專利名稱：電子槍、電子槍的制造方法以及陰極射線管裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及陰極射線管的電子槍，特別是涉及提高電子槍的高頻磁場穿透特性的技術(shù)。
作為投影型單色陰極射線管電子槍部分的現(xiàn)有技術(shù)例子，在圖5中表示了日本專利公開特開平10-74465號公報中記載的構(gòu)造。圖5中，14為管頸，其內(nèi)部設置電子槍。電子槍順序配置容納陰極6的帽狀G1電極(控制電極)5、帽狀G2電極(加速電極)7、筒狀G3電極(前段陽極電極)8、G4電極(聚焦電極)9、包圍G4電極9前端部的G5電極(陽極電極)10。在G3電極8和G4電極9之間形成主電子透鏡，G4電極9和G5電極10之間、及G5電極10內(nèi)部形成電子透鏡。管頸14的外側(cè)設置速度調(diào)制線圈18、會聚線圈15以及偏轉(zhuǎn)線圈16。
如圖5所示，現(xiàn)有技術(shù)如下對設置在管頸14內(nèi)的電子槍，從管頸14外部由速度調(diào)制線圈18進行磁場調(diào)制，進行電子束的所謂速度調(diào)制，謀求聚焦性能的提高。即從陰極6射出的電子束到達熒光屏面上之前，通過由偏轉(zhuǎn)線圈16、會聚線圈15以及速度調(diào)制線圈18等產(chǎn)生的磁場，調(diào)制電子束軌道。其中偏轉(zhuǎn)線圈16裝在陰極射線管的漏斗錐部上，產(chǎn)生交流磁場17并偏轉(zhuǎn)電子束軌道，由此，用電子束掃描陰極射線管熒光屏面。會聚線圈15裝在陰極射線管管頸14外側(cè)，產(chǎn)生交流磁場20調(diào)制電子束軌道，由此校正光柵畸變與色差。速度調(diào)制線圈18裝在陰極射線管管頸14的外側(cè)，產(chǎn)生交流磁場19調(diào)制電子束的掃描速度，由此防止熒光屏面上的高亮度部向低亮度部的溢出，使圖像清晰。
用于調(diào)制電子束的交流磁場頻率達到與圖像頻率相同的兆赫級。為此，通過深拉加工不銹鋼等金屬材料而形成的電子槍金屬部件，存在該交流磁場受到衰減而得不到期望的電子束調(diào)制的問題。
如圖5所示，由會聚線圈15產(chǎn)生的交流磁場20的大部分通過G5電極10。偏轉(zhuǎn)線圈16裝在漏斗錐部，由偏轉(zhuǎn)線圈16產(chǎn)生的交流磁場17的一部分通過G5電極10。速度調(diào)制線圈18設置在G3電極8與G4電極9之間，由速度調(diào)制線圈18產(chǎn)生的交流磁場19的大部分通過G3電極8與G4電極9。
在通過這些金屬電極而施加交流磁場時，在金屬電極部產(chǎn)生渦流。而且，交流磁場的頻率越高，該渦流損耗越大，因此，由高頻調(diào)制區(qū)域中由磁場產(chǎn)生的電子束軌道的調(diào)制效果降低。例如，通過由會聚線圈15產(chǎn)生的交流磁場20，在G5電極10中產(chǎn)生渦流，會聚線圈15產(chǎn)生的電子束軌道調(diào)制效果降低。
而且，由于該渦流損耗，出現(xiàn)電極發(fā)熱、管頸破損的情況。為了防止這種交流磁場損耗和電極發(fā)熱，如果是加大交流磁場發(fā)生源與電子槍金屬電極的距離的設計，則必然增大電子束聚焦透鏡與熒光屏面的距離，電子透鏡倍數(shù)變大，于是出現(xiàn)分辨率下降的問題。特別是，在高品質(zhì)電視等的高偏轉(zhuǎn)頻率、寬信號帶域的圖像顯示裝置中，由于這種交流磁場損耗變大，存在產(chǎn)生實用障礙的問題。
在現(xiàn)有技術(shù)中，建議將深拉狀的金屬部件分割成幾部分，各部件間設有間隙改善磁場的穿透特性(日本專利公開特開平8-115684號公報)，但是，存在裝配精度和成本偏高等問題。而且，為了保持分割后各部件的機械強度，各部件不能太小，因此，存在不能大幅度改善磁場穿透特性的問題。
本發(fā)明的目的是解決上述問題，并提供一種陰極射線管，它具有對來自真空外部的調(diào)制磁場不妨礙其磁場的穿透而取得期望的電子束調(diào)制效果的電子槍。
本發(fā)明的電子槍具有電子束通過內(nèi)部的筒狀電極，在電極筒狀部的至少一部分上，具有形成線圈狀的線圈狀部。按照該結(jié)構(gòu)，調(diào)制磁場穿過構(gòu)成線圈狀構(gòu)件的構(gòu)件間隙，因而可降低渦流損耗。
上述結(jié)構(gòu)的電子槍中，最好前段陽極電極(G3電極)的至少一部分形成線圈狀。按照該結(jié)構(gòu)，可由線圈狀部分的構(gòu)件在前段陽極電極的內(nèi)部形成等電位空間。
而且，上述結(jié)構(gòu)的電子槍中，線圈狀部分最好由非金屬材料構(gòu)成。按照該結(jié)構(gòu)，可進一步提高調(diào)制磁場的穿透效果。
上述結(jié)構(gòu)的電子槍中，可將線材卷成線圈狀來構(gòu)成線圈狀部。
而且，上述結(jié)構(gòu)中，線圈狀部在管軸方向上相鄰部分的間隔最好為2.5mm以下。由此，可降低外部電場的影響。另外，線圈狀部在管軸方向上相鄰部分彼此相接觸。按照這種結(jié)構(gòu)，可得到調(diào)制磁場穿透的效果，達到提高電極構(gòu)件的強度。
本發(fā)明的電子槍制造方法，具有電子束通過內(nèi)部的筒狀電極，在電子槍在電極筒狀部的至少一部分上具有形成線圈狀的線圈狀部。按照本發(fā)明的制造方法，筒狀電極構(gòu)件加上螺旋狀切口后，在管軸方向伸展電極構(gòu)件，形成線圈狀部。按照該方法，可容易地制作線圈狀部。
本發(fā)明的陰極射線管裝置，具有陰極射線管和速度調(diào)制線圈，上述陰極射線管在頸部內(nèi)具有前段陽極電極的至少一部分形成線圈狀的電子槍，上述速度調(diào)制線圈位于陰極射線管外部及前段陽極電極的線圈狀部周圍。按照這種結(jié)構(gòu)，可提高速度調(diào)制效果。


圖1是用本發(fā)明電子槍部分剖面表示的側(cè)視圖。
圖2是本發(fā)明陰極射線管的斜視圖。
圖3顯示本發(fā)明的磁場調(diào)制效果。
圖4顯示本發(fā)明電子槍的其它例子。
圖5是現(xiàn)有技術(shù)陰極射線管的電子槍附近的放大截面圖。
下面，參照圖面說明本發(fā)明用于單色陰極射線管時的實施例。
圖1表示本發(fā)明的電子槍側(cè)視圖。電子槍4順序配置容納陰極6的帽狀G1電極(控制電極)5、與G1電極5底部彼此相對的帽狀G2電極(加速電極)7、與G2電極7的開口部距離規(guī)定間隔而設置的筒狀G3電極(前段陽極電極)8、在與G3電極8之間形成主電子透鏡21的G4電極(聚焦電極)9、以及包圍G4電極9前端部的G5電極(陽極電極)10。在G5電極10與G4電極9之間、以及在G5電極10的內(nèi)部形成電子透鏡。
G3電極8在其內(nèi)部形成等電位空間，線圈狀部11設在其一部分上。線圈狀部11的G4電極9側(cè)的端部上設置用于形成電子透鏡的板狀電極13，另一端部同G2電極7側(cè)的端部12相連接。設置線圈狀部11的位置，考慮到浸透速度調(diào)制磁場的目的，最好處于放置速度調(diào)制線圈的地方。因此，G4電極9的一部分作為線圈狀部。但是，電子束速度遲緩而使G3電極8速度調(diào)制效果相應提高，因此，線圈狀部11設置在G3電極8上比設在G4電極9上更好。
線圈狀部11，在卷繞由電極材料制成的線材而形成線圈狀后，與G2電極側(cè)端部12和板狀電極13相焊接。通過深拉整體成形全部G3電極8后，其一部分加上螺旋狀切口，在其長度方向(管軸方向)拉伸G3電極8，由此將G2電極側(cè)端部12、線圈狀部11、板狀電極13作為整體而形成。這樣，能方便地形成線圈狀部11。
如圖2所示，按上述方式制作的電子槍4裝入由熒光面板2和漏斗3構(gòu)成的管殼的頸部，構(gòu)成陰極射線管1。
下面說明將本發(fā)明用于16cm(7英寸)、管頸直徑Ф29.1mm的投影管用單色陰極射線管時、線圈狀部的優(yōu)選實施例。線圈狀部11由直徑0.8mm的不銹鋼線制成，長為8.6mm，內(nèi)徑為10.4mm，間距為1.6mm。
線圈狀部11中的相鄰線材的間隔最好在0-2.5mm的范圍內(nèi)。間隔為0mm時相鄰線材接觸，但即使在這樣的情況下，與完全沒有接縫的情況如深拉加工一塊板材的情況相比，也能取得足夠大的調(diào)制磁場的穿透效果。但是，為了取得較大調(diào)制效果，最好也將相鄰線材間的空隙間隔設為很小。另一方面，如果相鄰線材的間隔大于2.5mm，則易于受外部電場的影響。
線圈狀部11可用下述方法形成將粘合劑混合到非金屬材料如導電性陶瓷、碳石墨中，并燒結(jié)之。
作為導電性陶瓷，可使用以TiC或TiN為主要成分，混合Co、Ni、Mo等金屬或含有Cu、Sr、ReO3的材料。使用導電性陶瓷的情況下，形成管狀后，截斷成線圈狀，或直接形成線圈狀并燒結(jié)固化，由此制作線圈狀部11。
圖3是顯示本發(fā)明效果的圖，表示調(diào)制磁場的頻率與磁場調(diào)制效果大小的關(guān)系。這里，縱軸的″磁場調(diào)制效果″是指，將作為熒光屏面上映出豎條紋的圖像信號的矩形信號輸入到顯象管的情況下，表示在施加速度調(diào)制時與不施加速度調(diào)制時熒光屏面上豎線寬度怎樣變化(單位為mm)，該值越大磁場調(diào)制效果越明顯。圖3中，曲線a表示未設線圈狀部的以前的電子槍的情況，曲線b表示由金屬形成線圈狀部的本發(fā)明電子槍的情況，曲線c表示由導電性陶瓷形成線圈狀部的本發(fā)明電子槍的情況。如圖3所示，按照本發(fā)明，在寬頻率帶域范圍中，得到比以前例子明顯的磁場調(diào)制效果。而且，如果用導電性陶瓷形成線圈狀部，可看出得到比用金屬形成時更大的磁場調(diào)制效果。
圖4與圖2一樣，表示將本發(fā)明用于單色陰極射線管用電子槍的G3電極8中的實施例。該實施例中，線圈狀部11的G4電極9側(cè)的端部上不設板狀電極，而是線圈狀部11的端面本身形成電極，并在與G4電極9之間形成主電子透鏡21。
以上說明了將本發(fā)明用于單色陰極射線管的情況，但是也可用于彩色陰極射線管。用于彩色陰極射線管的情況下，線圈狀部設在包圍例如3條電子束的G3電極上。
按照本發(fā)明，能實現(xiàn)具有對來自陰極射線管外部的調(diào)制磁場不妨礙該磁場穿透、且取得期望的電子束調(diào)制效果的電子槍的陰極射線管。
權(quán)利要求
1.一種電子槍，具有內(nèi)部通過電子束的筒狀電極，其特征在于，所述電極筒狀部分的至少一部分上具有形成線圈狀的線圈狀部。
2.如權(quán)利要求1所述的電子槍，其特征在于，在前段陽極電極(G3電極)的至少一部分上形成線圈狀部。
3.如權(quán)利要求1所述的電子槍，其特征在于，所述線圈狀部由非金屬材料制成。
4.如權(quán)利要求1所述的電子槍，其特征在于，所述線圈狀部是將線材卷成線圈狀而構(gòu)成的。
5.如權(quán)利要求1所述的電子槍，其特征在于，所述線圈狀部在管軸方向上相鄰部分的間隔為2.5mm以下。
6.如權(quán)利要求5所述的電子槍，其特征在于，所述線圈狀部在管軸方向上相鄰部分彼此構(gòu)成接觸。
7.一種電子槍的制造方法，具有電子束通過內(nèi)部的筒狀電極，在所述電極的筒狀部的至少一部分上具有形成線圈狀的線圈狀部，所述筒狀電極構(gòu)件加上螺旋狀切口后，在管軸方向伸展電極構(gòu)件，由此形成所述線圈狀部。
8.一種陰極射線管裝置，具有陰極射線管和速度調(diào)制線圈，陰極射線管在頸部內(nèi)具有前段陽極電極的至少一部分形成線圈狀的電子槍，速度調(diào)制線圈位于所述陰極射線管的外部及所述前段陽極電極的線圈狀部分周圍。
全文摘要
一種電子槍,對應于來自真空外部的調(diào)制磁場不妨礙該磁場穿透、且取得期望的電子束調(diào)制效果。電子槍4中,構(gòu)成筒狀的G3電極8的一部分作為線圈狀部11,于是構(gòu)造成調(diào)制磁場通過構(gòu)成線圈狀部11的線材的間隙,降低渦流損耗。
文檔編號H01J3/02GK1264916SQ9912048
公開日2000年8月30日 申請日期1999年12月21日 優(yōu)先權(quán)日1998年12月21日
發(fā)明者大前秀治, 近田雅彥, 星敏春 申請人:松下電子工業(yè)株式會社