專利名稱：一種微細(xì)電化學(xué)加工用電極的側(cè)壁絕緣方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微細(xì)電化學(xué)加工用電極的側(cè)壁絕緣方法，屬于微細(xì)加工技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
金屬及合金材料的微細(xì)陣列型孔作為一種典型的微細(xì)結(jié)構(gòu)在MEMS、航空航天、精密儀器、 化纖等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，如高速打印機(jī)噴嘴板、光纖連接器、化纖噴絲板、微泵中的微 細(xì)結(jié)構(gòu)等。微細(xì)電化學(xué)加工具有無電極損耗、不產(chǎn)生應(yīng)力、不受工具和工件材料機(jī)械性能影 響、可以在導(dǎo)電材料上加工復(fù)雜形狀、加工完成后的表面光潔度較高的特性，在精密和微細(xì) 陣列型孔的加工中有著潛在的應(yīng)用前景。但是，由于電化學(xué)加工是基于金屬陽極在電解液中 發(fā)生電化學(xué)溶解或沉積的原理來實(shí)現(xiàn)對工件的加工的，加工過程中陰極與陽極間的電位差在 間隙電解液中形成的電場使工件上不希望被加工部位和已加工部位均可能產(chǎn)生雜散電流，而 被蝕除或沉積，很大程度上影響了微細(xì)電化學(xué)加工精度。
為實(shí)現(xiàn)微細(xì)陣列型孔較高精度的電化學(xué)加工，本研究室采用工具電極側(cè)壁絕緣的工藝路 線，探索微細(xì)陣列型孔的高精度加工并達(dá)到工業(yè)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用要求的可行性。微細(xì)電化學(xué)加工 用電極的側(cè)壁絕緣，有助于將電場約束在工具電極端面和工件表面之間的狹小區(qū)域內(nèi)，抑制 雜散電流，顯著提高微細(xì)電化學(xué)加工的尺寸精度。微細(xì)電化學(xué)加工用電極對側(cè)壁絕緣有著嚴(yán) 格的要求，如較小的薄膜厚度(小于5^m);結(jié)構(gòu)致密，具有在電解液環(huán)境下的優(yōu)良絕緣性能； 厚度均勻；高附著強(qiáng)度等。特別的，微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極較微細(xì)電化學(xué)加工用單電極 的側(cè)壁絕緣具有更高的難度。
目前國內(nèi)外已見諸報(bào)導(dǎo)的電極絕緣方法主要涉及氣相沉積法、浸漬提拉法和滴涂法。1985 年，飛利浦制造技術(shù)中心利用低壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)(LPCVD)在微細(xì)鎢單電極表面沉積了均 勻、厚度約為15nm的p-SiC/n-SiC和SiC/Si3N4/SiC組合絕緣層。但是由于CVD是一種高溫 工藝，該方法對電極和絕緣膜的材料的要求較為苛刻，電極金屬必須能夠承受CVD進(jìn)程中的 卨溫，且必須和絕緣材料具有接近的膨脹系數(shù)，以保證絕緣膜的結(jié)合強(qiáng)度。2006年，山東科 技大學(xué)的槐瑞托等人通過浸漬提拉在直徑為20(^m的不銹鋼單電極表面涂敷了一層厚度均勻 的絕緣樹脂層，膜層厚度小于10(_im。 2006年，韓國國立首爾大學(xué)的B. J.Park等人通過滴涂 稀釋過的瓷釉，于直徑為60，的單電極表面涂敷了一層3，厚的瓷釉層。浸漬提拉法或滴涂 法，涂膜厚度較小，絕緣膜具有較好的絕緣性。
上述涉及浸漬提拉法和滴涂法的報(bào)導(dǎo)文獻(xiàn)中，均是以微細(xì)單電極作為對象進(jìn)行絕緣工藝 研究的，而如果應(yīng)用于微細(xì)陣列電極，易造成絕緣材料在陣列電極間隙屮淤積，無法成膜。
微細(xì)電極在絕緣后，側(cè)壁表面和端面均被絕緣膜覆蓋，因此需要去除端面的絕緣膜，使 端面導(dǎo)電以便用于電化學(xué)加工。端面導(dǎo)電的處理過去通常采用機(jī)械磨削方法。為了減少微細(xì) 電極及側(cè)壁絕緣膜層在機(jī)械打磨過程中所受的損害，打磨之前，需要利用保護(hù)介質(zhì)包裹電極， 打磨之后，需要去除保護(hù)介質(zhì)方可實(shí)現(xiàn)微細(xì)電極的側(cè)壁絕緣。該方法過程復(fù)雜，操作困難， 即使有保護(hù)介質(zhì)，打磨或去除保護(hù)物質(zhì)過程中仍難免對微細(xì)電極及絕緣膜層造成損害。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種微細(xì)電化學(xué)加工用電極的側(cè)壁絕緣方法，既適用于微細(xì)電化學(xué) 加工用單電極，也適用于微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極；并且避免了端面導(dǎo)電處理過程中機(jī)械 磨削對微細(xì)電化學(xué)加工用電極及側(cè)壁絕緣膜的損害。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下 一種微細(xì)電化學(xué)加工用電極的側(cè)壁絕緣方法，其特征在于該方 法包括如下步驟
1) 清洗電極；
2) 采用旋涂法在電極表面涂敷液態(tài)絕緣材料；
3) 利用溶劑液膜，通過局部溶解的方法去除電極端面的液態(tài)絕緣材料，使端面導(dǎo)電；
4) 對側(cè)壁表面上的液態(tài)絕緣材料進(jìn)行固化處理；
5) 重復(fù)步驟2)、步驟3)、步驟4)數(shù)次，在電極的側(cè)壁表面形成一定厚度的絕緣膜， 以滿足側(cè)壁絕緣要求。
本發(fā)明所述的液態(tài)絕緣材料采用由WSR 618環(huán)氧樹脂、501活性稀釋劑和651低分子聚 酰胺樹脂固化劑組成的環(huán)氧樹脂液；所述的環(huán)氧樹脂液的組成部分WSR 618環(huán)氧樹脂、501 活性稀釋劑和651低分子聚酰胺樹脂固化劑采用的質(zhì)量配比為l:(O. 05 0. 15): (0. 3 0. 6)。
上述技術(shù)方案中，所述環(huán)氧樹脂液的固化溫度為15。C 35'C，固化時(shí)間為30 50小時(shí)。
本發(fā)明的技術(shù)特征還在于，采用上述環(huán)氧樹脂液作為絕緣材料時(shí)，用局部溶解法去除電 極端面的液態(tài)絕緣材料時(shí)所用的溶劑為501活性稀釋劑；在步驟5)中，形成的側(cè)壁絕緣膜 的厚度為2. 5 5pm。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及突出性的有益效果
本發(fā)明提供的側(cè)壁絕緣方法l)適用范圍廣。不僅可在微細(xì)電化學(xué)加工用單電極表面形 成均勻致密的絕緣膜，而且也同樣適用于微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極；2)工藝可控性強(qiáng)。成 膜厚度遠(yuǎn)小于僅借助重力成膜的浸漬提拉法和滴涂法，進(jìn)而可通過多次涂覆彌補(bǔ)影響絕緣性 的成膜缺陷，從而盡可能小的薄膜厚度滿足絕緣要求；3)在絕緣電極的端面導(dǎo)電處理過程中， 避免了機(jī)械磨削對微細(xì)電化學(xué)加工用電極及側(cè)壁絕緣膜的損害。


圖1為側(cè)壁絕緣處理之前的微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極示意圖。
圖2為旋涂法涂敷絕緣材料示意圖。
圖3為側(cè)壁表面及端面均附著有絕緣膜的微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極的示意圖。 圖4為對絕緣后的微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極的進(jìn)行端面導(dǎo)電處理的示意圖。 圖5為側(cè)壁絕緣且端面導(dǎo)電的微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極示意圖。
圖1 5中，各標(biāo)號(hào)的意義如下l一陣列電極；2 —基底；3—電極單體；4一勻膠機(jī)托盤； 5 —專用夾具；6 —絕緣膜；7 — 501活性稀釋劑液膜；8 —玻璃片
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明借鑒了硅微細(xì)加工技術(shù)中的甩膠工藝，提出采用旋涂法進(jìn)行微細(xì)電化學(xué)加工用電 極的側(cè)壁絕緣。旋涂法對電極進(jìn)行涂膜的工作原理是利用電極高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的巨大離心力， 在膠液表面張力和旋轉(zhuǎn)離心力的共同作用下，使滴于電極表面上的膠液展成厚度均勻的膠膜， 其中高速旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)由勻膠機(jī)提供。
對于附著有絕緣膜的微細(xì)電化學(xué)加工用電極，本發(fā)明提出端面溶解法進(jìn)行電極端面的導(dǎo) 電處理。
本發(fā)明的具體方案是
1) 清洗電極；
采用丙酮(分析純)、去離子水、200g/L的稀鹽酸、50g/L的NaOH進(jìn)行清洗。部分清洗 過程，輔以超聲波振蕩。
2) 采用旋涂法在電極表面涂敷液態(tài)絕緣材料；
旋涂法中，電極旋轉(zhuǎn)，利用高速旋轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生的離心力，使滴于電極表面上的膠液展成厚 度均勻的膠膜。
涂敷絕緣膜的過程為(D將液態(tài)絕緣材料滴于電極表面；②采用旋涂法低速涂膠；③采 用旋涂法高速甩膠。經(jīng)過該過程，即可在電極表面涂敷一層均勻的絕緣膜。
3) 采用端面溶解法去除電極端面的液態(tài)絕緣材料，使端面導(dǎo)電
端面溶解法中，利用可溶解該絕緣層的溶劑液膜將電極端面的膠膜溶解掉，以使端面裸 露導(dǎo)電。具體過程為O)采用旋涂法，在一平滑表面上涂敷一層很薄的溶劑液膜；②控制電 極端面接觸液膜表面，使電極端面的絕緣材料被溶解掉，而側(cè)壁絕緣膜基本不被破壞。
4) 采用一定的固化工藝，固化形成側(cè)壁絕緣膜的液態(tài)絕緣材料
5) 重復(fù)步驟2)、步驟3)、步驟4)數(shù)次，方可制備到一定厚度、并且滿足微細(xì)電化學(xué)加 工用電極的側(cè)壁絕緣要求的絕緣膜。
以下結(jié)合附圖，提供本發(fā)明的三個(gè)實(shí)施例，以環(huán)氧樹脂液作為液態(tài)絕緣材料對微細(xì)電化 學(xué)加工用陣列電極(微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極的電極單體3靠近基底2的一端為電極根部， 另一端為電極端部，兩端之間的側(cè)表面為側(cè)壁表面，電極端部表面為端面)和微細(xì)電化學(xué)加 工用單電極進(jìn)行側(cè)壁絕緣處理。其中未進(jìn)行絕緣處理的陣列電極1如圖1所示。
首先提供進(jìn)行微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極側(cè)壁絕緣的實(shí)施例。
實(shí)施例1:
1、 清洗陣列電極1
具體清洗工藝為(D去離子水，室溫超聲清洗10min; (2)200g/L的HC1，室溫清洗30s; 再用去離子水沖洗；③丙酮(分析純)，室溫超聲清洗10分鐘，重復(fù)3次；再用去離子水沖 洗；@50g/L的NaOH， 50 。C超聲清洗5min;再用60。C去離子水沖洗，重復(fù)沖洗2次； 200g/L 的鹽酸，室溫清洗30s;再用去離子水沖洗； 丙酮(分析純)，室溫超聲清洗10分鐘；(Z)乙
醇(分析純)，室溫超聲清洗10分鐘；③取出陣列電極，置于無塵環(huán)境中自然干燥。
2、 旋涂法在陣列電極表面涂敷液態(tài)環(huán)氧樹脂絕緣材料
液態(tài)絕緣材料采用由WSR 618環(huán)氧樹脂、501活性稀釋劑和651低分子聚酰胺樹脂固化 劑組成的環(huán)氧樹脂液。配置環(huán)氧樹脂液，選用WSR618環(huán)氧樹脂、501活性稀釋劑、651低分 子聚酰胺樹脂固化劑按照l: 0.05: 0. 30的質(zhì)量配比均勻混合而成。
如圖2所示，旋涂過程中，所需旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)由勻膠機(jī)提供，陣列電極1通過專用夾具5固 定在勻膠機(jī)托盤4上，基底2垂直于勻膠機(jī)托盤4的表面且平行于切向速度方向，基底2與 勻膠機(jī)托盤4的旋轉(zhuǎn)中心間距為40mm左右。
涂敷絕緣膜的過程為O將環(huán)氧樹脂液滴于陣列電極表面；②采用旋涂法低速涂膠，勻 膠機(jī)托盤4的旋轉(zhuǎn)速度CO為600r/min，旋轉(zhuǎn)時(shí)間為lmin;③采用旋涂法高速甩膠，勻膠機(jī)托 盤4的旋轉(zhuǎn)速度CO為8000r/min，旋轉(zhuǎn)時(shí)間為17min。
經(jīng)過該過程即可得到，附著有環(huán)氧樹脂絕緣膜的微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極，如圖3所 示。由圖中可見，此時(shí)陣列電極的側(cè)壁表面和端面上均被絕緣膜覆蓋。
3、 端面溶解法去除陣列電極端面的絕緣材料，使端面導(dǎo)電，如圖4所示，其過程為 環(huán)氧樹脂薄膜涂畢，采用旋涂法在玻璃片8上，涂敷一層很薄的501活性稀釋劑液膜7;
然后控制陣列電極端面接觸液膜表面，使端面的絕緣材料被溶解掉，而側(cè)壁絕緣膜基本不被 破壞。
附著有絕緣膜的陣列電極采用端面溶解法使端面導(dǎo)電，即可得到，側(cè)壁絕緣且端面導(dǎo)電 的微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極，如圖5所示。由圖中可見，此時(shí)陣列電極的側(cè)壁表面被絕緣 膜覆蓋，而端面的絕緣膜已被去除。
4、 環(huán)氧樹脂液態(tài)絕緣材料在35'C下固化30h。
5、 重復(fù)步驟2)、步驟3)、步驟4)兩次。
通過上述步驟方可制備得到，厚度為2. 5 3. 5Hm、結(jié)構(gòu)致密、結(jié)合力強(qiáng)、絕緣效果好的 環(huán)氧樹脂側(cè)壁絕緣膜，實(shí)現(xiàn)微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極的側(cè)壁絕緣。
實(shí)施例2:
1、清洗陣列電極l具體清洗工藝為 去離子水，室溫超聲清洗10min; (2)200g/L的HC1，室溫清洗30s; 再用去離子水沖洗；③丙酮(分析純)，室溫超聲清洗10分鐘，重復(fù)3次；再用去離子水沖 洗；④50g/L的NaOH， 50 。C超聲清洗5min;再用6(TC去離子水沖洗，重復(fù)沖洗2次； 200g/L 的鹽酸，室溫清洗30s;再用去離子水沖洗； 丙酮(分析純)，室溫超聲清洗10分鐘； 乙
醇(分析純)，室溫超聲清洗10分鐘；③取出陣列電極，置于無塵環(huán)境中自然干燥。
2、 旋涂法在陣列電極表面涂敷液態(tài)環(huán)氧樹脂絕緣材料
液態(tài)絕緣材料采用由WSR 618環(huán)氧樹脂、501活性稀釋劑和651低分子聚酰胺樹脂固化 劑組成的環(huán)氧樹脂液。配置環(huán)氧樹脂液，選用WSR618環(huán)氧樹脂、501活性稀釋劑、651低分 子聚酰胺樹脂固化劑按照l: 0.10: 0.40的質(zhì)量配比均勻混合而成。
如圖2所示，旋涂過程中，所需旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)由勻膠機(jī)提供，陣列電極1通過專用夾具5固 定在勻膠機(jī)托盤4上，基底2垂直于勻膠機(jī)托盤4的表面且平行于切向速度方向，基底2與 勻膠機(jī)托盤4的旋轉(zhuǎn)中心間距為40mm左右。
涂敷絕緣膜的過程為(D將環(huán)氧樹脂液滴于陣列電極表面；②采用旋涂法低速涂膠，勻 膠機(jī)托盤4的旋轉(zhuǎn)速度CO為600r/min，旋轉(zhuǎn)時(shí)間為lmin;③采用旋涂法高速甩膠，勻膠機(jī)托 盤4的旋轉(zhuǎn)速度(D為8000r/min，旋轉(zhuǎn)時(shí)間為17min。
經(jīng)過該過程即可得到，附著有環(huán)氧樹脂絕緣膜的微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極，如圖3所 示。由圖中可見，此時(shí)陣列電極的側(cè)壁表面和端面上均被絕緣膜覆蓋。
3、 端面溶解法去除陣列電極端面的絕緣材料，使端面導(dǎo)電，如圖4所示，其過程為 環(huán)氧樹脂薄膜涂畢，采用旋涂法在玻璃片8上，涂敷一層很薄的501活性稀釋劑液膜7;
然后控制陣列電極端面接觸液膜表面，使端面的絕緣材料被溶解掉，而側(cè)壁絕緣膜基本不被 破壞。
附著有絕緣膜的陣列電極采用端面溶解法使端面導(dǎo)電，即可得到，側(cè)壁絕緣且端面導(dǎo)電 的微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極，如圖5所示。由圖中可見，此時(shí)陣列電極的側(cè)壁表面被絕緣 膜覆蓋，而端面的絕緣膜已被去除。
4、 環(huán)氧樹脂液態(tài)絕緣材料在25。C下固化40h。
5、 重復(fù)步驟2)、步驟3)、步驟4)兩次。
通過上述步驟方可制備得到，厚度為2. 5 3. 5)_im、結(jié)構(gòu)致密、結(jié)合力強(qiáng)、絕緣效果好的 環(huán)氧樹脂側(cè)壁絕緣膜，實(shí)現(xiàn)微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極的側(cè)壁絕緣。
以下提供進(jìn)行微細(xì)電化學(xué)加工用單電極側(cè)壁絕緣的實(shí)施例。
實(shí)施例3:
1、清洗單電極
具體清洗工藝為O去離子水，室溫超聲清洗10min;②200g/L的HCl,室溫清洗30s;
再用去離子水沖洗；③丙酮(分析純)，室溫超聲清洗10分鐘，重復(fù)3次；再用去離子水沖 洗； 50g/L的NaOH, 50 。C超聲清洗5min;再用60。C去離子水沖洗，重復(fù)沖洗2次； 200g/L
的鹽酸，室溫清洗30s;再用去離子水沖洗； 丙酮(分析純)，室溫超聲清洗10分鐘；(D乙 醇(分析純)，室溫超聲清洗10分鐘；⑧取出單電極，置于無塵環(huán)境中自然干燥。
2、 旋涂法在單電極表面涂敷液態(tài)環(huán)氧樹脂絕緣材料
液態(tài)絕緣材料采用由WSR 618環(huán)氧樹脂、501活性稀釋劑和651低分子聚酰胺樹脂固化 劑組成的環(huán)氧樹脂液。配置環(huán)氧樹脂液，選用WSR618環(huán)氧樹脂、501活性稀釋劑、651低分 子聚酰胺樹脂固化劑按照l: 0.15: 0.50的質(zhì)量配比均勻混合而成。
旋涂過程中，所需旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)由勻膠機(jī)提供，單電極通過專用夾具固定在勻膠機(jī)托盤4上， 電極軸線平行于勻膠機(jī)托盤4的徑向，單電極與勻膠機(jī)托盤4的旋轉(zhuǎn)中心間距為40mm左右。
涂敷絕緣膜的過程為(D將環(huán)氧樹脂液滴于單電極表面；②采用旋涂法低速涂膠，勻膠 機(jī)托盤的旋轉(zhuǎn)速度CO為600r/min，旋轉(zhuǎn)時(shí)間為lmin;③采用旋涂法高速甩膠，勻膠機(jī)托盤的 旋轉(zhuǎn)速度CO為8000r/min，旋轉(zhuǎn)時(shí)間為17min。
經(jīng)過該過程即可得到，附著有環(huán)氧樹脂絕緣膜的微細(xì)電化學(xué)加工用單電極，此時(shí)單電極 的側(cè)壁表面和端面上均被絕緣膜覆蓋。
3、 端面溶解法去除單電極端面的絕緣材料，使端面導(dǎo)電，其過程為 環(huán)氧樹脂薄膜涂畢，采用旋涂法在玻璃片上，涂敷一層很薄的501活性稀釋劑液膜；然
后控制單電極端面接觸液膜表面，使端面的絕緣材料被溶解掉，而側(cè)壁絕緣膜基本不被破壞。 附著有絕緣膜的單電極采用端面溶解法使端面導(dǎo)電，即可得到，側(cè)壁絕緣且端面導(dǎo)電的 微細(xì)電化學(xué)加工用單電極，此時(shí)單電極的側(cè)壁表面被絕緣膜覆蓋，而端面的絕緣膜已被去除。
4、 環(huán)氧樹脂液態(tài)絕緣材料在15'C下固化50h。
5、 重復(fù)步驟2)、步驟3)、步驟4)三次。
通過上述步驟方可制備得到，厚度為4 5pm、結(jié)構(gòu)致密、結(jié)合力強(qiáng)、絕緣效果好的環(huán)氧 樹脂側(cè)壁絕緣膜，實(shí)現(xiàn)微細(xì)電化學(xué)加工用單電極的側(cè)壁絕緣。
權(quán)利要求
1. 一種微細(xì)電化學(xué)加工用電極的側(cè)壁絕緣方法，其特征在于該方法包括如下步驟1)清洗電極；2)采用旋涂法在電極表面涂敷液態(tài)絕緣材料；3)利用溶劑液膜，通過局部溶解的方法去除電極端面的液態(tài)絕緣材料，使端面導(dǎo)電；4)對側(cè)壁表面上的液態(tài)絕緣材料進(jìn)行固化處理；5)重復(fù)步驟2)、步驟3)、步驟4)數(shù)次，在電極的側(cè)壁表面形成一定厚度的絕緣膜，以滿足側(cè)壁絕緣要求。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的微細(xì)電化學(xué)加工用電極的側(cè)壁絕緣方法，其特征在于所述的 液態(tài)絕緣材料采用由WSR 618環(huán)氧樹脂、501活性稀釋劑和651低分子聚酰胺樹脂固化劑混 合而成的環(huán)氧樹脂液。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的微細(xì)電化學(xué)加工用電極的側(cè)壁絕緣方法，其特征在于所述的 環(huán)氧樹脂液的組分WSR 618環(huán)氧樹脂、501活性稀釋劑和651低分子聚酰胺樹脂固化劑的質(zhì) 量配比為l: (0. 05 0. 15): (0. 30 0. 50)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的微細(xì)電化學(xué)加工用電極的側(cè)壁絕緣方法，其特征在于所述環(huán) 氧樹脂液的固化溫度為15'C 35'C，固化時(shí)間為30 50小時(shí)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的微細(xì)電化學(xué)加工用電極的側(cè)壁絕緣方法，其特征在于所述的 環(huán)氧樹脂液作為液態(tài)絕緣材料，在步驟3)中利用溶劑液膜通過局部溶解的方法進(jìn)行電極端 面的導(dǎo)電處理中，所用的溶劑為501活性稀釋劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微細(xì)電化學(xué)加工用電極的側(cè)壁絕緣方法，其特征在于所述的 環(huán)氧樹脂液作為液態(tài)絕緣材料，在步驟5)中，形成的側(cè)壁絕緣膜的厚度為2. 5 5nm。
全文摘要
一種微細(xì)電化學(xué)加工用電極的側(cè)壁絕緣方法，涉及在微細(xì)電化學(xué)加工用電極的側(cè)壁表面形成絕緣膜的方法，屬于微細(xì)加工技術(shù)領(lǐng)域。該方法的操作步驟為1)清洗電極；2)旋涂法在電極表面涂敷液態(tài)絕緣材料；3)利用局部溶解的方法去除電極端面的液態(tài)絕緣材料，使端面導(dǎo)電；4)固化液態(tài)絕緣材料；5)重復(fù)步驟2)、步驟3)、步驟4)數(shù)次，在電極的側(cè)壁表面形成一定厚度的絕緣膜，以滿足側(cè)壁絕緣要求。絕緣材料可采用環(huán)氧樹脂液。本發(fā)明不僅適用于微細(xì)電化學(xué)加工用單電極，而且適用于微細(xì)電化學(xué)加工用陣列電極，同時(shí)也為電生理學(xué)實(shí)驗(yàn)用電極提供了一種新的側(cè)壁絕緣方法。
文檔編號(hào)B23H3/06GK101391328SQ200810225440
公開日2009年3月25日 申請日期2008年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月31日
發(fā)明者劉改紅, 勇 李, 陳旭鵬 申請人:清華大學(xué)