專利名稱：局部去除敷在半透明或透明基底上的敷層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及局部去除敷在半透明或透明基底如普通及合成玻璃上的敷層的方法。
“敷層”應(yīng)理解為賦予基底特定的光學(xué)、電磁或熱性能的由一層或多層構(gòu)成的任何敷層。
這樣的敷層往往為一層或多層，厚度極薄以至半透明或透明，包敷在玻璃如風(fēng)擋玻璃上。
所述敷層通常真空敷鍍在材料的整個(gè)表面上。不過，在很多應(yīng)用中，材料上一些確切的地方，如邊緣，必須裸露出來。
例如為了恢復(fù)材料的原始特性，有必要局部去除敷層如玻璃需要粘連時(shí)為了獲得更好的粘附性能；如敷層是導(dǎo)體時(shí)為了電絕緣；敷層不透明時(shí)需恢復(fù)原始的透明度等等。
如今，局部去除所述敷層采用化學(xué)方法或者機(jī)械方法。
然而，這些技術(shù)造成化學(xué)污染，可能侵蝕外表面，甚至損壞材料本身。
可借助于遮蔽技術(shù)只在需要的地方敷鍍敷層以避免清除這類敷層。
不過，這種技術(shù)不是在任何情況下都能使用的，特別是在遮蔽物形狀復(fù)雜或者具有不連貫件及內(nèi)含件時(shí)。
此外，有敷層部位與無敷層部位之間的過渡有時(shí)質(zhì)量很差。
遮蔽物的價(jià)格往往昂貴，尤其在每次改變無敷層部位的位置都需更換遮蔽物的情況下。
本發(fā)明旨在獲得一種避免上速缺陷從而經(jīng)濟(jì)地局部去除敷在半透明或透明基底上的敷層的方法，該方法不會(huì)損壞基底，可獲得高精度的定位，同時(shí)有敷層部位與無敷層部位之間的過渡質(zhì)量甚佳(過渡線甚至低于25微米)，并且可使基底在去除敷層處重獲其原始的物理特性。
本發(fā)明的方法可實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)，該方法借助一個(gè)固體脈動(dòng)激光器，或者至少一個(gè)脈動(dòng)激光二極管，一個(gè)波長在10微米和360納米之間的脈動(dòng)激光束被引至敷層上有待去除的地方。
已知使用激光器在半導(dǎo)體工業(yè)的淀積工序中有選擇性的去除敷層以及清除金屬表面的氧化物。
在上速情況下，使用氣體激光器。這類激光器不能用于透明材料，透明材料要想恢復(fù)它們的初始物理特性，要求敷層的成分不能擴(kuò)散到它們之中，而且只能承受少量增溫。
例如，US-U-5.235.154號涉及集成電路和半導(dǎo)體制造，描述了一種修復(fù)淀積在如聚酰亞胺的有機(jī)絕緣層上的兩層金屬層連接斷裂的方法，所有機(jī)絕緣層本身覆蓋在絕緣基底如玻璃上。借助于脈動(dòng)激光器通過汽化陸續(xù)清除金屬層上有待更換的部分，然后，被清除部位被蒸汽狀的化學(xué)沉積物充塞。被激光器處理的只是很小塊的表面，不能保證保留基底的光學(xué)性能，此外，整個(gè)組合不是透明或半透明的。
本發(fā)明的方法可以保留半透明或透明基底的光學(xué)特性。此外，此方法可用于具有80％以上透光率的基底-敷層組合上。
US-A-5.958.268號文件描述了一種選擇性地清除不要的材料的方法，例如清除金屬基底上的氧化物，清除石英基底的硅石，或者清除金屬基底上的漆料。利用噴射在待處理表面的惰性氣體和能量光子激光束的相結(jié)合的效果達(dá)到清除的目的。
要求光子具有足夠能量，即能量在7和22電子伏之間，這限制了激光器的選擇。最好使用紫外激光器，例如波長為248納米、光子能量可達(dá)5電子伏的KrF型氣體激光器。
上述方法不能有選擇性的清除較厚的玻璃和透明塑料基底如風(fēng)擋上的敷層，因?yàn)樗鼘?dǎo)致基底受熱及產(chǎn)生微型裂紋，或者因?yàn)槟芰抗庾拥奈斩鵁o效。
根據(jù)本發(fā)明，采用波長在10微米和360納米之間的固體激光器，如釹釔鋁柘榴石(NdYAG)激光器，在光子倍增時(shí)，能量只有1.167或2.32電子伏。用這類產(chǎn)生低能量光子的激光器切斷化學(xué)鍵的概率微乎其微。
DE-A-197 15 702描述了一種借助自調(diào)式激光器清除一或多層敷層的方法。根據(jù)該方法，敷層通過一種激光器進(jìn)行清除，這種激光器的波長能在超出該敷層材料的清除面而又不達(dá)到基底的條件下使激光束被敷層吸收。已知吸收和清除有效性的關(guān)系，根據(jù)敷層和基底的吸收量選擇最佳波長。為了能夠產(chǎn)生所述最佳波長，采用帶有光學(xué)參數(shù)振蕩器(Oscillateur paramétrique optique，OPO)的激光器。由于元件調(diào)準(zhǔn)太麻煩且工作的穩(wěn)定性對環(huán)境要求較高，帶有OPO的激光器實(shí)際上在除實(shí)驗(yàn)室以外的地方是無法使用的。
由于上述方法基于激光束的波長被敷層吸收，所以敷層對激光束波長的吸收量須很大，須明顯區(qū)別于基底的吸收量。
然而在本發(fā)明中不必如此，敷層對波長的吸收量可以很小，甚至低于10％，而透明或半透明基底的吸收量可以與敷層的吸收量相差無幾。簡單地遵循敷層和基底的光譜特性(propriétés spectrométriques)不能達(dá)到例如去除一層或多層敷層以減少風(fēng)擋、汽車玻璃或建筑物玻璃發(fā)出或傳遞的熱輻射所需的效率和質(zhì)量要求。
根據(jù)本發(fā)明引向敷層的激光束其脈沖最好小于30納秒、其波長最好在1200和400納米之間。
根據(jù)本發(fā)明，敷層可從基底-敷層整體對采用的波長的吸收量小于30％的基底上局部清除。
換言之，敷層可同樣是半透明或透明的。
為了改善有敷層表面與無敷層表面之間的過渡質(zhì)量，可通過光學(xué)成像系統(tǒng)和/或光闌傳遞脈動(dòng)激光器的光束。
脈動(dòng)激光器的光束以最佳方式通過基底引向敷層。
為了更加清楚，下面作為說明而非限制性地參照附圖描述符合本發(fā)明的從半透明或透明的基底上局部去除敷層的方法的幾個(gè)實(shí)施例，在附圖中

圖1示意的是在采用本發(fā)明的方法局部清除敷層中的玻璃基底；圖2為一個(gè)一部分敷層已按照本發(fā)明去除的基底的前視圖3和圖4為與圖1相似的示意圖，但是涉及的是符合本發(fā)明的方法的另外兩個(gè)實(shí)施例；圖5為可以使用本發(fā)明的方法的基底及其敷層的剖面圖；圖6為在使用該方法中的基底及其敷層的較大比例尺的剖面圖；圖7示意的是應(yīng)用本發(fā)明的方法可采用的一種裝置，但涉及的是本發(fā)明的方法的另一個(gè)實(shí)施例；圖8示意的是應(yīng)用本發(fā)明的方法可采用的一種裝置，但涉及的是本發(fā)明的方法的另一個(gè)實(shí)施例。
圖1示意的是一個(gè)玻璃基底1，在所給的例子中為轎車的一塊風(fēng)擋玻璃，敷層2覆蓋在其整個(gè)表面上，敷層2已借助于從固體脈動(dòng)激光器4引向敷層2的脈動(dòng)激光束3按照本發(fā)明局部地被清除。
在所給的例子中基底1和敷層2一起對于激光器4的波長的總吸收量小于30％，這就是說敷層2的吸收能力也很小，因而是透明或半透明的。
敷層2為多層敷層，其中例如至少有一層是金屬層保證敷層2的導(dǎo)電性。
圖5為另一個(gè)例子的詳細(xì)示圖。敷層2含有一定數(shù)量的厚度為幾納米或微米從而透明的迭加層，即至少含有一個(gè)第一氧化鋅層21，一個(gè)銀層22，一個(gè)第二和一個(gè)第三氧化鋅層23和24，一個(gè)第二銀層25及一個(gè)第四氧化鋅層26。所述敷層可以減少玻璃基底1所傳遞的熱輻射。
在所給的例子中，在基底1邊緣處的一個(gè)區(qū)5須去除敷層2以便于粘連，在中間部位，須局部去除一個(gè)區(qū)6以獲得一個(gè)非導(dǎo)電區(qū)，同時(shí)保證透視率符合所要求的規(guī)范，顯而易見，敷層上要去除的部位可以有其它的配置方案。
圖2所示為在區(qū)5和區(qū)6處已局部去除敷層2的基底1。
所采用的激光器4為固體激光器，例如釔鋁石榴石(YAG)型激光器，最好是釹釔鋁石榴石(NdYAG)激光器，其脈沖短，特別是寬度低于30納秒，最佳方式時(shí)低于10納秒。
在一些改型中，可采用其它類的脈動(dòng)激光器，象例如釹玻璃型(NdGlass)激光器4，又例如NdYLF激光器。
根據(jù)敷層2和基底1的特性使脈沖的能量和波長最佳化。
激光束3的波長在近紅外光和可見光中選用，即波長在10微米和360納米之間，最好在1200納米和400納米之間，可有效地通過玻璃基底1傳遞激光器4的能量，這樣可以避免加溫，后者可能造成敷層2的材料向基底1中進(jìn)行不希望有的擴(kuò)散，或者由于熱應(yīng)力在基底1中造成微型裂紋。
由于激光束3照射的面比區(qū)5和區(qū)6小得多，須使激光束3相對于基底1進(jìn)行相對運(yùn)動(dòng)，該相對運(yùn)動(dòng)最好由可編程微處理器控制。
這可以通過如下方法實(shí)現(xiàn)使激光器4固定在一個(gè)地方，使基底1移動(dòng)；或者使基底1固定，移動(dòng)激光器4；或者例如通過如圖3所示的反光鏡系統(tǒng)或光纖7只移動(dòng)激光束3。
基底1的運(yùn)動(dòng)可以借助于一個(gè)平移臺或旋轉(zhuǎn)臺實(shí)現(xiàn)，臺上放置有敷層的基底，基底通過微處理機(jī)控制相對于激光束運(yùn)動(dòng)。
通過基底1傳遞激光器4的脈沖可以提高清除速度。這不是由于基底1的溫度升高，因?yàn)榛?所吸收的激光器4的光能微乎其微，而是部分由于激光束釋放出的敷層2的微粒被噴射到空間，而不是噴向基底1。成分(甚至為氣態(tài))噴射的速度矢量與入射激光束方向相同。
激光束相對于法線的入射角α位于5°和35°之間以至于被激光束噴射出的殘?jiān)鐖D6詳示被拋射到還未受激光掃描清除的那邊，這樣可以最大限度的避免不受歡迎的金屬離子擴(kuò)散到基底1中去。在圖6中，基底1相對于激光束3的相對運(yùn)動(dòng)的方向如箭頭V所示。
圖3所示的符合本發(fā)明的方法的實(shí)施例不同于上述實(shí)施例，不僅因?yàn)樗捎霉饫w7引導(dǎo)激光束3，還因?yàn)榧す馐?釋放出的微粒被一吸塵裝置8吸收。這樣可以提高清除速度且最大限度的避免不受歡迎的金屬離子擴(kuò)散到基底1中。
清除質(zhì)量和無敷層區(qū)5、6與有敷層區(qū)之間的邊界質(zhì)量可用光成像系統(tǒng)和/或光闌改善。
圖4所示為符合本發(fā)明的方法的一個(gè)實(shí)施例，該實(shí)施例采用一個(gè)光闌9，置于激光器4的前方。這是因?yàn)楣怅@9切割激光束空間分布的邊緣使其更平直(franc)。
此外，氣體，如惰性氣體，或由壓縮機(jī)10產(chǎn)生的壓縮空氣被引至敷層2上激光束3所照射的地方，這樣可以加快清除速度。
激光器4是由閃光燈或激光二極管泵激的固體激光器。在一個(gè)改型中，在功率足夠的情況下，固體激光器4可由一個(gè)或多個(gè)脈動(dòng)激光二極管替換。
激光器4還可以與一個(gè)諧波發(fā)生器如倍頻器12連接以使激光束3的波長為激光器4的波長的一半，可因此提高清除的質(zhì)量。諧波發(fā)生器此時(shí)以正常方式使用，即如圖9所示發(fā)生大量諧波并借助于2個(gè)二向色性鏡15和一個(gè)光陷阱16對基波波長濾波。
也可在改變晶體的“相位匹配”及削減二向色鏡(圖10)的同時(shí)使用所述諧波發(fā)生器，以便同時(shí)使用不同能量密度的諧波和基波，這樣，可以最佳利用激光器的能量，從而以2至5的系數(shù)加快清除速度并提高清除質(zhì)量。例如，可故意使倍頻器12的“相位匹配”失調(diào)以在輸出激光束3中獲得比例為60％的近紅外光和40％的可見光，可加快清除速度。
激光束3也可以通過一個(gè)光成像系統(tǒng)改動(dòng)。
光學(xué)系統(tǒng)切割過渡能量光束的邊緣，以避免局部燃燒或使光束在應(yīng)用區(qū)均勻。光束分布的其它改進(jìn)方法，如采用成像系統(tǒng)或均化器(homogéniseur)，也都可以減小殘余微粒的副作用，防止局部燃燒或等離子中的微粒的不希望有的反應(yīng)。
激光束3未被敷層吸收的那部分能量被敷層傳遞或反射。這些被傳遞和反射的光束可由一個(gè)反射鏡系統(tǒng)回收并重新傳遞到有待清除的敷層上。該附加的光學(xué)系統(tǒng)可以以2的系數(shù)加快清除速度。
不單用一個(gè)激光器4，而用2個(gè)一樣的頻率為f、波長為λ(如NdYAG激光器為1064納米)的激光器4，其中一個(gè)激光器4通過一個(gè)同步箱11與另一個(gè)隨動(dòng)，以便后一個(gè)激光器4以f/2的系數(shù)錯(cuò)開時(shí)間發(fā)射。2個(gè)光束在一個(gè)倍頻器12上重新組合，可在輸出端產(chǎn)生一個(gè)含有兩個(gè)波長(如532納米和基波1064納米)的光束，其后有一個(gè)成像系統(tǒng)13，如圖7所示意，或者在一個(gè)偏極濾光器14上重新組合，如圖8所示意。
此時(shí)，系統(tǒng)以2f的虛擬頻率(fréquence virtuelle)發(fā)射光束3。圖11所示為頻率為f的2個(gè)激光器4的脈沖，第二個(gè)激光器4與另一個(gè)隨動(dòng)，頻率為2f的虛擬激光器脈沖在2個(gè)激光器4的光束在倍頻器12或偏極濾光器上重新組合之后獲得。該系統(tǒng)的增益既與該系統(tǒng)占據(jù)的空間有關(guān)又與對清除有效的光束質(zhì)量有關(guān)。其實(shí)，與提高單個(gè)脈沖能一樣的激光器的頻率相反，提高該系統(tǒng)的頻率不會(huì)造成光束3的空間分布劣化。經(jīng)過多次改動(dòng)，系統(tǒng)可以采用n個(gè)頻率為f的相同激光器以便獲得一個(gè)虛擬頻率為nf的輸出光束3。
在上述所有的實(shí)施例中，本發(fā)明的方法在最后階段，即在局部清除之后，都可包括一項(xiàng)操作即以大于100°，最好大于600°的溫度，對基底1和未被清除的敷層2進(jìn)行焙燒。
這種焙燒可以使清除操作本身在基底1上留下的最后的殘?jiān)舭l(fā)或均勻地?cái)U(kuò)散到基底1中。其另一個(gè)作用是使被等離子如金屬離子激發(fā)的微粒在表面留下的痕跡均勻化。
焙燒周期越長、溫度越高，微粒越往基底1的整個(gè)厚度里遷移和擴(kuò)散。
此外，這種焙燒已經(jīng)應(yīng)用在風(fēng)擋的制造中，為的是使玻璃凸起來，因此在該應(yīng)用中它不算是一個(gè)附加的步驟。
由于焙燒，該方法可實(shí)施得更快，因?yàn)榉稚⒃诒砻娴臍堄辔⒘５奶蟮臐舛鹊膽?yīng)力通過這些微粒本身在基底1的整個(gè)厚度中擴(kuò)散而減小，導(dǎo)致微粒最后的濃度很少，從而變得看不見。
多層敷層2的絕大多數(shù)成分被清除。清除過程中這些成分的蒸發(fā)或擴(kuò)散以及焙燒可使基底恢復(fù)其初始的透明度。
有焙燒比沒有焙燒的方法效率高5至10倍。
基底1的玻璃可以是普通玻璃，如風(fēng)擋、汽車玻璃窗及建筑物窗的玻璃，也可以是合成玻璃，或者透明塑料，如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
在按照本發(fā)明清除后，這樣的一層塑料可夾置在2片玻璃之間，或一片玻璃和一片塑料如聚乙烯醇縮丁醛(PVB)之間。PET層在一層玻璃上或一層PVB上時(shí)也可進(jìn)行清除。
基底1可以是瓶子的玻璃，如香水瓶或酒瓶，敷層2可以是裝飾，局部去除目的是做成浮雕或者做成具有技術(shù)或商業(yè)目的的特殊圖案。
在所有的實(shí)施例中，敷層2的部分清除，都是精確地以簡捷迅速的方式進(jìn)行的，均不損壞基底1。
過渡線可以是高清晰度的，寬度甚至可以低于0.01mm。
該方法可賦予圖案設(shè)計(jì)極大的靈活性。有選擇性的清除可以例如在邊緣進(jìn)行以避免腐蝕延伸到風(fēng)擋內(nèi)部，或者在局部表面進(jìn)行以便安放傳感器，如雨傳感器、風(fēng)擋識別條形碼，或者遙控付費(fèi)所需的清除區(qū)。
也可以通過刻有待制圖案的遮蔽物獲得圖案。該遮蔽物可置于激光器4和基底1之間由激光束3掃描，以避免被濺出來的殘?jiān)枞?br> 上述方法的質(zhì)量、效率和靈活性歸功于光熱、光聲現(xiàn)象和清除操作產(chǎn)生的等離子體之間的復(fù)雜的相互作用，是選用激光器4、波長、脈沖寬度和其它措施以避免基底1由于激發(fā)出的殘?jiān)踊慕Y(jié)果。光子作用于敷層2，而不作用于基底1。
上述現(xiàn)象相結(jié)合使敷層2升華或?qū)⒎髮?以細(xì)小微粒噴出。
在敷層2被清除的地方，基底1重新具有了其原始的物理特性，即象有敷層前一樣半透明或透明，即便敷層2導(dǎo)電基底1也不導(dǎo)電。
因此，該方法對于局部清除那些需要保留它們的光學(xué)特性的基底1上的敷層特別有用。
該方法可局部清除敷在對所用波長吸收少的基底1上的同樣對所述波長吸收少的敷層2，基底-敷層整體的吸收量小于30％。
這并不妨礙該方法用于從基底1上去除不透明的如黑色(黑色印刷)敷層2，例如去除風(fēng)擋上的印制標(biāo)記。
相對于不采取特殊預(yù)防措施使用激光器，上述方法可獲得系數(shù)為10至100的增益。應(yīng)用本發(fā)明的方法局部清除敷層設(shè)備的費(fèi)用相當(dāng)于或低于傳統(tǒng)的機(jī)械或化學(xué)工藝的費(fèi)用。采用一個(gè)平均功率僅50瓦(如以50Hz每次發(fā)射1焦耳)的激光器4可以以10米2/小時(shí)的速度去除減少熱輻射的稱為“低能敷層”的多層敷層2。
顯而易見，本發(fā)明絕不局限于上述實(shí)施例，而是在本發(fā)明的范圍內(nèi)可對上述方法進(jìn)行多種改動(dòng)。
權(quán)利要求
1.局部去除敷在半透明或透明基底(1)上的敷層(2)的方法，其特征是借助一個(gè)固體脈動(dòng)激光器(4)，或者至少一個(gè)脈動(dòng)激光二極管，將一個(gè)脈沖短于30納米、波長在10微米和360納米之間的脈動(dòng)激光束(3)引至敷層(2)上須去除的地方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是脈沖短于10納米的激光束(3)被引向敷層(2)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征是波長在1200納米和400納米之間的激光束(3)被引向敷層。
4.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是敷層(2)從基底(1)上局部地清除的敷層是這樣的基底(1)與敷層(2)整體對采用的波長的吸收小于30％。
5.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是激光束(3)相對于法線的入射角α位于5°和35°之間，激光束掃描的方向使在α角度下被驅(qū)逐出的殘?jiān)练e在仍有敷層的部位上。
6.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是脈動(dòng)激光器(4)的光束(3)通過一個(gè)光成像系統(tǒng)傳遞到敷層(2)上。
7.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是脈動(dòng)激光器(4)的光束(3)通過一個(gè)光闌傳遞到敷層(2)上。
8.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是脈動(dòng)激光器(4)的光束(3)通過基底(1)引至敷層(2)上。
9.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是采用由閃光燈或二極管泵激的YAG類激光器，例如NdYAG激光器，或者NdGlass類激光器，例如NdYLF激光器。
10.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是激光器(4)加配一個(gè)諧波發(fā)生器，如倍頻器。
11.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是激光器(4)加配一個(gè)諧波發(fā)生器和一個(gè)光學(xué)系統(tǒng)以便同時(shí)使用不同能量密度的諧波和基波。
12.根據(jù)權(quán)利要求1到9之一所述的方法，其特征是使用2個(gè)一樣的頻率相同的激光器(4)，其中一個(gè)通過一個(gè)同步箱(11)與另一個(gè)隨動(dòng)，以便后一個(gè)激光器(4)以 f的系數(shù)錯(cuò)開時(shí)間發(fā)射，2個(gè)激光束然后在一個(gè)倍頻器(12)上組合，或者在一個(gè)偏極濾光器(14)上組合。
13.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是激光束(3)被引至普通或合成玻璃的或者透明塑料如PET的基底(1)上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征是敷層(2)被局部地從由風(fēng)擋或汽車窗玻璃、建筑物窗玻璃或瓶玻璃構(gòu)成的基底(1)上清除。
15.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是清除包含至少一層金屬層和/或至少一層金屬氧化物層的敷層(2)。
16.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是激光束(3)由至少一條光纖(7)引導(dǎo)。
17.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是一種壓縮氣體被引至敷層(2)上激光束(3)照射的地方。
18.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是對敷層(2)上激光束(3)照射的地方吸塵。
19.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是使基底(1)進(jìn)行相對運(yùn)動(dòng)以便確定有待清除的敷層的形狀。
20.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是通過用激光束(3)局部清除敷層，基底(1)在有敷層前的原始物理特性重新恢復(fù)。
21.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是局部清除敷層(2)，以使基底(1)重新恢復(fù)其初始的光學(xué)特性。
22.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是局部清除敷層(2)，使有敷層(2)的部位與無敷層部位之間的過渡清晰，過渡線寬度甚至低于10微米。
23.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是激光束3被敷層(2)吸收的能量被一個(gè)反射鏡系統(tǒng)回收并重新傳遞到有待清除的敷層(2)上。
24.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征是在最后階段有一項(xiàng)操作即以大于100°，最好大于600°的溫度，對基底(1)和敷層(2)的剩余部分進(jìn)行焙燒。
全文摘要
本發(fā)明涉及局部去除半透明或透明基底(1)上的敷層(2)的方法，該方法借助一個(gè)固體脈動(dòng)激光器(4)，或者至少一個(gè)脈動(dòng)激光二極管，將一個(gè)脈沖短于30納米、波長在10微米和360納米之間的脈動(dòng)激光束(3)引至敷層(2)上須被清除的地方。
文檔編號B23K26/40GK1395514SQ01803916
公開日2003年2月5日 申請日期2001年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2000年1月20日
發(fā)明者阿克瑟爾·庫皮斯維茨 申請人:瓦洛尼亞空間后勤股份有限公司