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      一種減小準分子激光直寫刻蝕橫向影響區(qū)的方法

      文檔序號:3004962閱讀:166來源:國知局
      專利名稱:一種減小準分子激光直寫刻蝕橫向影響區(qū)的方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種減小準分子激光直寫刻蝕橫向影響區(qū)的方法,屬于準分子激光微加工領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      準分子激光具有較高的光子能量,脈寬窄,脈沖能量密度高,可聚焦到極小光斑等優(yōu)越的加工性能,成為微細加工領(lǐng)域重要的加工手段。
      利用準分子激光這些優(yōu)點對各種材料進行了大量的刻蝕研究發(fā)現(xiàn),準分子激光刻蝕機理存在熱效應(yīng)和光化學(xué)兩種情況,并非完全基于非熱機理。在不同試樣表面及內(nèi)部都產(chǎn)生一定程度的橫向影響區(qū)。例如,準分子激光刻蝕硅、鋼及不銹鋼時,微結(jié)構(gòu)周圍可以看到被落回的熔融噴射物灼燒的痕跡,而且在這些痕跡周圍,由于熱量的傳播使試樣表面溫度升高而發(fā)生氧化,導(dǎo)致表面顏色變深,同時光效應(yīng)引起的沖擊在試樣表面產(chǎn)生橫向裂紋等;準分子激光進行聚合物刻蝕時,加工后的微孔周圍覆蓋一層材料殘留物形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)等。這些橫向影響區(qū)的存在一定程度上改變了試樣表面形貌,對微細加工工藝很不利,極大地影響了材料微成型的質(zhì)量。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于提高準分子激光刻蝕微結(jié)構(gòu)表面形貌的質(zhì)量,減少試樣橫向影響區(qū)的范圍。
      本發(fā)明采用準分子激光直寫刻蝕微加工系統(tǒng)對試樣7進行刻蝕,與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別在于試樣7位于液體里,在液體下進行刻蝕。本發(fā)明采用的準分子激光直寫刻蝕微加工系統(tǒng)主要包括有激光器1、掩模4、投影物鏡6、試樣7,其中,激光器1發(fā)出的主光束經(jīng)過第一反射鏡2、第二反射鏡3到達掩模4,將掩模4的圖案經(jīng)過第三反射鏡5反射到投影物鏡6,投影物鏡6縮小后的圖案能夠成像到試樣7的上表面。
      本發(fā)明中的刻蝕方法,具體是按以下步驟進行的第一步,將試樣7固定到水槽8的底部,然后向水槽8中注入液體,液面高于試樣7的上表面。這樣使試樣7的加工環(huán)境從空氣變?yōu)橐后w環(huán)境。
      第二步,將第一步準備完成的水槽8固定到準分子微加工系統(tǒng)的三維工作臺9上,這樣使試樣7可進行定點及直線的加工。
      第三步,將準分子激光直寫刻蝕微加工系統(tǒng)中的掩模4轉(zhuǎn)換至“十”型,然后調(diào)整激光的像點位置,使之位于試樣7的上表面。像點處于試樣表面時,激光光能利用率達到最高。
      第四步,將微加工系統(tǒng)中掩模4轉(zhuǎn)換至加工所需形狀后,打開激光器1進行準分子液體下微成型加工。
      所述的液體為蒸餾水或甲醇。
      本發(fā)明采用液體的加工環(huán)境,一方面由于試樣上方存在液體的壓力作用,使刻蝕掉的材料碎片無法噴射出來而被保留到材料底部,從而避免了灼燒現(xiàn)象的出現(xiàn);另一方面,液體可以擴散刻蝕過程中產(chǎn)生的大量的熱,使材料表面迅速被冷卻,隔離氧氣,防止氧化。因此,采用該裝置進行在液體下加工成功地達到保護試樣表面形貌目的,獲得高質(zhì)量的微細加工結(jié)構(gòu),實施方法簡單,使準分子激光微加工工藝進一步完善。


      圖1是本發(fā)明微加工系統(tǒng)裝置示意2是本發(fā)明水槽裝置示意3(A)是水中加工聚合物PMMA孔的效果三維3(B)是空氣中加工聚合物PMMA孔的效果三維4在水中和空氣中加工聚合物PMMA橫向影響區(qū)對比曲線中1、Kr F準分子激光器,2、第一反射鏡,3、第二反射鏡,4、掩模,5、第三反射鏡,6、投影物鏡,7、試樣,8、水槽,9、三維工作臺,10、準分子激光,11、蒸餾水。
      具體實施例方式
      下面結(jié)合附圖1~4對本發(fā)明進行進一步說明。
      如圖1所示,準分子激光直寫刻蝕微加工系統(tǒng)包括有Kr F準分子激光器1、掩模4、投影物鏡6、試樣7,Kr F準分子激光器1發(fā)出的主光束經(jīng)過第一反射鏡2和第二反射鏡3到達掩模4,將掩模4的圖案經(jīng)過反射鏡5的反射到達投影物鏡6,投影物鏡6將縮小10倍的圖案經(jīng)過水槽8里面的蒸餾水成像到水下試樣7表面上進行水下刻蝕。
      本實施例主要按以下步驟進行刻蝕第一步試樣7選為聚合物材料PMMA,厚度為1.5mm,將其粘貼在水槽8的底部,然后向水槽8中注入蒸餾水12,蒸餾水的高度高于試樣2mm。
      第二步,將裝有試樣7的水槽8固定到三維工作臺上9。
      第三步,將掩模4調(diào)到“十”型,打開KrF準分子激光器1,調(diào)整像點位置使之在試樣7的上表面,關(guān)閉激光器1。
      第四步,將掩模4調(diào)到圓形,打開KrF準分子激光器1,進行在水下微孔刻蝕。
      采用上述刻蝕方法,在19Kv,20Hz條件下,選擇采用直徑為2.5mm的圓形掩模在1.5mm厚的PMMA材料表面進行不同脈沖個數(shù)(80,100,150,200,250,300,500)刻蝕實驗,加工環(huán)境分別選擇為在水下和在空氣中。實驗過程中激光器1恒壓,重復(fù)頻率20HZ,工作臺9靜止。采用非接觸式光學(xué)輪廓儀(WykoNT1100,Veeco)分別對在空氣中和水中加工后的試樣7進行觀測,當脈沖個數(shù)為300個時,材料表面形貌對比三維圖,如圖3(A)、圖3(B)所示。從圖中可明顯的看到,在水下加工的微孔形貌完整,光滑,幾乎沒有被灼傷的痕跡;而在空氣中加工后的材料表面,被灼傷的面積很大,表面形貌嚴重走形。水下加工獲得的表面形貌要遠遠優(yōu)于空氣中。
      不同脈沖個數(shù)下,在水中和空氣中加工的橫向影響區(qū)范圍比較圖,如圖4所示。從圖中可明顯的看到,在空氣中,隨脈沖個數(shù)的增加,PMMA的橫向影響區(qū)變化趨勢呈增函數(shù)變化,最小值為75.1μm,最大值為154.2μm;在水中,PMMA的橫向影響區(qū)變化趨勢較平穩(wěn),變化范圍在20.5μm到31.1μm之間,有效地降低了準分子激光加工PMMA產(chǎn)生的橫向影響區(qū)的范圍。
      總而言之,該裝置使試樣7進行水下加工,有效地控制了準分子激光微加工過程的橫向影響區(qū)范圍,提高了微結(jié)構(gòu)精度,促進微加工工藝的完善。
      實施例2實施例2與實施例1的不同之處是水槽8中的液體選為甲醇,將試樣7在甲醇下進行刻蝕。甲醇可以取代蒸餾水,起到冷卻和隔離氧氣的作用,獲得相同的加工效果。
      權(quán)利要求
      1.一種減小準分子激光直寫刻蝕橫向影響區(qū)的方法,其特征在于,該方法是按以下步驟進行的1)將試樣(7)固定到水槽(8)的底部,然后向水槽(8)中注入液體,液面高于試樣(7)的上表面;2)將水槽(8)固定到準分子激光直寫刻蝕微加工系統(tǒng)中的三維工作臺(9)上;3)將準分子激光直寫刻蝕微加工系統(tǒng)中掩模(4)轉(zhuǎn)換至“十”型,然后調(diào)整激光的像點位置,使之位于試樣(7)的表面;4)將準分子激光直寫刻蝕微加工系統(tǒng)中掩模(4)轉(zhuǎn)換至加工所需形狀后,打開激光器(1),進行刻蝕。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減小準分子激光直寫刻蝕橫向影響區(qū)的方法,其特征在于水槽(8)內(nèi)的液面高度高于試樣(7)的刻蝕表面1.5~5mm。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的一種減小準分子激光直寫刻蝕橫向影響區(qū)的方法,其特征在于所述的注入水槽(8)內(nèi)的液體為蒸餾水或甲醇。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種減小準分子激光刻蝕橫向影響區(qū)的裝置,屬于準分子激光微加工領(lǐng)域。主要包括有激光器(1)、掩模(4)、投影物鏡(6)、試樣(7),其中,激光器1發(fā)出的主光束經(jīng)過第一反射鏡(2)、第二反射鏡(3)到達掩模(4),將掩模(4)的圖案經(jīng)過第三反射鏡(5)反射到投影物鏡(6),投影物鏡(6)縮小后的圖案成像到試樣(7)的表面,進行刻蝕,其特征在于試樣(7)設(shè)置在水槽(8)的底部,水槽(8)內(nèi)注有液體,試樣(7)的刻蝕表面低于液面。采用本發(fā)明進行在液體下加工,提高了準分子激光刻蝕微結(jié)構(gòu)表面形貌的質(zhì)量,獲得高質(zhì)量的微細加工結(jié)構(gòu),實施方法簡單,使準分子激光微加工工藝進一步完善。
      文檔編號B23K26/00GK1994653SQ20061016983
      公開日2007年7月11日 申請日期2006年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月29日
      發(fā)明者姚李英, 劉瑩, 陳濤, 左鐵釧, 劉世炳 申請人:北京工業(yè)大學(xué)
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