專利名稱：一種led晶體微焊共晶方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于LED制作技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種LED晶體微焊共晶方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的LED晶體共晶過程中，一般是使用約3ιιπΓ25ιιπι的金錫釬焊片，然后加熱至 300攝氏度使金錫合金融化將LED晶體焊接于固定支架上。另一方法是使用有助焊劑的錫 金焊膏直接加熱焊接晶片。實(shí)際使用中，該兩種方法存在如下缺點(diǎn)1.因LED晶體與支架 接觸表面粗糙度不一致，間接接觸面積太少，在加熱時(shí)也容易造成錫金氧化，形成假焊，造 成導(dǎo)熱不良；2.使用錫金焊膏時(shí)，助焊劑涂布不均勻或者助焊劑沒有揮發(fā)趕緊殘留于支架 表面，也會形成假焊或?qū)岵涣迹?. LED晶體固定后無法用普通顯微鏡檢測芯片與之間間 是否緊密焊接，只能用價(jià)格昂貴的X光設(shè)備用非破壞的方式檢測，檢測非常不便。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種導(dǎo)熱性能好、抗氧化性高的LED晶體微焊 共晶方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種LED晶體微焊共晶方法，該方法步驟為1)、焊料涂布，將膏狀錫金焊料涂布于固定支架上用于固定LED晶體位置，并通過 助焊劑加熱使焊料融化填充于支架LED晶體共晶位置上；2)、助焊劑清除，在加熱狀態(tài)下，用純水或皂化劑清洗清除助焊劑；3)、鍍保護(hù)層，在加熱狀態(tài)下，在氮?dú)饣虻獨(dú)浠旌蠚怏w或真空環(huán)境中在的焊料上鍍 金保護(hù)層。其中，所述的保護(hù)層為金鍍層，厚度約為0. lunTO. 3um。其中，所述的固定支架材料為氧化鋁或硅或氮化鋁或氮化硅或碳化硅。其中，加熱的方式為直接加熱或超聲波加熱或點(diǎn)焊方式加熱，加熱溫度為300士 10 攝氏度。其中，加熱時(shí)為氮?dú)饣虻獨(dú)浠旌蠚怏w或真空環(huán)境。與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用本發(fā)明方法生產(chǎn)的LED燈具具有如下優(yōu)點(diǎn)1.具有高導(dǎo)電、高導(dǎo)熱性能；2.設(shè)置了保護(hù)層，具有較高的抗氧化性能；3.具有較高的抗熱沖擊性；4.焊料滲透性(濕潤性)良好；5.便于采用自動化設(shè)備作業(yè)，工作效率高，無需專用設(shè)備對成品進(jìn)行檢測。
具體實(shí)施例方式為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面將結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明結(jié)構(gòu)原理作進(jìn)一步詳細(xì)描敘本發(fā)明實(shí)施例揭示的LED晶體微焊共晶方法采用如下步驟實(shí)現(xiàn)首先，焊料涂布，將膏狀錫金焊料涂布于固定支架上用于固定LED晶體位置，并通 過助焊劑加熱至300士 10攝氏度使焊料融化填充于支架LED晶體共晶位置；然后，在該加熱 狀態(tài)下實(shí)施助焊劑清除，采用純水或皂化劑清洗清除助焊劑，將助焊劑從融化的焊料上清 除掉；最后鍍保護(hù)層，同樣在該加熱狀態(tài)下，在氮?dú)饣虻獨(dú)浠旌蠚怏w或真空環(huán)境中在融化的 焊料上鍍保護(hù)層，保護(hù)焊接部位不會直接暴露于外界空氣中氧化。共晶時(shí)，再使用超聲波或 直接電加熱微焊晶片。本實(shí)施例中，保護(hù)層為金。本實(shí)施例中，固定支架材料為氧化鋁。此外，該固定支架材料也可以為氧化鋁或硅 或氮化鋁或氮化硅。本實(shí)施例中，加熱的方式為直接家人。此外，該加熱方式也可以為超聲波加熱或點(diǎn) 焊方式加熱。本實(shí)施例中，加熱時(shí)為氮?dú)猸h(huán)境。此外，也可以為氮?dú)浠旌蠚怏w或真空環(huán)境。本發(fā)明保證了 LED晶體熱量高效、迅速地傳導(dǎo)散失，減少對LED晶體的損害，延長 LED晶體的使用壽命。在本公司采用自動化設(shè)備批量實(shí)驗(yàn)來看，合格率已經(jīng)可穩(wěn)定在98% 以上。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能 因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說， 在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍 應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種LED晶體微焊共晶方法，其特征在于，該方法步驟為1)、焊料涂布，將膏狀錫金焊料涂布于固定支架上用于固定LED晶體位置，并通過助焊 劑加熱使焊料融化填充于支架LED共晶位置上；2)、助焊劑清除，在加熱狀態(tài)下，用純水或皂化劑清洗清除助焊劑；3)、鍍保護(hù)層，在加熱狀態(tài)下，在氮?dú)饣虻獨(dú)浠旌蠚怏w或真空環(huán)境中在融化的焊料上鍍 保護(hù)層；4)、加熱方法，程序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED晶體微焊共晶方法，其特征在于所述的保護(hù)層為金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED晶體微焊共晶方法，其特征在于所述的固定支架材料 為氧化鋁或硅或氮化鋁或氮化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED晶體微焊共晶方法，其特征在于加熱的方式為直接加 熱或超聲波加熱或點(diǎn)焊方式加熱，加熱溫度為300士 10攝氏度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED晶體微焊共晶方法，其特征在于加熱時(shí)為氮?dú)饣虻獨(dú)?混合氣體或真空環(huán)境。
全文摘要
一種LED晶體微焊共晶方法，該方法步驟依次焊料涂布、助焊劑清除、真空蒸鍍金保護(hù)層、共晶。與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用本發(fā)明方法生產(chǎn)的LED燈具具有如下優(yōu)點(diǎn)1.具有高導(dǎo)電、高導(dǎo)熱性能；2.設(shè)置了保護(hù)層，具有較高的抗氧化性能；3.具有較高的抗熱沖擊性；4.焊料滲透性(濕潤性)良好；5.便于采用自動化設(shè)備作業(yè)，工作效率高，無需專用設(shè)備對成品進(jìn)行檢測。
文檔編號B23K1/00GK102000893SQ20101052377
公開日2011年4月6日 申請日期2010年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月25日
發(fā)明者李啟智, 詹勛縣, 譚耀武 申請人:惠州志能達(dá)光電科技有限公司