專利名稱：等離子加工設備的制作方法
背景技術：
發(fā)明領域本發(fā)明涉及等離子加工裝置。具體地說，本發(fā)明涉及一種等離子加工設備，例如蝕刻、薄膜沉積和灰化裝置，這些設備用于制造例如半導體裝置或液晶顯示裝置。
背景技術：
描述通過微波進行等離子加工現(xiàn)在引起了關注，因為它可適用于為例如半導體裝置或TFT(薄鍍層晶體管)液晶顯示裝置進行的低溫等離子加工。重要的是，這種等離子加工應均勻地用于基片上。另外，在0.133Pa或更低的低氣壓狀態(tài)下，就很難啟動放電了。尤其是使用高電離電壓的氣體時表現(xiàn)為這種趨勢。
這些問題在顯示實現(xiàn)均勻等離子的方法的日本專利特許公開No.5-36641和2000-91097中，和顯示改善等離子生成特性的方法的日本專利特許公開No.9-232099中被提出。
在日本專利特許公開No.5-36641中公開的方法描述如下。
圖13是顯示了日本專利特許公開No.5-36641中公開的等離子加工設備結構的示意性橫截面圖。參考圖13，密封室體(chamber body)101和介質板103用O-環(huán)(未顯示)密封，以使加工室與空氣絕緣。加工室100中的空氣用抽氣裝置(未顯示)排出至預定真空壓力。然后，從氣體入口109向加工室100中通入加工氣體。而后，由微波發(fā)生器(未顯示)產生的微波通過波導管106供入微波攪拌器室102。由驅動電動機107轉動的葉輪108在微波攪拌室102中攪拌并分散微波。攪拌過的微波經介質板103進入加工室100。然后，激發(fā)加工氣體產生等離子。這種等離子用于等離子化加工基片支架104上的基片105。
日本專利特許公開No.2000-91097公開了下述技術。
圖14和15分別是日本專利特許公開No.2000-9109公開的等離子加工設備的結構的示意性橫截面和平面圖。參考圖14和15，加工室100中的空氣用抽氣裝置(未顯示)排出至預定真空壓力，然后，從氣體入口109供入加工氣體。由微波發(fā)生器122產生的微波通過波導管114和絕緣線115提供到加工室100的頂端。從絕緣線115發(fā)射的微波通過微波散射板120和微波入口窗116進入加工室100用于從加工氣體產生等離子，微波散射板120由三塊板疊在一起構成。然后，對基片支架104上的基片105進行等離子加工。
微波散射板120由兩塊介質板117、119和許多薄鋁片118形成，薄鋁片118置于兩塊介質板間的確定間隔，這個微波散射板120用于分散微波。
日本專利特許公開No.9-232099公開了下述技術。
圖16是顯示了日本專利特許公開No.9-232099公開的等離子加工設備的結構的橫截面示意圖。參考圖16，在加工室100中的空氣用抽氣裝置(未顯示)排出至預定真空壓力，然后，從氣體入口109供入加工氣體。由微波發(fā)生器123產生的微波經匹配單元125通過波導管124導入微波入口窗126的頂端。然后，微波通過絕緣材料制成的微波入口窗126發(fā)射到加工室100中。在微波入口窗126對著加工室100的一邊，設有低氣壓(depression)126a，從氣體入口109供入加工室100的加工氣體被從微波入口窗126發(fā)射的微波激發(fā)，產生等離子。然后，對基片支架104上的基片105進行等離子加工。
使微波入口窗126變形的低氣壓126a可導致等離子集中，用于改善等離子發(fā)生特性。
但是，當上述方法用于基片大小范圍500mm×500mm到1m×1m的TFT液晶顯示裝置時，用上述方法等離子加工就很難均勻。
在日本專利特許公開No.5-36641中，用葉輪攪拌微波，然后，供入加工室100中。對于圓形基片105這在某種程度上有效。但是，對于矩形基片微波均勻性并不滿意。另外，雖然葉輪108利于對小面積基片幾乎均勻地應用微波，這種微波很難應用到大面積的矩形基片上。換句話說，設計攪拌器室102和可用于均勻地向加工室100中提供微波的葉輪108是相當困難的。
可以設置多數攪拌器室102和葉輪108。但是，在葉輪108的控制和維護上的問題增加了。
日本專利特許公開No.2000-91097中的設備中，微波用微波散射板120分散。微波散射板120的性能由在介質板117、119之間的鋁片的厚度和布置決定。但是，很難實現(xiàn)用于分散微波和均勻地提供微波的鋁片的最佳厚度和布置。另外，很難生產適用于大面積基片的微波散射板120。
這種等離子加工設備使用供應微波的絕緣線115。絕緣線115將由微波發(fā)生器122產生的微波導入加工室100頂端，用于從大小比基片105大的發(fā)射板向加工室100中發(fā)射微波。絕緣線115由介質制成，例如包括錐形部分T的Teflon(商品名)，錐形部分T的寬度從對應于微波發(fā)生器122的輸出口寬度的一端向對應于微波發(fā)射部分寬度的一端遞增。為了傳輸微波而不改變傳播模式，絕緣線115的錐形部分T應當逐漸錐化。然后，為了將絕緣線115適配于大面積基片，錐形部分T要做得相當長。因此，當該設備用于大的基片105時，設備增大，占據更大的安裝面積。
日本專利特許公開No.9-232099的設備中，如圖6在對著加工室100的微波入口窗126的一邊提供了低氣壓126a，用于改善等離子發(fā)生特性。在加工室100中，利用低氣壓126a在低氣壓126a附近產生一個高場強區(qū)域，用于促進等離子產生。
在該設備中高場強區(qū)域的存在無疑改善了等離子發(fā)生特性。但是，即使等離子產生后，在低氣壓126a附近還有高場強區(qū)域存在。從而，在該區(qū)域的等離子高密度使得均勻分布等離子是不可能的，為基片105均勻執(zhí)行等離子加工也是這樣。
發(fā)明概述本發(fā)明的一個目的是在等離子加工方面提供一種實現(xiàn)高均勻性的等離子加工設備。
本發(fā)明的另一個目的是提供具有改善了的等離子發(fā)生特性的等離子加工設備。
依據本發(fā)明的一個方案，等離子加工設備包括加工室，微波供應單元，槽板，和滑動部件。加工室用于等離子加工。微波供應單元有一個諧振單元，它振蕩微波以給加工室提供振蕩微波。槽板設在諧振單元和加工室之間，包括用于將振蕩微波傳送到加工室的開口?；瑒硬考怪C振單元和槽板一起相對于加工室滑動。
依據本發(fā)明的一個方案，等離子加工設備使諧振單元和槽板一起滑動以實現(xiàn)均勻等離子加工。
依據本發(fā)明的另一個方案，等離子加工設備包括加工室、微波供應單元、第一槽板、第二槽板、槽板驅動單元和滑動部件。設有加工室用于等離子加工。微波供應單元有一個諧振單元，它振蕩微波以給加工室提供振蕩微波。設在諧振單元和加工室之間的第一槽板包括多數用于向加工室傳送振蕩微波的第一開口。第二槽板包括多數設在對應于第一開口相應位置的第二開口。槽板驅動單元依據加工室中的等離子狀態(tài)使第二槽板相應于第一槽板滑動?；瑒硬考怪C振單元和槽板一起相對于加工室滑動。
依據本發(fā)明的另一個方案等離子加工設備使諧振單元和第一槽板一起滑動以實現(xiàn)均勻等離子加工。另外，等離子加工設備有相對于第一槽板可滑動的第二槽板，因此，當產生等離子時開口槽數可減少，這促進了等離子發(fā)生。
依據本發(fā)明的另一方面，第二開口最好包括大尺寸開口和小尺寸開口，大尺寸開口在第二槽板滑動的方向上有大的開口尺寸，小尺寸開口在滑動方向上有小開口尺寸。當等離子發(fā)生時，安置第二槽板以允許大尺寸開口覆蓋所有第一開口，并允許小尺寸開口不覆蓋任何第一開口。在認可等離子發(fā)生后，安置第二槽板以允許大尺寸開口和小尺寸開口分別覆蓋第一開口。
當要產生等離子時，就減少暴露開口數量以使能源集中來保證等離子發(fā)生。在等離子發(fā)生后，當暴露開口數增加時，已產生的等離子仍保留。然后，均勻供應能源以便用等離子均勻加工基片。
依據本發(fā)明的一個和另一方案，最好還在加工室中設置檢測等離子狀態(tài)的等離子狀態(tài)檢測單元。依據從等離子狀態(tài)檢測單元提供的等離子狀態(tài)信息，可以改變滑動部件滑動諧振單元的速度。
用這種方法，依據等離子狀態(tài)調整諧振單元的滑動速度以便用等離子均勻加工基片。
依據本發(fā)明的一個和另一個方面，依據從等離子態(tài)檢測單元供應的等離子狀態(tài)信息，最好調整由微波供應單元供應給加工室的微波強度。
依據等離子狀態(tài)供應的微波的強度調整，使用等離子均勻加工基片成為可能。
依據本發(fā)明的一個和另一個方面，等離子狀態(tài)檢測單元最好是測定等離子輻射強度的裝置。
這樣，等離子狀態(tài)就可以容易地用等離子輻射強度檢測到。
依據本發(fā)明的一個方面，諧振單元和用滑動部件滑動的槽板間的距離最好做成小于開口之間的間距。
滑動距離小于開口間距，就可以用等離子均勻加工基片。
依據本發(fā)明的另一個方面，用滑動部件滑動的諧振單元和第一槽板的距離最好做成小于第一開口之間的間距。
滑動距離小于第一開口間距，就可以用等離子均勻加工基片。
按下述本發(fā)明的詳細描述并結合附圖，本發(fā)明的前述和其它目的、特點、方面和優(yōu)點將更清楚。


圖1是依據本發(fā)明的第一實施例顯示了等離子加工設備的結構部分截面的示意性透視圖。
圖2是顯示了第一實施例的等離子加工設備的結構的示意性截面圖。
圖3是沿圖2的線路II-III的示意性截面圖。
圖4是顯示第一實施例的等離子加工設備和該設備控制系統(tǒng)的示意性截面圖。
圖5是依據第一實施例顯示等離子加工設備的諧振驅動單元結構的示意性透視圖。
圖6到8分別顯示了第一實施例的等離子加工設備執(zhí)行的連續(xù)等離子加工步驟。
圖9是當等離子發(fā)生時依據本發(fā)明第二實施例的等離子加工設備的示意性截面圖。
圖10是在認可等離子發(fā)生后第二實施例的等離子加工設備的示意性截面圖。
圖11依據本發(fā)明的第三實施例顯示了等離子加工設備結構的示意性截面圖。
圖12依據本發(fā)明的第四實施例顯示了等離子加工設備結構的示意性截面圖。
圖13顯示了日本專利特許公開No.5-36641中公開的等離子加工設備結構的示意性截面圖。
圖14顯示了日本專利特許公開No.2000-91097公開的等離子加工設備結構的示意性截面圖。
圖15是日本專利特許公開No.2000-91097公開的等離子加工設備結構的示意性平面圖。
圖16顯示了日本專利特許公開No.9-232099公開的等離子加工設備結構的示意性截面圖。
最佳實施例描述本發(fā)明優(yōu)選實施例描述。
現(xiàn)在結合附圖描述本發(fā)明的實施例第一實施例參考圖1-3，依據第一實施例的等離子加工設備包括室頂蓋1，密封室體2，諧振單元3，微波入口窗4，基片支架7，槽板11，線性導軌12和13，波導管14，介質板16和介質板支持構件18。
室頂蓋1放在密煉室體2的上端，室頂蓋1和密煉室體2用O-環(huán)9密封。在室頂蓋1里形成裂縫形開口1a。微波入口窗4用例如SiO2，Al2O3的介質和AlN制成，具有倒“T”形橫截面的AlN有粗長軸并裝配在開口1a中。室頂蓋1和微波入口窗4用O-環(huán)10密封。O-環(huán)10與O-環(huán)9一起維持反應室6中的氣密性。
在暴露于空氣的室頂蓋1的另一邊，設有槽板11來覆蓋微波入口窗4的上表面。多數槽11a設在槽板11中，用于部分暴露微波入口窗4的表面。諧振單元3設在室頂蓋1上，用于覆蓋槽板11。槽板11固定到諧振單元3上，諧振單元3用線性導管13活動連接到室頂蓋1上。
波導管14用線性導軌12連接到諧振單元3的上部。諧振單元3，室頂蓋1和波導管14用足夠的金屬觸點連接以防止微波泄露。
因此諧振單元3可以與槽板11一起相對于室頂蓋1和波導管14在箭頭A的方向上滑動，微波從波導管14引導到諧振單元3而無泄露。
諧振單元3由驅動單元(未顯示)驅動。這樣，諧振單元3可以相對于室頂蓋1自由放置。
密煉室體2設有供氣管5。反應氣體從供氣管5供入到加工室6中，在加工室6內部可以用真空泵設定預定氣壓。
波導管14連到微波發(fā)生源(未顯示)上，用于將由微波發(fā)生源產生的微波引導到諧振單元3。
在密煉室體2中，支持基片8的基片支架7與室頂蓋1的真空側相對設置。
假設槽板11沒有槽11a，那么諧振單元3中產生微波的駐波。因此槽11a直接放在駐波的波腹下。駐波的波腹是指駐波最大垂直幅度的位置。來自諧振單元3的微波通過槽11a、微波入口窗4和介質板16發(fā)射到加工室6中。然后，供應到加工室6中的反應氣體等離子化。
依據第一實施例的等離子加工設備的控制系統(tǒng)描述如下。
參考圖4，為了檢測在加工室6中的等離子狀態(tài)，在密煉室體2的一壁上設置等離子輻射強度檢測器25。然后可以用等離子輻射強度檢測器25檢測等離子輻射強度。
等離子輻射強度檢測器25為控制電路28提供信息，從而調整了提供的微波強度和槽11a的位置?？刂齐娐?8分別給微波發(fā)生器29和槽位控制電路30提供用于微波強度和槽11a的位置的控制信號。微波發(fā)生器29依據控制電路28的控制信號產生微波。槽位控制電路30依據控制電路28的控制信號通過諧振器驅動電動機驅動器31驅動驅動電動機26。從而，槽板11和諧振單元3在箭頭A的方向上滑動。
等離子輻射強度檢測器25檢測到的輻射強度用于調整微波發(fā)生器29產生的微波的強度。尤其是調整諧振單元3的驅動速度。例如，當輻射強度高時驅動諧振單元3減速，而當輻射強度低時驅動諧振單元3加速。這樣，控制電路28控制微波發(fā)生器29和槽位控制電路30以允許均勻加工基片8。
滑動諧振單元3和槽板11的驅動機制描述如下。
參考圖5，諧振單元3可以用線性導軌12、13在箭頭A的方向上自由移動。齒條3a設在諧振單元3的一端，連接到驅動電動機26的小齒輪27與齒條3a嚙合。這樣，諧振單元3由電動機26的驅動力驅動。另外，電動機26的旋轉在預定速率和預定時間間隔改變轉動方向，使諧振單元3和槽板11前后滑動，從而滑動加工室6中等離子密度高的部分。
因此，結合圖6到8，如下所述，諧振單元3和槽板11可以滑向均勻等離子加工基片8。
注意，為了解釋方便，圖6到8未顯示介質板16和介質板支持構件18。
參考圖6，槽板11的狀態(tài)在圖中顯示為向左滑動。保持槽板11這種狀態(tài)，加工氣體供入加工室6中，此后，從槽板11a提供的微波通過微波入口窗4發(fā)射到加工室6中，這樣，加工氣體成為等離子。合成的等離子氣體用于蝕刻將由基片8加工的薄膜8b。在基片8中的蝕刻程度依據產生的等離子的濃度分布有所變化。因此蝕刻部分具有正位于槽11a下方的中心。蝕刻的薄膜的輪廓20a如圖6所示。
參考圖7，諧振單元3和槽板11在圖中向右滑動。從而，槽11a的位置在圖中向右移動，而后，從向右移動的位置輻射微波。因此等離子的密度分布依槽11a的移動而移動。此后，蝕刻的薄膜的輪廓20b如圖7所示。
參考圖8，槽11a在圖中還向右移動以提供蝕刻薄膜的輪廓20c。這樣，薄膜幾乎是均勻的蝕刻。
此處，槽11a的間距以ds(圖6)表示，薄膜8b的蝕刻部分的寬度以Wp(圖6)表示，槽11a從圖6中位置到圖8中位置滑過的寬度以Ws表示。那么，當滿足關系式Ws＝ds-Wp時，就可均勻蝕刻將要加工的薄膜20a。
依據第一實施例，當等離子加工設備用作蝕刻設備時，該設備操作如下。
還參考圖4，加工室6的內部用真空泵(未顯示)保持真空狀態(tài)。微波發(fā)生器(未顯示)產生的微波通過波導管14供入諧振單元3并通過槽板11的槽11a傳送。微波入口窗4和介質，例如鋁的介質制成的介質板16傳輸微波時，經過槽11a的微波通過微波入口窗4和介質板16傳輸到加工室6中。
在微波供入加工室6之前，需要的加工氣體從供氣管5供入到加工室6中，并在加工室6中保持預定氣壓。在這種狀態(tài)下，微波進入到加工室6中，在其中產生等離子。依據從槽11a輻射到加工室6中的微波的場強，產生的等離子有其自身的密度。那么在槽11a相應的正下方位置等離子的密度就高。
在等離子輻射強度檢測器25認可等離子產生后。諧振單元3和槽板11一起滑動。而后，有確定密度分布的等離子相應地滑動，這樣，就可均勻加工基片8。
另外，可以通過對諧振單元3滑動速度和微波發(fā)生器產生的功率的調節(jié)更均勻地加工基片8，依據的是等離子輻射強度檢測器25檢測到的等離子狀態(tài)。換句話說，當低等離子密度時，微波發(fā)生器產生的微波的功率增高的同時諧振單元3的滑動速度減慢。相反，當高等離子密度時，微波發(fā)生器產生的微波的功率減低的同時諧振單元3的滑動速度加快。二者中選一，諧振單元3的滑動書店可以在調整微波發(fā)生器產生的微波功率后進行調整，或在調整了諧振單元3的滑動速度后調整微波功率。用這種方法，可以更均勻的等離子加工基片8。
如上面討論的，依據第一實施例的等離子加工設備可以提供均勻等離子加工(如蝕刻)。
第二實施例參考圖9，第二實施例與第一實施例的區(qū)別在于，前者包括添加到第一實施例結構中的第二槽板32。第二槽板32設在第一槽板11的上邊，并可通過槽板滑動機構34相對于第一槽板11滑動。圖中設在第二槽板32中兩種類型槽32a和32b在橫向開口大小上有區(qū)別。
槽32a在第二槽板32滑動的方向上比槽11a長。那么，即使第二槽板32滑動，槽32a和槽11a也會重疊以便提供開口。
槽32b和槽11a形狀相同或槽32b比槽11a稍大。那么，槽32b和槽11a重疊，以便在圖中第二槽板32向左或向右滑動時提供開口。
其它構件與上述第一實施例很相似。相同部件使用相同參考符號，在此不再重復。
依據第二實施例，當產生等離子時，如圖9所示槽32a與槽11a重疊而槽32b不與槽11a重疊。在檢測到等離子發(fā)生后，如圖10所示槽32a和槽32b分別與槽11a重疊。
當產生等離子后，依據第二實施例放置第二槽板32以便只有第二槽板32的槽32a與槽11a重疊，而槽32b和槽11a不重疊，如圖9所示。在這種小量微波入口窗4開口到諧振空間的狀態(tài)下，向諧振單元3中供入微波。這樣，更高場強的微波發(fā)射到加工室6中，促進了等離子的產生。
然后，等離子輻射強度檢測器25檢測等離子發(fā)生。從而，控制電路35命令槽板滑動機構34依據等離子輻射強度檢測器25的檢測信號滑動第二槽板32。這樣，如圖10中所示，第二槽板32在圖中向右滑動進入該狀態(tài)。
參考圖10，第二槽板32的槽32a、32b分別與槽11a重疊。那么，開口到諧振空間的開口數與圖99相比增加。另外，對于大面積的基片8窗開口均勻分布。在這種狀態(tài)下，諧振單元3和第一和第二槽11和32相對于基片8一起滑動。從而，可以用等離子均勻加工將要加工的基片8的所有部分。
如上所述，依據第二實施例等離子加工設備可以用于確定的產生等離子和執(zhí)行均勻等離子加工。
第三實施例參考圖11，第三實施例與第一實施例的區(qū)別在于微波入口窗的形狀。在室頂蓋1上設置矩形孔1d。在孔1d中放入由例如Al2O3的介質制成的介質板(微波入口窗)37并用O-環(huán)10密封。在微波入口窗37暴露于真空的一邊，不設置介質板和用于支持介質板的支持構件。
其它結構構件與上述第一實施例的描述很類似。相同構件使用相同參考符號，此處不再重復。
依據第三實施例，O-環(huán)9、10用于保持加工室6中的真空狀態(tài)，微波導入諧振單元3中。從槽板11的槽11a發(fā)射的微波在介質板37中發(fā)散以便發(fā)射到加工室6中。從而，供氣管5提供到加工室6中的加工氣體被激活以產生等離子。在等離子產生后，諧振單元3和槽板11一起滑動。這樣，就可以用等離子均勻加工基片。
第四實施例參考圖12，第四實施例與第一實施例的區(qū)別在于，前者在作為簇射板(shower plate)的介質板16上有氣體通道16a。
簇射板16用個質板固定件18固定以便與微波入口窗4接觸。由例如Al2O3的介質制成的簇射板16包括用于泄露加工氣體的許多氣體泄露出口16a。這些氣體泄露出口16a與設在室頂蓋1上的氣體通路1b相連。
其它結構構件與上述第一實施例的描述很類似。相同構件使用相同參考符號，此處不再重復。
依據第四實施例，加工氣體可以均勻地供給大面積的基片8，因此基片可以用等離子均勻加工。這樣尤其有利于需要均勻加工氣體的CVD(化學氣相淀積)加工。
如上所述，依據第三實施例的等離子加工設備可以用于使用等離子均勻地加工基片。
雖然應用于蝕刻設備的等離子加工設備已描述如上，等離子加工設備不局限于此。例如，等離子加工設備當然地適用于CVD設備。
如前所述，依據本發(fā)明的等離子加工設備通過諧振單元和槽板一起滑動可以實現(xiàn)均勻等離子加工。
另外，取決于等離子狀態(tài)，調整提供的微波的功率和諧振單元的滑動速度以獲得更均勻的等離子加工。
而且，當等離子產生時和當保存等離子時打開的槽的數量可以有區(qū)別，這樣可以確定地產生等離子。
用這種方法，依據本發(fā)明的等離子加工設備可以保證等離子的產生，并可以用等離子均勻加工基片。
雖然已經描述并詳細說明了本發(fā)明，很明顯，只用說明和實例不能限制本發(fā)明，本發(fā)明的要旨和范圍僅由權利要求加以限制。
權利要求
1.一種等離子加工設備，包括加工室，用于使用等離子進行加工；有振蕩微波的諧振單元的微波供應裝置，用于向上述加工室中供應振蕩微波；設在上述諧振單元和上述加工室之間的槽板，有用于向上述加工室傳送振蕩微波的開口；和滑動裝置，用于相對于上述加工室使上述諧振單元和上述槽板一起滑動。
2.依據權利要求1的等離子加工設備，還包括等離子狀態(tài)檢測裝置，用于檢測在上述加工室中的等離子狀態(tài)，其中依據上述等離子狀態(tài)裝置提供的等離子狀態(tài)信息，可以改變由上述滑動裝置滑動的諧振單元的速度。
3.依據權利要求2的等離子加工設備，其中依據上述等離子狀態(tài)檢測裝置提供的等離子狀態(tài)信息，可以調整由上述微波供應裝置向上述加工室供應的微波強度。
4.依據權利要求2的等離子加工設備，其中上述等離子狀態(tài)檢測裝置測定等離子輻射強度。
5.依據權利要求1的等離子加工設備，其中上述槽板有多數上述開口，由上述滑動裝置滑動的上述諧振單元和上述槽板的距離小于上述開口之間的間距。
6.一種等離子加工設備，包括加工室，用于使用等離子進行加工；有振蕩微波的諧振單元的微波提供裝置，用于向上述加工室中提供振蕩微波；設在上述諧振單元和上述加工室之間的第一槽板，有用于向上述加工室傳送振蕩微波的多數第一開口；有多數第二開口的第二槽板，設在相應于上述第一開口的相應位置；槽板驅動裝置，用于依據上述加工室中的等離子狀態(tài)相對于上述第一槽板滑動第二槽板；和滑動裝置，用于相對于上述加工室使上述諧振單元和上述第一槽板一起滑動。
7.依據權利要求6的等離子加工設備，其中上述多數第二開口包括大尺寸開口和小尺寸開口，大尺寸開口在上述第二槽板滑動的方向上有大的開口尺寸，小尺寸開口在滑動方向上有小開口尺寸。當產生等離子時，放置上述第二槽板，以便允許上述大尺寸開口與所有上述第一開口重疊，并允許上述小尺寸開口不與任何上述第一開口重疊，和在認可等離子發(fā)生后，放置上述第二槽板，以便允許上述大尺寸開口和上述小尺寸開口分別與上述多數第一開口重疊。
8.依據權利要求6的等離子加工設備，還包括等離子狀態(tài)檢測裝置，用于檢測在加工室中的等離子狀態(tài)，其中依據上述等離子狀態(tài)檢測裝置提供的等離子狀態(tài)信息，可以改變由上述滑動裝置滑動的上述諧振單元的速度。
9.依據權利要求8的等離子加工設備，其中依據上述等離子狀態(tài)檢測裝置提供的等離子狀態(tài)信息，調整由上述微波提供裝置提供到上述加工室中的微波強度。
10.依據權利要求8的等離子加工設備，其中上述等離子狀態(tài)檢測裝置測定等離子輻射強度。
11.依據權利要求6中的等離子加工設備，其中由上述滑動裝置滑動的上述諧振單元和上述第一槽板的距離小于上述第一開口之間的間距。
全文摘要
在暴露于空氣的微波入口窗(4)的一邊,設置帶有槽(11a)和諧振單元(3)的槽板(11)。槽板(11)和諧振單元(3)相對于加工室(6)整體放置,可通過線性導軌(12、13)滑動。用這種方法,可以設置等離子加工設備,它實現(xiàn)高度均勻的等離子加工,并具有極好的等離子發(fā)生特性。
文檔編號B23K10/00GK1359143SQ0113025
公開日2002年7月17日 申請日期2001年12月13日 優(yōu)先權日2000年12月13日
發(fā)明者田寺孝光, 山本達志, 平山昌樹, 大見忠弘 申請人:夏普株式會社, 大見忠弘