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      一種散熱良好的cob光源的制作方法

      文檔序號(hào):9992376閱讀:267來(lái)源:國(guó)知局
      一種散熱良好的cob光源的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及LED照明領(lǐng)域,尤其是一種散熱良好的COB光源。
      【背景技術(shù)】
      [0002]高光效LED照明中引入COB (chip on board)基板封裝技術(shù),不但可以有效降低熱量淤積于光源內(nèi)部得不到散失,而且通過(guò)多種形式串并聯(lián)的芯片,間接降低芯片上電流密度,減少熱量的產(chǎn)生。
      [0003]然而現(xiàn)有COB中的LED芯片是固定在鋁基板上的,鋁基板一方面作為L(zhǎng)ED芯片的載板,另一方面用作散熱部件,將LED芯片產(chǎn)生的熱量向外界散發(fā)。由于鋁質(zhì)材料的導(dǎo)熱效率有限,使得COB的熱量無(wú)法及時(shí)的散發(fā),導(dǎo)致基板的溫度過(guò)高,直接影響COB的壽命。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種散熱良好的COB光源。
      [0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種散熱良好的COB光源,包括基板,所述基板上設(shè)有固晶區(qū)域,所述固晶區(qū)域內(nèi)設(shè)有LED芯片;所述基板的底部設(shè)有銅質(zhì)的散熱底座,所述散熱底座包括底板和圍繞所述底板邊緣而設(shè)的側(cè)板,所述側(cè)板與底板共同圍成用于容置基板的凹槽,所述凹槽的形狀與基板的形狀契合;所述基板的邊緣設(shè)有若干嵌槽,所述側(cè)板的內(nèi)側(cè)設(shè)有與所述嵌槽配合的凸條。本實(shí)用新型在原有鋁基板的基礎(chǔ)上增加作為散熱的銅質(zhì)散熱底座,由于銅質(zhì)材料導(dǎo)熱速度快,能夠?qū)X基板上的熱量快速散發(fā);另外,散熱底座與鋁基板結(jié)合后,散熱底座的底板與基板的底部接觸,散熱底座的側(cè)板的凸條與基板邊緣的嵌槽配合并形成接觸,這樣一來(lái)可以增加散熱底座與基板的接觸面積,從而加快基板與散熱底座之間的熱量傳遞速度,進(jìn)一步提高COB光源的散熱速度。
      [0006]作為改進(jìn),所述嵌槽的下端貫穿所述基板的底面,嵌槽的內(nèi)側(cè)向基板中心形成凹陷,嵌槽的外側(cè)設(shè)有使嵌槽與外界相通的開(kāi)口。安裝時(shí),凸條從基板的底部進(jìn)入嵌槽內(nèi)。
      [0007]作為改進(jìn),所述嵌槽的上端貫穿所述基板的頂面。
      [0008]作為改進(jìn),所述嵌槽等間距的分布在基板的邊緣。
      [0009]作為改進(jìn),所述凹槽的深度與基板的厚度相等。
      [0010]作為改進(jìn),所述底板上設(shè)有若干銅柱,所述基板底部于所述LED芯片處設(shè)有盲孔,所述銅柱與所述盲孔配合?;迳系臒嵩粗饕性贚ED芯片的固晶處,基板熱源處的熱量可以通過(guò)銅柱傳導(dǎo)至散熱底座進(jìn)行散發(fā),進(jìn)一步提高COB光源的散熱效率。
      [0011]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比所帶來(lái)的有益效果是:
      [0012]散熱底座與鋁基板結(jié)合后,散熱底座的底板與基板的底部接觸,散熱底座的側(cè)板的凸條與基板邊緣的嵌槽配合并形成接觸,這樣一來(lái)可以增加散熱底座與基板的接觸面積,從而加快基板與散熱底座之間的熱量傳遞速度;基板熱源處的熱量可以通過(guò)銅柱傳導(dǎo)至散熱底座進(jìn)行散發(fā),進(jìn)一步提高COB光源的散熱效率。
      【附圖說(shuō)明】
      [0013]圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0014]圖2為本實(shí)用新型分解視圖。
      [0015]圖3為基板的背面俯視圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0016]下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。
      [0017]如圖1至3所示,一種散熱良好的COB光源,包括鋁質(zhì)的基板2,所述基板2上設(shè)有固晶區(qū)域,所述固晶區(qū)域內(nèi)設(shè)有LED芯片3。所述基板2的底部設(shè)有銅質(zhì)的散熱底座1,所述散熱底座I包括底板11和圍繞所述底板11邊緣而設(shè)的側(cè)板12,所述側(cè)板12與底板11共同圍成用于容置基板2的凹槽,所述凹槽的形狀與基板2的形狀契合;所述凹槽的深度與基板2的厚度相等,基板2與散熱底座I配合后,側(cè)板12的頂面與基板2的頂面平齊。所述基板2的邊緣設(shè)有若干嵌槽21,所述嵌槽21等間距的分布在基板2的邊緣;所述嵌槽21的下端貫穿所述基板2的底面,上端貫穿所述基板2的頂面,嵌槽21的內(nèi)側(cè)向基板2中心形成U形的凹陷,嵌槽21的外側(cè)設(shè)有使嵌槽21與外界相通的開(kāi)口。所述側(cè)板12的內(nèi)側(cè)設(shè)有與所述嵌槽21配合的凸條13,凸條13與嵌槽21 對(duì)應(yīng),凸條13插入嵌槽21后,凸條13的外表面與嵌槽21的內(nèi)表面相互接觸。所述底板11上設(shè)有若干銅柱14,所述基板2底部于所述LED芯片3處設(shè)有盲孔22,所述銅柱14與所述盲孔22配合,基板2上的熱源主要集中在LED芯片3的固晶處,基板2熱源處的熱量可以通過(guò)銅柱14傳導(dǎo)至散熱底座I進(jìn)行散發(fā),進(jìn)一步提高COB光源的散熱效率。
      [0018]本實(shí)用新型在原有鋁基板2的基礎(chǔ)上增加作為散熱的銅質(zhì)散熱底座1,由于銅質(zhì)材料導(dǎo)熱速度快,能夠?qū)X基板2上的熱量快速散發(fā);另外,散熱底座I與鋁基板2結(jié)合后,散熱底座I的底板11與基板2的底部接觸,散熱底座I的側(cè)板12的凸條13與基板2邊緣的嵌槽21配合并形成接觸,這樣一來(lái)可以增加散熱底座I與基板2的接觸面積,從而加快基板2與散熱底座I之間的熱量傳遞速度,進(jìn)一步提高COB光源的散熱速度。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種散熱良好的COB光源,包括基板,所述基板上設(shè)有固晶區(qū)域,所述固晶區(qū)域內(nèi)設(shè)有LED芯片;其特征在于:所述基板的底部設(shè)有銅質(zhì)的散熱底座,所述散熱底座包括底板和圍繞所述底板邊緣而設(shè)的側(cè)板,所述側(cè)板與底板共同圍成用于容置基板的凹槽,所述凹槽的形狀與基板的形狀契合;所述基板的邊緣設(shè)有若干嵌槽,所述側(cè)板的內(nèi)側(cè)設(shè)有與所述嵌槽配合的凸條。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種散熱良好的COB光源,其特征在于:所述嵌槽的下端貫穿所述基板的底面,嵌槽的內(nèi)側(cè)向基板中心形成凹陷,嵌槽的外側(cè)設(shè)有使嵌槽與外界相通的開(kāi)口。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種散熱良好的COB光源,其特征在于:所述嵌槽的上端貫穿所述基板的頂面。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種散熱良好的COB光源,其特征在于:所述嵌槽等間距的分布在基板的邊緣。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種散熱良好的COB光源,其特征在于:所述凹槽的深度與基板的厚度相等。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種散熱良好的COB光源,其特征在于:所述底板上設(shè)有若干銅柱,所述基板底部于所述LED芯片處設(shè)有盲孔,所述銅柱與所述盲孔配合。
      【專利摘要】一種散熱良好的COB光源,包括基板,所述基板上設(shè)有固晶區(qū)域,所述固晶區(qū)域內(nèi)設(shè)有LED芯片;所述基板的底部設(shè)有銅質(zhì)的散熱底座,所述散熱底座包括底板和圍繞所述底板邊緣而設(shè)的側(cè)板,所述側(cè)板與底板共同圍成用于容置基板的凹槽,所述凹槽的形狀與基板的形狀契合;所述基板的邊緣設(shè)有若干嵌槽,所述側(cè)板的內(nèi)側(cè)設(shè)有與所述嵌槽配合的凸條。散熱底座與鋁基板結(jié)合后,散熱底座的底板與基板的底部接觸,散熱底座的側(cè)板的凸條與基板邊緣的嵌槽配合并形成接觸,這樣一來(lái)可以增加散熱底座與基板的接觸面積,從而加快基板與散熱底座之間的熱量傳遞速度,進(jìn)一步提高COB光源的散熱速度。<u />
      【IPC分類】F21V29/508, F21V17/10, F21S2/00, F21V29/89
      【公開(kāi)號(hào)】CN204901404
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520585846
      【發(fā)明人】林啟程
      【申請(qǐng)人】永林電子有限公司
      【公開(kāi)日】2015年12月23日
      【申請(qǐng)日】2015年8月6日
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