一種小功率超低光衰半導(dǎo)體光源的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種小功率超低光衰半導(dǎo)體光源，包括基板，所述基板的底部設(shè)置有散熱板，基板上設(shè)置有散熱墊，散熱墊設(shè)置有相互平行的并且串聯(lián)的第一芯片和第二芯片，第一芯片的正極與基板上的輸入端連接，第二芯片的負(fù)極與基板上的輸出端，并且在基板上設(shè)置有耐高溫、高導(dǎo)熱、透明的密封罩。該小功率超低光衰半導(dǎo)體光源的第一芯片和第二芯片采用雙芯串聯(lián)結(jié)構(gòu)，并且兩芯片之間的連線與光源的輸入端、輸出端之間的連線垂直，減少了芯片電極之間的距離，節(jié)約金線，通過耐高溫、高導(dǎo)熱、透明的密封罩將光源覆蓋，避免在高溫下?lián)]發(fā)出污染物，防止光源發(fā)光表面的硫化或氧化，從而減少了光衰減，大大提高了出光率。
【專利說明】
一種小功率超低光衰半導(dǎo)體光源
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及光源技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種小功率超低光衰半導(dǎo)體光源。
【背景技術(shù)】
[0002]目前用于照明的燈具根據(jù)發(fā)光源可分為普通光源和節(jié)能光源，節(jié)能光源中又以半導(dǎo)體LED光源最為節(jié)能環(huán)保，LED光源有亮度高、使用壽命長(zhǎng)、不含水銀等有毒性的特點(diǎn)，是現(xiàn)在全世界各國公認(rèn)的綠色環(huán)保首選照明光源，傳統(tǒng)的雙芯片大多數(shù)采用雙排并聯(lián)，增加了電極之間的距離，浪費(fèi)大量的金線，散熱率低，并且在發(fā)光產(chǎn)生高溫時(shí)會(huì)揮發(fā)出污染物，為此，我們提出一種小功率超低光衰半導(dǎo)體光源。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種小功率超低光衰半導(dǎo)體光源，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種小功率超低光衰半導(dǎo)體光源，包括基板，所述基板的底部設(shè)置有散熱板，所述基板上設(shè)置有散熱墊，所述散熱墊設(shè)置有相互平行的并且串聯(lián)的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的正極與基板上的輸入端連接，所述第二芯片的負(fù)極與基板上的輸出端，并且在基板上設(shè)置有密封罩。
[0005]優(yōu)選的，所述輸入端與輸出端相互平行，并且和第一芯片的負(fù)極與第二芯片的正極之間的連線垂直。
[0006]優(yōu)選的，所述散熱板和散熱墊采用一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
[0007]優(yōu)選的，所述基板上的密封罩為半球形。
[0008]優(yōu)選的，所述密封罩將第一芯片和第二芯片以及第一芯片的正極與基板上的輸入端和第二芯片的負(fù)極與基板上的輸出端上的焊點(diǎn)覆蓋密封。
[0009]優(yōu)選的，所述密封罩為耐高溫、高導(dǎo)熱、透明罩。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:該小功率超低光衰半導(dǎo)體光源的第一芯片和第二芯片采用雙芯串聯(lián)結(jié)構(gòu)，通過輸入端、輸出端焊點(diǎn)分別與第一芯片、第二芯片形成兩條平行的直線，且第一芯片的負(fù)極與第二芯片的正極連線垂直于兩直線，減少了芯片電極之間的距離，節(jié)約金線，利用散熱墊與散熱板的一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，解決光源散熱問題，使其帶有自動(dòng)散熱功能，通過耐高溫、高導(dǎo)熱、透明的密封罩將光源、焊點(diǎn)及基板覆蓋，避免在高溫下?lián)]發(fā)出污染物，有效阻止易揮發(fā)物擴(kuò)散到LED光源上造成污染，防止光源發(fā)光表面的硫化或氧化，從而減少了光衰減，大大提高了出光率。
【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖中:I基板、2散熱板、3散熱墊、4第一芯片、5第二芯片、6輸入端、7輸出端、8密封罩。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0014]請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明提供一種技術(shù)方案:一種小功率超低光衰半導(dǎo)體光源，包括基板I，基板I的底部設(shè)置有散熱板2，基板I上設(shè)置有散熱墊3，散熱板2和散熱墊3采用一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，利用散熱墊3與散熱板2的一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，解決光源散熱問題，使其帶有自動(dòng)散熱功能，散熱墊3設(shè)置有相互平行的并且串聯(lián)的第一芯片4和第二芯片5，第一芯片4的正極與基板I上的輸入端6連接，第二芯片5的負(fù)極與基板I上的輸出端7，輸入端6與輸出端7相互平行，并且和第一芯片4的負(fù)極與第二芯片5的正極之間的連線垂直，減少了第一芯片4與第二芯片5電極之間的距離，節(jié)約金線，并且在基板I上設(shè)置有密封罩8，密封罩8為耐高溫、高導(dǎo)熱、透明罩，密封罩8將第一芯片4和第二芯片5以及第一芯片4的正極與基板I上的輸入端6和第二芯片5的負(fù)極與基板I上的輸出端7上的焊點(diǎn)覆蓋密封，通過耐高溫、高導(dǎo)熱、透明的密封罩8將光源、焊點(diǎn)及鋁基板覆蓋，避免在高溫下?lián)]發(fā)出污染物，有效阻止易揮發(fā)物擴(kuò)散至IJLED光源上造成污染，防止光源發(fā)光表面的硫化或氧化，從而減少了光衰減，大大提高了出光率，基板I上的密封罩8為半球形，半球形加大了散熱面積。
[0015]盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種小功率超低光衰半導(dǎo)體光源，包括基板(I)，所述基板(I)的底部設(shè)置有散熱板(2)，其特征在于:所述基板(I)上設(shè)置有散熱墊(3)，所述散熱墊(3)設(shè)置有相互平行的并且串聯(lián)的第一芯片(4)和第二芯片(5)，所述第一芯片(4)的正極與基板(I)上的輸入端(6)連接，所述第二芯片(5)的負(fù)極與基板(I)上的輸出端(7)，并且在基板(I)上設(shè)置有密封罩2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小功率超低光衰半導(dǎo)體光源，其特征在于:所述輸入端(6)與輸出端(7)相互平行，并且和第一芯片(4)的負(fù)極與第二芯片(5)的正極之間的連線垂直。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小功率超低光衰半導(dǎo)體光源，其特征在于:所述散熱板(2)和散熱墊(3)采用一體化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小功率超低光衰半導(dǎo)體光源，其特征在于:所述基板(I)上的密封罩(8)為半球形。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小功率超低光衰半導(dǎo)體光源，其特征在于:所述密封罩(8)將第一芯片(4)和第二芯片(5)以及第一芯片(4)的正極與基板(I)上的輸入端(6)和第二芯片(5)的負(fù)極與基板(I)上的輸出端(7)上的焊點(diǎn)覆蓋密封。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小功率超低光衰半導(dǎo)體光源，其特征在于:所述密封罩(8)為耐高溫、高導(dǎo)熱、透明罩。
【文檔編號(hào)】F21V23/00GK105953094SQ201610523071
【公開日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2016年6月29日
【發(fā)明人】黃明華
【申請(qǐng)人】海寧市智慧光電有限公司