHz的高頻電場20秒。
此外，MgO保護層14的膜形成速度為0.1μm/分，所形成的厚度為1.0μm。
對按照上述方式形成的MgO保護層，通過X射線解析分析其晶粒定向，全部的試樣中的晶粒均沿(100)面定向。表1中的No.13，24的等離子顯示板為比較例，其除了在電極上未涂敷金屬氧化物層以外，其它方面均按照與No12，23的等離子顯示板相同的方式設(shè)定。實驗1按照放電維持電壓為150V、頻率為30KHz的方式對按照上述方式形成的No.1～24的等離子顯示板進行放電，測定板的亮度(初始值)。
上述實驗結(jié)果同時記錄在上述表1中。
實驗2每種制作20個No.1～24的等離子顯示板，將其供給加速壽命實驗使用。
在該加速壽命實驗中，在比一般的使用條件更加惡劣的條件(放電維持電壓200V，頻率50KHz)下，連續(xù)放電4個小時。此后，對板內(nèi)的電介質(zhì)玻璃層等情況(板的絕緣強度缺陷)進行分析，對在20個中產(chǎn)生不良的板的數(shù)量進行測定。其結(jié)果也同時記錄于表1中。
考察與已有的等離子顯示板的板亮度為400cd/m2(參照日經(jīng)電子設(shè)備，1997年Vo1.5-5，106頁)的情況相對，當(dāng)觀察表1中的No.1～24的等離子顯示板的亮度測定結(jié)果時，則該結(jié)果表示全部具有良好的板亮度。
可認為上述情況是由于與已有技術(shù)相比較，電介質(zhì)玻璃層較薄，并且放電氣體的壓力較高等原因造成的。
此外，No.13的等離子顯示板的亮度比其它編號的等離子顯示板低，可認為這是由于下述原因造成的，該原因為相對于No.13的等離子顯示板的電介質(zhì)層厚度為20μm的情況，其它的編號的等離子顯示板的相應(yīng)厚度小于15μm。
此外，No.1～12和No14～23的等離子顯示板與No.13，24相比較，盡管其電介質(zhì)玻璃層的厚度較小，但是如果觀察其加速壽命實驗的結(jié)果，則其具有良好的絕緣強度。
上述結(jié)果表明，如果通過CVD法以金屬氧化物涂敷電極，則電介質(zhì)玻璃層的厚度設(shè)定在小于已有技術(shù)的值(小于15μm)，可提高亮度，并且可提高絕緣強度。
(第3實施形式)圖7A和圖7B分別為本實施形式的等離子顯示板的前面板的剖面圖。
在圖7A中，標號51表示前面玻璃基板，標號52表示顯示電極，該顯示電極52由透明電極53和金屬電極54構(gòu)成。金屬電極54的寬度小于透明電極53，該金屬電極54疊置于透明電極53上。此外，標號55表示下側(cè)的電介質(zhì)層，標號56表示上側(cè)的電介質(zhì)層，標號57表示保護層，在顯示電極52上涂敷電介質(zhì)層55，56。
此外，雖然圖7A中省略了后面?zhèn)?，但是在本實施形式的等離子顯示板是按照下述方式構(gòu)成的，其采用下述的公知的后面板，即在后面玻璃基板上設(shè)置有尋址電極、隔壁、熒光體層，粘接前面板和后面板，在位于這兩塊板之間的放電空間內(nèi)以密封方式充入放電氣體(95％的氖與5％的氙)。
圖7A中的前面板按照下述方式形成，該方式為采用氧化錫或ITO(Indium Tin Oxide)等氧化金屬材料，在玻璃基板51的表面上形成透明電極53，在其上印刷Ag材料，或按順序疊置Cr-Cu-Cr，對其進行蒸鍍，從而形成金屬電極54，在其上按照下面描述的方式，按順序涂敷電介質(zhì)層55、電介質(zhì)層56、保護層57。
通過涂敷玻璃料(鉛玻璃)并對其焙燒，從而形成下側(cè)的電介質(zhì)層55。
上側(cè)的電介質(zhì)層56為氧化鋯、二氧化鈦、氧化鋅、氧化鉍、氧化銫、氧化銻等金屬氧化物構(gòu)成的層，其采用蒸鍍、濺射、CVD法等真空法形成。
在這里，考慮到安全性、材料的成本、與基層的反應(yīng)性方面，下側(cè)的電介質(zhì)層55按照下述方式形成，該方式為采用在第1實施形式中所描述的CVD法，以鈦螯合物作為原料，從而形成氧化鈦構(gòu)成的層。
此外，對于保護層57，也按照相同方式采用CVD法，形成氧化鎂構(gòu)成的層。
在這里，電介質(zhì)層56和保護層57是采用CVD法連續(xù)形成的。即，將形成有顯示電極52的前面玻璃基板51放置于CVD裝置中，首先在顯示電極52上形成電介質(zhì)層56，接著形成保護層57。
由于采用上述的連續(xù)的CVD方法，不僅可控制混入大氣中的灰塵，而且還可控制電介質(zhì)層56的表面上吸附油脂成分或氮等，從而電介質(zhì)層56與保護層57之間的界面可很好實現(xiàn)連接，從而可獲得難于產(chǎn)生剝離或開裂等現(xiàn)象的優(yōu)質(zhì)膜。
此外，在上述的等離子顯示板中，如圖7B所示，也可不設(shè)置下側(cè)的電介質(zhì)層55，而是在金屬電極54上直接通過真空法(CVD)形成其厚度為數(shù)個μm的電介質(zhì)層56，在此場合，板的結(jié)構(gòu)與上述的第2實施形式的相同。
由于通過按照上述方式，以真空法形成電介質(zhì)層，與在大氣中形成電介質(zhì)層的場合相比較，可使用的材料的選擇范圍增加，這樣可選擇折射率、透光率良好的材料。
比如，將氧化鎂的保護層57的厚度設(shè)定為500nm，采用下述材料形成其厚度大于5μm的電介質(zhì)層56，該材料是選自氧化鋁、氧化硅、氧化鎂，從而可使前面板的透光率大于90％。
(第4實施形式)圖8A和圖8B分別為本實施形式的等離子顯示板的前面板的剖面圖，與圖7A、7B相同，該附圖也省略了后面板一側(cè)。在該圖中，標號61表示玻璃基板，標號62表示顯示電極，標號65表示由玻璃料構(gòu)成的電介質(zhì)層，標號66表示由MgO構(gòu)成的保護層。
在圖8A的前面板中，顯示電極62為在金屬電極63的表面上形成有氧化膜64的結(jié)構(gòu)，在該顯示電極62上涂敷電介質(zhì)層65。
具有圖8A中的結(jié)構(gòu)的前面板可按照下述方式形成，該方式為以其表面可形成氧化膜的金屬作為電極材料，在玻璃基板61的表面形成金屬電極63，對其進行氧化處理，在金屬電極63的表面上形成氧化膜64，另外通過印刷并焙燒玻璃料而形成電介質(zhì)層65。
在這里，如果金屬電極63的材料采用鋁或鉭，以金屬電極63作為陽極，通過可進行電解的陽極氧化法對其進行氧化處理，則可形成致密的氧化膜64。
此外，由于鉭的電阻率較高，這樣在具有較大面積的顯示器中形成鉭的金屬電極的場合，上述金屬電極可形成在鉭之間嵌入有銅等具有高導(dǎo)電性金屬的三層結(jié)構(gòu)。該鉭—銅—鉭的三層結(jié)構(gòu)的電極可按照下述方式形成，該方式為通過濺射法按順序形成鉭層、銅層、鉭層，之后通過刻蝕法將除了作為電極而保留的部分的其它部分去除。
圖8B中的前面板按照下述方式構(gòu)成，該方式為顯示電極62由透明電極62a和金屬電極63構(gòu)成，在該金屬電極63的表面上形成氧化膜64，在上述顯示電極62上涂敷電介質(zhì)層65。在這里金屬電極63是按照下述方式形成的，該方式為按照將透明電極64的一側(cè)覆蓋住的方式將金屬電極63疊置于透明電極64上。
具有圖8B中的結(jié)構(gòu)的前面板可按照下述方式形成，該方式為采用氧化錫或ITO(Indium Tin Oxide)等氧化金屬材料，在玻璃基板61的表面上形成透明電極62a；以鋁或鉭作為電極材料，在其上形成金屬電極63，按照與上述相同的方式對其進行氧化處理，在金屬電極63的表面形成氧化膜64，此外還可形成電介質(zhì)層65。
如果采用上述的圖8A和圖8B中的前面板，由于致密的氧化膜64將金屬電極63的表面覆蓋住，這樣電介質(zhì)層65的潤濕性較好，很少產(chǎn)生因氣泡等原因?qū)е履げ涣嫉默F(xiàn)象。因此即使在電介質(zhì)層65以較薄的方式形成的情況下，仍可防止絕緣破壞的情況。即不僅可實現(xiàn)高的抵抗電壓，而且還可減少因抵抗電壓不良而造成的成品率降低。
另外，雖然在本實施形式中，是針對在電介質(zhì)層上形成有保護層的等離子顯示板進行描述的，但是作為同時用作電介質(zhì)層和保護層的層，也可通過真空法形成氧化鎂層，此場合的膜的厚度可在3～5μm的范圍內(nèi)。
(第5實施形式)(等離子顯示板整體的結(jié)構(gòu)和制作方法)圖9A為本實施形式的交流面放電型等離子顯示板的剖面示意圖。雖然在圖9A中僅僅表示了一個單元，但是等離子顯示板是按照將多個可發(fā)出紅、綠、藍每種顏色的單元進行排列構(gòu)成的。
此外，雖然在第1實施形式中在背面板一側(cè)還設(shè)置有電介質(zhì)層，但是在本實施形式中在背面板一側(cè)未設(shè)置電介質(zhì)層。
上述等離子顯示板是按照下述方式構(gòu)成的，即在由具有低堿含量(堿含量按重量計6.5％以下)的硼硅酸玻璃構(gòu)成的前面玻璃基板71上，粘接形成有放電電極(顯示電極)72與電介質(zhì)層73的前面板，同樣在有由堿含量少的硼硅酸玻璃構(gòu)成的后面玻璃基板75上粘接形成有尋址電極76、隔壁77、熒光體層78的后面板，在上述兩塊板之間所形成的放電空間79的內(nèi)部以密封方式充入放電氣體。
具有低堿含量的硼硅酸玻璃在用于液晶方面已大量使用，例如在用于液晶時其具有高的變形點(520～670℃)，并且具有低熱膨脹系數(shù)(45～51×10-7/℃)，其尺寸為550mm×650mm，其厚度為1.1～0.7mm[比如，新陶瓷學(xué)(1995)No.3，電子陶瓷學(xué)26[126]P1～10，1995年]。
如果按照上述方式，將具有低堿含量的硼硅酸玻璃用于玻璃基板中，則即使在與已有技術(shù)相比較、板的厚度減薄到2mm以下的情況下，仍可減小在等離子顯示板制造過程中的玻璃基板熱變形造成的翹曲。
下面對等離子顯示板的制作方法進行描述。
前面板的制作前面板按照下述方式制作，該方式為在前面玻璃基板71上形成放電電極72，通過CVD法或等離子噴鍍法在其上涂敷電介質(zhì)層73，此外在該電介質(zhì)層73的表面上形成保護層74。
放電電極72為銀電極，其是通過絲網(wǎng)印刷銀電極用的漿料后并對其進行焙燒的方法形成的。
在通過CVD法形成電介質(zhì)層73的場合，采用在第1實施形式中所描述的熱CVD法以及等離子CVD法，形成Al2O3或SiO2構(gòu)成的層。
在采用等離子噴鍍法形成電介質(zhì)層73的場合，形成鉛系或磷酸系玻璃層，這一點將在下面詳細描述。
對于保護層74，與第1實施形式相同采用CVD法形成沿(110)面或(100)面定向的致密的晶粒結(jié)構(gòu)的氧化鎂層。
如果按照上述方式采用CVD法或等離子噴鍍法，則可使玻璃基板保持比較低的溫度(小于350℃)，同時形成電介質(zhì)層73。即，由于未按照已有的印刷并焙燒玻璃材料的場合的方式，使玻璃基板處于500℃以上的高溫的條件下，這樣可防止玻璃基板因熱變形造成的翹曲等損傷。
后面板的制作在后面玻璃基板75上絲網(wǎng)印刷銀電極用的漿料之后，對其進行焙燒，從而形成尋址電極76。
接著，形成隔壁77。在本實施形式中，按照下面將要描述的方式，通過等離子噴鍍法形成隔壁77。
然后，在由隔壁77分隔形成的每個空間內(nèi)設(shè)置每種顏色的熒光體，從而形成熒光體層78。
通過粘接板制作等離子顯示板與第1實施形式相同，粘接前面板和后面板，并且對放電空間79內(nèi)部抽真空，使其具有較高的真空度，之后以規(guī)定的壓力按密封方式充入放電氣體，從而制成等離子顯示板。
在本實施形式中，放電氣體采用采用Ne-Xe系的氣體。
(有關(guān)通過等離子噴鍍法的電介質(zhì)層和隔壁的形成方法)圖10為在本實施形式的等離子顯示板中形成電介質(zhì)層和隔壁時用的等離子噴鍍裝置的示意圖；在圖10所示的等離子噴鍍裝置中，標號81表示陰極，標號82表示陽極，標號83表示電源，標號84表示直流電弧，標號85表示動作氣體，標號86表示電弧等離子流，標號87表示噴嘴，標號88表示被噴鍍的電介質(zhì)材料或隔壁材料，標號89表示電介質(zhì)材料供給口。
此外，圖10表示的是下述的情況，即為了形成隔壁，在其表面上形成有電極等的玻璃基板90上放置干膜91的狀態(tài)下進行等離子噴鍍，但是在形成電介質(zhì)層時，則是在不采用干膜91的情況下，在其表面上形成有電極的玻璃基板的整個表面上進行等離子噴鍍。
在采用上述等離子噴鍍裝置形成電介質(zhì)層時，首先將其表面上形成有放電電極的玻璃基板放置于等離子噴鍍裝置中，降低該裝置內(nèi)部的壓力(0.2Torr)。
接著，采用電源83在陰極81與陽極82之間施加電場，同時產(chǎn)生直流電弧84。與此同時，在它們之間流過動作氣體(氬氣)85，形成電弧等離子流。
然后，由粉末供給口89提供電介質(zhì)材料88，使噴鍍噴嘴87沿玻璃基板走過，同時進行噴鍍，從而形成電介質(zhì)層。
電介質(zhì)材料88采用鉛系玻璃或磷酸系玻璃粉末(其熱膨脹系數(shù)為45～50-7/℃，軟化點為700～720℃)。
下面對采用上述等離子噴鍍裝置形成隔壁的方法進行說明。
如圖10所示，在其表面形成有電極的玻璃基板90的表面上疊置下述干膜(感光性干膜)91(或具有相同開口的掩模)，該干膜91在待形成隔壁的部分具有開口92，將上述基板放置于等離子噴鍍裝置中，按照上述相同的方式，形成電弧等離子流。
接著，由粉末供給口89提供隔壁材料88，使噴鍍噴嘴87沿玻璃基板上的開口92走過，同時進行噴鍍，從而形成隔壁，之后將干膜91(或掩模)剝離掉。
上述隔壁材料88采用氧化鋁(Al2O3)或富鋁紅柱石(3Al2O3·2SiO2)的粉末。
另外，雖然在本實施形式中給出的是通過等離子噴鍍法以與尋址電極76相平行的方式形成隔壁77的例子，但是同樣還可采用等離子噴鍍法以與尋址電極相垂直的方式形成隔壁。
此外，雖然在本實施形式中，未在后面板一側(cè)形成電介質(zhì)層，但是與第2實施形式相同，也可在后面板一側(cè)形成電介質(zhì)層。在此場合，由于在形成后面板時，可以非焙燒的方式形成電介質(zhì)層和隔壁，從而即使在采用較薄的后面玻璃基板的情況下，也很難產(chǎn)生翹曲。
還有，在制作后面板時，也可在采用等離子噴鍍法形成隔壁77后，通過CVD法或等離子噴鍍法形成電介質(zhì)層80，從而如圖9B所示，形成電介質(zhì)層80覆蓋隔壁77的表面這樣的板結(jié)構(gòu)。
由于當(dāng)通過等離子噴鍍法形成隔壁時，與已有的制作方法形成的隔壁相比較，很容易形成具有多孔性的隔壁，這樣由隔壁形成的放電空間會產(chǎn)生氣體(排氣)，可認為上述情況也是造成等離子顯示板性能變差的原因，但是如果按照圖9B所示的方式，采用以電介質(zhì)層覆蓋隔壁的表面的板結(jié)構(gòu)，則可防止上述排氣。
(本實施形式的制作方法與已有制作方法的效果比較)按照已有方式，在通過印刷并焙燒鉛系玻璃(其熱膨脹系數(shù)為80～83×10-7/℃)(燃燒溫度為500～600℃)的方法形成電介質(zhì)層的場合，由于膨脹系數(shù)差造成的熱變形的作用，很容易在電介質(zhì)層中產(chǎn)生裂縫。此外，當(dāng)隔壁也通過已有的涂敷玻璃材料并對其焙燒的方法形成時，由于熱變形的作用，在電介質(zhì)層中很容易產(chǎn)生裂縫。
另外，即使在電介質(zhì)層或隔壁材料采用熱膨脹系數(shù)低的玻璃的情況下，由于其熱膨脹系數(shù)低(50×10-7/℃以下)的玻璃軟化點高(700℃以上)，必須設(shè)定高的燃燒溫度，其結(jié)果是，很容易在焙燒時使玻璃基板產(chǎn)生翹曲，或在電介質(zhì)層、隔壁中產(chǎn)生裂縫等情況。
與上述情況相對，如果按照本實施形式，通過CVD法或噴鍍法形成電介質(zhì)層，通過噴鍍法形成隔壁，則在形成電介質(zhì)層和隔壁時，無需按照已有印刷法的方式進行焙燒。因此，在等離子顯示板的制造過程中，玻璃基板或電介質(zhì)層或隔壁可避免經(jīng)受500℃以上的高溫，這樣可大大減小玻璃基板或電介質(zhì)層或隔壁產(chǎn)生的熱變形。于是，即使在所采用的玻璃基板的厚度較小的情況下，仍可防止玻璃基板產(chǎn)生翹曲，或在電介質(zhì)層、隔壁中產(chǎn)生裂縫。
此外，如果玻璃基板采用具有低堿含量的硼硅酸玻璃，則與已有的堿石灰玻璃相比較，由于熱膨脹系數(shù)較低，從而可獲得更好的效果。
再有，由于燃燒爐也不使用大量的能量，從而還可節(jié)省能量。
此外，由于無需進行焙燒，這樣電介質(zhì)層或隔壁的材料不必含有鉛，從而還可獲得形成不含有鉛的電介質(zhì)層或隔壁。
表2
試樣編號No.9～12為比較例表3
*試料編號No.9～12為比較例表2、表3所示的No.25～32的等離子顯示板是根據(jù)上述第5實施形式形成的，表2表示每個等離子顯示板的玻璃基板的特性，表3表示電介質(zhì)層、保護層、隔壁的形成條件和實驗結(jié)果。
作為玻璃基板，如表2所示，No.25、26采用無堿玻璃的OA-2[日本電氣硝子(株)的商品名稱]，No.27、28采用其堿成分按重量計6.5％的BLC[日本電氣硝子(株)的商品名稱]，No.29、30采用無堿玻璃的NA45[NHテクノグラス(株)的商品名稱]，No.31、32采用無堿玻璃的NA35[NHテクノグラス(株)的商品名稱]。
每個玻璃基板的厚度設(shè)定在0.1～1.5mm的范圍內(nèi)，如表2所示。
電介質(zhì)層的形成電介質(zhì)層的厚度全部設(shè)定為20μm。
在No.25，27，28，30中，通過等離子噴鍍法形成電介質(zhì)層。
No.25按照下述方式形成，該方式為動作氣體為氬氣(Ar)，作為電介質(zhì)材料，其以下述的玻璃粉末作為原料，該玻璃粉末由其軟化點為720℃、熱膨脹系數(shù)為45×10-7/℃的PbO(30)-B2O3(20)-SiO2(45)-Al2O3(5)構(gòu)成，以5KW的電力形成等離子流，噴鍍10分鐘。
No.27按照下述方式形成，該方式為采用下述的玻璃粉末作為原料、在相同的條件下形成，該玻璃粉末由其軟化點為700℃、熱膨脹系數(shù)為50×10-7/℃的P2O5(45)-ZnO(34)-Al2O3(18)-CaO(3)構(gòu)成。同樣No.28、30也在與No.25、No.27相同的條件下形成，但是在這里玻璃的材料成分是不同的。
在No.26中，通過熱CVD法形成電介質(zhì)層。采用二新戊?；淄殇X(Aluminum Dipivaloyl Methane)[Al(C11H19O2)3]作為原料，氣化器的溫度為125℃，玻璃基板的加熱溫度為250℃。
此外，氬氣的流量為1L/分，氧氣的流量為2L/分，上述氣體的流動時間為20分鐘，膜形成速度調(diào)整到1.0μm/分，形成由Al2O3構(gòu)成的電介質(zhì)層。
在No.28、31、32中，通過等離子CVD法形成電介質(zhì)層。采用乙酰丙酮鋁(Aluminum Acetylacetone)[Al(C5H7O2)3]或TEOS作為原料，玻璃基板的加熱溫度設(shè)定為250℃，使反應(yīng)容器內(nèi)部的壓力降低到10Torr，同時施加13.56MHz的高頻電場，從而形成Al2O3，SiO2，或3Al2O3·2SiO2的電介質(zhì)層。
保護層的形成方法保護層的厚度全部設(shè)定為1μm。
在No.25、26中，通過熱CVD法，采用環(huán)戊二烯基鎂(CyclopentadienylMagnesium)[Mg(C5H5)2]作為原料，氣化器23的溫度為100℃，玻璃基板27的加熱溫度為250℃，氬氣的流量為1L/分，氧氣的流量為2L/分，上述氣體的流動時間為1分鐘，從而形成保護層。
在No.27～32中，通過等離子CVD法，采用Mg(C5H5)2作為原料，通過等離子CVD法，將玻璃基板的加熱溫度設(shè)定在250℃，使壓力降低到10Torr，施加13.56Mhz的高頻電場，從而形成保護層。
隔壁的形成方法隔壁按照下述方式制作，該方式為通過等離子噴鍍法，用于膜將基板掩蓋，動作氣體采用氬氣(Ar)，通過5KW的電力形成等離子流，噴鍍隔壁材料10分鐘。與42英寸的高清晰度電視機用的顯示器相對應(yīng)，隔壁的高度為0.12mm，隔壁的間距(單元間距)設(shè)定為0.15mm。
在No.25，26中，隔壁材料采用平均粒徑為5μm的氧化鋁(Al2O3)。
在No.27～32中，隔壁材料采用平均粒徑為5μm的富鋁紅柱石(3Al2O3·2SiO2)。
下面列出其它的條件，這些條件為No.25～32共同采用。
玻璃基板的尺寸為對形成42英寸的面板所必需的97cm×57cm。
對于熒光體層，藍色熒光體采用BaMgAl2O2Eu2+，綠色熒光體采用Zn2SiO2Mn，紅色熒光體采用(YxGd1-x)BO3Eu3+粒子(平均粒徑為2.0μm)。
將每個熒光體與包含10％的乙基纖維素的α-萜品醇混合，通過3個壓輥形成絲網(wǎng)印刷用漿料，通過絲網(wǎng)印刷法在隔壁內(nèi)部進行印刷，在500℃的條件下進行焙燒，從而形成熒光體層。
放電氣體采用包含5％的Xe氣的氖(Ne)氣，在600Torr的密封壓力下，以密封方式充入上述氣體。
對按照上述方式制成的等離子顯示板，測定在放電維持電壓為200V、頻率為30KHz的條件下進行放電時的紫外線的波長，其中以173nm為中心的Xe分子線產(chǎn)生的激發(fā)波長為主。No.33的等離子顯示板除了下述方面以外，其它方面與按照No.25相同的方式形成，該下述方面指玻璃基板為堿石灰玻璃，其厚度為2.7mm。
No.34的等離子顯示板除了下述方面以外，其它方面與按照No.26相同的方式形成，該下述方面指玻璃基板也為堿石灰玻璃，其厚度為1.5mm。
No.35的等離子顯示板除了下述方面以外，其它方面與按照No.27相同的方式形成，該下述方面指玻璃基板為等離子顯示板用高變形點玻璃(PD-200)，其厚度為2.7mm。
No.36的等離子顯示板除了下述方面以外，其它方面與按照No.31相同的方式形成，該下述方面指玻璃基板為等離子顯示板用高變形點玻璃(PD-200)，其厚度為1.5mm。對所制成的No.25～36的等離子顯示板，按照下述方式觀察形成板時的開裂或產(chǎn)生裂縫的情況。
為了進行老化處理，在放電維持電壓為200V、頻率為30KHz的條件下對板進行放電，測定板的亮度，之后對上述板驅(qū)動5000小時后的板的亮度變化率(相對初始值在驅(qū)動5000小時后亮度的變化率)和板的缺陷進行分析。
上述觀察和判斷結(jié)果如表3所示。
從表2、表3所示的結(jié)果顯然可知，與No.33～36的等離子顯示板相比較，No.25～32的等離子顯示板中的玻璃厚度薄，板的重量輕，并且在板的電介質(zhì)層中沒有裂縫，或者板未產(chǎn)生開裂。特別是，在No.25，26和No.29～32中，采用其變形點為610℃以上的無堿玻璃基板，可獲得良好的結(jié)果。
可認為上述情況是由于下述原因造成的，該原因指由于在No.25～32的等離子顯示板中，采用其熱膨脹系數(shù)小的低堿成分的玻璃基板，從而即使在基板薄的情況下，在進行焙燒時仍很難于產(chǎn)生翹曲，此外為了形成電介質(zhì)層或隔壁，采用與基板的熱膨脹系數(shù)相適合的電介質(zhì)材料或隔壁材料，由于采用CVD法或噴鍍法，可減少在等離子顯示板制作時產(chǎn)生的熱變形。
(其它事項)此外，雖然在上述第1～5實施形式中，在玻璃基板的一側(cè)整體表面上涂敷電介質(zhì)層，但是也可僅在電極表面附近涂敷上述電介質(zhì)層。
還有，雖然在上述第1～5實施形式中，給出的是通過將隔壁固定于玻璃基板上的方式構(gòu)成后面板的例子，但是本發(fā)明不必限于該例子，例如本發(fā)明也可采用將隔壁設(shè)置于前面板一側(cè)的結(jié)構(gòu)等，從而可用于一般的AC型等離子顯示板。
再有，雖然上述第1～5實施形式是針對交流面放電型等離子顯示板進行描述的，但是本發(fā)明不必限于該情況，本發(fā)明也可用于對置電極型等離子顯示板。
雖然參照附圖通過實施形式對本發(fā)明進行了全面的描述，但是應(yīng)注意到，對該領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說容易得出各種變換和改進。于是，如果上述變換和改進不離開本發(fā)明的請求保護范圍，則它們應(yīng)當(dāng)落入上述范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示板，在該等離子顯示板中，第1板和第2板在使第1電極和第2電極相對的狀態(tài)下相互保持平行地設(shè)置；上述第1板在其表面設(shè)置有由銀構(gòu)成的第1電極、并以覆蓋上述第1電極的方式敷設(shè)有第1電介質(zhì)層；上述第2板在其表面設(shè)置有第2電極；在上述兩塊板之間形成有放電空間，其特征在于在上述第1電極和第1電介質(zhì)層之間設(shè)置有第1金屬氧化物層，該第1金屬氧化物層在其表面形成氫氧根，其厚度為10μm以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1金屬氧化物層是通過CVD法形成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1電介質(zhì)層的厚度在5～14μm的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，上述金屬氧化物是從下述的一組成分及其混合物中選出的，該組成分包括氧化鋅(ZnO)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈦(TiO2)、氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鉻(Cr2O3)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1電介質(zhì)層由介質(zhì)常數(shù)大于10的氧化鉛系玻璃或由介質(zhì)常數(shù)大于10的氧化鉍系玻璃構(gòu)成，上述氧化鉛系玻璃包括氧化鉛(PbO)、氧化硼(B2O3)、氧化硅(SiO2)和氧化鋁(Al2O3)，上述氧化鉍系玻璃包括氧化鉍(Bi2O3)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)、氧化硅(SiO2)和氧化鈣(CaO)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子顯示板，其特征在于，構(gòu)成上述第1電介質(zhì)層的玻璃的氧化鈦(TiO2)按重量計的含量為5～10％，介質(zhì)常數(shù)大于13。
7.一種等離子顯示板，在該等離子顯示板中，第1板和第2板在使第1電極和第2電極相對的狀態(tài)下相互保持平行地設(shè)置；上述第1板在其表面設(shè)置有由金屬構(gòu)成的第1電極、并以覆蓋上述第1電極的方式敷設(shè)有第1電介質(zhì)層；上述第2板在其表面設(shè)置有第2電極；在上述兩塊板之間形成有放電空間，其特征在于上述第1電極以其表面經(jīng)過氧化處理的方式形成有金屬氧化物膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子顯示板，其特征在于，上述金屬為鉭或鋁。
9.一種等離子顯示板，在該等離子顯示板中，第1板和第2板在使第1電極和第2電極相對的狀態(tài)下相互保持平行地設(shè)置；上述第1板在其表面設(shè)置有第1電極、并以覆蓋上述第1電極的方式敷設(shè)有第1電介質(zhì)層；上述第2板在其表面設(shè)置有第2電極，在上述兩塊板之間形成有放電空間，其特征在于上述第1電極由透明電極以及設(shè)置于該透明電極上的金屬電極構(gòu)成；上述金屬電極以其表面經(jīng)過氧化處理的方式形成有金屬氧化物膜。
10.一種等離子顯示板，在該等離子顯示板中，第1板和第2板在使第1電極和第2電極相對的狀態(tài)下相互保持平行地設(shè)置；上述第1板在其表面設(shè)置有第1電極、并以覆蓋上述第1電極的方式敷設(shè)有第1電介質(zhì)層；上述第2板在其表面設(shè)置有第2電極；在上述兩塊板之間形成有放電空間，其特征在于上述第1電介質(zhì)層為由通過真空處理法形成的金屬氧化物構(gòu)成的層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子顯示板，其特征在于，上述金屬氧化物是從下述的一組成分中選出的，該組成分包括氧化鋯、氧化鈦、氧化鋅、氧化鉍、氧化銫、氧化銻、氧化鋁、氧化硅、氧化鎂。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1電介質(zhì)層為由通過CVD法形成的且厚度在3～6μm范圍內(nèi)的金屬氧化物構(gòu)成的層。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1電介質(zhì)層的表面由氧化鎂構(gòu)成的保護層覆蓋。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1板由其堿成分按重量計在6.5％以下的硼硅酸玻璃構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1板的厚度在0.1～1.5mm的范圍內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子顯示板，其特征在于，上述硼硅酸玻璃的變形點大于535℃，其熱膨脹系數(shù)小于51×10-7/℃。
17.一種等離子顯示板，在該等離子顯示板中，第1板和第2板在使第1電極和第2電極相對的狀態(tài)下相互保持平行地設(shè)置；上述第1板在其表面設(shè)置有第1電極、并以覆蓋上述第1電極的方式敷設(shè)有第1電介質(zhì)層；上述第2板在其表面設(shè)置有第2電極；在上述兩塊板之間形成有放電空間，其特征在于上述第1電介質(zhì)層為通過噴鍍法形成的玻璃層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1電介質(zhì)層由包括氧化鉛(PbO)、氧化硼(B2O3)、氧化硅(SiO2)和氧化鋁(Al2O3)的玻璃或由包括氧化磷(P2O5)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈣(CaO)的玻璃構(gòu)成，其熱膨脹系數(shù)在45～51×10-7/℃。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1板和第2板由其堿成分按重量計在6.5％以下的硼硅酸玻璃構(gòu)成。
20.一種等離子顯示板，在該等離子顯示板中，第1板和第2板在使第1電極和第2電極相對的狀態(tài)下相互保持平行地設(shè)置；上述第1板在其表面設(shè)置有第1電極、并以覆蓋上述第1電極的方式敷設(shè)有第1電介質(zhì)層；上述第2板在其表面設(shè)置有第2電極；在上述兩塊板之間形成有由隔壁分隔成的放電空間，其特征在于上述隔壁是在上述第1板上或第2板上通過噴鍍法形成的。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的等離子顯示板，其特征在于，上述隔壁是由從下述的一組成分及其混合物中選出的材料形成的，該組成分包括氧化鋁(Al2O3)、富鋁紅柱石(3Al2O3·2SiO2)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1板和第2板由其堿成分按重量計在6.5％以下的硼硅酸玻璃構(gòu)成。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子顯示板，其特征在于，上述隔壁的表面由電介質(zhì)層覆蓋。
24.一種等離子顯示板，在該等離子顯示板中，第1板和第2板在使第1電極和第2電極相對的狀態(tài)下相互保持平行地設(shè)置；上述第1板在其表面設(shè)置有第1電極、并以覆蓋上述第1電極的方式敷設(shè)有第1電介質(zhì)層；上述第2板在其表面設(shè)置有第2電極；在上述兩塊板之間形成有放電空間，其特征在于上述第1電介質(zhì)層由通過真空處理法在上述第1電極上形成的金屬氧化物構(gòu)成的下層以及在該下層上形成的電介質(zhì)玻璃構(gòu)成的上層構(gòu)成。
25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于在上述第2板中，在第2電極上設(shè)置有第2電介質(zhì)層；在第2電極與第2電介質(zhì)層之間設(shè)置有下述的第2金屬氧化物層，該第2金屬氧化物層的表面形成氫氧根、其厚度在10μm以下。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第2金屬氧化物層是通過CVD法形成的。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第2電介質(zhì)玻璃層的厚度在5～14μm的范圍內(nèi)。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第2金屬氧化物層是由從下述的一組成分及其混合物中選出的材料形成的，該組成分包括氧化鋅(ZnO)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鎂(MgO)、氧化鈦(TiO2)、氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鉻(Cr2O3)。
29.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子顯示板，其特征在于在上述第2板中，在第2電極上設(shè)置有第2電介質(zhì)層；上述第2電極也由金屬材料構(gòu)成，其通過對其表面進行氧化處理的方式形成有金屬氧化物膜。
30.一種等離子顯示板的制造方法，其包括下述步驟第1步對于在其表面設(shè)置有第1銀電極的第1板，在該第1電極的表面上采用CVD法，形成由在其表面產(chǎn)生氫氧根(OH根)的金屬氧化物構(gòu)成的層；第2步在通過上述第1步形成的金屬氧化物層上形成電介質(zhì)層；第3步在上述第2步后，將第1板和在其表面設(shè)置有第2電極的第2板在使第1電極和第2電極相對的狀態(tài)下相互保持平行地設(shè)置，在兩塊板之間形成放電空間。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的制造方法，其特征在于，在上述第1步中，把金屬螯合物或金屬烷氧化物化合物作為CVD的原料使用。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的制造方法，其特征在于，在上述第1步中，把從鋅、鋯、鎂、鈦、硅、鋁、鉻構(gòu)成的組中選擇出的元素化合物作為CVD的原料使用。
33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的制造方法，其特征在于，在上述第2步中，采用介質(zhì)常數(shù)大于10的氧化鉛系玻璃或介質(zhì)常數(shù)大于10的氧化鉍系玻璃形成電介質(zhì)層，上述氧化鉛系玻璃包括氧化鉛(PbO)、氧化硼(B2O3)、氧化硅(SiO2)和氧化鋁(Al2O3)，上述氧化鉍系玻璃包括氧化鉍(Bi2O3)、氧化鋅(ZnO)、氧化硼(B2O3)、氧化硅(SiO2)和氧化鈣(CaO)。
34.一種等離子顯示板的制造方法，其包括下述步驟第1步對于在其表面設(shè)置有由金屬材料構(gòu)成的第1電極的第1板，通過進行氧化處理，在該第1電極的表面上形成由金屬氧化物構(gòu)成的層；第2步在通過上述第1步形成的金屬氧化物層上形成電介質(zhì)層；第3步在上述第2步后，將第1板和在其表面設(shè)置有第2電極的第2板在使第1電極和第2電極相對的狀態(tài)下相互保持平行地設(shè)置，在兩塊板之間形成由隔壁分隔成的放電空間。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的制造方法，其特征在于，在上述第1步中，通過陽極氧化法在上述第1電極的表面上形成由金屬氧化物構(gòu)成的層。
36.一種等離子顯示板的制造方法，其包括下述步驟第1步對于在其表面設(shè)置有第1電極的第1板，通過真空處理法，形成覆蓋該第1電極的電介質(zhì)層；第2步在上述第1步后，將第1板和在其表面設(shè)置有第2電極的第2板在使第1電極和第2電極相對的狀態(tài)下相互保持平行地設(shè)置，在兩塊板之間形成由隔壁分隔成的放電空間。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的制造方法，其特征在于，在上述第1步中，采用從鋯、鈦、鋅、鉍、銫、硅、鋁、銻、鎂構(gòu)成的組中選擇出的元素化合物形成電介質(zhì)層。
38.根據(jù)權(quán)利要求36所述的制造方法，其特征在于，在上述第1步和第2步之間還包括下述步驟即在通過第1步形成電介質(zhì)層后，接著通過真空處理法形成由氧化鎂構(gòu)成的保護層。
39.根據(jù)權(quán)利要求36所述的制造方法，其特征在于，上述第1步中所采用的真空處理法為CVD法。
40.根據(jù)權(quán)利要求34所述的制造方法，其特征在于，在上述第1步中，把從鋯、鈦、鋅、鉍、銫、硅、鋁、銻、鎂構(gòu)成的組中選擇出的元素化合物作為CVD的原料使用。
41.根據(jù)權(quán)利要求36所述的制造方法，其特征在于，上述第1步中所采用的第1板由其堿成分按重量計在6.5％以下的硼硅酸玻璃構(gòu)成。
42.一種等離子顯示板的制造方法，其包括下述步驟第1步對于在其表面設(shè)置有第1電極的第1板，通過噴鍍法形成覆蓋該第1電極的電介質(zhì)層；第2步在上述第1步后，將第1板和在其表面設(shè)置有第2電極的第2板在使第1電極和第2電極相對的狀態(tài)下相互保持平行地設(shè)置，在兩塊板之間形成由隔壁分隔成的放電空間。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的制造方法，其特征在于，在上述第1步中，噴鍍材料為包括氧化鉛(PbO)、氧化硼(B2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)的玻璃或包括氧化磷(P2O5)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈣(CaO)的玻璃，其熱膨脹系數(shù)在45～50×10-7/℃。
44.根據(jù)權(quán)利要求42所述的制造方法，其特征在于，上述第1步中所采用的第1板由其堿成分按重量計在6.5％以下的硼硅酸玻璃構(gòu)成。
45.一種等離子顯示板的制造方法，其包括下述步驟第1步對于在其表面設(shè)置有第1電極的第1板，通過噴鍍法，形成隔壁；第2步在上述第1步后，將第1板和在其表面設(shè)置有第2電極的第2板在使第1電極和第2電極相對的狀態(tài)下相互保持平行地設(shè)置，在兩塊板之間形成由上述隔壁分隔成的放電空間。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的制造方法，其特征在于，在上述第1步中，噴鍍材料采用從下述一組成分及其混合物中選擇出的材料，該組成分包括氧化鋁(Al2O3)、富鋁紅柱石(3Al2O3·2SiO2)。
47.根據(jù)權(quán)利要求45所述的制造方法，其特征在于，在上述第1步后，形成覆蓋通過第1步形成的隔壁的表面的電介質(zhì)層。
48.根據(jù)權(quán)利要求45所述的制造方法，其特征在于，上述第1步中所采用的第1板由其堿成分按重量計在6.5％以下的硼硅酸玻璃構(gòu)成。
全文摘要
一種等離子顯示板,在于板的表面的銀電極上涂敷電介質(zhì)層時,采用CVD法,通過由ZnO、ZrO
文檔編號H01J17/49GK1200554SQ9712081
公開日1998年12月2日 申請日期1997年11月26日 優(yōu)先權(quán)日1996年11月27日
發(fā)明者田中博由, 村井隆一, 安井秀明, 佐佐木良樹, 塩川晃, 工藤真壽, 小寺宏一, 青木正樹, 大谷光弘, 鈴木茂夫, 野野村欽造 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社