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      易開蓋刻痕深度的調(diào)整方法

      文檔序號(hào):3054844閱讀:234來源:國知局
      專利名稱:易開蓋刻痕深度的調(diào)整方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及易開蓋刻痕深度微調(diào)的技術(shù)。
      背景技術(shù)
      易開蓋刻痕深度是影響易開蓋產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵因素;目前易開蓋刻痕深度的調(diào)整主要通過在下模和基底之間增加硬質(zhì)墊片(例如采用金屬銅墊片)或手動(dòng)調(diào)節(jié)其位移方法來實(shí)現(xiàn)的,其不足在于需要通過停機(jī)來完成上述的條件,給連續(xù)生產(chǎn)帶來了不便。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明之目的為解決上述問題而提出的易開蓋刻痕深度的微調(diào)方法。為了實(shí)現(xiàn)發(fā)明目的,擬采用以下的技術(shù)A.本發(fā)明在結(jié)構(gòu)上包括下模、位于下模正上方的易開蓋蓋坯、繞在下模外圍的電熱線圈和位于易開蓋蓋坯上方空間的上模;其特征在于B.本發(fā)明的使用方法所述的下模的高度是通過繞制在下模外圍的電熱線圈對下模進(jìn)行感應(yīng)加熱造成下模發(fā)生垂直方向的膨脹程度來調(diào)整的,即通過該高度的微調(diào)整來控制上模底部刀模沖刻易開蓋蓋坯時(shí)造成該易開蓋蓋坯上刻痕的深度。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)比較的特點(diǎn)由于本發(fā)明采用了對金屬的熱脹冷縮特性來控制易開蓋蓋坯上刻痕的深度的微調(diào),這就為方便地實(shí)現(xiàn)易開蓋刻痕深度微調(diào)創(chuàng)造了條件?!梢栽谶B續(xù)生產(chǎn)時(shí)無需停機(jī)的情況下通過冷熱的調(diào)節(jié)來完成上下距離的微調(diào)(微量位移)。


      圖示意了本發(fā)明的實(shí)施例。1 上模;2 下模;3 電熱線圈;4 感溫元件;Q 易開蓋蓋坯;W 刀模;V 刻痕;A 調(diào)溫系統(tǒng);P 基底;S 刻痕所在圓的環(huán)徑;H 下模的高度;h 刀模深度;h’ 刻痕深度;U 電壓。
      具體實(shí)施例方式如圖所示,本發(fā)明的關(guān)鍵部件就是位于基底P上部的下模2(例如其直徑為 68mm,高度H為40mm——它是由線膨脹系數(shù)為10. 95X 1061/K的Crl2作為材料制作成的), 它高度H之變化(相當(dāng)微小——在微米的量級(jí)上)完全是通過調(diào)溫系統(tǒng)A根據(jù)感溫元件4 測得的下模2溫度值的反饋來決定提供給電熱線圈3的電壓U改變下模2的溫度來完成的, 即最終通過冷熱調(diào)節(jié)來完成上下位移的微調(diào)(微量位移)。當(dāng)下模2的高度H確定以后,易開蓋蓋坯Q上的刻痕V的深度h’的數(shù)值也就被確定了?!夏?向下沖壓(位移)的距離是個(gè)恒定值,因此,易開蓋蓋坯Q上的刻痕V的深度h’的數(shù)值是由下模2垂直方向熱脹冷縮的位移距離所決定的。顯然,本發(fā)明的方法關(guān)鍵點(diǎn)在于完全是通過下模2的向上微量位移來確定易開蓋蓋坯Q上的刻痕V的深度h’的,并且,實(shí)際的刻痕V深度h’會(huì)小于或等于刀模W的深度 h。例如下模2高度H為40mm,當(dāng)調(diào)溫系統(tǒng)A通過電熱線圈3給下模2加熱,溫度波動(dòng)范圍在30°C至50°C時(shí),下模2高度H的微調(diào)范圍在10 μ m之間,也就是本發(fā)明在易開蓋蓋坯Q上的刻痕V的深度h’的微調(diào)范圍至少在10 μ m之間,又由于易開蓋蓋坯Q上的刻痕 V深度h’是由上模1底部的刀模W沖刻易開蓋蓋坯Q造成的,刀模W的深度h為0. 5mm,刻痕V的深度h,可以為90 μ m。至于涉及本發(fā)明關(guān)鍵部位的其他次要執(zhí)行元件的相關(guān)數(shù)據(jù)如下本發(fā)明刀模W —般可取其環(huán)徑S為66mm (小于下模2的直徑),這樣所刻出的位于易開蓋蓋坯Q上的環(huán)狀刻痕V的環(huán)徑S刀模W環(huán)徑S完全一致.下模2外圍繞制電熱線圈3時(shí)的繞制距離不能超過下模2的高度H,例如其距離為30mm,線圈匝數(shù)為6匝。
      權(quán)利要求
      1.易開蓋刻痕深度的微調(diào)方法,A.在結(jié)構(gòu)上包括下模O)、位于下模O)正上方的易開蓋蓋坯⑴)、繞在下模(2)外圍的電熱線圈(3)和位于易開蓋蓋坯(Q)上方空間的上模(1);其特征在于B.使用方法所述的下模O)的高度(H)是通過繞在下模(2)外圍的電熱線圈(3)對下模( 進(jìn)行加熱造成下模(2)發(fā)生垂直方向的膨脹程度來調(diào)整的,即通過該高度(H)的調(diào)整來控制上模(1)底部刀模(W)沖刻易開蓋蓋坯(Q)時(shí)造成該易開蓋蓋坯(Q)上刻痕 (V)的深度(h,)。
      全文摘要
      易開蓋刻痕深度的微調(diào)方法,在結(jié)構(gòu)上包括下模(2)、位于下模(2)上部的易開蓋蓋坯(Q)、繞在下模(2)外圍的電熱線圈(3)和位于易開蓋蓋坯(Q)上方空間的上模(1);其特征在于其使用方法如下所述下模(2)的高度(H)是通過繞制在下模(2)外圍的電熱線圈(3)對下模(2)進(jìn)行加熱造成其發(fā)生垂直方向的膨脹程度來微調(diào)的,即通過該高度(H)的微調(diào)來控制上模(1)底部刀模(W)沖刻易開蓋蓋坯(Q)時(shí)造成該易開蓋蓋坯(Q)上刻痕(V)的深度(h’)。—由于采用了金屬熱脹冷縮特性來控制易開蓋蓋坯(Q)上刻痕(V)的深度(h’),這就為實(shí)現(xiàn)易開蓋蓋坯(Q)上刻痕(V)深度(h’)的微調(diào)創(chuàng)造了條件。
      文檔編號(hào)B21D51/44GK102416426SQ201110226898
      公開日2012年4月18日 申請日期2011年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月2日
      發(fā)明者汪偉, 蔡慧, 金麗秋 申請人:中國計(jì)量學(xué)院
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